显示单元及其驱动方法以及电子装置

摘要

显示设备(1)提供有以下：每个像素(11)的发光器件(13)和像素电路(12)；和驱动像素电路(12)的驱动单元(20)。每个像素电路(12)具有以下：驱动发光器件(13)的驱动晶体管(Tr1)；和控制对驱动晶体管(Tr1)的栅极施加与视频信号相对应的信号电压的写入晶体管(Tr2)。驱动单元(20)例如对每个像素行进行允许使驱动晶体管(Tr1)的栅极‑源极电压接近驱动晶体管(Tr1)的阈值电压的Vth校正，然后将与图像信号相对应的信号电压写入到每个像素行中的驱动晶体管(Tr1)的栅极。

权利要求

1.一种显示单元，包含：

在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分，

其中该像素电路包括

配置成驱动发光器件的驱动晶体管，以及

配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，以及该驱动部分按照与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度，在校正驱动晶体管的阈值电压的情况下，同时校正每个像素的迁移率，并在发光前减小驱动晶体管的栅极-源极间电压，所述显示单元还包括第一哑像素和第二哑像素，所述第一哑像素包括与与显示区中的像素相同的组件，所述第二哑像素对应于与显示区中的像素等效、除去了发光器件并短路所述像素中发光器件所处的电路，所述驱动部分连续地将具有固定脉冲宽度的写脉冲施加于所述第一哑像素和所述第二哑像素，并监视从测量电路输出的检测信号。

2.按照权利要求1所述的显示单元，其中该驱动部分通过改变脉冲宽度减小由写入晶体管的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管的ON时段的变化。

3.按照权利要求2所述的显示单元，其中该驱动部分按照第一特性量改变当进行与图像信号的信号电压的写入时施加于写入晶体管的栅极的写脉冲的脉冲宽度。

4.按照权利要求1所述的显示单元，其中

该驱动部分包括配置成测量流过发光器件的电流的值或与该电流的值相对应的物理量的测量部分，以及该驱动部分利用该测量部分的测量值或通过对该测量值进行预定算术运算获得的值，改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。

5.按照权利要求4所述的显示单元，其中

该驱动部分包括呈现第一特性量与施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度或与该脉冲的脉冲宽度相对应或相关的第二特性量之间的关系的表格，以及该驱动部分利用该测量部分的测量值或通过对该测量值进行预定算术运算获得的值、和该表格改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。

6.一种配有显示单元的电子装置，该显示单元包含：

在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分，

其中该像素电路包括

配置成驱动发光器件的驱动晶体管，以及

配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，以及该驱动部分按照与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度，在校正驱动晶体管的阈值电压的情况下，同时校正每个像素的迁移率，并在发光前减小驱动晶体管的栅极-源极间电压，所述显示单元还包括第一哑像素和第二哑像素，所述第一哑像素包括与与显示区中的像素相同的组件，所述第二哑像素对应于与显示区中的像素等效、除去了发光器件并短路所述像素中发光器件所处的电路，所述驱动部分连续地将具有固定脉冲宽度的写脉冲施加于所述第一哑像素和所述第二哑像素，并监视从测量电路输出的检测信号。

7.一种驱动显示单元的方法，该方法包含：

在在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示单元中，该像素电路包括配置成驱动发光器件的驱动晶体管、和配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，按照与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度，在校正驱动晶体管的阈值电压的情况下，同时校正每个像素的迁移率，并在发光前减小驱动晶体管的栅极-源极间电压，所述显示单元还包括第一哑像素和第二哑像素，所述第一哑像素包括与与显示区中的像素相同的组件，所述第二哑像素对应于与显示区中的像素等效、除去了发光器件并短路所述像素中发光器件所处的电路，根据图像信号驱动像素电路的驱动部分连续地将具有固定脉冲宽度的写脉冲施加于所述第一哑像素和所述第二哑像素，并监视从测量电路输出的检测信号。

说明书

显示单元及其驱动方法以及电子装置

[0001] 本申请是申请日为2012年11月19日、申请号为201280059259.2、发明名称为“显示设备、显示面板及其驱动方法以及电子设备”的专利申请的分案申请。

技术领域

[0002] 本技术涉及在各自像素中包括例如像有机EL(电致发光)器件那样的发光器件的显示单元、显示面板、和驱动它们的方法。此外，本技术涉及包括上述显示单元的电子装置。

背景技术

[0003] 近年来，在显示图像的显示单元的领域中，已经为商品化开发出了将发光亮度随从中流过的电流的值而变的电流驱动型发光器件，例如，有机EL器件用作像素的发光器件的显示单元。与液晶器件等不同，有机EL器件是自发光器件。因此，在使用有机EL器件的显示单元(有效EL显示单元)中，由于与需要光源的液晶显示单元相比，光源(背光源)是不必要的，所以可实现显示单元的厚度的减小和显示单元的亮度的增加。尤其，在显示单元将有源矩阵系统用作驱动系统的情况下，允许每个像素连续发光，以及可实现功耗的降低。因此，有机EL显示单元有望成为下一代平板显示器的主流。

[0004] 顺便说一下，典型有机EL器件的伏安(I-V)特性随着时间的流逝而恶化(随时间恶化)。在利用电流驱动有机EL器件的像素电路中，当有机EL器件的I-V特性随时间而变时，有机EL器件和与该有机EL器件串联的驱动晶体管之间的分压比发生变化；因此，驱动晶体管的栅极-源极电压也发生变化。其结果是，流过驱动晶体管的电流的值也发生变化；因此，流过有机EL器件的电流的值也发生变化，以及发光亮度也相应地随电流值而变。

[0005] 此外，驱动晶体管的阈值电压(Vth)或迁移率(μ)可能随时间而变，或由于制造过程中的变化，Vth或μ对于每个像素电路来说可能不同。在驱动晶体管的Vth或μ对于每个像素电路来说不同的情况下，流过驱动晶体管的电流的值对于每个像素电路来说也不同；因此，即使将相同电压施加于驱动晶体管的栅极，有机EL器件的发光亮度也不同，损害了屏幕的均匀性。

[0006] 因此，即使有机EL器件的I-V特性随时间而变，或Vth或μ随时间而变，为了不受它们影响地保持有机EL器件的发光亮度不变，也已经开发出了具有对有机EL器件的I-V特性的变化的补偿功能和对Vth或μ的变化的校正功能的显示单元(例如，参照PTL1)。

[0007] 引用列表

[0008] 专利文献

[0009] [PTL 1]日本待审专利申请公告第2008-083272号

发明内容

[0010] 图8例示了现有驱动定时的例子。在图8中，WSLn代表第n扫描线，WSLn+1代表第n+1扫描线，以及WSLn+2代表第n+2扫描线。此外，DSLn代表第n电源线，DSLn+1代表第n+1供应线，以及DSLn+2代表第n+2供应线。进一步，DTL代表与给定像素列相对应的信号线。更进一步，1H代表一个水平时段。

[0011] 通常，同时进行用于Vth校正的扫描和用于μ校正的扫描。因此，难以在多个水平时段上相继进行Vth校正，例如，如图8所例示，希望对每个水平时段划分和进行Vth校正。因此，难以高速地进行用于Vth校正的扫描。

[0012] 因此，希望提供能够高速进行用于Vth校正的扫描的显示单元和驱动它的方法，以及包括上述显示单元的电子装置。

[0013] 顺便说一下，迁移率校正时段由施加于与驱动晶体管的栅极连接的写入晶体管的栅极的写脉冲的宽度(即，写入晶体管的ON(接通)时段)决定。但是，写脉冲不具有完美的方波，而具有如图26A所示的拐弯。因此，实际上，如图26B所例示，迁移率校正时段可能随写入晶体管的阈值电压而变。当迁移率校正时段发生变化时，如图27所例示，当有机EL器件发光时流过有机EL器件的电流Ids的幅度也发生变化，以及发光亮度也相对地发生变化。因此，迁移率校正时段优选的是变化尽可能小。

[0014] 写入晶体管的阈值电压，例如，通过对写入晶体管的栅极-源极电压连续施加负偏压来改变(降低)。换句话说，使写入晶体管的阈值电压特性从增强漂移到耗尽。如本文所使用，负偏压指的是栅极电位相对于源极电位为负的偏压状态。增强指的是当将写脉冲施加于栅极时形成通道，使电流在源极与漏极之间流动的状态。此外，耗尽指的是未将写脉冲施加于栅极地使电流在源极与漏极之间流动的状态。

[0015] 通常，在有机EL器件的发光时段或消光时段中将负偏压施加于写入晶体管。当对写入晶体管的栅极-源极电压连续施加负偏压时，在写入晶体管的阈值电压特性中发生耗尽漂移(depression shift)，例如，如图26B所例示，阈值电压从Vth1变化(降低)到Vth2。因此，迁移率校正时段变成比初始时段长Δt1和Δt2。其结果是，如图27所例示，当有机EL器件发光时流过有机EL器件的电流Ids减小了ΔIds，以及发光亮度也相应地降低。换句话说，发光亮度随使用有机EL显示单元的持续时间而降低。

[0016] 因此，希望提供能够减小耗尽漂移引起的发光亮度的降低的显示单元和驱动它的方法，以及包括上述显示单元的电子装置。

[0017] 顺便说一下，例如，在例示在图36中的现有驱动方法中，在每个1H时段中进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正、和将与图像信号相对应的信号电压写入驱动晶体管的栅极中的信号写入。因此，在这种驱动方法中，难以缩短1H时段和缩短每个1H的扫描时段(即，实现驱动的加速)。因此，例如，如图37所例示，在公用
1H时段中对两条线集体进行Vth校正之后，在下一个1H时段中从一条线到另一条线地进行信号写入。由于对几条线集体进行Vth校正，所以这种驱动方法适合高速驱动。但是，从Vth校正结束到信号写入开始的等待时段Δt对于每条线是不同的。因此，即使将具有相同灰度的信号电压施加于各自线上的驱动晶体管的栅极，发光亮度对于每条线也不同，从而引起出现亮度不均匀的问题。

