电极层压体和有机发光元件

摘要

本文公开了一种电极层压体和包含该电极层压体的有机发光元件，所述电极层压体包括：基板；设置在基板上的电极；以及辅助电极，其电连接至所述电极，并且具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处具有80％或更大的反射率且第二层具有比第一层更高的蚀刻速度，其中所述辅助电极或者设置在所述电极与所述基板之间，或者设置为使得辅助电极的第一层与所述电极的至少部分侧面邻接。

权利要求

1.一种有机发光器件，包括：

基板；

设置在所述基板上的第一电极；

与第一电极相对设置的第二电极；

设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机材料层；以及第一电极的辅助电极，

其中所述第一电极的辅助电极具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处的反射率为80％或更大而第二层具有比第一层更高的蚀刻速度；并且所述第一电极的辅助电极或者设置在所述第一电极与所述基板之间，或者设置为使得第一电极的辅助电极的第一层与第一电极的至少部分侧面邻接，其中使用同一蚀刻溶液组合物蚀刻第一层和第二层所形成的层压结构，以得到具有锥角的第一层，具有锥角的第一层的上表面线宽度(a′)与下表面线宽度(a)的比例小于1，其中将在550nm的波长处具有80％或更大的反射率的第一层设置为与基板邻接，其中辅助电极的第一层和第二层用金属材料形成，其中第二层的下表面线宽度(b)小于具有锥角的第一层的上表面线宽度(a′)。

2.权利要求1的有机发光器件，其中将在550nm的波长处具有80％或更大的反射率的第一层设置为比第二层更靠近基板。

3.权利要求1的有机发光器件，其中将所述第一电极以图案形式设置在所述基板上，并且将第一电极的辅助电极的第一层以图案形式设置以便与第一电极图案的至少部分侧面邻接。

4.权利要求1的有机发光器件，其中所述第一层是Al层，且所述第二层是Mo层。

5.权利要求1的有机发光器件，其中所述锥角大于0°且小于或等于60°。

6.权利要求1的有机发光器件，其中，在辅助电极中，第二层的厚度与第一层的厚度之比为1/40至1/3。

7.权利要求1至6任一项的有机发光器件，其另外包括在基板的设有第一电极的表面的相对表面上设置的外光提取层。

8.权利要求7的有机发光器件，其中所述外光提取层包括平坦化层。

9.权利要求1至6中任一项的有机发光器件，其另外包括在第一电极与基板之间或者辅助电极与基板之间设置的内光提取层。

10.权利要求9的有机发光器件，其中所述内光提取层包括平坦化层。

11.权利要求1至6中任一项的有机发光器件，其为挠性有机发光器件。

12.一种包括权利要求1至6中任一项的有机发光器件的显示装置。

13.一种包括权利要求7的有机发光器件的显示装置。

14.一种包括权利要求11的有机发光器件的显示装置。

15.一种包括权利要求1至6任一项的有机发光器件的照明装置。

16.一种包括权利要求7的有机发光器件的照明装置。

17.一种包括权利要求11的有机发光器件的照明装置。

18.一种电极层压体，包括：

基板；

设置在基板上的第一电极；以及

辅助电极，其电连接至所述第一电极，并且具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处的反射率为80％或更大而第二层具有比第一层更高的蚀刻速度，其中所述辅助电极或者设置在所述第一电极与所述基板之间，或者设置为使得辅助电极的第一层与所述第一电极的至少部分侧面邻接，其中使用同一蚀刻溶液组合物蚀刻第一层和第二层所形成的层压结构，以得到具有锥角的第一层，具有锥角的第一层的上表面线宽度(a′)与下表面线宽度(a)的比例小于1，其中将在550nm的波长处具有80％或更大的反射率的第一层设置为与基板邻接，其中辅助电极的第一层和第二层用金属材料形成，其中第二层的下表面线宽度(b)小于具有锥角的第一层的上表面线宽度(a′)。

19.权利要求18的电极层压体，其中将在550nm的波长处具有80％或更大的反射率的第一层设置为比第二层更靠近基板。

20.权利要求18的电极层压体，其中将所述第一电极以图案形式设置在所述基板上，并且将第一电极的辅助电极的第一层以图案形式设置以便与第一电极图案的至少部分侧面邻接。

