一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法转让专利

申请号 : CN201610031502.X

文献号 : CN105712746B

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相似专利:

发明人 : 付前刚张佳平李贺军瞿俊伶

申请人 : 西北工业大学

摘要 :

本发明涉及一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si‑Mo‑Cr涂层的方法,通过对C/C复合材料烧蚀处理‑制备SiC纳米线‑包埋法在C/C复合材料制备Si‑Mo‑Cr陶瓷涂层。具体过程为:将C/C复合材料清洗后烘干备用;调节氧气和乙炔流量,充分混合点燃后对C/C复合材料进行烧蚀处理,快速高效地获得含多孔表面层的C/C复合材料;化学气相沉积法制备SiC纳米线;采用包埋法在C/C复合材料表面制备Si‑Mo‑Cr陶瓷涂层。本发明的有益效果:与未经处理制备的具有平直界面的Si‑Mo‑Cr陶瓷涂层试样相比,涂层与基体间的结合强度提高了40%~70%。当经历20次1600至室温的氧乙炔烧蚀环境下的热震后,试样失重率降低了50~70%。

权利要求 :

1.一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于步骤如下:步骤1、预处理C/C复合材料:将热梯度化学气相渗透法制成的C/C复合材料超声清洗后烘干;

步骤2、在C/C复合材料表面构造多孔层:将氧乙炔枪以90°角对准预处理后的C/C复合材料进行烧蚀,烧蚀结束后采用超声清洗,并烘干;

所述氧乙炔枪与C/C复合材料的距离为8~12mm,烧蚀时间为25~50s;所述C/C复合材料的尺寸为步骤3、在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层:

称取质量百分比为10~20%的Si粉,质量百分比为15~30%的C粉和质量百分比为55~75%的SiO2粉,球磨处理后将混合粉料放入石墨坩埚底部;再将步骤2制备的含有多孔表面层的C/C复合材料用炭绳捆绑后悬挂在坩埚内的粉料上方;将石墨坩埚放入石墨发热体的真空反应炉中,对真空炉进行真空处理后,通氩气至常压,然后以5~10℃/min升温速度将炉温从室温升至1500~1700℃,保温1~3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,全程氩气保护;

步骤4、包埋浸渗法制备Si-Mo-Cr涂层;分别称取质量百分比为45–60%Si粉,质量百分比为25–30%MoSi2粉,质量百分比为5–15%Cr粉和质量百分比为8–15%C粉,球磨混合处理后将粉料置于小坩埚中,再将步骤3得到的C/C复合材料埋入粉料中,一并置于包埋炉中,通入氩气以4~8℃/min的升温速率将包埋炉升温到1900~2300℃,保温1~4h,在C/C复合材料表面得到抗热震性能优越的Si-Mo-Cr陶瓷涂层。

2.根据权利要求1所述C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于:所述C/C复合材料的密度为1.65~1.75g/cm3。

3.根据权利要求1所述C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于:所述步骤1的烘干温度为70~90℃。

4.根据权利要求1所述C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于:所述氧乙炔枪口内径为2~4mm,氧气流量为0.88~1.51m3/h,乙炔流量为0.65~1.12m3/h。

5.根据权利要求1所述C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于:所述步骤2的烘干温度为70~90℃。

6.根据权利要求1所述C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于:所述步骤3和步骤4制备粉料的球磨混合处理时间为2~4小时。

7.根据权利要求1所述C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于:所述步骤1和步骤2超声清洗采用蒸馏水。

说明书 :

一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层

的方法

技术领域

[0001] 本发明属于在C/C复合材料表面制备涂层的方法,具体涉及一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法。

