一种真空镀膜件，包括基体及形成于基体上的金属导电层，所述导电层为溅射在基体（11）上的铜层（14）银层（16）结合层，基体（11）与铜层（14）之间依次溅射打底层（12）和过度保护层（13），银层（16）与铜层（14）之间溅射过渡保护层（15）。本发明还提供一种上述真空镀膜件的制造方法。该真空镀膜件导电性能高，导电层与基体结合力好，镀层性能稳定。
1.一种真空镀膜件的制造方法，其包括如下步骤：⑴准备洁净基体；
⑵用钛铝合金靶材，在基体上用真空镀膜的方法溅射一层打底层；
⑶用镍铜合金靶材，在上述步骤⑵基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层；
⑷用铜靶材，在上述步骤⑶基础上用真空镀膜方法溅射一层加厚导电铜层；
⑸用镍铜合金靶材，在上述步骤⑷基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层；
⑹用银靶材，在上述步骤⑸基础上用真空镀膜方法溅射一层导电银层。
2.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：打底层为钛铝层，形成该打底层的工艺参数为：在真空室中加入氩气至真空度为0.2 0.8Pa，给基体施加-400 -500V~ ~的脉冲偏压，占空比为20 40%，并开启转架公转，转速为2 5转/分钟，开启钛铝合金电弧溅~ ~射靶，电弧靶电流设置为50 70A，对基体镀膜钛铝层2 4分钟；完成后在1分钟内逐渐调整基~ ~体上脉冲偏压至电压-80 -150V，占空比40 60%,电弧靶电流70 100A，继续镀膜3 5分钟，打~ ~ ~ ~底层厚度为0.2 1μm，完成打底层镀膜。
3.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：过渡保护层为镍铜合金，形成该过渡保护层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.2 0.5Pa，调整基体上脉冲偏~压至电压-80 -150V，占空比40 60%,转架公转，转速为2 5转/分钟，开启镍铜合金磁控溅射~ ~ ~靶，磁控靶电流设置为10 20A，对基体镀膜镍铜层2 6分钟；过渡保护层厚度为0.2 1μm，完~ ~ ~成过渡保护层镀膜。
4.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：铜层为纯铜层，形成该铜层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.1 0.45Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80 -~ ~
150V，占空比40 60%,转架公转，转速为2 5转/分钟，开启纯铜磁控溅射靶，磁控靶电流设置~ ~为15 40A，对基体镀膜纯铜层5 30分钟；铜层厚度为1-10μm，完成铜层镀膜。
5.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：银层为纯银层，形成该银层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.1 0.45Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80 -~ ~
150V，占空比40 60%,转架公转，转速为2 5转/分钟，开启纯银磁控溅射靶，磁控靶电流设置~ ~为5 10A，对基体镀膜纯银层5 15分钟；银层厚度为0 .5 5μm，完成银层镀膜。
真空镀膜件及其制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种真空镀膜件及其制造方法，尤其涉及一种导电性能优良膜层稳定的真空镀膜件及其制造方法。
背景技术
[0002] 随着科技不断进步，通信产品日益增加，网络数据通信量越来越大，终端通讯产品及前端网络传输产品对电磁干扰的要求也越来越高。为了解决通信产品电磁干扰问题，一般都会在产品外壳上增加导电层，以获得电磁屏蔽的效果。目前真空镀膜工艺导电层导电性能及膜层附着力都无法满足要求，特别是铝及铝合金基体的机壳，更是难以解决，现有行业都采用水电镀铜层加镀银层，受水电镀工艺电流密度均衡及电流稳定性的影响，膜层质量也是无法达到理想效果。然而水电镀工艺对环境的影响也越来越受到重视，导致水电镀工艺被取缔已是众望所归。
发明内容
[0003] 本发明提供一种导电性能优异、膜层稳定的真空镀膜件。
[0004] 另外，本发明还提供一种上述真空镀膜件的制造方法。
[0005] 一种真空镀膜件，包括基体及形成于基体上的金属导电层，所述导电层为溅射在基体上的铜层银层结合层，基体与铜层之间依次溅射打底层和过度保护层，银层与铜层之间溅射过渡保护层。
[0006] 一种真空镀膜件的制造方法，使用以下步骤完成。
[0007] ⑴准备洁净基体。
[0008] ⑵用钛铝合金靶材，在基体上用真空镀膜的方法溅射一层打底层。
[0009] ⑶用镍铜合金靶材，在上述步骤⑵基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层。