[0018] 因此，希望提供能够减少对多条线集体进行Vth校正引起的亮度不均匀的出现的显示面板和驱动它的方法，以及每一种包括这样的显示面板的显示单元和电子装置。

[0019] 按照本技术的第一实施例的显示单元包括：在每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分。该像素电路包括配置成驱动发光器件的驱动晶体管、和配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管。该驱动部分对所有像素行进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后进行与图像信号相对应的信号电压到所有像素行中的驱动晶体管的栅极的写入。

[0020] 按照本技术的第一实施例的电子装置包括按照上述第一实施例的显示单元。

[0021] 按照本技术的第一实施例驱动显示单元的方法是驱动在每个像素中包括发光器件和像素电路的显示单元的方法。该像素电路包括配置成驱动发光器件的驱动晶体管、和配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管。该按照本技术的第一实施例驱动显示单元的方法包括：在具有这样配置的显示单元中，对所有像素行进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后进行与图像信号相对应的信号电压到所有像素行中的驱动晶体管的栅极的写入。

[0022] 在按照本技术的第一实施例的显示单元、按照本技术的第一实施例驱动显示单元的方法、和按照本技术的第一实施例的电子装置中，对所有像素行进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后进行与图像信号相对应的信号电压到所有像素行中的驱动晶体管的栅极的写入。因此，不必对每个水平时段划分和进行Vth校正。

[0023] 按照本技术的第二实施例的显示单元包括：在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分。该像素电路包括配置成驱动发光器件的驱动晶体管、和配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管。该驱动部分按照第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。如本文所使用，该第一特性量是与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的参数。

[0024] 按照本技术的第二实施例的电子装置包括按照上述第二实施例的显示单元。

[0025] 按照本技术的第二实施例驱动显示单元的方法是驱动在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示单元的方法。该像素电路包括配置成驱动发光器件的驱动晶体管、和配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管。该按照本技术的第二实施例驱动显示单元的方法包括：在具有这样配置的显示单元中，按照第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。如本文所使用，该第一特性量是与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的参数。

[0026] 在按照本技术的第二实施例的显示单元、按照本技术的第二实施例驱动显示单元的方法、和按照本技术的第二实施例的电子装置中，按照第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。因此，允许减小写入晶体管的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管的ON时段的变化。

[0027] 按照本技术的第三实施例的显示面板包括：每一个包括发射颜色相互不同的多个子像素的多个像素；用于选择各自像素的多条第一布线；以及用于向各自像素供应驱动电流的多条第二布线。对每个单元指定多条第一布线的k(k≥2)条，一个单元包括k个像素行，每条第一布线与一个单元中相同发射颜色的多个子像素连接。另一方面，对一个单元指定多条第二布线之一，每条第二布线与一个单元中的所有子像素连接。

[0028] 按照本技术的第三实施例的显示单元包括显示面板和配置成驱动显示面板的驱动电路。包括在显示单元中的显示面板包括与上述显示面板的那些相同的组件。

[0029] 按照本技术的第三实施例的电子装置包括按照上述第三实施例的显示单元。

[0030] 按照本技术的第三实施例驱动显示面板的方法是在上述显示面板中通过与之连接的第一布线将一个单元中的所有子像素划分成组时的驱动方法。这种驱动方法包括：对一个单元中的所有组同时进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后从一个组到另一个组地进行信号电压到一个单元中的所有组的写入。

[0031] 在按照本技术的第三实施例的显示面板、按照本技术的第三实施例的显示单元、按照本技术的第三实施例的电子装置、和按照本技术的第三实施例驱动显示面板的方法中，将用于选择各自像素的每条第一布线与一个单元中相同发射颜色的多个子像素连接。此外，将用于向各自像素供应驱动电流的每条第二布线与一个单元中的所有子像素连接。
因此，例如，在对一个单元中的所有组同时进行Vth校正之后，允许从一个组到另一个组地对一个单元中的所有组进行信号电压的写入。其结果是，相同颜色的各自子像素中从Vth校正结束到μ校正开始的时段(所谓等待时段)相互一致；因此，每条线中相同颜色的子像素的等待时段相互一致。

[0032] 按照本技术的第四实施例驱动显示面板的方法是在如下显示面板中，将多个像素行当作一个单元，以及根据作为分类准则的发射颜色，将一个单元中的所有子像素划分成每一个包括多个子像素的组的驱动方法。

[0033] 如本文所使用，应用该驱动方法的显示面板包括每一个包括发射颜色相互不同的多个子像素的多个像素。在该显示面板中，每个子像素包括发光器件、与该发光器件串联的驱动晶体管、和配置成将与图像信号相对应的信号电压写入驱动晶体管的栅极中的写入晶体管。然后，这种驱动方法包括：在具有这样配置的显示面板中，对一个单元中的所有组同时进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后从一个组到另一个组地进行信号电压到一个单元中的所有组的写入。

[0034] 在按照本技术的第四实施例驱动显示面板的方法中，在对一个单元中的所有组同时进行Vth校正之后，允许从一个组到另一个组地对一个单元中的所有组进行信号电压的写入。其结果是，相同颜色的各自子像素中从Vth校正结束到μ校正开始的时段(所谓等待时段)相互一致；因此，每条线中相同颜色的子像素的等待时段相互一致。

[0035] 在按照本技术的第一实施例的显示单元、按照本技术的第一实施例的驱动方法、和按照本技术的第一实施例的电子装置中，不必对每个水平时段划分和进行Vth校正；因此，允许以比对每个水平时段划分Vth校正的情况高的速度进行用于Vth校正的扫描。

[0036] 此外，在按照本技术的第二实施例的显示面板、按照本技术的第二实施例的驱动方法、和按照本技术的第二实施例的电子装置中，允许减小写入晶体管的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管的ON时段的变化，因此，允许减小写入与图像信号相对应的信号电压的时段的变化或允许使驱动晶体管的栅极-源极电压Vgs接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正的时段的变化。因此，允许减小耗尽漂移引起的发光亮度的降低。

[0037] 进一步，在按照本技术的第三实施例的显示面板、按照本技术的第三实施例的显示单元、按照本技术的第三实施例的电子装置，按照本技术的第三实施例驱动显示面板方法、和按照本技术的第四实施例驱动显示面板方法中，每条线中相同颜色的子像素的等待时段相互一致；因此，允许减少对多条线集体进行Vth校正引起的亮度不均匀的出现。

附图说明

[0038] 图1是按照本技术的第一实施例的显示单元的示意性配置图；

[0039] 图2是例示图1中的像素的电路配置的例子的图形；

[0040] 图3是描述图1中的显示单元的操作的例子的波形图；

[0041] 图4是描述图1中的显示单元中用于Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子的波形图；

[0042] 图5是描述图1中的显示单元中用于Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的另一个例子的波形图；

[0043] 图6是代表图5中的扫描以及发光·消光的图形；

[0044] 图7是例示包括按照每个上述实施例的显示单元的模块的示意性配置的平面图；

[0045] 图8是描述按照参考例的显示单元中用于Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子的波形图；

[0046] 图9是代表图8中的扫描以及发光·消光的图形；

[0047] 图10是按照本技术的第二实施例的显示单元的示意性配置图；

[0048] 图11是例示图10中的像素的电路配置的例子的图形；

[0049] 图12是例示图10中的显示控制电路的配置的例子的图形；

[0050] 图13是例示利用包括用于表格创建的像素的显示单元创建的表格的例子的图形；

[0051] 图14A是描述应用于写入晶体管的栅极的脉冲波形的例子的图形；

[0052] 图14B是描述写入晶体管的ON时段随写入晶体管的阈值电压而变的状态的例子的图形；

[0053] 图15(A)是描述图11中的写入晶体管中阈值电压与时间的流逝之间的关系的例子的图形；图15(B)是描述脉冲宽度随例示在图14A中的阈值电压的变化而变化的例子的图形；

[0054] 图16是例示用于创建例示在图13中的表格的显示单元中的像素的配置的例子的图形；

[0055] 图17是描绘图10中的显示单元的操作的例子的波形图；

[0056] 图18是例示按照第一修改例的显示单元的配置的例子的图形；

[0057] 图19A是例示图18中的哑像素的配置的例子的图形；

[0058] 图19B是例示图18中的哑像素的配置的另一个例子的图形；

[0059] 图20是例示按照第二修改例的显示单元中的显示控制电路的配置的例子的图形；

[0060] 图21是例示利用包括用于表格创建的像素的显示单元创建的表格的另一个例子的图形；

[0061] 图22是描绘按照第二修改例的显示单元的操作的例子的波形图；

[0062] 图23是描述应用于按照第二修改例的显示单元中的写入晶体管的栅极的脉冲波形的例子的图形；

[0063] 图24(A)是描述按照第二修改例的显示单元中的写入晶体管中阈值电压与时间的流逝之间的关系的例子的图形；图24(B)是描述Vth校正脉冲宽度随例示在图33(A)中的阈值电压的变化而变化的例子的图形；

