特别用途的背照式光传感器集成电路接地系统

摘要

一种背面照明式光传感器数组的集成电路，其形成在薄化的电路晶圆，硅是至少在基板剥离区移除，其中掺杂边缘接触环围绕所述基板剥离区，所述边缘‑接触环形成在晶圆相同的第一侧中如同多个晶体管，且在晶圆的背面。背面金属被设置在晶圆的背面，所述背面金属具有在光传感器上的窗口开孔和具有在基板剥离区周围接触所述边缘‑接触环的侧壁。所述边缘‑接触环是在提供结构支撑和薄化所述装置晶圆之前形成在所述装置晶圆的第一侧中。基板剥离的区域，如焊垫开口和保护环开口，是通过除去硅暴露所述边缘‑接触区形成，并且背面金属是与侧壁的金属沉积在基板剥离区的边缘，从而接触所述边缘接触区。

权利要求

1.一种制造适合于背面照明的光传感器数组集成电路的方法，包括：在装置晶圆的第一侧形成N信道金属氧化物半导体晶体管；

形成至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区，所述高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区形成在所述装置晶圆的第一侧中；

执行至少一次金属化处理，包括：

1)在所述装置晶圆的第一侧上形成介电层，

2)在位于所述装置晶圆的第一侧上的所述介电层上开孔，

3)在所述装置晶圆的第一侧上沉积金属层，和

4)在所述装置晶圆的第一侧上的所述金属层上光刻以限定金属形状；

提供结构层，并且薄化所述装置晶圆的第二侧；

借由移除装置晶圆的硅打开至少一个基板剥离区和对所述基板剥离区域暴露至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区，所述基板剥离区与焊垫相关联；

在所述装置晶圆的第二侧上沉积背面金属，所述装置晶圆在所述基板剥离区的边缘具有侧壁金属，所述侧壁金属接触所述至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区域；和在背面金属中限定开口，所述开口用于光传感器上方的窗口和介于背面金属和所述集成电路的其它金属间的隔离间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述结构层是借由反转所述装置晶圆和连接所述装置晶圆到支撑晶圆所执行。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述打开基板剥离区的步骤包括移除所述装置晶圆的至少一部分。

4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括在所述装置晶圆中形成P信道晶体管，所述光传感器数组集成电路是互补金属氧化物半导体集成电路。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻限定开口包括使用电浆蚀刻在背面金属中限定开口。

6.一种制造适合于背面照明的光传感器数组集成电路的方法，包括：在装置晶圆的第一侧形成N信道金属氧化物半导体晶体管；

形成至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区，所述高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区形成在所述装置晶圆的第一侧中；

执行至少一次金属化处理，包括：

1)在所述装置晶圆的第一侧上形成介电层，

2)在位于所述装置晶圆的第一侧上的所述介电层上开孔，

3)在所述装置晶圆的第一侧上沉积金属层，和

4)在所述装置晶圆的第一侧上的所述金属层上光刻以限定金属形状；

提供结构层，并且薄化所述装置晶圆的第二侧；

借由移除装置晶圆的硅打开至少一个基板剥离区和对所述基板剥离区域暴露至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区；

在所述装置晶圆的第二侧上沉积背面金属，所述装置晶圆在所述基板剥离区的边缘具有侧壁金属，所述侧壁金属接触所述至少一个高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区域；和在背面金属中限定开口，所述开口用于光传感器上方的窗口和介于背面金属和所述集成电路的其它金属间的隔离间隙，所述限定开口包括背面金属中开口的电浆蚀刻；

其中介于所述高浓度的P掺杂边缘接触掺杂区域和所述背面金属之间的连接在电浆蚀刻过程中提供所述背面金属的接地。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述结构层是由翻转所述装置晶圆和连接所述装置晶圆到支撑晶圆施行。

8.根据权利要求6所述的方法，其中打开基板剥离区的步骤包括除去至少所述装置晶圆的一部分。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在装置晶圆中形成P信道晶体管，所述光传感器数组集成电路为互补金属氧化物半导体集成电路。

说明书

特别用途的背照式光传感器集成电路接地系统

背景技术

[0001] 制程损坏

[0002] 制程损坏可能会发生在集成电路的制造加工过程中，这种损坏可能会出现在保护电路被完全形成之前，并且可能肇因于离子蚀刻、离子布值或涉及电浆和带电粒子束的其它制程步骤产生之电荷积累和感应电压。这个制程损坏可能肇因于在电浆蚀刻时用以离子化气体的射频场在晶圆上的互连或其它在晶圆上的金属形状的感应电压以及其它原因。这个电荷必须在其到达可对电路装置产生致命的水平之前消除。