21.权利要求18的电极层压体，其中第二层的下表面线宽度(b)等于或小于具有锥角的第一层的上表面线宽度(a′)。

22.权利要求18的电极层压体，其中所述第一层是Al层，且所述第二层是Mo层。

23.权利要求18的电极层压体，其中所述锥角大于0°且小于或等于60°。

24.权利要求18的电极层压体，其中，在辅助电极中，第二层的厚度与第一层的厚度之比为1/40至1/3。

25.权利要求18至24中任一项的有机发光器件，其另外包括在基板的设有第一电极的表面的相对表面上设置的外光提取层。

26.权利要求25的电极层压体，其中所述外光提取层包括平坦化层。

27.权利要求18至24中任一项的电极层压体，其另外包括在第一电极与基板之间或者辅助电极与基板之间设置的内光提取层。

28.权利要求27的电极层压体，其中所述内光提取层包括平坦化层。

说明书

电极层压体和有机发光元件

技术领域

[0001] 本申请要求于2013年7月19日向韩国专利局提交的第10-2013-0085699号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容以引证的方式纳入本说明书。

[0002] 本说明书涉及一种电极层压体和包含其的有机发光器件。

背景技术

[0003] 近来，在电子器件如显示器、有机发光装置和触摸面板中，已要求在活动图像单元中形成透明电极。为满足该要求，已将由如ITO和ZnO的材料所形成的透明导电膜用作电极，但是，这在电阻方面存在严重的问题。特别地，在使用有机发光器件的照明装置的情况下，当形成大面积的照明装置时，上述大的电阻可能成为商业化方面的巨大障碍。因此，需要开发出即便在形成大面积装置时也具有降低的电阻的透明电极。

[0004] 同时，有机发光器件中所产生的最高达30％的光被锁定在器件中，从而产生发光效率降低的问题。

发明内容

[0005] 技术问题

[0006] 为提高透明电极的电导率和/或光提取效率，在重复进行许多研究工作以后，本发明的发明人发明了一种具有本说明书中所述的构造的电极层压体，以及包含其的有机发光器件。

[0007] 技术方案

[0008] 本说明书的一个实施方案提供一种有机发光器件，其包括：基板；设置在基板上的第一电极；与第一电极相对设置的第二电极；设置在第一电极与第二电极之间的有机材料层；以及第一电极的辅助电极，其中第一电极的辅助电极具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处的反射率为80％或更大而第二层具有比第一层更高的蚀刻速度，并且第一电极的辅助电极或者设置在第一电极与基板之间，或者设置为使得第一电极的辅助电极的第一层与第一电极的至少部分侧面邻接。

[0009] 本说明书的另一实施方案提供一种有机发光器件，其中将第一电极的辅助电极设置为与基板邻接。

[0010] 本说明书的另一实施方案提供一种有机发光器件，其中将第一电极以图案形式设置在基板上，并且将第一电极的辅助电极以图案形式设置为与第一电极图案的至少部分侧面邻接。

[0011] 本说明书的另一实施方案提供一种有机发光器件，其另外包括在基板的设有第一电极的表面的相对表面上设置的外光提取层。

[0012] 本说明书的另一实施方案提供一种电极层压体，其包括基板；设置在基板上的电极；以及电连接至电极的辅助电极，并且辅助电极具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处的反射率为80％或更大而第二层具有比第一层更高的蚀刻速度，其中辅助电极或者设置在电极与基板之间，或者设置为使得辅助电极的第一层与电极的至少部分侧面邻接。

[0013] 本说明书的另一实施方案提供一种电极层压体，其中辅助电极设置为与基板邻接。

[0014] 本说明书的另一实施方案提供一种电极层压体，其中电极以图案形式设置在基板上，并且辅助电极以图案形式设置为与电极图案的至少部分侧面邻接。

[0015] 本说明书的另一实施方案提供一种电极层压体，其另外包括在基板的设有电极的表面的相对表面上设置的外光提取层。

[0016] 有益效果

[0017] 根据本说明书中所述实施方案，通过在电极下表面或侧面使用辅助电极，即便在制造大面积的电极或装置时电阻也可以降低，所述辅助电极的与基板相对的表面在550nm的波长处具有80％或更大的反射率，除此之外，还提高了将在有机发光器件的有机材料层中所产生的光从该器件中提取出来的效率，而没有通过器件与空气层之间或各层之间等的全反射而被锁定在器件内部。