背景技术

[0002] 碳/碳(C/C)复合材料是以碳(或石墨)纤维及其织物为增强材料,以碳(或石墨)为基体,通过加工处理和碳化处理制成的全碳质复合材料。由于C/C复合材料是由碳基体与增强碳纤维组成,碳在高温下容易氧化,导致各种性能明显下降。在表面制备抗氧化涂层可以有效提高C/C复合材料高温下的服役稳定性。硅基陶瓷涂层,如Si-Mo-Cr涂层,在高温下可与氧反应生成具有自愈合能力、氧渗透率较低、均匀连续致密的SiO2玻璃态保护薄膜,可实现C/C基体与氧的隔绝。尽管与C/C复合材料具有良好化学相容性,当受到从室温至高温的热冲击时,Si-Mo-Cr涂层与C/C基体间因热膨胀失配产生的热应力会导致涂层开裂剥落。
[0003] 目前,添加SiC纳米线来增强增韧硅基陶瓷涂层,可以有效抑制涂层的开裂趋势,提高涂层的抗氧化能力。文献一“Chu Y,Li H,Li L,et al.Oxidation protection of C/C composites by ultra-long SiC nanowire-reinforced SiC–Si coating[J].Corrosion Science,2014,84(3):204-208.”在SiC–Si涂层中引入SiC纳米线,有效抑制了涂层中裂纹的扩展,1500℃氧化160h后试样的失重率仅为0.44%。上述研究在涂层中引入SiC纳米线,但涂层与C/C基体的界面结合状态仍未得到有效改善,涂层易剥落的问题依然存在。针对涂层与基体界面结合状态,文献二“Shan Y,Fu Q,Wen S,et al.Improvement in thermal fatigue behavior of Si–Mo–Cr coated C/C composites through modification of the C/C-coating interface[J].Surface and Coatings Technology,2014,258:114-120.”采用预氧化的办法在C/C复合材料(密度1.75g/cm3)表面构造多孔层,再采用包埋浸渗法在C/C基体和Mo–Si–Cr涂层间构造出镶嵌界面结构,使得涂层C/C复合材料在经受15次从1773K至室温的热循环后强度保持率达到了82.97%。该研究采用预氧化的办法首先构造出粗糙和多孔的表面结构,反应较难控制。而且氧化时间较长,会在一定程度上损伤C/C复合材料的力学性能。