[0003] 制程损坏可能会产生，因为在集成电路(ICs)上大的金属的形状可作为天线，在制程中拾取显著的感应电压，尤其是涉及射频场诸如溅射和电浆蚀刻的制程。这些感应电压具有造成电路损坏的潜力。例如，光传感器数组集成电路可具有光子阻挡金属的环，围绕光传感器或数组本身，覆盖对整体IC操作为必要的是，但所述电路的操作是可能受光的不利影响。大光子挡环可以充当天线，拾取在加工过程中涉及到这么高的射频场的高感应电压。高感应电压引起的损害可能永久性地损坏结构，例如借由包括大光子阻挡环的电浆蚀刻，或者在集成电路上的附加层溅射沉积这样的处理步骤中在集成电路上击穿栅极氧化物和突波通过接触点。

[0004] 在所有方法中，这样的制程损坏可在集成电路的制程中被最小化，是以确保在金属层上的所有大的形状被耦合到在集成电路上的扩散区域。

[0005] 噪声、杂散电荷和保护环

[0006] 在光传感器数组电路中的电荷也可能来自光子撞击一个光传感器数组电路的暴露的半导体区域。这包括所述数组的光传感器，以及周边电路。如果允许积累，这些电荷可以干扰电路的运作。类似地，噪声可以从开关逻辑电路通过接合线电阻和电流突波耦合到敏感的模拟电路，可以期望用“保护环”结构隔离集成电路的部分，其分离电路为数字和模拟的各部分，且其通过吸收杂散电荷作为隔离敏感电路，尽管它们不必总是围绕敏感的电路形成完整的环结构。

[0007] 焊垫

[0008] 已知在集成电路的技术中电路耦合到集成电路(IC)的焊垫是有可能损坏，当那些焊垫变成耦合至带有静电荷的外导体；这种带电的导体是可为装置测试、处理或组装的机器、必须触摸电路的工人、用手拿取所述部分的好奇的消费者或甚至装置储存袋或管件的部分。通常，集成电路的设计师结合静电放电(ESD)保护电路来消散这种静电荷而不会损坏其集成电路，且IC的可靠性测试的一部分包括测试他们设计的效用。一个常见的ESD测试在JS-001-2012和MIL-STD-883H模型中标准化一个带电的手指成为100pF的电容和一个1500奥姆的放电电阻。在测试过程中，完全充电的电容器通过电阻器和通过焊接线放电到所述集成电路的焊垫；典型测试包括将电容器充电至1500伏或更大。其它静电放电测试模型存在，包括机器模型和带电装置模型；测试机器模型通常包括耦合充电的电容器到不具有中介电阻的电路。

[0009] 静电放电可以以几种方式损坏集成电路，其中有许多是不可逆的。例如，栅极氧化物的损坏通常由于在集成电路中使用非常薄的氧化物所产生，如果横跨氧化物电压超过击穿电压限制，如对于某些电路小于10伏，即可能击穿而形成一个短路。静电放电也能在芯片上的保护电路中产生在金属-半导体的接触点上的瞬间大电流。高接触电流可蒸发金属、留下一个开路或在所述接触点引起足够的热使得半导体溶入金属，留下金属的尖突，可延伸穿过集成电路的接合面留下穿过接合面的短路电路。

[0010] 静电放电保护装置是通常整合在集成电路中来保证静电消散不会造成伤害，类似扩散的形状导电耦合到大的金属的形状是通常提供以保护电路不会受可能被这些金属的形状拾起的感应电压和电流的制程相关的损害。

[0011] 通常情况下，输出焊接点的静电放电保护结合靠近焊垫的大的晶体管。大的晶体管是通常提供来驱动与输出信号到焊垫有关的高输出电流，但当输出晶体管小于需要吸收的静电放电，并联虚拟晶体管是可帮助传导静电放电。放电通常是通过金属至半导体接触点进入这些大晶体管的汲极区域，然后通过包括源极汲极间的路径穿透到接地或电源的区域，并从此到接地或电源金属。另一个通常放电电流路径包括通过大晶体管的汲极下方的寄生接面二极管的路径进到阱或基板区域，再穿过阱或基板接触到接地或电源金属，或通过阱-基板接合面连结到基板，并随后通过基板接触到接地的金属。