附图说明

[0018] 图1-3示出了本说明书的实施方案的电极层压体构造的实例。

[0019] 图4示出了现有的辅助电极的实例。

[0020] 图5示出了比较实施例1中所制备的电极层压体的结构。

[0021] 图6和7示出了辅助电极材料的反射率和基板的反射率。

[0022] 图8和9示出了本说明书的实施方案的辅助电极的第一层和第二层的线宽度。

[0023] 图10是实施例中所制备的辅助电极的SEM图。

[0024] 图11是图10的SEM图的横截面模拟图。

具体实施方式

[0025] 下文中，将更加详细地描述本说明书的实施方案。

[0026] 本说明书的一个实施方案的有机发光器件包括：基板；设置在基板上的第一电极；与第一电极的相对设置的第二电极；设置在第一电极与第二电极之间的有机材料层；以及第一电极的辅助电极，其中第一电极的辅助电极具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处的反射率为80％或更大而第二层具有比第一层更高的蚀刻速度，并且第一电极的辅助电极或者设置在第一电极与基板之间，或者设置为使得第一电极的辅助电极的第一层与第一电极的至少部分侧面邻接。

[0027] 根据本说明书的一个实施方案，将在550nm的波长处具有80％或更大的反射率的第一层设置为比第二层更靠近基板。

[0028] 根据本说明书的一个实施方案，第一电极的辅助电极可设置为与基板邻接。图1至3各自示出一个与基板邻接的第一电极的辅助电极的实例。

[0029] 根据图1，将第一电极的辅助电极设置为与第一电极的至少部分侧面邻接。具体地，将第一电极以图案形式设置在基板上，并且将第一电极的辅助电极以图案形式设置为与第一电极图案的至少部分侧面邻接。此处，所述图案是与整个表面层相区分的一种表述，并且意指部分底层被覆盖而部分底层裸露的形式，并非整个底层表面均被覆盖。此处，底层的被覆盖部分的形状没有特别的限制，且该形状可依据目的按需形成。

[0030] 根据图2和图3，将第一电极的辅助电极设置在第一电极与基板之间。

[0031] 当第一电极的辅助电极具有图1至3中所示的结构时，使光在第一电极的辅助电极与基板的界面处反射，而由发光层发出的光未被锁定在基板内部，借此可以有效地实现光提取。另一方面，如图4和图5中所见，当将相当于辅助电极的第二层的层设置在与基板邻接的一侧上时，光提取效率可能降低，这是因为进入基板内的光可能被吸收到相当于第二层的层中而不释放出来。

[0032] 由此可见，可将第一电极的辅助电极设置为与基板邻接，但是，需要在辅助电极与基板之间设置另外的层。

[0033] 对第一电极的辅助电极没有特别的限制，只要第一电极的辅助电极比第一电极具有更好的电导率。关于具有令人满意的电导率的构造，可使用具有高的电导率的材料，或者可使用使辅助电极厚的方法。例如，第一电极是透明电极，而辅助电极的第一层和/或第二层可用金属材料形成。透明电极可具有60％或更高的可见光透光率，优选70％或更高，更优选80％或更高，甚至更优选90％或更高，且甚至更优选95％或更高。关于透明电极材料，可使用透明导电氧化物，如ITO和IZO。

[0034] 根据本说明书的一个实施方案，第一电极的辅助电极具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处的反射率为80％或更大而第二层具有比第一层更高的蚀刻速度。

[0035] 第一层在550nm的波长处具有80％或更大的反射率，因此，通过使光在第一层和与之不同的层如基板之间的界面处反射可增加光提取。在本说明书中，可如此计算反射率，将所要测量反射率的目标层放置在基板上，从所要测量反射率的目标层的一侧测量反射率，然后减去基板自身的反射率。

[0036] 反射率可用由Konica Minolta,Inc.制造的CM3700A进行测量，但是，设备不限于此。反射率可能受到层厚度以及形成该层的材料的影响。对第一层的材料、厚度等的选择为可使得第一层具有上述的反射率。

[0037] 根据一个实施方案，第一电极的辅助电极的第一层在550nm的波长处具有85％或更大的反射率。

[0038] 根据一个实施方案，第一电极的辅助电极的第一层在500nm至650nm的波长处具有80％或更大的反射率。

[0039] 根据一个实施方案，第一电极的辅助电极的第一层在500nm至650nm的波长处具有85％或更大的反射率。

[0040] 根据一个实施方案，第一电极的辅助电极的第一层在450nm至650nm的波长处具有80％或更大的反射率。

[0041] 根据一个实施方案，第一电极的辅助电极的第一层在450nm至650nm的波长处具有85％或更大的反射率。

[0042] 关于第一层的材料，优选使用具有比第一电极更高的电导率的材料。

[0043] 第一层的材料包括Al、Ag、Al合金、Ag合金等。此处，所述合金意指包含一种或更多种类型的其他金属。例如，Ag合金，除Ag以外，还可包含Cu、Pd等。Ag合金的非限制性实例包括AgCu、AgPd、AgCuPd等。可以按需调节合金中所包含的两种或更多种金属的比例。