[0064] 图25是例示包括按照每个上述实施例的显示单元的模块的示意性配置的平面图；

[0065] 图26A是描述应用于写入晶体管的栅极的脉冲波形的例子的图形；

[0066] 图26B是描述迁移率校正时段随写入晶体管的阈值电压而变的状态的例子的图形；

[0067] 图27是描述迁移率校正时段的长度与流过有机EL器件的电流的值之间的关系的例子的图形；

[0068] 图28是按照本技术的第三实施例的显示单元的示意性配置图；

[0069] 图29是例示图28中的像素的电路配置的例子的图形；

[0070] 图30是代表图28中的各自像素的布局的例子的图形；

[0071] 图31是代表图28中的各自像素的布局的另一个例子的图形；

[0072] 图32是代表图30和31中DTL的电压的例子的图形；

[0073] 图33是描述图28中的显示单元的操作的例子的波形图；

[0074] 图34是描述图28中的显示单元中用于Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子的波形图；

[0075] 图35是例示按照比较例的显示面板中布线连接的例子的图形；

[0076] 图36是描述包括图35中的显示面板的显示单元的操作的例子的波形图；

[0077] 图37是描述包括图35中的显示面板的显示单元的操作的另一个例子的波形图；

[0078] 图38是例示图28中的显示面板的修改例的图形；

[0079] 图39是例示图28中的显示面板的另一修改例的图形；

[0080] 图40是例示图1到7中的各自实施例的发光单元的任何一个的应用例子1、图10到25中的各自实施例的发光单元的任何一个的应用例子1、或图28到39中的实施例的发光单元的应用例子1的外观的透视图；

[0081] 图41A是例示从正面看过去时图1到7中的应用例子2的外观、从正面看过去时图10到25中的应用例子2的外观、或从正面看过去时图28到39中的应用例子2的外观的透视图；

[0082] 图41B是例示从背面看过去时图1到7中的应用例子2的外观、从背面看过去时图10到25中的应用例子2的外观、或从背面看过去时图28到39中的应用例子2的外观的透视图；

[0083] 图42是例示图1到7中的应用例子3的外观、图10到25中的应用例子3的外观、或图28到39中的应用例子3的外观的透视图；

[0084] 图43是例示图1到7中的应用例子4的外观、图10到25中的应用例子4的外观、或图28到39中的应用例子4的外观的透视图；

[0085] 图44A是在闭合图1到7中的应用例子5、图10到25中的应用例子5、或图28到39中的应用例子5的状态下的图形；以及

[0086] 图44B是在打开图1到7中的应用例子5、图10到25中的应用例子5、或图28到39中的应用例子5的状态下的图形。

具体实施方式

[0087] 下面参照附图描述体现本技术的第一实施例。要注意的是，该描述按如下次序给出。

[0088] 1-1.实施例

[0089] 1-2.模块和应用例子

[0090] (1-1.实施例)

[0091] [配置]

[0092] 图1例示了按照本技术的第一实施例的显示单元1的示意性配置。这个显示单元1包括显示面板10和根据从外部设备输入的图像信号20A驱动显示面板10的驱动电路20。驱动电路20包括，例如，定时生成电路21、图像信号处理电路22、信号线驱动电路23、扫描线驱动电路、和电源线驱动电路25。

[0093] (显示面板10)

[0094] 显示面板10由二维排列在显示面板10的显示区10A的整个表面上的多个像素11构成。显示面板10被配置成通过由驱动电路20在有源矩阵模式下驱动各自像素11，根据从外部设备输入的图像信号20A显示图像。图2例示了像素11的电路配置的例子。像素11包括，例如，像素电路12和有机EL器件13。有机EL器件13具有，例如，阳电极、有机层、和阴电极依次叠在一起的配置。

[0095] 像素电路12由，例如，驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2、和保留电容器Cs构成，具有2Tr1C的电路配置。写入晶体管Tr2被配置成控制对驱动晶体管Tr1的栅极施加与图像信号相对应的信号电压。更具体地说，写入晶体管Tr2被配置成采样后面将描述的信号线DTL的电压，并将该电压写入驱动晶体管Tr1的栅极中。驱动晶体管Tr1被配置成驱动有机EL器件
13。更具体地说，驱动晶体管Tr1被配置成根据写入晶体管Tr2写入的电压的幅度，控制流过有机EL器件13的电流。保留电容器Cs被配置成在驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间保持预定电压。要注意的是，像素电路12可以具有与上述2Tr1C电路配置不同的电路配置。

[0096] 驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2的每一个由，例如，n沟道MOS薄膜晶体管(TFT)构成。要注意的是，对TFT的类型没有具体限制，可以是倒置交错配置(所谓的底部栅极型)或交错配置(顶部栅极型)。此外，驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2的每一个可以由P沟道MOS TFT构成。

[0097] 显示面板10包括沿着行方向延伸的多条扫描线WSL、沿着列方向延伸的多条信号线DTL、和沿着行方向延伸的多条电源线DSL。像素11被布置在每条信号线DTL和每条扫描线WSL的交点附近。每条信号线DTL与后面将描述的信号线驱动电路23的输出端(未例示出来)和写入晶体管Tr2的源极或漏极连接。每条扫描线WSL与后面将描述的扫描线驱动电路24的输出端(未例示出来)和写入晶体管Tr2的栅极连接。每条电源线DSL与输出固定电压的电源的输出端(未例示出来)和驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接。

[0098] 写入晶体管Tr2的栅极与扫描线WSL连接。写入晶体管Tr2的源极或漏极与信号线DTL连接，以及写入晶体管Tr2的源极和漏极未与信号线DTL连接的端子与驱动晶体管Tr1的栅极连接。驱动晶体管Tr1的源极或漏极与电源线DSL连接，以及驱动晶体管Tr1的源极和漏极未与电源线DSL连接的端子与有机EL器件13的阳极连接。保留电容器Cs的一端与驱动晶体管Tr1的栅极连接，保留电容器Cs的另一端与驱动晶体管Tr1的源极(在图2中处在与有机EL器件13较接近的位置上的端子)连接。换句话说，保留电容器Cs插在驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间。要注意的是，有机EL器件13包括器件电容器Coled。

[0099] 如图2所例示，显示面板10进一步包括与有机EL器件13的阴极连接的阴极线CTL。阴极线CTL被配置成与具有参考电位(例如，地电位)的外部电路(未例示出来)电连接。阴极线CTL是在整个显示区10A上形成的薄片状电极。要注意的是，阴极线CTL可以是以与像素行或像素列相对应的长方形形状形成的带状电极。显示面板10进一步包括，例如，围绕显示区
10A的外边缘的不显示图像的框架区10B。框架区10B被，例如，光屏蔽件覆盖。

[0100] (驱动电路20)

[0101] 接着，下面将描述驱动电路20。如上所述，驱动电路20包括，例如，定时生成电路21、图像信号处理电路22、信号线驱动电路23、扫描线驱动电路、和电源线驱动电路25。定时生成电路21被配置成控制驱动电路20中的各自电路以便相互结合地工作。定时生成电路21被配置成响应从外部设备输入的同步信号20B(与其同步地)向上述各自电路输出，例如，控制信号21A。

[0102] 例如，图像信号处理电路22被配置成对从外部设备输入的数字图像信号20A进行预定校正，并将通过校正获得的图像信号22A输出到信号线驱动电路23。预定校正的例子包括伽马校正、过驱动校正等。

[0103] 例如，信号线驱动电路23被配置成响应控制信号21A的输入(与其同步地)对每条信号线DTL施加与从图像信号处理电路22输入的图像信号22A相对应的模拟信号电压。允许信号线驱动电路23输出，例如，两种类型的电压(Vofs和Vsig)。更具体地说，信号线驱动电路23被配置成通过信号线DTL将两种类型的电压(Vofs和Vsig)供应给扫描线驱动电路24选择的像素11。如本文所使用，Vsig代表与图像信号20A相对应的电压值。Vofs代表与图像信号20A无关的固定电压。Vsig的最小电压具有比Vofs低的电压值，Vsig的最大电压具有比Vofs高的电压值。

[0104] 扫描线驱动电路24被配置成响应控制信号21A的输入(与其同步地)以预定单位依次选择多条扫描线WSL。允许扫描线驱动电路24输出，例如，两种类型的电压(Von和Voff)。更具体地说，扫描线驱动电路24被配置成通过扫描线WSL将两种类型的电压(Von和Voff)供应给作为驱动目标的像素11，以便进行写入晶体管Tr2的ON/OFF(接通/断开)控制。

[0105] 如本文所使用，Von是等于或高于写入晶体管Tr2的ON电压的值。Von是在后面将描述的“Vth校正准备时段的一部分”、“Vth校正时段”、或“写入·μ校正时段”等中从扫描线驱动电路24输出的写脉冲的峰值。Voff是低于写入晶体管Tr2的ON电压的值，并且是低于Von的值。Voff是在后面将描述的“Vth校正准备时段的一部分”、或“发光时段”等中从扫描线驱动电路24输出的写脉冲的峰值。

[0106] 例如，电源线驱动电路25被配置成响应控制信号21A的输入(与其同步地)以预定单位依次选择多条电源线DSL。允许电源线驱动电路25输出，例如，两种类型的电压(Vcc和Vss)。更具体地说，电源线驱动电路25被配置成通过电源线DSL将两种类型的电压(Vcc和Vss)供应给扫描线驱动电路24选择的像素11。如本文所使用，Vss是比相加有机EL器件13的阈值电压Vel和有机EL器件13的阴极电压Vcath所得的电压(Vel+Vcath)低的电压值。Vcc是等于或高于电压(Vel+Vcath)的电压值。

[0107] [操作]

[0108] 接着，下面将描述按照这个实施例的显示单元1的操作(消光到发光的操作)。在这个实施例中，即使有机EL器件13的I-V特性随时间而变，或即使驱动晶体管Tr1的阈值电压或迁移率随时间而变，为了不受它们影响地保持有机EL器件13的发光亮度不变，也可以采用对有机EL器件的I-V特性的变化的补偿操作和对驱动晶体管Tr1的Vth或μ的变化的校正操作。

