电离装置、OLED模组及制备方法和电子设备

摘要

本发明公开了一种电离装置、OLED模组及制备方法和电子设备，其中电离装置包括正电极和负电极；正电极适用于电连接外围驱动系统的输出端；负电极适用于电连接外围驱动系统的输入端；还包括核心活泼层；核心活泼层形成于正电极与负电极之间；且核心活泼层的材质为导电物质，并添加有电离水催化剂。由此，核心活泼层吸收外界环境中的水气并对水气进行电离。最终有效解决了现有的水氧阻隔方式不能有效解决外界环境中水气对AMOLED模组和电子设备的影响，从而导致AMOLED模组和电子设备的可靠性较低的问题。

权利要求

1.一种电离装置，其特征在于，包括正电极和负电极；

所述正电极适用于电连接外围驱动系统的输出端；

所述负电极适用于电连接所述外围驱动系统的输入端；

还包括核心活泼层；

所述核心活泼层形成于所述正电极与所述负电极之间；且所述核心活泼层的材质为导电物质，并添加由亲水性材料构成的电离水催化剂。

2.根据权利要求1所述的电离装置，其特征在于，所述核心活泼层的结构为由亲水性材料构成的亲水结构。

3.根据权利要求1所述的电离装置，其特征在于，所述核心活泼层包括正离子传输绝缘物层、负离子传输绝缘物层和核心网层；

所述核心网层形成于所述正离子传输绝缘物层与所述负离子传输绝缘物层之间；且所述正离子传输绝缘物层形成于所述负电极与所述核心网层之间；

所述负离子传输绝缘物层形成于所述核心网层与所述正电极之间。

4.根据权利要求3所述的电离装置，其特征在于，所述核心网层的材质为亲水性材料。

5.一种OLED模组，其特征在于，包括：基板；

OLED器件，所述OLED器件形成于所述基板上；

封装层，所述封装层设置于所述OLED器件的外围，包围所述OLED器件；

权利要求1至4任一项所述的电离装置，所述电离装置加贴在所述封装层表面或设置在所述基板与所述封装层之间。

6.根据权利要求5所述的OLED模组，其特征在于，所述OLED器件包括TFT层、阳极、有机层和阴极；

所述TFT层形成于所述基板表面；

所述阳极形成于所述TFT层与所述有机层之间；

所述有机层形成于所述阳极与所述阴极之间。

7.一种OLED模组制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上制备OLED器件；

在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备权利要求1至5任一项所述的电离装置；

在所述电离装置表面和所述OLED器件外围制备封装层。

8.根据权利要求7所述的OLED模组制备方法，其特征在于，所述制备权利要求1至4任一项所述的电离装置，包括如下步骤：在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备正电极和负电极，并在所述正电极和所述负电极之间填充制备核心活泼层；或在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备所述正电极，在所述正电极表面制备核心活泼层，并在所述核心活泼层表面制备所述负电极；或在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备所述负电极，在所述负电极表面制备核心活泼层，并在所述核心活泼层表面制备所述正电极。

9.根据权利要求8所述的OLED模组制备方法，其特征在于，制备所述核心活泼层，包括如下步骤：在所述正电极表面制备负离子传输绝缘物层；

在所述负离子传输绝缘物层表面制备核心网层；

在所述核心网层表面与所述负电极之间制备正离子传输绝缘物层。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求5或6所述的OLED模组；且所述OLED模组中的电离装置电连接在所述电子设备的驱动电路的输入端和输出端之间。

说明书

电离装置、OLED模组及制备方法和电子设备

技术领域

[0001] 本发明涉及电子产品领域，特别是涉及一种电离装置、OLED模组及制备方法和电子设备。

背景技术

[0002] 随着电子产业的高速发展，现今社会电子设备普及率也越来越高，如：个人电脑、手机、服务器、GPS(Global Positioning System，全球定位系统)导航装置等，已经成为人们日常生活中的必备品。其中，作为一种新型封装结构AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)，因其具有高色度、高对比度、宽视角、高亮度、自发光、响应速度快、可实现柔性显示等特点，已经被广泛应用在移动电话和媒体播放器等电子设备上。