发明内容

[0004] 要解决的技术问题
[0005] 为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,提高Si-Mo-Cr涂层在高低温交变环境中的抗热震性能,是一种构造C/C-Si-Mo-Cr镶嵌界面层和引入SiC纳米线相结合来提高Si-Mo-Cr涂层抗热震性能的方法。
[0006] 技术方案
[0007] 一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,其特征在于步骤如下:
[0008] 步骤1、预处理C/C复合材料:将热梯度化学气相渗透法制成的C/C复合材料超声清洗后烘干;
[0009] 步骤2、在C/C复合材料表面构造多孔层:将氧乙炔枪以90°角对准预处理后的C/C复合材料进行烧蚀,烧蚀结束后采用超声清洗,并烘干;
[0010] 所述氧乙炔枪与C/C复合材料的距离为8~12mm,烧蚀时间为25~50s;
[0011] 步骤3、在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层:
[0012] 称取质量百分比为10~20%的Si粉,质量百分比为15~30%的C粉和质量百分比为55~75%的SiO2粉,球磨处理后将混合粉料放入石墨坩埚底部;再将步骤2制备的含有多孔表面层的C/C复合材料用炭绳捆绑后悬挂在坩埚内的粉料上方;将石墨坩埚放入石墨发热体的真空反应炉中,对真空炉进行真空处理后,通氩气至常压,然后以5~10℃/min升温速度将炉温从室温升至1500~1700℃,保温1~3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,全程氩气保护;
[0013] 步骤4、包埋浸渗法制备Si-Mo-Cr涂层;分别称取质量百分比为45–60%Si粉,质量百分比为25–30%MoSi2粉,质量百分比为5–15%Cr粉和质量百分比为8–15%C粉,球磨混合处理后将粉料置于小坩埚中,再将步骤3得到的C/C复合材料埋入粉料中,一并置于包埋炉中,通入氩气以4~8℃/min的升温速率将包埋炉升温到1900~2300℃,保温1~4h,在C/C复合材料表面得到抗热震性能优越的Si-Mo-Cr陶瓷涂层。
[0014] 所述C/C复合材料的密度为1.65~1.75g/cm3。
[0015] 所述步骤1的烘干温度为70~90℃。
[0016] 所述氧乙炔枪口内径为2~4mm,氧气流量为0.88~1.51m3/h,乙炔流量为0.65~1.12m3/h。
[0017] 所述步骤2的烘干温度为70~90℃。
[0018] 所述步骤3和步骤4制备粉料的球磨混合处理时间为2~4小时。
[0019] 所述步骤1和步骤2超声清洗采用蒸馏水。
[0020] 有益效果
[0021] 本发明提出的一种C/C复合材料表面制备抗热震性能优越的Si-Mo-Cr涂层的方法,通过对C/C复合材料烧蚀处理-制备SiC纳米线-包埋法在C/C复合材料制备Si-Mo-Cr陶瓷涂层。具体过程为:将C/C复合材料清洗后烘干备用;调节氧气和乙炔流量,充分混合点燃后对C/C复合材料进行烧蚀处理,快速高效地获得含多孔表面层的C/C复合材料;化学气相沉积法制备SiC纳米线;采用包埋法在C/C复合材料表面制备Si-Mo-Cr陶瓷涂层。
[0022] 本发明的有益效果:采用氧乙炔火焰下在C/C复合材料表面构建多孔层,然后在多孔层表面制备SiC纳米线,再采用包埋法制备Si-Mo-Cr涂层。本发明将构建C/C-Si-Mo-Cr镶嵌界面层和引入SiC纳米线相结合,在增韧Si-Mo-Cr涂层的同时改善Si-Mo-Cr涂层与C/C复合材料之间的界面结合状态,有效缓解涂层与基体间的热膨胀系数不匹配,进而提高Si-Mo-Cr涂层的抗热震性能。与未经处理制备的具有平直界面的Si-Mo-Cr陶瓷涂层试样相比,涂层与基体间的结合强度提高了40%~70%。当经历20次1600至室温的氧乙炔烧蚀环境下的热震后,试样失重率降低了50~70%。

附图说明

[0023] 图1是本发明工艺流程图
[0024] 图2是C/C复合材料经烧蚀处理后表面的微观照片
[0025] 图3是本发明所制备Si-Mo-Cr纳米线多孔层的微观照片
[0026] 图4是本发明所制备Si-Mo-Cr涂层的截面照片