[0109] 图3例示了显示单元1中的各种波形的例子。图3例示了在扫描线WSL、电源线DSL、和信号线DTL中瞬时发生两个值之间的电压切换的状态。此外，图3例示了驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg和源极电压Vs时刻随扫描线WSL、电源线DSL、和信号线DTL中的电压切换而变的状态。

[0110] (Vth校正准备时段)

[0111] 首先，驱动电路20准备允许使驱动晶体管Tr1的栅极-源极电压Vgs接近驱动晶体管Tr1的阈值电压的Vth校正。更具体地说，当扫描线WSL的电压处在Voff上，信号线DTL的电压处在Vofs上，和电源线DSL的电压处在Vcc上时(例如，当有机EL器件13发光时)，电源线驱动电路25响应控制信号21A(T1)，将电源线DSL的电压从Vcc降低到Vss。于是，使源极电压Vs降低到Vss，有机EL器件13停止发光。此时，栅极电压Vg也因通过保留电容器Cs的耦合而降低。

[0112] 接着，在电源线DSL的电压处在Vss和信号线DTL的电压处在Vofs上的同时，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T2)，将扫描线WSL的电压从Voff升高到Von。于是，使栅极电压Vg降低到Vofs。此时，栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电位差Vgs可能小于，等于或大于驱动晶体管Tr1的阈值电压。

[0113] (Vth校正时段)

[0114] 接着，驱动电路20进行Vth校正。更具体地说，在信号线DTL的电压处在Vofs上和扫描线WSL的电压处在Von上的同时，电源线驱动电路25响应控制信号21A(T3)，将电源线DSL的电压从Vss升高到Vcc。于是，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，使源极电压Vs升高。此时，在源极电压Vs低于Vofs-Vth的情况下(在还未完成Vth校正的情况下)，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，直到驱动晶体管Tr1截止(直到电位差Vgs达到Vth)。因此，使栅极电压Vg转变成Vofs，使源极电压Vs升高，其结果是，保留电容器Cs被充电到Vth，电位差Vgs变成Vth。

[0115] 此后，在信号线驱动电路23响应控制信号21A将信号线DTL的电压从Vofs转变成Vsig之前，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T4)，将扫描线WSL的电压从Von降低到Voff。于是，使驱动晶体管Tr1的栅极转变到浮置状态；因此，允许电位差Vgs与信号线DTL的电压的幅度无关地保持在Vth上。因此，甚至在驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth对于每个像素电路12来说不同的情况下，也允许通过将电位差Vgs设置成Vth消除有机EL器件13的发光亮度的变化。

[0116] (Vth校正停止时段)

[0117] 此后，在Vth校正停止时段中，信号线驱动电路27将信号线DTL的电压从Vofs转变成Vsig。

[0118] (信号写入·μ校正时段)

[0119] 在Vth校正停止时段结束之后(即，在完成Vth校正之后)，驱动电路20进行与图像信号20A相对应的信号电压的写入和μ校正。更具体地说，在信号线DTL的电压处在Vsig上和电源线DSL的电压处在Vcc上的同时，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T5)将扫描线WSL的电压从Voff升高到Von，以便将驱动晶体管Tr1的栅极与信号线DTL连接。于是，驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg变成信号线DTL的电压Vsig。此时，有机EL器件13的阳极电压在这个阶段仍然小于有机EL器件13的阈值电压Vel，使有机EL器件13截止。因此，由于电流Ids流入有机EL器件13的器件电容器Coled中对器件电容器Coled充电，使源极电压Vs升高ΔVs，电位差Vgs最终达到Vsig+Vth-ΔVs。因此，与写入同时地进行μ校正。在这种情况下，驱动晶体管Tr1的迁移率μ越大，ΔVs升高得越多；因此，当在发光之前将电位差Vgs降低ΔV时，允许消除每个像素11的迁移率μ的变化。

[0120] (发光)

[0121] 最后，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T6)将扫描线WSL的电压从Von降低到Voff。于是，使驱动晶体管Tr1的栅极转变到浮置状态，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，使源极电压Vs升高。其结果是，将等于或高于阈值电压Vel的电压施加于有机EL器件13，使有机EL器件13以所希望亮度发光。

[0122] 接着，下面将参照图4和5描述按照这个实施例的显示单元1中用于Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子。要注意的是，图4例示了用于对给定三条相继像素行(第n像素行、第n+1像素行、第n+2像素行)Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子。图5例示了用于对第1相继像素行、第N-1像素行(其中N是最低行号)、和第N像素行Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子。

[0123] 驱动电路20从一个像素行到另一个像素行地依次进行Vth校正，并且对所有像素行进行Vth校正，然后驱动电路20从一个像素行到另一个像素行地依次进行与图像信号20A相对应的信号电压(Vsig)的写入(与μ校正同时)，并且进行到所有像素行的驱动晶体管Tr1的栅极的写入。此时，驱动电路20以比一个水平时段(1H)短的间隔(在图4和5中，(1/2)H)进行用于Vth校正的扫描。此外，驱动电路20在比一个水平时段长的整个时段(在图4和5中，约2H)内对每个像素行进行Vth校正。换句话说，驱动电路20不对每个水平时段划分和进行Vth校正。

[0124] 此外，驱动电路20在进行Vth校正的时段中连续地将与图像信号20A无关的固定电压(Vofs)输出到信号线DTL，以及在进行与图像信号20A相对应的信号电压的写入(与μ校正同时)的时段中连续地将信号电压(Vsig)输出到信号线DTL。换句话说，驱动电路20在一个水平时段中不将电压Vofs和电压Vsig交替地施加于信号线DTL，而是在一个水平时段中只将电压Vofs和电压Vsig中的一个电压连续地输出到信号线DTL。

[0125] 要注意的是，如图5(A)，(B)，(E)，(F)，和(G)所例示，驱动电路20可以在对作为最低行的第N行像素行完成了Vth校正之后的(1/2)H时段中进行信号电压到作为最高行的第1像素行的写入(与μ校正同时)。此外，尽管未例示出来，但驱动电路20可以在对作为最低行的第N行像素行完成了Vth校正之后的任意(1/2)H时段中进行信号电压到作为最高行的第1像素行的写入(与μ校正同时)。

[0126] 图6代表图5中的扫描以及发光·消光。要注意的是，图6中的“黑色插入”代表从进行Vth校正之后到信号写入·μ校正开始之前的时段。在驱动电路20对所有像素行进行Vth校正，然后进行信号电压(Vsig)到所有像素行的驱动晶体管Tr1的栅极的写入(与μ校正同时)的情况下，发光时段和消光时段如图6所例示。换句话说，驱动电路20进行Vth校正和信号写入·μ校正，以防止像素11(或有机EL器件13)在第n帧中发光的时段和像素11(或有机EL器件13)在第n+1帧中发光的时段重叠。于是，存在在整个显示区10A上显示黑色的时段。因此，例如，在利用快门眼镜的3D显示中，允许驱动电路20进行Vth校正和信号写入·μ校正来消除串扰的出现，使得具有在整个显示区10A上显示黑色的时段。

[0127] 在按照这个实施例的显示单元1中，如上所述，当在每个像素11中控制像素电路12的ON/OFF，以及将驱动电流注入每个像素11的有机EL器件13中时，使空穴和电子重新组合引起发光。其结果是，在显示区10A上显示图像。

[0128] [效果]

[0129] 接着，下面将描述按照这个实施例的显示单元1的效果。

[0130] 图8例示了按照参考例的驱动定时的例子。图9代表图8中的扫描以及发光·消光。通常，同时进行用于Vth校正和信号写入·μ校正的扫描。因此，不允许在多个水平时段上相继进行Vth校正，例如，如图8所例示，有必要对每个水平时段划分和进行Vth校正。因此，难以高速进行用于Vth校正的扫描。此外，由于对每个水平时段划分Vth校正，所以Vth校正时段和信号写入·μ校正时段混合在一个水平时段中。其结果是，如图8(G)的例示，在一个水平时段中将用于Vth校正的电压Vofs和用于信号写入·μ校正的电压Vsig交替地施加于信号线DTL。因此，使功耗增加。此外，如图9所例示，第n+1帧中的发光在第n帧中的发光结束之前开始；因此，在3D显示中出现串扰。

[0131] 另一方面，在这个实施例中，在对所有像素行进行了Vth校正之后，对所有像素行的驱动晶体管Tr1的栅极进行信号写入·μ校正。因此，由于不必对每个水平时段进行划分和Vth校正，所以允许以比对每个水平时段划分Vth校正的情况高的速度进行用于Vth校正的扫描。此时，尤其，在在比一个水平时段长的整个时段内进行对每个像素行的Vth校正的情况下，允许在可靠地完成Vth校正的同时以较高速度进行用于Vth校正的扫描。

[0132] 此外，由于不必对每个水平时段进行划分和Vth校正，所以可以在一个水平时段中进行Vth校正和信号写入·μ校正之一。因此，在一个水平时段中只有必要连续地将电压Vofs和电压Vsig的一个电压输出到信号线DTL；因此，可实现较低的功耗。进一步，允许进行Vth校正和信号写入·μVth校正，以防止像素11(或有机EL器件13)在第n帧中发光的时段和像素11(或有机EL器件13)在第n+1帧中发光的时段重叠；因此，在这样的情况下，可防止3D显示中串扰的出现。

[0133] (1-2.模块和应用例子)

[0134] 下面将描述在上述实施例中所述的显示单元1的应用例子。按照上述实施例的显示单元1可应用于像电视机、数码相机、笔记本个人电脑、像蜂窝式电话那样的便携式终端设备、和摄像机那样，将从外部设备供应的图像信号或内部产生的图像信号显示成图像或画面的任何领域中的电子装置的显示单元。