[0003] 由于AMOLED封装结构对水氧阻隔的要求很高，因此业界通常采用密封、屏蔽的方式或采用优化封装、多层膜封装、增加干燥等方式来实现水氧阻隔，以保证电子设备的正常使用。但是，上述几种方式均不能有效解决外界环境中水气对AMOLED模组和电子设备的影响，从而使得AMOLED模组和电子设备的可靠性较低。

发明内容

[0004] 基于此，有必要针对传统的水氧阻隔方式不能有效解决外界环境中水气对AMOLED模组和电子设备的影响，从而导致AMOLED模组和电子设备的可靠性较低的问题，提供一种电离装置、OLED模组及制备方法和电子设备。

[0005] 为实现本发明目的提供的一种电离装置，包括正电极和负电极；

[0006] 所述正电极适用于电连接外围驱动系统的输出端；

[0007] 所述负电极适用于电连接所述外围驱动系统的输入端；

[0008] 还包括核心活泼层；

[0009] 所述核心活泼层形成于所述正电极与所述负电极之间；且

[0010] 所述核心活泼层的材质为导电物质，并添加有电离水催化剂。

[0011] 在其中一个实施例中，所述核心活泼层的结构为亲水结构。

[0012] 在其中一个实施例中，所述核心活泼层包括正离子传输绝缘物层、负离子传输绝缘物层和核心网层；

[0013] 所述核心网层形成于所述正离子传输绝缘物层与所述负离子传输绝缘物层之间；且

[0014] 所述正离子传输绝缘物层形成于所述负电极与所述核心网层之间；

[0015] 所述负离子传输绝缘物层形成于所述核心网层与所述正电极之间。

[0016] 在其中一个实施例中，所述核心网层的材质为亲水性材料。

[0017] 相应的，本发明还提供了一种OLED模组，包括：

[0018] 基板；

[0019] OLED器件，所述OLED器件形成于所述基板上；

[0020] 封装层，所述封装层设置于所述OLED器件的外围，包围所述OLED器件；

[0021] 如上任一所述的电离装置，所述电离装置加贴在所述封装层表面或设置在所述基板与所述封装层之间。

[0022] 在其中一个实施例中，所述OLED器件包括TFT层、阳极、有机层和阴极；

[0023] 所述TFT层形成于所述基板表面；

[0024] 所述阳极形成于所述TFT层与所述有机层之间；

[0025] 所述有机层形成于所述阳极与所述阴极之间。

[0026] 相应的，为实现上述任一种OLED模组，本发明还提供了一种OLED模组制备方法，包括如下步骤：

[0027] 在基板上制备OLED器件；

[0028] 在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备权利要求1至4任一项所述的电离装置；

[0029] 在所述电离装置表面和所述OLED器件外围制备封装层。

[0030] 在其中一个实施例中，所述制备权利要求1至4任一项所述的电离装置，包括如下步骤：

[0031] 在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备正电极和负电极，并在所述正电极和所述负电极之间填充制备核心活泼层；或

[0032] 在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备所述正电极，在所述正电极表面制备核心活泼层，并在所述核心活泼层表面制备所述负电极；或

[0033] 在所述基板未制备所述OLED器件的边缘位置处制备所述负电极，在所述负电极表面制备核心活泼层，并在所述核心活泼层表面制备所述正电极。

[0034] 在其中一个实施例中，制备所述核心活泼层，包括如下步骤：

[0035] 在所述正电极表面制备负离子传输绝缘物层；

[0036] 在所述负离子传输绝缘物层表面制备核心网层；

[0037] 在所述核心网层表面与所述负电极之间制备正离子传输绝缘物层。

[0038] 相应的，本发明还提供了一种电子设备，包括如上任一所述的OLED模组；且[0039] 在其中一个实施例中，所述驱动电路为所述电子设备的电源装置。

[0040] 上述电离装置的有益效果：

[0041] 其通过在正电极与负电极之间形成核心活泼层，并且采用导电物质作为核心活泼层的主要材质，并添加电离水催化剂，由此当正电极和负电极分别与外围驱动系统的输出端和输入端电连接后，核心活泼层吸收外界环境中的水气并对水气进行电离，从而避免了外界环境中的水气进入到AMOLED模组或电子设备中的现象，这也就提高了AMOLED模组或电子设备的可靠性。最终有效解决了现有的水氧阻隔方式不能有效解决外界环境中水气对AMOLED模组和电子设备的影响，从而导致AMOLED模组和电子设备的可靠性较低的问题。

