近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法

摘要

本发明公开了一种近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，包括：根据图像更新区域所在的矩形区域，将所有行分成驱动行和非驱动行以及将所有列分成驱动列和非驱动列；对矩形区域进行磨砂初始化；逐行对各驱动行进行扫描驱动，其中在扫描驱动每一驱动行时：扫描驱动的驱动行和扫描驱动的驱动行上处于矩形区域内需驱动的像素点对应的驱动列上加载一对仅相位相反的高频高压脉冲，而其余各行和其余各列上加载一对仅相位相反的高频低压脉冲。本发明可针对近晶相液晶屏上需要图像更新的任意区域所在的矩形区域进行显示驱动，无需实施全屏显示驱动，提高了刷屏速度，降低了功耗。

权利要求

1.一种近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，其特征在于，它包括步骤：

1)根据图像更新区域所在的矩形区域，将所有行分成驱动行和非驱动行以及将所有列分成驱动列和非驱动列，其中：矩形区域对应的行为驱动行而对应的列为驱动列，其余行为非驱动行，其余列为非驱动列；

2)对矩形区域进行磨砂初始化：驱动行和驱动列上加载一对仅相位相反的低频高压脉冲，而非驱动行和非驱动列上加载一对仅相位相反的低频低压脉冲；

3)逐行对各驱动行进行扫描驱动，其中在扫描驱动每一驱动行时：扫描驱动的驱动行和扫描驱动的驱动行上处于矩形区域内需驱动的像素点对应的驱动列上加载一对仅相位相反的高频高压脉冲，而其余各行和其余各列上加载一对仅相位相反的高频低压脉冲。

2.如权利要求1所述的近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，其特征在于：所述低频高压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值且两倍的所述低频高压脉冲的电压幅值大于阈值电压幅值；

所述高频高压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值且两倍的所述高频高压脉冲的电压幅值大于阈值电压幅值；

两倍的所述低频低压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值；

两倍的所述高频低压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值。

3.如权利要求1所述的近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，其特征在于：所述高频高压脉冲、所述高频低压脉冲的频率均为1kHz～10kHz，所述低频高压脉冲、所述低频低压脉冲的频率均为10Hz～200Hz。

4.如权利要求1所述的近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，其特征在于：加载所述高频高压脉冲、所述高频低压脉冲、所述低频高压脉冲、所述低频低压脉冲的脉冲对个数均为5～800个。

5.如权利要求1至4中任一项所述的近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，其特征在于：所述高频高压脉冲、所述高频低压脉冲、所述低频高压脉冲、所述低频低压脉冲为双向脉冲或单向脉冲。

说明书

近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种应用于近晶相液晶屏的显示驱动方法，尤指一种针对近晶相液晶屏上需要图像更新的局部区域进行显示驱动的方法。

背景技术

[0002] 近晶相液晶屏是目前最有发展前景的平板显示器件之一，其以特有的薄膜表面特性和反射型显示原理，具有结构简单、视角广泛、画面平稳、真正安全环保、省电、长期记忆功能和使用者不易疲劳等诸多优点，在显示器的行列中处于领先地位。

[0003] 目前近晶相液晶屏的显示驱动方法多种多样，例如逐行扫描驱动、跳行扫描驱动、动态扫描驱动、双向扫描驱动等，虽然这些显示驱动方法可使近晶相液晶屏显示出的图像效果良好，满足使用者对图像内容的显示要求，但从实际实施中可以发现，已有的这些显示驱动方法都是对近晶相液晶屏执行全屏初始化以及再对全屏进行扫描驱动。因此，当近晶相液晶屏上仅有一个小区域需要更新时，小区域之外的其它区域也需要与这一小区域一起重新扫描驱动一遍。由此可见，这样的显示驱动方式势必存在刷屏效率低，图像显示速度慢，功耗高等缺陷。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，此方法可针对近晶相液晶屏上需要图像更新的任意区域所在的矩形区域进行显示驱动，无需实施全屏显示驱动，提高了刷屏速度，降低了功耗。