[0135] (模块)

[0136] 按照上述实施例的显示单元1作为如7所例示的模块并入像后面将描述的应用例子1到5那样的各种电子装置中。在这个模块中，例如，在衬底2的侧面提供从密封显示部分10的构件(未例示出来)中暴露出来的区域210，以及通过延伸定时控制电路21、图像信号处理电路22、信号线驱动电路23、扫描线驱动电路24、和电源线驱动电路25的布线在暴露区
210中形成外部连接端子(未例示出来)。在外部连接端子中，可以提供用于信号输入和输出的柔性印刷电路(FPC)220。

[0137] (应用例子1)

[0138] 图40例示了应用按照上述实施例的显示单元1的电视机的外观。该电视机包括，例如，包括前面板310和过滤玻璃320的图像显示屏部分300，图像显示屏部分300由按照上述实施例的显示单元1构成。

[0139] (应用例子2)

[0140] 图41A和41B例示了应用按照上述实施例的显示单元1的数码相机的外观。该数码相机包括，例如，用于闪光的发光部分410、显示单元420、菜单切换器430、和快门按钮440，显示屏部分420由按照上述实施例的显示单元1构成。

[0141] (应用例子3)

[0142] 图42例示了应用按照上述实施例的显示单元1的笔记本个人电脑的外观。该笔记本个人电脑包括，例如，主体510、用于输入字符等的操作的键盘520、和显示图像的显示部分530，显示屏部分530由按照上述实施例的显示单元1构成。

[0143] (应用例子4)

[0144] 图43例示了应用按照上述实施例的显示单元1的摄像机的外观。该摄像机包括，例如，主要部分610、配备在主体部分610的前面和拍摄物体的图像的透镜620、拍摄开始/停止切换器630、和显示部分640，显示屏部分640由按照上述实施例的显示单元1构成。

[0145] (应用例子5)

[0146] 图44例示了应用按照上述实施例的显示单元1的蜂窝式电话的外观。该蜂窝式电话通过连接部分(铰链部分)730将，例如，顶侧外壳710和底侧外壳720相互连接形成，该蜂窝式电话包括显示器740、副显示器750、画面灯760、和照相机770，显示器740或副显示器750由按照上述实施例的显示单元1构成。

[0147] 尽管参照实施例和应用例子对本技术作出描述，但本技术不局限于此，而是可以作各种各样修改。

[0148] 在上述实施例等中，用于有源矩阵驱动的像素电路12的配置不局限于描述在上述实施例中的那种，如有必要，可以添加电容器元件或晶体管。在这种情况下，按照对像素电路12的修改，除了上述信号线驱动电路23、上述扫描线驱动电路24、上述电源线驱动电路25等之外，还可以包括必要驱动电路。

[0149] 此外，本技术可以具有如下配置。

[0150] (1)一种显示单元，包括：

[0151] 在每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及

[0152] 配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分，

[0153] 其中该像素电路包括

[0154] 配置成驱动发光器件的驱动晶体管，以及

[0155] 配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，以及

[0156] 该驱动部分对所有像素行进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后进行与图像信号相对应的信号电压到所有像素行中的驱动晶体管的栅极的写入。

[0157] (2)按照(1)所述的显示单元，其中该驱动部分以比一个水平时段短的间隔进行用于Vth校正的扫描。

[0158] (3)按照(1)或(2)所述的显示单元，其中该驱动部分在比一个水平时段长的整个时段内对每个像素行进行Vth校正。

[0159] (4)按照(1)到(3)的任何一项所述的显示单元，其中

[0160] 该显示部分包括与驱动晶体管的栅极连接的信号线，以及

[0161] 该驱动部分在进行Vth校正的时段中连续地将与图像信号无关的固定电压输出到信号线，以及在进行写入的时段中连续地将信号电压输出到信号线。

[0162] (5)按照(1)到(4)的任何一项所述的显示单元，其中该驱动部分进行校正和写入以防止发光器件在第n帧发光的时段和发光器件在第n+1帧发光的时段重叠。

[0163] (6)一种配有显示单元的电子装置，该显示单元包括：

[0164] 在每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及

[0165] 配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分，

[0166] 其中该像素电路包括

[0167] 配置成驱动发光器件的驱动晶体管，以及

[0168] 配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，以及

[0169] 该驱动部分对所有像素行进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后进行与图像信号相对应的信号电压到所有像素行中的驱动晶体管的栅极的写入。

[0170] (7)一种驱动显示单元的方法，该方法包括：

[0171] 在在每个像素中包括发光器件和像素电路的显示单元中，该像素电路包括配置成驱动发光器件的驱动晶体管、和配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，对所有像素行进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后进行与图像信号相对应的信号电压到所有像素行中的驱动晶体管的栅极的写入。

[0172] 下面参照附图详细描述体现本技术的第二实施例。要注意的是，该描述按如下次序给出。

[0173] 2-1.实施例

[0174] 2-2.修改例

[0175] 2-3.模块和应用例子

[0176] (2-1.实施例)

[0177] [配置]

[0178] 图10例示了按照本技术的第二实施例的显示单元1的示意性配置。这个显示单元1包括显示面板10和根据从外部设备输入的图像信号20A驱动显示面板10的驱动电路20。驱动电路20包括，例如，显示控制电路121、信号线驱动电路122、写入线驱动电路123、电源线驱动电路124、和测量电路125。

[0179] (显示面板10)

[0180] 显示面板10由二维排列在显示面板10的显示区10A的整个表面上的多个像素11构成。显示面板10通过由驱动电路20在有源矩阵模式下驱动各自像素11，根据从外部设备输入的图像信号20A显示图像。如本文所使用，图像信号20A是，例如，要为每个半帧显示在显示面板10上的图像的数字信号，以及包括各自像素11的数字信号。此外，像素11对应于作为构成显示面板10上的屏幕的最小单元的点。在显示面板10是颜色显示面板的情况下，像素11对应于，例如，发射像红色、绿色、蓝色等那样的单种颜色的光的子像素，在显示面板10是单色显示面板的情况下，像素11对应于发射单色光(白光)的像素。图11例示了像素11的电路配置的例子。像素11包括，例如，像素电路12和有机EL器件13。有机EL器件13具有，例如，阳电极、有机层、和阴电极依次叠在一起的配置。

[0181] 像素电路12由，例如，驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2、和保留电容器Cs构成，具有2Tr1C的电路配置。写入晶体管Tr2被配置成控制对驱动晶体管Tr1的栅极施加与图像信号相对应的信号电压。更具体地说，写入晶体管Tr2被配置成采样后面将描述的信号线DTL的电压，并将该电压写入驱动晶体管Tr1的栅极中。驱动晶体管Tr1被配置成驱动有机EL器件
13。更具体地说，驱动晶体管Tr1被配置成根据写入晶体管Tr2写入的电压的幅度，控制流过有机EL器件13的电流。保留电容器Cs被配置成在驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间保持预定电压。要注意的是，像素电路12可以具有与上述2Tr1C电路配置不同的电路配置。

[0182] 驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2的每一个由，例如，n沟道MOS薄膜晶体管(TFT)构成。要注意的是，对TFT的类型没有具体限制，可以是倒置交错配置(所谓的底部栅极型)或交错配置(顶部栅极型)。此外，驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2的每一个可以由P沟道MOS TFT构成。

[0183] 显示面板10包括沿着行方向延伸的多条写入线WSL、沿着列方向延伸的多条信号线DTL、和沿着行方向延伸的多条电源线DSL。像素11被布置在每条信号线DTL和每条写入线WSL的交点附近。每条信号线DTL与后面将描述的信号线驱动电路122的输出端(未例示出来)和写入晶体管Tr2的源极或漏极连接。每条写入线WSL与后面将描述的写入线驱动电路123的输出端(未例示出来)和写入晶体管Tr2的栅极连接。每条电源线DSL与电源线驱动电路124的输出端(未例示出来)和驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接。

[0184] 写入晶体管Tr2的栅极与写入线WSL连接。写入晶体管Tr2的源极或漏极与信号线DTL连接，以及写入晶体管Tr2的源极和漏极未与信号线DTL连接的端子与驱动晶体管Tr1的栅极连接。驱动晶体管Tr1的源极或漏极与电源线DSL连接，以及驱动晶体管Tr1的源极和漏极未与电源线DSL连接的端子与有机EL器件13的阳极连接。保留电容器Cs的一端与驱动晶体管Tr1的栅极连接，保留电容器Cs的另一端与驱动晶体管Tr1的源极(在图11中处在与有机EL器件13较接近的位置上的端子)连接。换句话说，保留电容器Cs插在驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间。要注意的是，有机EL器件13包括器件电容器Coled。

[0185] 如图11所例示，显示面板10进一步包括与有机EL器件13的阴极连接的阴极线CTL。阴极线CTL与测量电路125的输入端和有机EL器件13的阴极连接。阴极线CTL可以由，例如，以与像素行或像素列相对应的长方形形状形成的带状电极构成。显示面板10进一步包括，例如，围绕显示区10A的外边缘的不显示图像的框架区10B。框架区10B被，例如，光屏蔽件覆盖。

[0186] (驱动电路20)

[0187] 接着，下面将描述驱动电路20。如上所述，驱动电路20包括，例如，显示控制电路121、信号线驱动电路122、写入线驱动电路123、电源线驱动电路124、和测量电路125。例如，如图12所例示，显示控制电路121包括转换电路31、控制器32、和存储器33。