[0012] 传统的“大量”互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路以及前侧照明式互补金属氧化物半导体光传感器数组集成电路经常具有一个相当厚的、导电性的基板，其可以形成从寄生二极管到阱或基板接触点之一相对低阻抗的路径。

[0013] 背面照明型

[0014] 然而，背面照明型互补金属氧化物光传感器数组晶圆必须使基板薄化，使得光可以穿透横躺在数组的光传感器的下方基板的部分，并由此到达光传感器。薄化可以通过包括化学机械研磨和蚀刻来完成。因为薄化的晶圆对于加工来说太脆弱，故在晶圆的前侧是用附加的硅加固。

[0015] 然而，薄化的硅基板不会具有与全厚度、未薄化晶圆相同的导电性。在一些事先薄化的晶圆，如图1所示的背侧照明的光传感器晶圆100、一个背面金属102与背面接地接点104贯穿的背面介电层103到所述薄化的基板106是用于提供为静电放电的放电路径，然而，在一些情况下，放电期间的电流拥挤在特定的汲极接触点，无论是从加工过程中的静电放电或感应电压，导致电路损坏。背面金属102还通常用作光子阻挡层，具有开口在数组的光传感器上和光子阻挡金属在非光传感器装置上，例如选择的晶体管，和在外围电路上，例如与数组有关的行和列计数器、译码器和感知放大器。类似地，所述背面金属102可阻绝光子到达的任何其它的电路，例如信号处理电路，其是配置在光传感器集成电路上。这些光传感器集成电路可在焊垫区域108移除原基板106以允许衬垫金属110具有顺畅的通道到达第一层互连金属112，第一层互连金属112依次耦合到由硅栅极114、汲极116和源极118扩散形成的大晶体管的汲极区域，其是可以是N+扩散横卧在选择的阱中，例如P阱120。通常情况下，基板106是弱P型，和一些输出装置通常还具有源极和汲极扩散其是P+扩散横卧在N-阱中(未示出)，如在已知的互补金属氧化物半导体技术中。互连金属112是是在一个或多个绝缘电介质124的一层或多层，其还可以包含附加的互连金属层，而一个附加的硅结构层122是被提供给所述装置一些机械强度。光传感器126的数组，至少每个光传感器的部分在背面金属102中通过开口暴露设置是在电路上以允许成像。

发明内容

[0016] 一种配置用于背侧照明的光传感器数组集成电路是形成在具有光传感器数组的薄化的电路晶圆上。硅是在至少一个基板剥离区除去，其在一个实施例中形成沟槽，其中一个掺杂边缘接触区相邻到所述基板剥离区，所述边缘接触区是形成在晶圆相对所述晶圆的背面的同侧作为多个晶体管。背面金属被设置在晶圆的背面，所述背面金属具有在光传感器之上的窗口，和具有在基板剥离区周围接触所述边缘接触区的侧壁。

[0017] 一种制造适合于背面照明的光传感器数组集成电路的方法，其包括在装置晶圆的第一侧形成N通道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，并且在所述装置晶圆的第一侧形成至少一个高掺杂边缘接触掺杂区。具有接点和导通孔的电介质层是在晶体管和边缘接触区上形成，其具有光学蚀刻所决定的金属互连层。在特定实施例中，结构硅层是借由结合所述装置晶圆到支撑晶圆而设置，且所述装置晶圆是被薄化。至少一个基板剥离区是之后被蚀刻打开，除去足够的硅以对基板剥离区露出所述至少一个边缘接触区，且背面金属是沉积在装置晶圆的第二侧，其具有侧壁金属在基板剥离区的边缘，所述侧壁金属接触至少一个边缘接触区。所述背面的金属是经光刻决定具有在背面金属中用于光传感器上的窗口的开口和在背面的金属和金属之间的隔离间隙。

附图说明

[0018] 需注意，附图是非按照比例的。集成电路层的厚度是被夸大以显示层的存在，且其中的层包含其它的层，没有意图表示相对层的深度。此外，为简单起见，不是所有的层被示出，故意地省略层包括保护性氧化物或“钝化”层、许多金属互连层和滤光片层。