[0005] 为了实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

[0006] 一种近晶相液晶屏任意区域显示驱动方法，其特征在于，它包括步骤：

[0007] 1)根据图像更新区域所在的矩形区域，将所有行分成驱动行和非驱动行以及将所有列分成驱动列和非驱动列，其中：矩形区域对应的行为驱动行而对应的列为驱动列，其余行为非驱动行，其余列为非驱动列；

[0008] 2)对矩形区域进行磨砂初始化：驱动行和驱动列上加载一对仅相位相反的低频高压脉冲，而非驱动行和非驱动列上加载一对仅相位相反的低频低压脉冲；

[0009] 3)逐行对各驱动行进行扫描驱动，其中在扫描驱动每一驱动行时：扫描驱动的驱动行和扫描驱动的驱动行上处于矩形区域内需驱动的像素点对应的驱动列上加载一对仅相位相反的高频高压脉冲，而其余各行和其余各列上加载一对仅相位相反的高频低压脉冲。

[0010] 所述低频高压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值且两倍的所述低频高压脉冲的电压幅值大于阈值电压幅值；所述高频高压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值且两倍的所述高频高压脉冲的电压幅值大于阈值电压幅值；两倍的所述低频低压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值；两倍的所述高频低压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值。

[0011] 所述高频高压脉冲、所述高频低压脉冲的频率均为1kHz～10kHz，所述低频高压脉冲、所述低频低压脉冲的频率均为10Hz～200Hz。

[0012] 加载所述高频高压脉冲、所述高频低压脉冲、所述低频高压脉冲、所述低频低压脉冲的脉冲对个数均为5～800个。

[0013] 所述高频高压脉冲、所述高频低压脉冲、所述低频高压脉冲、所述低频低压脉冲为双向脉冲或单向脉冲。

[0014] 本发明的优点是：

[0015] 本发明方法实现了对近晶相液晶屏上需要图像更新的任意局部区域所在的矩形区域进行显示驱动，此种显示驱动方式不会影响矩形区域之外的其它区域的显示图像，无需对近晶相液晶屏实施全屏显示驱动，不仅满足了图像的显示要求，还提高了刷屏速度，降低了功耗。另外，本发明方法也可适用于对近晶相液晶屏进行全屏显示驱动。

附图说明

[0016] 图1是本发明方法的实施说明图。

[0017] 图2是近晶相液晶屏实施本发明方法前的显示状态图。

[0018] 图3是针对图2中的矩形区域执行完磨砂初始化后的显示结果图。

[0019] 图4是针对图2中的矩形区域执行完扫描驱动后的显示结果图。

[0020] 图5是采用双向脉冲形式的一对低频高压脉冲的波形实例图。

[0021] 图6是采用双向脉冲形式的一对低频低压脉冲的波形实例图。

[0022] 图7是采用单向脉冲形式的一对高频高压脉冲的波形实例图。

[0023] 图8是采用单向脉冲形式的一对高频低压脉冲的波形实例图。

具体实施方式

[0024] 本发明任意区域显示驱动方法适用于各类近晶相液晶屏。例如，近晶相液晶屏可包括第一、第二基体层，第一与第二基体层之间设有包括近晶相液晶、添加物的混合层，近晶相液晶可为A类近晶相液晶等，添加物为一种带导电特性的化合物，如十六烷基三乙基溴化铵等。在第一基体层朝向混合层一侧镀有第一导电电极层，在第二基体层朝向混合层一侧镀有第二导电电极层，第一导电电极层由M个平行排列的条状行电极组成(一个行电极视为一行)，第二导电电极层由N个平行排列的条状列电极组成(一个列电极视为一列)，M个行电极与N个列电极正交，形成M×N的像素点阵列，一个行与一个列形成一个像素点。近晶相液晶屏为本领域的已有显示屏，其结构可各种各样，不局限于上述。

[0025] 如图1，本发明任意区域显示驱动方法包括如下步骤：

[0026] 1)根据图像更新区域所在的矩形区域，将所有行分成驱动行和非驱动行以及将所有列分成驱动列和非驱动列，其中：矩形区域对应的行为驱动行而对应的列为驱动列，其余行为非驱动行，其余列为非驱动列；