附图说明

[0042] 图1为本发明的电离装置的一具体实施例的剖面结构示意图；

[0043] 图2为本发明的电离装置的另一具体实施例的剖面结构示意图；

[0044] 图3为本发明的OLED模组的一具体实施例的结构示意图；

[0045] 图4为本发明的OLED模组的另一具体实施例的结构示意图；

[0046] 图5为本发明的OLED模组的另一具体实施例的剖面结构示意图；

[0047] 图6为本发明的OLED模组制备方法的一具体实施例的示意图。

具体实施方式

[0048] 为使本发明技术方案更加清楚，以下结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细说明。

[0049] 参见图1，作为本发明的电离装置100的一具体实施例，其包括正电极110和负电极120。其中，正电极110适用于电连接外围驱动系统(图中未示出)的输出端。负电极120适用于电连接外围驱动系统的输入端。并且，其还包括核心活泼层130。核心活泼层130形成于正电极110与负电极120之间；且核心活泼层130的材质为导电物质，并添加有电离水催化剂。

[0050] 其通过在正电极110和负电极120之间形成核心活泼层130，采用导电物质作为核心活泼层130的材质，并添加电离水催化剂，从而当正电极110和负电极120分别与外围驱动系统的输出端和输入端电连接后，核心活泼层130能够有效吸收其外界周围环境的水气，并+ -将吸收到的水气电离成氢离子(H)和氢氧根离子(OH)，同时在外围驱动系统的驱动下，将电离产生的正离子和负离子排出电离装置100，以阻止水气进入到AMOLED模组或电子设备中。其通过采用电离水分子的方式代替现有的水氧阻隔的方式，更加有效的避免了水气进入AMOLED模组或电子设备中的现象，从而提高了AMOLED模组和电子设备的可靠性。

[0051] 应当说明的是，在采用导电物质作为核心活泼层130的材质时，导电物质可为活泼类金属，如：银、铜、金或铝等导电性较好的物质。同时其添加的电离水催化剂具体可采用具有亲水性的材料，如：金属铬、铝、锌等。

[0052] 进一步的，为了使得本发明的电离装置100能够更充分的将周围外界环境的水分子电离成离子态，作为本发明的电离装置100的一具体实施例，其核心活泼层130的结构优选为亲水结构。参见图1，此处的亲水结构具体指的是由具有亲水性材料，如：金属铬、铝、锌等构成的亲水性结构。其通过将核心活泼层130的结构优先设置为亲水结构，使得电离装置100中的核心活泼层130能够充分的吸收周围环境的水分子，并有助于水分子的电离，最终使得水分子电离的更为充分。这也就进一步提升了电离装置100的电离性能，从而进一步提高了AMOLED模组或电子设备的可靠性。

[0053] 参见图2，作为本发明的电离装置100的另一具体实施例，其核心活泼层130可包括正离子传输绝缘物层131、负离子传输绝缘物层132和核心网层133。其中，核心网层133形成于正离子传输绝缘物层131与负离子传输绝缘物层132之间。并且，正离子传输绝缘物层131形成于负电极120与核心网层133之间，负离子传输绝缘物层132形成于核心网层133与正电极110之间。

[0054] 通过将核心活泼层130设置为正离子传输绝缘层131、核心网层133和负离子传输绝缘物层132形成的三明治结构，正电极110和负电极120分别电连接外围驱动系统的输出端和输入端。当电离装置100周围外界环境的水分子进入核心活泼层130的核心网层133的网格区域后，相应位置处的正离子传输绝缘物层131和负离子传输绝缘物层132成为导通状态，由此电离装置100启动并将水分子电离成为带正电的氢离子和带负电的氢氧根离子。由于正负电极120的吸引作用，带负电的氢氧根离子和其他微量负离子靠近正电极110部分，进入负离子传输绝缘物层132，由负离子传输绝缘物层132将氢氧根离子等负离子运输出电离装置100；带正电的氢离子和其他微量正离子则靠近负电极120部分，进入正离子传输绝缘物层131，由正离子传输绝缘物层131将氢离子等正离子运输出电离装置100；最终实现了水分子的电离。结构简单，易于实现。