[0044] 图6中示出了厚度为100nm的能够被用作第一层材料的材料的反射率。在图6中，CORA 0500和CORA 0505是由COMET Inc所制造的合金的产品名称。

[0045] 可依目标反射率、电导率等调节第一层的线宽度和厚度。例如第一层的厚度的可选范围为500埃至10,000埃。

[0046] 第二层为具有比第一层更高的蚀刻速度的层。此处，具有更高的蚀刻速度意指，当用同一蚀刻溶液组合物蚀刻第一层和第二层所形成的层压结构时，第二层以比第一层更高的速度被蚀刻。通过使用具有这种特性的第二层，可得到合适的第一层锥角。由于该合适的锥角，在其上所设置的第一电极，例如透明的导电氧化物层如ITO层，可以稳定地形成。合适的锥角可能受蚀刻溶液的类型或蚀刻条件以及上述第一层和第二层的材料的影响，并且为得到上述的合适的锥角，本领域普通技术人员可基于在相关领域中已知的技术来选择各层的材料、蚀刻溶液的类型、或蚀刻条件。例如，关于蚀刻条件，当在50℃下的刚好蚀刻时间(just etching time)是50秒时，则可通过进行刚好蚀刻时间的200％至600％的时间——例如，300％至500％的时间——的蚀刻实现过度蚀刻(over-etching)。

[0047] 根据一个实施方案，在50℃下，第二层的蚀刻速度为500埃/秒或更高，且第一层的蚀刻速度为100埃/秒或更低。

[0048] 根据一个实施方案，在50℃下，第二层的蚀刻速度为800埃/秒或更高，且第一层的蚀刻速度为800埃/秒或更低。

[0049] 根据一个实施方案，第一层的侧面具有正锥角(regular taper angle)。如图3所示，本说明书中的锥角(θ)意指第一层的侧面与底面所形成的角，并且正锥角意指该角为锐角。

[0050] 根据一个实施方案，辅助电极的第一层的锥角大于0°且小于90°。根据一个实施方案，辅助电极的第一层的锥角优选大于0°且小于或等于60°。第一层的锥角越小，在其上设置的层的稳定性越好。

[0051] 当第一电极具有上述正锥角时，由设置在辅助电极顶部的有机材料层产生的光，不仅由辅助电极的第一层与基板之间反射，还由第一层的侧面反射，从而，可以进一步提高光提取效率，且此外，可在辅助电极的层压结构上稳定地形成第一电极。在图3中，以箭头表示由设置在辅助电极顶部的有机材料层所发出的光的方向。

[0052] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第一层的上表面线宽度(a′)与第一层的下表面线宽度(a)的比例小于1。图8示出了辅助电极的第一层的线宽度。此处，当第一层的下表面与侧面的边界形成曲面，或第二层的上表面与侧面的边界形成曲面时，以邻接基板的面的延长面和第一层的侧面的延长面相交所形成的边为基础来测量第一层的下表面线宽度，以第一层的上表面的延长面与第一层的侧面的延长面相交所形成的边为基础来测量第一层的上表面。

[0053] 根据一个实施方案，辅助电极的第一层的线宽度由上表面向下表面逐渐增加。

[0054] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第二层的下表面线宽度(b)等于或小于第一层的上表面线宽度(a′)。如此构造示于图9中。

[0055] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第二层的下表面线宽度(b)与第一层的上表面线宽度(a′)之差为0.01微米至1微米，例如，0.05微米至0.5微米，且特别地为0.2微米。

[0056] 根据一个实施方案，对于任意一种或更多种类型蚀刻溶液，对蚀刻溶液的类型没有限制，只要如上所述第二层的蚀刻速度高于第一层的蚀刻速度。

[0057] 根据本发明的一个实施方案，辅助电极的第一层和第二层可使用经含酸蚀刻溶液蚀刻的材料。作为一个实例，蚀刻溶液可包含一种或更多种类型的磷酸、硝酸和乙酸。

[0058] 根据一个实施方案，当第二层暴露于湿气或空气时，第二层比第一层氧化程度更低。在该情况下，即便第一层暴露于湿气或空气，但至少在第一层与第二层之间的界面处可以防止第一层的氧化。