[0027] 2)对矩形区域进行磨砂初始化操作：各驱动行、各驱动列上加载一对频率相同、电压幅值相同、仅相位相反的低频高压脉冲，而同时各非驱动行、各非驱动列上加载一对频率相同、电压幅值相同、仅相位相反的低频低压脉冲，此步骤执行完后，矩形区域内的所有像素点呈磨砂态，矩形区域之外的其余区域的像素点保持原来状态；

[0028] 3)逐行对矩形区域对应的各驱动行进行扫描驱动，其中，在扫描驱动每一驱动行时，具体过程为：扫描驱动的驱动行(一个驱动行)、扫描驱动的驱动行上处于矩形区域内需驱动(驱动为透明态)的像素点对应的各驱动列上加载一对频率相同、电压幅值相同、仅相位相反的高频高压脉冲，而同时其余各行(即没有扫描驱动的其余驱动行及所有非驱动行)、其余各列(即扫描驱动的驱动行上处于矩形区域内不需驱动(保持磨砂态)的像素点对应的各驱动列及所有非驱动列)上加载一对频率相同、电压幅值相同、仅相位相反的高频低压脉冲。此步骤执行完后，矩形区域内的像素点按照显示需求而相应呈现磨砂态或透明态，即矩形区域内的图像更新为新图像，而矩形区域之外的其余区域的图像保持原状。

[0029] 在本发明中，图像更新区域是实际需要进行图像更新的区域，此区域可为任意形状，如图1，图中示出了近晶相液晶屏10上呈椭圆形的图像更新区域。图1中阴影线所示区域为椭圆形的图像更新区域所在的矩形区域，矩形区域即是按照行列布置格局呈现矩形形状的区域，换句话说，矩形区域由相正交的连续排列的若干行与连续排列的若干列形成。

[0030] 在本发明中，步骤3)中，逐行对各驱动行进行扫描驱动可为逐行顺次扫描模式、逆序扫描模式、二分算法扫描模式、随机乱序扫描模式等，不受限制。

[0031] 在实际设计中，低频高压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值且两倍的低频高压脉冲的电压幅值大于阈值电压幅值，优选地，两倍的低频高压脉冲的电压幅值小于3倍的阈值电压幅值。高频高压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值且两倍的高频高压脉冲的电压幅值大于阈值电压幅值，优选地，两倍的高频高压脉冲的电压幅值小于3倍的阈值电压幅值。两倍的低频低压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值，即低频低压脉冲的电压幅值小于二分之一的阈值电压幅值。两倍的高频低压脉冲的电压幅值小于阈值电压幅值，即高频低压脉冲的电压幅值小于二分之一的阈值电压幅值。

[0032] 在本发明中，阈值电压幅值为使近晶相液晶(微观下为近晶相液晶分子)被驱动发生排列形态改变的电压值，其可根据混合层的组成和厚度来合理确定。高频高压脉冲、高频低压脉冲、低频高压脉冲、低频低压脉冲的电压幅值大小可根据实际驱动设备、实际驱动要求来合理设计，不受限制。

[0033] 在实际设计中，高频高压脉冲、高频低压脉冲的频率为1kHz～10kHz，低频高压脉冲、低频低压脉冲的频率为10Hz～200Hz。

[0034] 在实际设计中，加载高频高压脉冲、高频低压脉冲、低频高压脉冲、低频低压脉冲的脉冲对个数为5～800个。通常，矩形区域越小，加载的上述各脉冲的脉冲对个数可越少。

[0035] 另外，在实际设计中，高频高压脉冲、高频低压脉冲、低频高压脉冲、低频低压脉冲可为双向脉冲或单向脉冲。

[0036] 图5示出了一对低频高压脉冲采用双向脉冲的情形，图6示出了一对低频低压脉冲采用双向脉冲的情形，图7示出了一对高频高压脉冲采用单向脉冲的情形，图8示出了一对高频低压脉冲采用单向脉冲的情形。