[0019] 图1是横截面示意图说明先前技术的背面照明型、硅、光传感器-数组电路的层。

[0020] 图2是横截面示意图说明一种改进的背面照明型、硅、光传感器-数组电路的层。

[0021] 图2A是横截面示意图说明围绕在可整合到电路上的电荷-感知电路的保护环结构中的改进的背面照明、硅、光传感器数组电路的层。

[0022] 图2B是俯视平面图说明了集成电路可使用在本文所述的接地方法具有可以形成在背面的金属的形状。

[0023] 图2C是俯视平面图说明了用于在图2B中说明的集成电路在硅移除光罩上的形状。

[0024] 图3是用于制造图2的电路制程的流程图。

具体实施方式

[0025] 在一个改进的薄化晶圆中，背面照明的光传感器晶圆200，如图2所示，背面金属202，可以具有一些选择性的背面接地点204贯穿背面介电层203至薄化的基板206，是用于提供ESD(静电放电)的放电路径。所述背面金属是也设置有接地的结构，以防止因为在一定步骤例如电浆蚀刻中从附近的射频(RF)引起的感应电压可能发生高电流或电压引起的制程相关的损坏。

[0026] 背面金属202作为光子阻挡层，具有开口在数组的光传感器上和光子阻挡金属在非光传感器电传感器装置上。如可选择的晶体管，并通过外围电路，诸如与数组有关的行和列计数器，译码器和感测放大器。类似地，所述背面金属102可阻挡光子到达任何其它的电路，如信号处理电路，其是可并置在光传感器的集成电路上。所述IC不同于图1在背面金属202具有侧壁205延伸至一个区域，其中原始基板206是在与连接焊点区域208相关的基板剥离区域，在保护结构的沟槽250(图2B)中和围绕设置在光传感器数组上的背面金属被去除。
所述基板剥离区允许侧壁205接触掺杂边缘接触区213。基板剥离区还允许焊垫金属210具有很容易地到第一层互连金属212的通道。

[0027] 在一些焊垫和静电放电结构的实施例中，第一层互连金属212依次连接到由硅栅极214和汲极216和源极218扩散形成大晶体管的扩散汲极216区域，其是可为N+型扩散横卧在一个可选的阱中，如P阱220。背面金属侧壁205是借由间隙211与焊垫金属210分离，其是可被钝化氧化物(未示出)保护，还可以保护背面金属202。

[0028] 在已知在CMOS技术中，基板206在一个特别的实施例中是弱P型，和一些输出装置还具有P+扩散横卧在N-井中的源极和汲极扩散。除了背面金属侧壁205，用P+源极和互补型晶体管的汲极相同的植入物形成的P+掺杂边缘接触区213，是沿着硅基板的边缘相邻至基板剥离区208设置。浅的，但重P型(P+)掺杂边缘接触区213是形成在相对晶圆的前侧在背面金属202的另一面，充分的重掺杂使得所述奥姆接触形成到背面金属侧壁205，而不是肖特基障壁接触。互连金属212是在一个或多个绝缘电介质224的一个或多个层，其还可以包含其它互连金属层，以及一个附加的硅结构层222是提供给所述装置一些机械强度。光传感器226的数组，至少各个光传感器的部分在背面金属202中通过开口曝露于入射光被设置在电路上，以允许成像。

[0029] 在一个替代实施例中，基板206是为弱的N型和掺杂边缘接触区213是为N+型。

[0030] 边缘接触植入区213在背面金属202通过侧壁205至基板206提供作为耦合大的形状，从而提供了一个放电路径，以允许在背面金属202的感应电压耗散，例如那些在加工过程中可以被感应的电压，包括那些相同的背面金属形状和以下各层的电浆蚀刻。

[0031] 所述原始基板206是可以被去除以形成沟槽，和侧壁205是可以存在，以形成约在光传感器数组的部分或全部或约在其它电荷-敏感部分，或潜在的集成电路的噪声或电荷泄漏的部分的保护环250(图2A)。是可以用保护环包括如那些从光传感器数组有用于读出处理影像的模拟电路或动态内存电路来隔离区域。边缘接触植入区213、251可以存在于这样的保护环的两侧。由于特别是对杂声敏感的电路是可以具有一个单独的电源和接地连接，在一些但不是全部的实施例，保护环是可形成具有一个间隙252，使得在保护环的一侧的侧壁205是在保护环的另一侧的侧壁254相较是被耦合到分别的接地连接。

[0032] 除了吸收制程相关的感应电流，所述边缘接触植入区213用于大的N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管是也在吸收静电放电电流浪涌特别的有效，例如形成在晶圆的前侧和位于边缘接触区213附近的输出驱动器晶体管。