具体实施方式

[0027] 现结合实施例、附图对本发明作进一步描述:
[0028] 本发明的具体过程为:
[0029] 步骤1,预处理C/C复合材料试样;选取热梯度化学气相渗透法制成的C/C复合材料,密度为1.65~1.75g/cm3,将其加工成尺寸为 圆柱形后打磨,用蒸馏水超声清洗,后放入烘箱内烘干备用,烘干温度为70~90℃;
[0030] 步骤2,在C/C复合材料表面构造多孔层;具体过程为:
[0031] 1)调节氧乙炔火焰中氧气和乙炔的气体流量;氧乙炔枪口内径为2~4mm,氧气流量为0.88~1.51m3/h,乙炔流量为0.65~1.12m3/h。将氧气和乙炔充分混合后点燃;
[0032] 2)烧蚀处理构造表面多孔层;将加工好的C/C试样放置于试样台,将氧乙炔枪以90°角对准C/C试样进行烧蚀,氧乙炔枪与试样的距离为8~12mm,烧蚀时间为25~50s。烧蚀结束后,将试样用蒸馏水超声清洗。最后放入烘箱内烘干备用,烘干温度为70~90℃;
[0033] 步骤3,在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层;称取质量百分比为10~20%的Si粉,质量百分比为15~30%的C粉,质量百分比为55~75%的SiO2粉,置于球磨罐中,球磨处理2~4小时后将粉料充分混合;将制备的混合粉料放入石墨坩埚底部。再将步骤2)制备的含有多孔表面层的C/C复合材料用炭绳捆绑后悬挂在坩埚内的粉料上方;将石墨坩埚放入石墨发热体的真空反应炉中,对真空炉进行真空处理后,通氩气至常压,后以5~10℃/min升温速度将炉温从室温升至1500~1700℃,保温1~3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,全程氩气保护;
[0034] 步骤4,包埋浸渗法制备Si-Mo-Cr涂层;分别称取质量百分比为45–60%Si粉,质量百分比为25–30%MoSi2粉,质量百分比为5–15%Cr粉和质量百分比为8–15%C粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2~4小时成混合粉料;将陶瓷粉料置于小坩埚中,再将步骤3)得到的C/C试样埋入粉料中,一并置于包埋炉中,通入氩气以4~8℃/min的升温速率将包埋炉升温到1900~2300℃,保温1~4h,在C/C复合材料表面得到Si-Mo-Cr陶瓷涂层。
[0035] 实施例一
[0036] 本实施例是一种提高C/C复合材料表面Si-Mo-Cr涂层抗热震性能的方法。
[0037] 步骤1,将密度为1.7g/cm3的C/C复合材料试样用蒸馏水超声清洗25min后,放入烘箱于80℃烘干备用。
[0038] 步骤2,烧蚀处理构造表面多孔层;将C/C试样放置于试样台,调节氧气和乙炔流量为0.88m3/h和0.65m3/h,充分混合后点燃。将氧乙炔枪以90°角对准C/C试样进行烧蚀,氧乙炔枪与试样的距离为10mm,烧蚀时间为45s。烧蚀结束后,将试样用蒸馏水超声清洗。最后放入烘箱内烘干备用,烘干温度为80℃,从而制备出含有多孔表面层的C/C复合材料。
[0039] 步骤3,在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层;分别称取质量百分比为15%的Si粉,质量百分比为20%的C粉,质量百分比为65%的SiO2粉,置于球磨罐中,球磨混合处理2小时成混合粉料;将制备的混合粉料放入石墨坩埚中。再将步骤2)制备的含有多孔表面层的C/C复合材料用炭绳捆绑后悬挂在坩埚内的粉料上方;将石墨坩埚放入石墨发热体的真空反应炉中,对真空炉进行真空处理后,通氩气至常压,后以5℃/min升温速度将炉温从室温升至1600℃,保温2小时;随后关闭电源自然冷却至室温,全程氩气保护;
[0040] 步骤4,包埋浸渗法制备Si-Mo-Cr涂层;分别称取质量百分比为45%Si粉,质量百分比为30%MoSi2粉,质量百分比为15%Cr粉和质量百分比为10%C粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2小时成混合粉料;将陶瓷粉料置于小坩埚中,再将步骤3)得到的C/C试样埋入粉料中,一并置于包埋炉中,通入氩气以5℃/min的升温速率将包埋炉升温到2100℃,保温2h,在C/C复合材料表面得到Si-Mo-Cr陶瓷涂层;