[0055] 同时，需要指出的是，核心网层133的材质优选为亲水性材料，从而使得核心网层133能够更加充分的吸收周围外界环境的水分子，以保证能够将电离装置100周围外界环境的全部或绝大部分的水分子吸收并电离掉，从而更进一步的提升电离装置100的电离性能，以提高AMOLED模组和电子设备的可靠性。

[0056] 优选的，亲水性材料可为铬、铝或锌等，也可为铬、铝或锌等的氢氧化物。

[0057] 更进一步的，作为本发明的电离装置100的一具体实施例，其正电极110和负电极120部分均可采用蒸镀工艺制备而成，其核心活泼层130中的核心网层133也可采用蒸镀工艺进行制备，核心活泼层130中的正离子传输绝缘物层131和负离子传输绝缘物层132则可采用涂布工艺或溅射工艺进行制备。工艺简单，易于操作。

[0058] 相应的，基于同一发明构思，本发明还提供了一种OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管又称为有机电激光显示)模组200，其包括如上任一所述的电离装置100。

[0059] 参考图3和图4，作为本发明的OLED模组200的一具体实施例，其包括基板210、形成于基板210上的OLED器件220，以及设置在OLED器件220外围，用于包围OLED器件的封装层230。其还包括如上任一所述的电离装置100。电离装置100直接加贴在封装层230的表面，或设置在基板210与封装层230之间。即电离装置100与基板210、OLED器件220和封装层230形成的结构可分为加贴式和结构内式两种。

[0060] 其中，参见图3、图4，加贴式的结构具体为：将电离装置100直接加贴在封装层230表面，并将封装层230包覆即可，结构简单，易于实现。其中，“+”为电离装置100的正电极110引出部分，“-”为电离装置100的负电极120引出部分。

[0061] 参见图4，其结构内式则为：将电离装置100设置在基板210与封装层230之间，并且电离装置100沿基板210的边缘围绕设置。即采用电离装置100将基板210与封装层230之间的间隙全部填满。从而当OLED模组200外界周围环境的水分子进入OLED模组200内时，通过电离装置100将其吸收并电离掉即可。同理，“+”为电离装置100的正电极110引出部分，“-”为电离装置100的负电极120引出部分。

[0062] 应当指出的是，参见图5，作为本发明的OLED模组200的一具体实施例，其OLED器件220包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)层221、阳极222、有机层223和阴极224。
其中，TFT层221形成于基板210表面；阳极222形成于TFT层221与有机层223之间；有机层223形成于阳极222与阴极224之间封装层230。其中，有机层223具体可包括形成于阳极222表面的空穴层2230，形成于空穴层2230表面的发光层2231和形成于发光层2231表面的电子层
2232。也就是说，作为本发明的OLED模组，其优选为AMOLED模组。

[0063] 相应的，参见图6，为实现上述任一种OLED模组，本发明还提供了一种OLED模组制备方法。其具体包括如下步骤：首先，通过执行步骤S100，在基板上制备OLED器件。进而执行步骤S200，在基板未制备OLED器件的边缘位置处制备如上任一所述的电离装置。最后，执行步骤S300，在电离装置表面和OLED器件外围制备封装层。

[0064] 当OLED模组为AMOLED模组时，步骤S100，在基板上制备OLED器件具体可通过以下方式来实现：首先，通过步骤S110，在基板上制备TFT层。其中，制备TFT层的工艺可为CVD(化学气相沉积)工艺、(Sputter)溅镀工艺、刻蚀工艺等。并且，TFT层可为9层、10层或12层不等。进而通过步骤S120，在TFT层上制备阳极。在TFT层上制备完阳极后，再通过步骤S130，在阳极上制备有机层。其中，有机层依次包括空穴层、发光层和电子层。待完成有机层之后，进而通过步骤S140，在有机层上制备阴极。从而最终完成OLED器件的制备。