[0010] ⑷用铜靶材，在上述步骤⑶基础上用真空镀膜方法溅射一层加厚导电铜层。
[0011] ⑸用镍铜合金靶材，在上述步骤⑷基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层。
[0012] ⑹用银靶材，在上述步骤⑸基础上用真空镀膜方法溅射一层导电银层。
[0013] 如上所述的真空镀膜件的制造方法，在导电层镀膜过程中打底层加强镀层与基体的结合力，过渡保护层为较软的材质，其机械性能优异，防腐蚀性能好，对基体及打底层起到保护作用同时作为后期加厚铜层与打底层之间以及铜层与银层间起到过渡作用，可以消除多层镀膜间的内应力，增加整个膜层的附着力，提高整个膜层的耐腐蚀性能和稳定性。
附图说明
[0014] 图1是本发明在实施例的真空镀膜件的结构示意图。
[0015] 主要元件符号说明。
[0016] 11 基体。
[0017] 12 打底层。
[0018] 13 过渡保护层。
[0019] 14 铜层。
[0020] 15 过渡保护层。
[0021] 16 银层。
[0022] 17 真空镀膜件。
具体实施方式
[0023] 以下结合附图对本发明所涉及的真空镀膜件的优选实施例做详细阐述。
[0024] 请参阅图1，本发明真空镀膜件17可为手机外壳或滤波器外壳，该真空镀膜件17包括基体11、打底层12、过渡保护层13、铜层14、过渡保护层15、银层16，以上各真空镀膜层采用真空溅射镀膜的方法依次溅射在基体11表面形成复合膜层的导电膜，导电膜层导电性能可根据铜层14和银层16的膜层厚度来控制 。
[0025] 上述真空镀膜件17的制造方法主要包括以下步骤。
[0026] 第一步：提供基体11，该基体11可以为金属材料、玻璃、陶瓷或塑料等非金属材料，对该基体11进行除油、除蜡、酸洗、钝化、漂洗、超声波清洗、烘干等工序进行清洗。
[0027] 第二步：将清洗好的基体11放置真空镀膜机中的转架上抽真空处理至真空镀为0.007Pa，并加热镀膜室至70 180℃。
~
[0028] 第三步：使用钛含量为30 70%的钛铝合金靶材溅射打底层12，在真空室中加入氩~气至真空度为0.2 0.8Pa，给基体11施加-400 -500V的脉冲偏压，占空比为20 40%，并开启~ ~ ~
转架公转，转速为2 5转/分钟，开启钛铝合金电弧溅射靶，电弧靶电流设置为50 70A，对基~ ~
体11镀膜钛铝层2 4分钟；完成后在1分钟内逐渐调整基体11上脉冲偏压至电压-80 -150V，~ ~
占空比40 60%,电弧靶电流70 100A，继续镀膜3 5分钟，完成打底层12镀膜，打底层12膜层~ ~ ~
厚度为0.2 1μm,同时关闭电弧靶。
~
[0029] 第四步：使用镍含量为15 45%的镍铜合金靶材磁控溅射过渡保护层13，调整氩气~流量至真空度为0.2 0.5Pa，调整基体11上脉冲偏压至电压-80 -150V，占空比40 60%,并保~ ~ ~
持转架公转，转速为2 5转/分钟，开启镍铜合金磁控溅射靶，磁控靶电流设置为10 20A，对~ ~
基体11镀膜镍铜层2 6分钟；完成过渡保护层13镀膜，膜层厚度为0.2 1μm,同时关闭磁控~ ~
靶。
[0030] 第五步：使用纯铜靶材磁控溅射铜层14，调整氩气流量至真空度为0.1 0.45Pa，调~整基体11上脉冲偏压至电压-80 -150V，占空比40 60%,并保持转架公转，转速为2 5转/分~ ~ ~
钟，开启纯铜磁控溅射靶，磁控靶电流设置为15 40A，对基体11镀膜纯铜层5 30分钟；完成~ ~
铜层14镀膜，膜层厚度为1 10μm,同时关闭磁控靶。
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[0031] 第六步：使用镍含量为15 45%的镍铜合金靶材磁控溅射过渡保护层15，调整氩气~流量至真空度为0.1 0.45Pa ，调整基体11上脉冲偏压至电压-80 -150V，占空比40 60%,并~ ~ ~
保持转架公转，转速为2 5转/分钟，开启镍铜合金磁控溅射靶，磁控靶电流设置为10 20A，~ ~
对基体11镀膜镍铜层2 6分钟；完成过渡保护层15镀膜，膜层厚度为0.2 1μm,同时关闭磁控~ ~
靶。
[0032] 第七步：使用纯银靶材磁控溅射银层16，调整氩气流量至真空度为0.1 0.45Pa，调~整基体11上脉冲偏压至电压-80 -150V，占空比40 60%,并保持转架公转，转速为2 5转/分~ ~ ~
钟，开启纯银磁控溅射靶，磁控靶电流设置为5 10A，对基体11镀膜纯银层5 15分钟；完成银~ ~
层16镀膜，膜层厚度为0.5 5μm,同时关闭磁控靶。
~
[0033] 本发明实施例的真空镀膜，含直流磁控溅射、中频磁控溅射、弧源离子溅射等真空镀膜工艺。
[0034] 应指出，上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式，在实施中可以在本发明所述的精神内做其它调整变化，这些依据本发明精神所做的变化都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