[0188] 存储器33保存，例如，如图13所例示的表格33A。表格33A是将电流值与写脉冲宽度或与写脉冲宽度相对应或相关的特性量(第二特性量)相联系的表格。要注意的是，写脉冲代表当进行与图像信号20A相对应的信号电压的写入时施加于写入晶体管Tr2的栅极的脉冲。与写脉冲宽度相对应或相关的特性量的例子包括写入晶体管Tr2的ON时段。在这种情况下，将表格33A中的电流值与从测量电路125输入的检测信号125A相比较。

[0189] 此外，表格33A中的写脉冲宽度代表例示在图17中用虚线围住的部分中的写脉冲的宽度，更具体地说，如图14A所例示，写脉冲宽度对应于从脉冲的上升沿的起点到脉冲的下降沿的终点的时段。要注意的是，图14A示范了写脉冲宽度具有初始值(Pw0)的情况。要注意的是，尽管未例示出来，但写脉冲宽度可以对应于，例如，从脉冲的上升沿的起点到脉冲的下降沿的起点的时段。此外，写入晶体管Tr2的ON时段指示当将例示在图17中用虚线围住的部分中的写脉冲施加于写入晶体管Tr2时，将信号电压Vsig写入驱动晶体管Tr1的栅极中的时段。更具体地说，如图14A所例示，写入晶体管Tr2的ON对应于从峰值变成等于写入晶体管Tr2在写脉冲的上升沿上的阈值电压的点到峰值变成等于写入晶体管Tr2在写脉冲的下降沿上的阈值电压的点的时段(ΔT1)。要注意的是，图14A示范了写入晶体管Tr2的阈值电压具有初始值(Vth0)的情况。此外，在图14A中，用ΔT1表示写入晶体管Tr2的阈值电压处在初始值(Vth0)上时写入晶体管Tr2的ON时段。要注意的是，由控制器32将写脉冲宽度写入表格33A中，以及从存储器33中的表格33A中读取表格33A中的写脉冲宽度。

[0190] 控制器32被配置成从外部设备供应的同步信号20B中生成，例如，控制转换电路31、信号线驱动电路122、写入线驱动电路123、和电源线驱动电路124的操作定时的控制信号21A，21B，21C和21D。同步信号20B的例子包括垂直同步信号、水平同步信号、和点时钟信号。此外，控制器32被配置成利用从测量电路125输入的检测信号125A和存储器33中的表格
33A控制(改变)施加于写入晶体管Tr2的栅极的写脉冲的脉冲宽度。控制器32被配置成使与写脉冲的脉冲宽度有关的控制信号包含在控制信号21C中，并将控制信号21C输出到写入线驱动电路123。

[0191] 具体地说，控制器32被配置成利用检测信号125A和表格33A设置写脉冲的脉冲宽度。更具体地说，控制器32利用检测信号125A和表格33A设置写脉冲的脉冲宽度，以便使与写脉冲相对应的写入晶体管Tr2的ON时段与写入晶体管Tr2的阈值电压无关地一直是常数(例如，ΔT1)。要注意的是，不必让实际写脉冲的脉冲宽度一直完全相同。例如，作为设置写脉冲的脉冲宽度，以便使与写脉冲相对应的写入晶体管Tr2的ON时段与写入晶体管Tr2的阈值电压无关地一直是常数(例如，ΔT1)的结果，实际写脉冲的脉冲宽度可以具有某种程度的误差。

[0192] 顺便说一下，写脉冲不具有完美的方波，而具有如图14A所例示的拐弯。因此，实际上，如图14B所例示，写入晶体管Tr2的ON时段可能随写入晶体管Tr2的阈值电压而变。当写入晶体管Tr2的ON时段发生变化时，当有机EL器件13发光时流过有机EL器件13的电流Ids的幅度也发生变化，以及发光亮度也相对地发生变化。因此，写入晶体管Tr2的ON时段优选的是变化尽可能小。

[0193] 写入晶体管Tr2的阈值电压，例如，通过对写入晶体管Tr2的栅极-源极电压连续施加负偏压来改变(降低)。换句话说，使写入晶体管Tr2的阈值电压特性从增强漂移到耗尽。如本文所使用，负偏压指的是栅极电位相对于源极电位为负的偏压状态。增强指的是当将写脉冲施加于栅极时形成通道，使电流在源极与漏极之间流动的状态。此外，耗尽指的是未将写脉冲施加于栅极地使电流在源极与漏极之间流动的状态。

[0194] 通常，在有机EL器件的发光时段或消光时段中将负偏压施加于写入晶体管Tr2。当对写入晶体管Tr2的栅极-源极电压连续施加负偏压时，即，随着写入晶体管Tr2的驱动时段的推移，在写入晶体管Tr2的阈值电压特性中发生耗尽漂移，例如，如图15(A)所例示，使阈值电压逐渐下降。于是，在写脉冲宽度一直不变的情况下，写入晶体管Tr2的ON时段的长度逐渐变长，当有机EL器件13发光时流过有机EL器件13的电流Ids逐渐减小；因此，发光亮度也逐渐降低。

[0195] 另一方面，在这个实施例中，如上所述，控制器23设置写脉冲的脉冲宽度，以便使与写脉冲相对应的写入晶体管Tr2的ON时段与写入晶体管Tr2的阈值电压无关地一直是常数。例如，如图14A，14B，和图15(A)和(B)所例示，控制器32随着写入晶体管Tr2的阈值电压的降低逐渐减小写脉冲的脉冲宽度，以便使写入晶体管Tr2的ON时段一直是常数。上述表格33A使这样调整脉冲宽度成为可能。

[0196] 但是，写入晶体管Tr2的阈值电压未写入表格33A中。这是因为写入晶体管Tr2的阈值电压的变化不易测量。在这个实施例中，驱动电路20测量与电压相对应或相关的特性量而不是测量阈值电压。作为测量这样性能量的设备，驱动电路20包括测量电路125。

[0197] 转换电路31包括，例如，帧存储器、写入电路、读电路、解码器。帧存储器是至少具有比显示区10A的分辨率大存储容量的用于图像显示的存储器，允许保存行地址、列地址、和与行地址和列地址相联系的各自像素11的灰度数据。写入电路被配置成利用同步信号20B生成图像信号20A的写地址，并与同步信号20B同步地将图像信号20A的写地址输出到帧存储器。写地址包括，例如，行地址和列地址。读电路被配置成生成读地址，并响应控制信号
32A将读地址输出到帧存储器。解码器被配置成输出从帧存储器输出的灰度数据作为信号数据21A。

[0198] 信号线驱动电路122被配置成响应控制信号21B的输入对每条信号线DTL施加与从转换电路31输入的信号数据21A相对应的模拟信号电压。允许信号线驱动电路122输出，例如，两种类型的电压(Vofs和Vsig)。更具体地说，信号线驱动电路122被配置成通过信号线DTL将两种类型的电压(Vofs和Vsig)供应给写入线驱动电路123选择的像素11。如本文所使用，Vsig代表与图像信号20A相对应的电压值。Vofs代表与图像信号20A无关的固定电压。Vsig的最小电压具有比Vofs低的电压值，Vsig的最大电压具有比Vofs高的电压值。

[0199] 写入线驱动电路123被配置成根据控制信号21C指定的地址数据输出以预定单位(例如，以行为单位)选择各自像素11的扫描脉冲。写入线驱动电路123被配置成响应，例如，控制信号21C的输入以预定单位(例如，以行为单位)依次选择多条扫描线WSL。允许写入线驱动电路123输出，例如，两种类型的电压(Von和Voff)。更具体地说，写入线驱动电路123被配置成通过写入线WSL将两种类型的电压(Von和Voff)供应给作为驱动目标的像素11，以便进行写入晶体管Tr2的ON/OFF控制。

[0200] 此外，允许写入线驱动电路123响应控制信号21C的输入改变施加于作为驱动目标的像素11的脉冲的脉冲宽度。更具体地说，写入线驱动电路123被配置成响应控制信号21C的输入，依照预定特性量(第一特性量)改变当进行与图像信号20A相对应的信号电压的写入时施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。如本文所使用，第一特性量是与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的数量。更具体地说，写入线驱动电路123被配置成响应控制信号21C的输入，依照第一特性量改变写脉冲的脉冲宽度。写入线驱动电路123被配置成通过改变脉冲宽度减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。更具体地说，写入线驱动电路123被配置成通过改变写脉冲宽度减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。

[0201] 如本文所使用，Von是等于或高于写入晶体管Tr2的ON电压的值。Von是在后面将描述的“Vth校正时段”、或“写入·μ校正时段”等中从写入线驱动电路123输出的写脉冲的峰值。Voff是低于写入晶体管Tr2的ON电压的值，并且是低于Von的值。

[0202] 例如，电源线驱动电路124被配置成响应控制信号21A的输入以预定单位(例如，以行为单位)依次选择的多条电源线DSL。允许电源线驱动电路124输出，例如，两种类型的电压(Vcc和Vss)。更具体地说，电源线驱动电路124被配置成通过电源线DSL将两种类型的电压(Vcc和Vss)供应给写入线驱动电路123选择的像素11。如本文所使用，Vss是比相加有机EL器件13的阈值电压Vel和有机EL器件13的阴极电压Vcath所得的电压(Vel+Vcath)低的电压值。Vcc是等于或高于电压(Vel+Vcath)的电压值。

[0203] 测量电路125被配置成测量流过有机EL器件13的电流。例如，如图11所例示，测量电路124包括安培计，被配置成输出该安培计测量的电流值作为第一特性量。此时，作为第一特性量的检测信号125A是安培计测量的电流值。要注意的是，测量电路125可以测量与流过有机EL器件13的电流相对应的物理量。例如，测量电路125可以包括电压表，可以被配置成输出该电压表测量的电压作为第一特性量。此时，作为第一特性量的检测信号125A是电压表测量的电压值。要注意的是，测量电路125可以输出通过对安培计或电压表测量的测量值进行预定算术运算获得的值作为第一特性量。此时，作为第一特性量的检测信号125A是通过对安培计或电压表测量的测量值进行预定算术运算获得的值。