[0059] 根据一个实施方案，第二层比第一层具有更高的硬度。在该情况下，即使第一层的硬度低，也可以保护辅助电极免遭外界物理损伤。另外，当第一层与基板的热膨胀系数不同时，可能出现小丘(hillock)——一种当进行热处理时第一层发生膨胀的现象，但是，当第二层比第一层具有更高的硬度时可以预防如上的小丘缺陷。

[0060] 第二层的材料包含Mo等。

[0061] 可依据辅助电极的目标电导率或锥角来确定第二层的线宽度和厚度。第二层的厚度可为10至5,000埃，例如12.5至3,500埃，且特别为62.5至1,250埃。

[0062] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第二层的厚度与第一层的厚度之比为1/40至1/3，且例如，可为1/8。当厚度比在上述范围以内时，可按需提供第一层的正锥角，以及提供特性如氧化预防性和优异的硬度，同时可依据第一层的反射率和导电率来提供合适的辅助电极特性。

[0063] 根据本说明书的一个实施方案，第一层为Al层，且第二层为Mo层。图7示出了4,000埃厚度的Al层和500埃厚度的Mo层的反射率。此处，4,000埃厚度的Al层在550nm波长处的反射率为86.77％，500埃厚度的Mo层在550nm波长处的反射率为44.57％。

[0064] 在本说明书中，关于第二电极的材料，可以使用在相关技术中已知的那些。例如，可使用金属、透明导电氧化物、导电聚合物等。第二电极的材料可以与第一电极的材料相同或不同。

[0065] 在本说明书中，关于有机材料层的材料，可使用在相关技术中已知的那些。例如，可以用单一的发光层形成有机材料层，也可以用多层来形成，所述多层除发光层以外还包括那些注入或传输电荷的层，如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。也可以设置其他的功能层，如空穴阻挡层、电子阻挡层和缓冲层。可依需要使用无机层如金属卤化物、有机金属层、或无机金属掺杂的有机材料层。

[0066] 根据本说明书的一个实施方案，在基板的设有第一电极的表面的相对表面上还设置外光提取层。本发明的发明人已确认，与不使用辅助电极或使用具有不同结构的辅助电极的情况相比，当使用上述实施方案的辅助电极结构时，因使用外光提取层所导致的光提取效果的增加更大。这可通过随后的实施例得到证实。

[0067] 对外光提取层的结构没有特别的限制，只要其具有能够诱发光散射并改进器件的光提取效率的结构。在一个实施方案中，可使用膜来形成外光提取层，所述膜具有在粘合剂内分散有散射颗粒的结构，或者具有不平坦的结构。

[0068] 另外，可使用如旋涂法、棒涂法和狭缝涂覆法的方法在基板上直接形成外光提取层，或者可通过制备成膜形式后粘结到基板上而形成外光提取层。外光提取层可包括平坦化层。

[0069] 本说明书的一个实施方案还包括在第一电极或辅助电极与基板之间设置的内光提取层。对内光提取层的结构没有特别的限制，只要其具有能够诱发光散射并改进器件的光提取效率的结构。在一个实施方案中，可使用膜来形成内光提取层，所述膜具有在粘合剂内分散有散射颗粒的结构，或者具有不平坦的结构。

[0070] 另外，可使用如旋涂法、棒涂法和狭缝涂覆法的方法在基板上直接形成内光提取层，或者可通过制备成膜形式后粘结到基板上而形成内光提取层。内光提取层可包括平坦化层。

[0071] 根据本说明书的一个实施方案，有机发光器件还可包括绝缘层。作为一个实例，绝缘层可设置为，除了与第一电极邻接的第一电极的辅助电极的表面外，其包围了第一电极的辅助电极的至少部分表面或整个表面。作为另一实例，在基板与第一电极之间设置第一电极的辅助电极，并且在除了第一电极上表面之外覆盖了辅助电极的区域上另外设置绝缘层。绝缘层可防止第一电极或第一电极的辅助电极与第二电极或其他部件电连接。对绝缘层的材料没有特别的限制，但是，可以使用PSPI。