[0037] 举例：

[0038] 如图2，近晶相液晶屏20的分辨率为128×256，即128行×256列制式。需要将近晶相液晶屏20上的“2.8英寸”这一显示内容更新为“MSLC”(如图4)。

[0039] 采用本发明任意区域显示驱动方法，根据图像更新区域“2.8英寸”所对应的矩形区域划分驱动行和非驱动行以及驱动列和非驱动列。如图2，上面的35行和下面的58行为非驱动行，两者之间的35行为驱动行，左边的100列和右边的86列为非驱动列，两者之间的70列为驱动列。

[0040] 先对矩形区域进行磨砂初始化。各驱动行和各驱动列上加载一对图5所示的低频高压脉冲，同时其余各行和其余各列上加载一对图6所示的低频低压脉冲，于是，“2.8英寸”的显示内容清除，其余区域的显示内容保持原状，如图3。

[0041] 然后逐行对矩形区域对应的各驱动行进行扫描驱动。扫描驱动每一驱动行时，扫描驱动的这一驱动行和扫描驱动的这一驱动行上处于矩形区域内需驱动为透明态的像素点对应的各驱动列上加载一对图7所示的高频高压脉冲，同时其余各行和其余各列上加载一对图8所示的高频低压脉冲。于是，如图4，原来“2.8英寸”所对应的矩形区域内的内容更新为了新内容“MSLC”，其余区域的显示内容保持原状。

[0042] 在本发明中，像素点被驱动为磨砂态、透明态以及保持原来状态的原理为本领域技术人员熟知的技术内容。

[0043] 在磨砂初始化中，当一对仅相位相反的低频高压脉冲加载在各驱动行、各驱动列上时，此对低频高压脉冲叠加后的电压幅值大于阈值电压幅值，所以，各驱动行与各驱动列形成的各像素点位置的近晶相液晶分子变为乱序排列形态，像素点呈现磨砂态。而各非驱动行、各非驱动列上加载的一对仅相位相反的低频低压脉冲叠加后的电压幅值小于阈值电压幅值，因此各非驱动行与各非驱动列形成的各像素点位置的近晶相液晶分子不会被驱动，仍旧保持原来的排列形态，像素点呈现原来状态。

[0044] 在扫描驱动中，当一对仅相位相反的高频高压脉冲加载在扫描驱动的那一驱动行、扫描驱动的那一驱动行上处于矩形区域内需驱动的像素点对应的各驱动列(称为实际驱动列)上时，此对高频高压脉冲叠加后的电压幅值大于阈值电压幅值，所以，扫描驱动的那一驱动行与各实际驱动列形成的各像素点位置的近晶相液晶分子变为规则排列形态，像素点呈现透明态。而其余各行、其余各列上加载的一对仅相位相反的高频低压脉冲叠加后的电压幅值小于阈值电压幅值，因此这些行与这些列形成的各像素点位置的近晶相液晶分子不会被驱动，仍旧保持原来的排列形态，像素点呈现原来状态。

[0045] 关于像素点呈现透明态(全透明状态)、磨砂态(雾状遮光状态)以及保持原来状态的物理实现原理还可参考专利申请号为200710175959.9的中国发明专利申请“一种电控调光介质”、专利申请号为200810102000.7的中国发明专利申请“电控调光介质”等来理解，在这里不再详述。

[0046] 本发明的优点是：

[0047] 本发明方法实现了对近晶相液晶屏上需要图像更新的任意局部区域所在的矩形区域进行显示驱动，此种显示驱动方式不会影响矩形区域之外的其它区域的显示图像，无需对近晶相液晶屏实施全屏显示驱动，不仅满足了图像的显示要求，还提高了刷屏速度，降低了功耗。另外，本发明方法也可适用于对近晶相液晶屏进行全屏显示驱动。

[0048] 以上所述是本发明较佳实施例及其所运用的技术原理，对于本领域的技术人员来说，在不背离本发明的精神和范围的情况下，任何基于本发明技术方案基础上的等效变换、简单替换等显而易见的改变，均属于本发明保护范围之内。