[0065] 需要说明的是，在制备OLED器件过程中，阳极、有机层和阴极的制备均可采用蒸镀工艺来实现。

[0066] 待完成OLED器件的制备后，在进行封装之前，需要进行电离装置100的制备。具体的，电离装置100的制备方式可通过以下方式来实现：

[0067] 一种为，在基板210未制备OLED器件的边缘位置处制备正电极110和负电极120，并在正电极110和负电极120之间填充制备核心活泼层130。其具体结构可参见图5所示。

[0068] 另一种为，在基板210未制备OLED器件的边缘位置处制备正电极110，在正电极110表面制备核心活泼层130，并在核心活泼层130表面制备负电极120。

[0069] 再一种则为，在基板210未制备OLED器件的边缘位置处制备负电极120，在负电极120表面制备核心活泼层130，并在核心活泼层130表面制备正电极110。

[0070] 其中，制备核心活泼层130则可具体通过：首先，在正电极110表面制备负离子传输绝缘物层132；进而在负离子传输绝缘物层132表面制备核心网层133；最后，在核心网层133表面与负电极120之间制备正离子传输绝缘物层131来实现。

[0071] 应当指出的是，电离装置100中的正电极110和负电极120均可采用蒸镀工艺进行制备，核心网层133也可采用蒸镀工艺制备。正离子传输绝缘物层131和负离子传输绝缘物层132则均可采用涂布工艺或溅射工艺制备。

[0072] 进一步的，基于同一发明构思，本发明还提供了一种电子设备，其包括上述任一种OLED模组200。其中，OLED模组200中的电离装置100电连接在电子设备的驱动电路的输入端和输出端之间。即通过将电子设备的驱动电路作为外围驱动系统，用于为电离装置100提供驱动能量。另外，驱动电路可优选为电子设备的电源装置。并且，电子设备可为手机、电脑和平板电脑等各种移动电子产品。

[0073] 为了更清楚的说明本发明技术方案，以下以电子设备为手机为例，对本发明的具体工作流程做进一步详细说明。

[0074] 其中，手机的显示屏幕采用本发明的OLED模组200作为显示屏，并且OLED模组200内设置有电离装置100。电离装置100的正电极110电连接手机的电源装置的负极(即驱动电路的输出端，也就是外围驱动系统的输出端)，电离装置100的负电极120电连接手机的电源装置的正极(即驱动电路的输入端，也就是外围驱动系统的输入端)。

[0075] 当手机外界周围环境有水气，并且在水气进入手机的OLED模组200显示屏内的同时，位于OLED模组200结构内的电离装置100中的核心活泼层130吸收水气，从而核心活泼层130中的正离子传输绝缘物层131与负离子传输绝缘物层132导通，电离装置100启动电离工作。

[0076] 此时，电离装置100中的核心活泼层130中的核心网层133将吸收到的水气电离成正离子和负离子。并待电离结束后，即吸收的水气全部被电离成正离子和负离子后，电离结束，水气被分解，电离装置100结束电离工作。

[0077] 待电离工作停止后，此时被分解出的正离子和负离子在正负吸引的作用下，分别被吸附到负离子传输绝缘物层132和正离子传输绝缘物层131。

[0078] 此时，手机的电源装置通过感知电离装置100是否处于电离状态，并在感知到电离状态结束后，启动离子运输，进入离子传输出OLED模组200状态。即，手机的电源装置在检测到电离装置100结束电离状态后，开启正电极110、负电极120的电泳波形结构。其中，波峰波谷不同的电泳，产生对离子的推动作用，从而将小于水分子的正负离子全部冲出手机的OLED模组200内部结构。其通过采用电离水分子这种主动方式来实现水氧阻隔，以替代传统的封装、屏蔽等被动方式，使得水氧阻隔效果更强，最终有效避免了外界环境中的水气进入电子产品和OLED模组200内的现象，保证了电子设备和OLED模组200的可靠性。

[0079] 同时，需要说明的是，在电离装置100对吸收到的水分子进行电离过程中，可吸收大量的热，进而可直接对电子设备和OLED模组200进行降温，其不仅有效改善了电子设备和OLED模组200的使用环境，保证了电子设备和OLED模组200的可靠性，同时还实现了对电子设备和OLED模组200的降温，进一步增加了电子设备和OLED模组200的可靠性。

[0080] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。