[0072] 根据本说明书的一个实施方案，有机发光器件为挠性有机发光器件。在该情况下，基板包含挠性材料。例如，可以使用挠性薄膜形玻璃基板、塑料基板或膜形基板。

[0073] 对塑料基板的材料没有特别的限制，但是，膜如PET、PEN、PEEK和PI通常以单层或多层的形式使用。

[0074] 当基板为薄膜形式时，可在其上粘结其他的塑料基板。例如，可将薄膜形玻璃与塑料基板的层压体用作基板。将塑料基板粘贴至薄膜形玻璃可改进机械特性。

[0075] 本说明书的一个实施方案提供一种包括上述有机发光器件的显示装置。在该显示装置中，有机发光器件可以起到像素或背光作用。除此之外，该显示装置的构造可以使用在相关技术中已知的组成。

[0076] 本说明书的一个实施方案提供一种包括上述有机发光器件的照明装置。在该照明装置中，有机发光器件起到发光单元的作用。除此之外，该照明装置的构造可以使用在相关技术中已知的组成。

[0077] 本说明书的另一实施方案提供一种电极层压体，其包括基板；设置在基板上的电极；以及电连接至电极的辅助电极，并且辅助电极具有层压结构，其中第一层在550nm的波长处的反射率为80％或更大而第二层具有比第一层更高的蚀刻速度，其中辅助电极或者设置在电极与基板之间，或者设置为使得辅助电极的第一层与电极的至少部分侧面邻接。

[0078] 根据一个实施方案，将电极以图案形式设置在基板上，并且可将辅助电极以图案形式设置以便与电极图案的至少部分侧面邻接。

[0079] 在本说明书所述的电极层压体中，在与上述有机发光器件相关的实施方案中对第一电极和第一电极的辅助电极所作的描述可分别适用于电极和辅助电极。关于除第一电极和第一电极的辅助电极之外的其他组成，如包括基板、外光提取层、内光提取层、绝缘层等的组成，在与有机发光器件相关的实施方案中所作的描述也适用于电极层压体。

[0080] 下文中，将参照实施例对上述实施方案进行更加详细地描述。但是，以下实施例仅为说明的目的，并且本说明书的范围不限于此。

[0081] 实施例1

[0082] 在玻璃基板上以Al(厚度为4,000埃)和Mo(厚度为500埃)的层压结构形成辅助电极图案，在基板和辅助电极图案上形成作为第一电极的ITO层。此处，辅助电极的Al层的锥角在30°至60°的范围内。

[0083] 该实施例中所制备的Al和Mo的层压结构的SEM图示于图10中。根据图10，由Mo层的下表面的一个端单元到Al层的上表面的一个端单元的距离为0.1微米。图11为图10的SEM横截面的模拟图。

[0084] 随后，在第一电极上形成发光层和第二电极，从而制成有机发光器件。

[0085] 实施例2

[0086] 以与实施例1相同的方式进行实施例2，不同之处在于在基板的设有辅助电极的表面的相对表面上另外形成OCF(外光提取层)。

[0087] 比较实施例1

[0088] 在玻璃基板上以Mo/Al/Mo层压结构形成辅助电极图案，在基板和辅助电极图案上形成第一电极。此处，Mo层形成为500埃的厚度，且Al层形成为4,000的厚度，并将ITO层用作第一电极。

[0089] 比较实施例2

[0090] 以与比较实施例1相同的方式进行比较实施例2，不同之处在于，在基板的设有辅助电极的表面的相对表面上另外形成OCF(外光提取层)。

[0091] 测量在实施例和比较实施例中所制造的器件的特性并示于下表中。

[0092] [表1]

[0093]

[0094] 在表1中，lm意指发光度，即，光的亮度，LE表示发光效率，即，相对于功率消耗而言的光的亮度，QE是光子数并且代表发射光的粒子数，CCT为色温，并且在该值低时代表红色系，而在该值高时代表蓝色系。Duv为颜色变化，并且随着数字的降低，可得到更优异的效果。

[0095] 根据表1，与比较实施例2的颜色补偿效率相比，实施例1的颜色补偿效率增加了11％或更多，而且光子数也增加了9％或更多。

[0096] 在以上实施例和比较实施例中，包括了OCF(外光提取层)以后与包含其之前相比较，在效果方面的增长百分比示于表2中。

[0097] [表1]

[0098]

[0099] 如表2所示，可以看出，与比较实施例相比，在包括了OCF(外光提取层)的实施例中，器件的性能得到了进一步的提升。