[0041] 本实施例得到的Si-Mo-Cr涂层C/C复合材料较相同工艺下的未经处理的Si-Mo-Cr涂层C/C复合材料涂层与基体间的结合强度提高了40%。
[0042] 实施例二
[0043] 步骤1,将密度为1.7g/cm3的C/C复合材料用蒸馏水超声清洗20min后,放入烘箱于80℃烘干备用。
[0044] 步骤2,烧蚀处理构造表面多孔层;将C/C试样放置于试样台,调节氧气和乙炔流量为1.12m3/h和0.83m3/h,充分混合后点燃。将氧乙炔枪以90°角对准C/C试样进行烧蚀,氧乙炔枪与试样的距离为10mm,烧蚀时间为30s。烧蚀结束后,将试样用蒸馏水超声清洗。最后放入烘箱内烘干备用,烘干温度为90℃,从而制备出含有多孔表面层的C/C复合材料。
[0045] 步骤3,在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层;分别称取质量百分比为15%的Si粉,质量百分比为20%的C粉,质量百分比为65%的SiO2粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2小时成混合粉料;将制备的混合粉料放入石墨坩埚中。再将步骤2)制备的含有多孔表面层的C/C复合材料用炭绳捆绑后悬挂在坩埚内的粉料上方;将石墨坩埚放入石墨为发热体的真空反应炉中,对真空炉进行真空处理后,通氩气至常压,后以4℃/min升温速度将炉温从室温升至1600℃,保温1.5小时;随后关闭电源自然冷却至室温,全程氩气保护;
[0046] 步骤4,包埋浸渗法制备Si-Mo-Cr涂层;称取质量百分比为50%Si粉,质量百分比为30%MoSi2粉,质量百分比为15%Cr粉和质量百分比为5%C粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2小时成混合粉料;将陶瓷粉料置于小坩埚中,再将步骤3)得到的C/C试样埋入粉料中,一并置于包埋炉中,通入氩气以5℃/min的升温速率将包埋炉升温到2300℃,保温2h,在C/C复合材料表面得到Si-Mo-Cr陶瓷涂层;
[0047] 当经历氧乙炔火焰下20次1600℃至室温的热循环之后,本实施例得到Si-Mo-Cr涂层C/C复合材料较相同工艺下的未经处理Si-Mo-Cr涂层C/C复合材料的失重率降低50%。
[0048] 实施例三
[0049] 步骤1,将密度为1.65g/cm3的C/C复合材料用蒸馏水超声清洗20min后,放入烘箱于80℃烘干备用。
[0050] 步骤2,烧蚀处理构造表面多孔层;将C/C试样放置于试样台,调节氧气和乙炔流量为1.51m3/h和1.12m3/h,充分混合后点燃。将氧乙炔枪以90°角对准C/C试样进行烧蚀,氧乙炔枪与试样的距离为10mm,烧蚀时间为30s。烧蚀结束后,将试样用蒸馏水超声清洗。最后放入烘箱内烘干备用,烘干温度为90℃,从而制备出含有多孔表面层的C/C复合材料。
[0051] 步骤3,在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层;分别称取质量百分比为15%的Si粉,质量百分比为20%的C粉,质量百分比为65%的SiO2粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2小时成混合粉料;将制备的混合粉料放入石墨坩埚中。再将步骤2)制备的含有多孔表面层的C/C复合材料用炭绳捆绑后悬挂在坩埚内的粉料上方;将石墨坩埚放入石墨为发热体的真空反应炉中,对真空炉进行真空处理后,通氩气至常压,后以4℃/min升温速度将炉温从室温升至1600℃,保温1.5小时;随后关闭电源自然冷却至室温,全程氩气保护;
[0052] 步骤4,包埋浸渗法制备Si-Mo-Cr涂层;称取质量百分比为60%Si粉,质量百分比为25%MoSi2粉,质量百分比为5%Cr粉和质量百分比为10%C粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2小时成混合粉料;将陶瓷粉料置于小坩埚中,再将步骤3)得到的C/C试样埋入粉料中,一并置于包埋炉中,通入氩气以5℃/min的升温速率将包埋炉升温到2300℃,保温2h,在C/C复合材料表面得到Si-Mo-Cr陶瓷涂层;
[0053] 当经历氧乙炔火焰下20次1600℃至室温的热循环之后,本实施例得到Si-Mo-Cr涂层C/C复合材料较相同工艺下的未经处理Si-Mo-Cr涂层C/C复合材料的失重率降低60%。