[0204] [表格创建]

[0205] 接着，下面将描述在这个实施例中创建表格33A的方法。图16例示了包括在用于创建表格33A的显示单元(主单元)中的两种类型像素的电路配置的例子。例示在图16中的像素111具有与显示单元1中的像素11相同的配置。

[0206] 在这个显示单元(主单元)中，在向上述像素111连续施加具有固定脉冲宽度的写脉冲的同时，监视从测量电路125输出的检测信号125A。因此，允许测量检测信号125A的值逐渐减小的状态。此时，例如，以预定间隔对像素111搜索检测信号125A的值与初始值一致的写脉冲的脉冲宽度。例如，变动施加于像素111的写脉冲的脉冲宽度，以便搜索此时获得的检测信号125A的值与大约在在创建表格33A的显示单元中开始驱动上述像素111的时候(即，在初始阶段)获得的检测信号125A的值一致(基本一致)的写脉冲的脉冲宽度。然后，与检测信号125A的值相关地记录通过搜索找到的脉冲宽度，并每当搜索脉冲宽度时就执行这个过程。因此，完成了表格33A。然后，由操作人员将完成的表格33A存储在存储器33中。

[0207] [操作]

[0208] 接着，下面将描述按照这个实施例的显示单元1的操作(消光到发光的操作)。在这个实施例中，即使有机EL器件13的I-V特性随时间而变，或即使驱动晶体管Tr1的阈值电压或迁移率随时间而变，为了不受它们影响地保持有机EL器件13的发光亮度不变，也可以采用对有机EL器件的I-V特性的变化的补偿操作和对驱动晶体管Tr1的阈值电压或μ的变化的校正操作。

[0209] 图17例示了显示单元1中的各种波形的例子。图17例示了在写入线WSL、电源线DSL、和信号线DTL中瞬时发生两个值之间的电压切换的状态。此外，图17例示了驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg和源极电压Vs时刻随写入线WSL、电源线DSL、和信号线DTL中的电压切换而变的状态。

[0210] (Vth校正准备时段)

[0211] 首先，进行Vth校正准备。要注意的是，Vth校正代表允许使驱动晶体管Tr1的栅极-源极电压Vgs接近驱动晶体管Tr1的阈值电压的校正。更具体地说，当写入线WSL的电压处在Voff上，信号线DTL的电压处在Vofs上，和电源线DSL的电压处在Vcc上时(例如，当有机EL器件13发光时)，电源线驱动电路124响应控制信号21D(T1)，将电源线DSL的电压从Vcc降低到Vss。于是，使源极电压Vs降低到Vss，有机EL器件13停止发光。此时，栅极电压Vg也因通过保留电容器Cs的耦合而降低。

[0212] 接着，在电源线DSL的电压处在Vss和信号线DTL的电压处在Vofs上的同时，写入线驱动电路123响应控制信号21C(T2)，将写入线WSL的电压从Voff升高到Von。于是，使栅极电压Vg降低到Vofs。此时，栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电位差Vgs可能小于，等于或大于驱动晶体管Tr1的阈值电压。

[0213] (Vth校正时段)

[0214] 接着，进行Vth校正。更具体地说，在信号线DTL的电压处在Vofs上和写入线WSL的电压处在Von上的同时，电源线驱动电路124响应控制信号21D(T3)，将电源线DSL的电压从Vss升高到Vcc。于是，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，使源极电压Vs升高。此时，在源极电压Vs低于Vofs-Vth的情况下(在还未完成Vth校正的情况下)，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，直到驱动晶体管Tr1截止(直到电位差Vgs达到Vth)。因此，使栅极电压Vg转变成Vofs，使源极电压Vs升高，其结果是，保留电容器Cs被充电到Vth，电位差Vgs变成Vth。

[0215] 此后，在信号线驱动电路122响应控制信号21B将信号线DTL的电压从Vofs转变成Vsig之前，写入线驱动电路123响应控制信号21A(T4)，将写入线WSL的电压从Von降低到Voff。于是，使驱动晶体管Tr1的栅极转变到浮置状态；因此，允许电位差Vgs与信号线DTL的电压的幅度无关地保持在Vth上。因此，甚至在驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth对于每个像素电路12来说不同的情况下，也允许通过将电位差Vgs设置成Vth消除有机EL器件13的发光亮度的变化。

[0216] (Vth校正停止时段)

[0217] 此后，在Vth校正停止时段中，信号线驱动电路122将信号线DTL的电压从Vofs转变成Vsig。

[0218] (信号写入·μ校正时段)

[0219] 在Vth校正停止时段结束之后，进行信号写入和μ校正。更具体地说，在信号线DTL的电压处在Vsig上和电源线DSL的电压处在Vcc上的同时，写入线驱动电路123响应控制信号21C(T5)将写入线WSL的电压从Voff升高到Von，以便将驱动晶体管Tr1的栅极与信号线DTL连接。此时，写入线驱动电路123将具有按照控制信号21C改变的脉冲宽度的写脉冲施加于写入线WSL。

[0220] 于是，驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg变成信号线DTL的电压Vsig。此时，有机EL器件13的阳极电压在这个阶段仍然小于有机EL器件13的阈值电压Vel，使有机EL器件13截止。因此，由于电流Ids流入有机EL器件13的器件电容器Coled中对器件电容器Coled充电，使源极电压Vs升高ΔVs，电位差Vgs最终达到Vsig+Vth-ΔVs。因此，与写入同时地进行μ校正。在这种情况下，驱动晶体管Tr1的迁移率μ越大，ΔVs升高得越多；因此，当在发光之前将电位差Vgs降低ΔV时，允许消除每个像素11的迁移率μ的变化。

[0221] (发光)

[0222] 最后，写入线驱动电路123响应控制信号21C(T6)将写入线WSL的电压从Von降低到Voff。于是，使驱动晶体管Tr1的栅极转变到浮置状态，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，使源极电压Vs升高。其结果是，将等于或高于阈值电压Vel的电压施加于有机EL器件13，使有机EL器件13以所希望亮度发光。

[0223] 在按照这个实施例的显示单元1中，如上所述，当在每个像素11中控制像素电路12的ON/OFF，以及将驱动电流注入每个像素11的有机EL器件13中时，使空穴和电子重新组合引起发光。其结果是，在显示区10A上显示图像。

[0224] [效果]

[0225] 接着，下面将描述按照这个实施例的显示单元1的效果。

[0226] 迁移率校正时段由施加于写入晶体管Tr2的栅极的写脉冲的宽度(即，写入晶体管Tr2的ON时段)决定。但是，写脉冲不具有完美的方波，而具有如图26A所示的拐弯。因此，实际上，如图26B所例示，迁移率校正时段可能随写入晶体管的阈值电压而变。当迁移率校正时段发生变化时，如图27所例示，当有机EL器件发光时流过有机EL器件的电流Ids的幅度也发生变化，以及发光亮度也相对地发生变化。因此，迁移率校正时段优选的是变化尽可能小。

[0227] 在发光时段中将负偏压施加于写入晶体管Tr2。此外，甚至在发光结束之后的阈值电压校正准备时段中，也将负偏压施加于写入晶体管Tr2。当以这样的方式将负偏压连续施加于写入晶体管Tr2的栅极-源极电压时，写入晶体管Tr2的阈值电压特性会发生耗尽漂移，例如，如图26B所例示，阈值电压从Vth1变化(降低)到Vth2。因此，迁移率校正时段变成比初始时段长Δt1+Δt2。其结果是，如图27所例示，当有机EL器件发光时流过有机EL器件的电流Ids减小了ΔIds，以及发光亮度也相应地降低。换句话说，发光亮度随使用有机EL器件的持续时间而降低。

[0228] 另一方面，在这个实施例中，按照第一特性量(检测信号125A)改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的写脉冲的脉冲宽度。因此，允许减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。于是，例如，允许减小写脉冲施加时段的变化。其结果是，允许减小耗尽漂移引起的发光亮度的降低。

[0229] (2-2.修改例)

[0230] [第一修改例]

[0231] 图18例示了按照第二实施例的显示单元1的修改例的示意性配置。按照这个修改例的显示单元1的配置与按照上述实施例的显示单元1的配置的不同之处在于，显示面板10在框架区10B中包括两种类型的哑像素114和115(第一哑像素和第二哑像素)。因此，主要对与按照上述实施例的显示单元1不同的点加以描述，而适当地不重复与按照上述实施例的显示单元1共同的点。

[0232] 在这个修改例中，如上所述，显示面板10包括两种类似的哑像素114和115。如图19A所例示，哑像素114包括与上述实施例中的像素11相同的组件。哑像素115对应于与上述实施例中的像素11等效、除去了有机EL器件13并短路像素11中有机EL器件13所处的部分的电路。

[0233] 接着，下面将描述在这个修改例中创建表格33A的方法。要注意的是，在显示单元1交付之后，在用户使用按照这个修改例的显示单元1的时候，每当有必要时就更新这个修改例中的表格33A。