[0033] 装置制造方法

[0034] 根据图2的装置是根据方法300(图3)来制造，其衍生自但是不同于图1现有的背面照明光传感器数组的传统制造方法。硅装置晶圆是被清洗，如果需要用覆盖植入掺杂调整，和光蚀刻法和离子注入法302被施行以界定离子植入阱区域，如P阱220和任何所需的N阱，如已知在互补金属氧化物半导体中硅的处理技术。接着，光阻剂被去除，而且一热闸-氧化物是生长304，和用一个栅极导体层覆盖，这在一些实施例中是掺杂多晶硅。栅极导体层然后光蚀刻，以形成栅极形状214、214A。另一光刻掩模步骤是然后用来界定，和植入物施行306以形成N+源极/汲极植入区域，例如源极218和汲极216，附加的步骤是可施行用于临界值调节和用来提供在晶体管中所需的掺杂轮廓是由此而形成。N沟道、金属氧化物(NMOS)晶体管是由此形成具有汲极216、源极218和栅极214。

[0035] 在一个示范的实施例中，如图2B中所示。一个光传感器数组掩模背面金属形状402覆盖，从而防止光到达与光传感器数组相关联的外围电路。在形状402中的开口404被设置为使得光可以到达光传感器数组的光传感器。多个焊垫406，其不需要接收背面金属，形成在光传感器数组外部的电路，以允许电连接到集成电路上。敏感的模拟电路，例如感测放大器、模拟定标电路、模拟-数字转换器的模拟部分(如比较器和电阻器串)和色彩校正电路都覆盖了背面金属形状408，以防止杂散光子干扰它们的操作。集成电路的数字电路是也由背面金属形状410覆盖。硅是选择性地在焊垫的区域420(图2C)除去，并且在沟槽424、426分离背面金属形状402、408、410(图2B)，使得侧壁422、428、430(图2C)可以形成围绕每个背面金属形状和使得背面金属通过掺杂边缘接触区到基板接地。

[0036] 另一个光刻掩模步骤是然后用来界定，和植入物施行308以形成P+(重P掺杂)源极/汲极离子植入掺杂区域(未示出)，连同P+边缘接触掺杂区域213相邻到一位置将在后面形成的焊垫开口208，沟槽250，和其它围绕的大背面金属结构，如光传感器数组掩模402。所述边缘接触掺杂区域最好是连续的沿着靠近晶体管的未来焊垫开口的边缘结合到焊垫，但可以在所述边缘接触区任何位置具有缺口和开口。在一些实施例中边缘接触区是可为连续沿保护环结构和沿着与其它大背面金属形状相关联的侧壁边缘，例如光传感器数组掩模，和在一些实施例中是可沿保护环和大型背面金属形状中断。

[0037] 至少一个形成介电层310、开口接点或通孔、沉积金属层例如互连金属212、和在金属层上用光刻界定的金属形状的重复序列是施行直至所有所需的金属互连层形成。在一些实施例中，每个金属层可由多个层形成，包括导体和障壁金属层形成；和在一些实施例中化学机械研磨是施行，以限制步骤覆盖范围和平坦化装置表面。

[0038] 所述装置晶圆是之后被反转而连结312到载体晶圆，提供结构的硅层222，和化学机械研磨是被施行以薄化装置晶圆，使得所需波长的光能穿透晶圆到达形成在晶圆中之光传感器数组的光传感器206。在一个替代的实施例中，结构的硅层222是被建构具有厚的化学气相沉积在晶圆上。背面介电质203是在所述装置晶圆薄化后形成314。

[0039] 刻划线、沟槽、以及焊垫开口208和其它原基板的硅是被移除的区域是之后借由光刻和选择性蚀刻去除上覆的氧化物和硅基板打开316，所得到的基板剥离区208露出P+边缘接触区。在一些实施例中，背面金属接触开口204是形成在介电质203背面。背面金属然后借由一种方法沉积318，例如但不限于有机金属化学气相沉积法，其允许侧壁金属与背面金属同时的沉积，在所述金属层开口是被光刻界定，包括在光传感器226上的窗口230和隔离间隙211的位置。任何所需的剩余层，包括附加的焊垫金属210、滤光片232层和钝化层是之后形成320和光刻界定。

[0040] 组合

[0041] 本文中所描述的特征和方法，是可以各种组合施行，而不会减损本文所述的本发明的精神。有几个这样的例子组合说明如下：

[0042] 光传感器数组集成电路标记为A，所述电路配置为背面照明，具有在有光传感器的数组的薄化的电路晶圆中的晶体管。硅是在至少一个基板剥离区移除，其中掺杂边缘接触区是邻近所述基板剥离区，所述掺杂边缘接触区形成在晶圆的同一侧，作为相对所述晶圆的背面的多个晶体管。背面金属是被设置在晶圆的背面，所述背面金属具有在光传感器上的窗口开口，和具有在基板剥离区周围接触边缘接触区的侧壁。

[0043] 静电放电保护

[0044] 光传感器数组标记为AA包括光传感器数组标记为A，其中至少一些多个晶体管是为大晶体管靠近所述边缘接触区通过互连金属联接到焊垫金属所形成。

[0045] 光传感器数组标记为AB包括光传感器数组标记为A或AA，其中所述晶体管是为互补式金氧半晶体管。

[0046] 光传感器数组标记为AC包括光传感器数组标记为A，AA或AB，其中所述边缘接触环是连续的沿着至少一个大的N型金氧半导体晶体管，所述N型金氧半导体晶体管具有汲极借由互连金属连接到所述焊垫金属。

[0047] 光传感器数组掩模

[0048] 光传感器数组标记为AD包括光传感器数组标记为A，其中所述背面金属具有至少一个形状，其覆盖与光传感器数组相关联的集成电路的外围电路，所述形状具有在数组的光传感器上，和掺杂边缘接触区和侧壁上的开口形成环绕光传感器数组的环。

[0049] 光传感器数组标记为ADA包括光传感器数组标记为AD或A，其中所述掺杂边缘接触区更是比P掺杂的原始基板更重的P型掺杂。

[0050] 保护环

[0051] 光传感器数组标记为AE包括光传感器数组标记为AD或A，其中至少一个硅被除去的基板剥离区具有沟槽隔离集成电路的噪声敏感的部分和集成电路的另一部分，所述侧壁沿着沟槽的两侧延伸。

[0052] 光传感器数组标记为AEA包括光传感器数组标记为AE，其中光传感器数组标记为ADA包括光传感器标记为AD或A，背面金属是沿着所述沟槽的底部借由间隙分隔成一个第一形状和一个第二形状。

[0053] 制造

[0054] 适用于背面照明光传感器数组集成电路的制造的方法标记为B包括在装置晶圆的第一侧形成N-通道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管；和在所述装置晶圆的第一侧形成至少一个重掺的边缘接触的掺杂区域。具有接触点和通孔的电介质层是与光刻界定的金属互连层在晶体管和边缘接触的区域之上形成。在特定实施例中是由装置晶圆结合到支撑晶圆和所述装置晶圆是薄化以提供结构的硅层。至少一个基板剥离区域进行蚀刻打开，除去足够的硅，以暴露至少一个边缘接触区到基板剥离区，和背面金属是在基板剥离区的边缘处与侧壁金属沉积在装置晶圆的第二侧面，所述侧壁金属接触至少一个边缘接触的区域。背面的金属是由光刻界定。在一个特定的实施例中，背面金属是被界定具有开口在光传感器上作为窗口和介于背面金属和其它第一金属层之间的隔离间隙，如可能存在于基板剥离区域的焊垫金属或互连金属。

[0055] 标记为BA的方法包括标记为B的方法其中形成所述结构层是由翻转所述装置晶圆和连接所述装置晶圆到支撑晶圆施行。

[0056] 标记为BB的方法包括标记为B或BA的方法其中打开基板剥离区的步骤包括除去至少所述装置晶圆的一部分。

[0057] 标记为BC的方法包括标记为B，BA或BB的方法进一步包括在装置晶圆中形成P信道晶体管，所述光传感器数组集成电路是为金属互补金氧半导体集成电路。

[0058] 应理解被本领域的技术人员进行各种修改，替换构造和等效物是可被使用而不脱离本发明的精神。此外，为了避免不必要地模糊本发明，一些众所周知的制程和装置并没有被描述。因此，上述描述不应被视为本发明的范围的限制。此应当指出的是，包含在上述说明或示出在附图中的事项应当被解释为说明性的而不是限制性的。下面的权利要求是旨在覆盖本文中所描述的所有一般的和具体的特征，以及本发明的方法和系统的范围的所有陈述，其中，因为语言的关系，是可以说落入其间。