[0234] 在按照这个修改例的显示单元1中，驱动电路20连续地将具有固定脉冲宽度的写脉冲施加于上述两种类型的哑像素114和115，并监视从测量电路125输出的检测信号125A。因此，允许驱动电路20测量哑像素114一侧的检测信号125A的值逐渐减小的状态。此时，例如，以预定间隔对哑像素114搜索检测信号125A的值与初始值一致(或基本一致)的写脉冲的脉冲宽度。例如，驱动电路20变动施加于像素114的写脉冲的脉冲宽度，并连续地将具有固定脉冲宽度的写脉冲施加于哑像素115，以便搜索从哑像素115一侧的检测信号125A的值中减去哑像素114一侧的检测信号125A的值获得的值(差分电流值)与初始差分电流值一致(或基本一致)的写脉冲的脉冲宽度。然后，驱动电路20将通过与差分电流值有关的搜索找到的脉冲宽度记录在存储器33中，并每当搜索脉冲宽度时就执行这个过程。驱动电路20每当搜索脉冲宽度时就将以这样的方式创建的表格33A附在存储器中。

[0235] 接着，下面将描述按照这个修改例的显示单元1的效果。在这个修改例中，按照第一特性量(检测信号125A)改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的写脉冲的脉冲宽度。因此，允许减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。于是，例如，允许减小写脉冲施加时段的变化。其结果是，允许减小耗尽漂移引起的发光亮度的降低。

[0236] [修改例2]

[0237] 图20例示了按照第二修改例的显示单元1中的显示控制电路121的示意性配置。按照这个修改例的显示单元1的配置与按照上述第二实施例的显示单元1的配置的不同之处在于，除了表格33A之外，存储器33还保存表格33B。因此，主要对与按照上述第二实施例的显示单元1不同的点加以描述，而适当地不重复与按照上述第二实施例的显示单元1共同的点。

[0238] 如图21所例示，表格33B是将电流值与Vth校正脉冲宽度(或写入晶体管Tr2的ON时段)相联系的表格。在这种情况下，将表格33B中的电流值与从测量电路125输入检测信号125A相比较。

[0239] 此外，表格33B中的Vth校正脉冲宽度代表例示在图22中用虚线围住的部分中的Vth校正脉冲的宽度，更具体地说，如图23所例示，Vth校正脉冲宽度对应于从脉冲的上升沿的起点到脉冲的下降沿的终点的时段。要注意的是，图23示范了Vth校正脉冲宽度具有初始值(Pc0)的情况。要注意的是，尽管未例示出来，但Vth校正脉冲宽度可以对应于，例如，从脉冲的上升沿的起点到脉冲的下降沿的起点的时段。此外，写入晶体管Tr2的ON时段指示包括当将例示在图22中用虚线围住的部分中的Vth校正脉冲施加于写入晶体管Tr2时，将与信号电压Vsig无关的固定信号电压Vsig写入驱动晶体管Tr1的栅极中的时段的时段。更具体地说，如图23所例示，写入晶体管Tr2的ON对应于从峰值变成等于写入晶体管Tr2在Vth校正脉冲的上升沿上的阈值电压的点到峰值变成等于写入晶体管Tr2在Vth校正脉冲的下降沿上的阈值电压的点的时段(ΔT1)。要注意的是，图22和23示范了不仅在Vth校正时段ΔT2中而且在Vth校正准备时段ΔT3的一部分中施加Vth校正脉冲的情况。

[0240] 接着，下面将描述在这个修改例中创建表格33B的方法。图16例示了包括在用于创建表格33B的显示单元(主单元)中的像素的电路配置的例子。

[0241] 在这个显示单元(主单元)中，例如，在向上述像素111连续施加具有固定脉冲宽度的Vth校正脉冲的同时，监视从测量电路125输出的检测信号125A。因此，允许测量检测信号125A的值逐渐减小的状态。此时，例如，以预定间隔对像素111搜索检测信号125A的值与初始值一致的Vth校正脉冲的脉冲宽度。例如，变动施加于像素111的Vth校正脉冲的脉冲宽度，以便搜索此时获得的检测信号125A的值与大约在在创建表格33B的显示单元中开始驱动上述像素111的时候(即，在初始阶段)获得的检测信号125A的值一致(基本一致)的Vth校正脉冲的脉冲宽度。然后，与检测信号125A的值相关地记录通过搜索找到的脉冲宽度，并每当搜索脉冲宽度时就执行这个过程。因此，完成了表格33B。然后，由操作人员将完成的表格
33B存储在存储器33中。

[0242] 在这个修改例中，控制器32被配置成利用从测量电路125输入的检测信号125A和存储器33中的表格33A和33B改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的写脉冲的脉冲宽度，以及改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的Vth校正脉冲的脉冲宽度。控制器32被配置成使与写脉冲和Vth校正脉冲的脉冲宽度有关的控制信号包含在控制信号21C中，并将控制信号21C输出到写入线驱动电路123。下面将描述控制器32对Vth校正脉冲的脉冲宽度的控制。

[0243] 控制器32被配置成利用检测信号125A和表格33B设置Vth校正脉冲的脉冲宽度。更具体地说，控制器32利用检测信号125A和表格33B设置Vth校正脉冲的脉冲宽度，以便使与Vth校正脉冲相对应的写入晶体管Tr2的ON时段与写入晶体管Tr2的阈值电压无关地一直是常数。要注意的是，不必让实际Vth校正脉冲的脉冲宽度一直完全相同。例如，作为设置Vth校正脉冲的脉冲宽度，以便使与Vth校正脉冲相对应的写入晶体管Tr2的ON时段与写入晶体管Tr2的阈值电压无关地一直是常数的结果，实际Vth校正脉冲的脉冲宽度可以具有某种程度的误差。

[0244] 在这个修改例中，允许写入线驱动电路123响应控制信号21C的输入改变施加于作为驱动目标的像素11的脉冲的脉冲宽度。具体地说，写入线驱动电路123被配置成响应控制信号21C的输入，依照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量(第一特性量)改变当进行与图像信号20A相对应的信号电压的写入时施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。更具体地说，写入线驱动电路123被配置成响应控制信号21C的输入，依照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量改变当进行与图像信号20A相对应的信号电压的写入时施加于写入晶体管的栅极的写脉冲的脉冲宽度。

[0245] 此外，写入线驱动电路123被配置成响应控制信号21C的输入，依照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量(第一特性量)改变当进行允许使驱动晶体管Tr1的栅极-源极电压Vgs接近驱动晶体管Tr1的阈值电压的Vth校正时施加于写入晶体管Tr2的栅极的Vth校正脉冲的脉冲宽度。更具体地说，写入线驱动电路123被配置成响应控制信号21C的输入，依照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量改变当进行Vth校正时施加于写入晶体管Tr2的栅极的Vth校正脉冲的脉冲宽度。

[0246] 写入线驱动电路123被配置成通过改变脉冲宽度减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。更具体地说，写入线驱动电路123被配置成通过改变写脉冲宽度减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。此外，写入线驱动电路123被配置成通过改变Vth校正脉冲宽度减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。

[0247] 顺便说一下，与写脉冲一样，Vth校正脉冲不具有完美的方波，而具有如图23所示的拐弯。因此，实际上，写入晶体管Tr2的ON时段可能随写入晶体管的阈值电压而变。当写入晶体管Tr2的ON时段发生变化时，不能适当地进行Vth校正，写入晶体管Tr2的栅极-源极电压不能变成Vth。其结果是，当有机EL器件13发光时流过有机EL器件13的电流Ids的幅度发生变化，以及发光亮度也相对地发生变化。因此，写入晶体管Tr2的ON时段优选的是变化尽可能小。

[0248] 写入晶体管Tr2的阈值电压，例如，通过对写入晶体管Tr2的栅极-源极电压连续施加负偏压来改变(降低)。换句话说，使写入晶体管Tr2的阈值电压特性从增强漂移到抑制。通常，在有机EL器件13的发光时段或消光时段中将负偏压施加于写入晶体管Tr2。当对写入晶体管Tr2的栅极-源极电压连续施加负偏压时，即，随着写入晶体管Tr2的驱动时段的推移，在写入晶体管Tr2的阈值电压特性中发生耗尽漂移，例如，如图24(A)所例示，使阈值电压逐渐下降。于是，在Vth校正脉冲宽度一直不变的情况下，写入晶体管Tr2的ON时段的长度逐渐变长，当有机EL器件13发光时流过有机EL器件13的电流Ids逐渐减小；因此，发光亮度也逐渐降低。

[0249] 另一方面，在这个修改例中，如上所述，控制器23设置Vth校正脉冲的脉冲宽度，以便使与Vth校正脉冲相对应的写入晶体管Tr2的ON时段与写入晶体管Tr2的阈值电压无关地一直是常数。例如，如图23，和图24(A)和(B)所例示，控制器32随着写入晶体管Tr2的阈值电压的降低逐渐减小Vth校正脉冲的脉冲宽度，以便使与Vth校正脉冲相对应的写入晶体管Tr2的ON时段一直是常数。上述表格33B使这样调整脉冲宽度成为可能。

[0250] 但是，与表格33A一样，写入晶体管Tr2的阈值电压也未写入表格33B中。这是因为写入晶体管Tr2的阈值电压的变化不易测量。在这个修改例中，驱动电路20测量与电压相对应或相关的特性量而不是测量阈值电压。更具体地说，驱动电路20包括测量电路125。

[0251] 接着，下面将描述按照这个修改例的显示单元1的效果。在这个修改例中，按照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量(更具体地说，从检测电路125输出的检测信号125A)改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的写脉冲的脉冲宽度。此外，按照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量(更具体地说，从检测电路125输出的检测信号125A)改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的Vth校正脉冲的脉冲宽度。因此，允许减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。于是，例如，允许减小写脉冲施加时段的变化或允许使驱动晶体管Tr1的栅极-源极电压Vgs接近驱动晶体管Tr1的阈值电压的Vth校正的时段的变化。因此，允许进一步减小耗尽漂移引起的发光亮度的降低。

[0252] [第三修改例]

[0253] 按照上述第二修改例的显示面板10可能在框架区10B中包括两种类型的哑像素114和115。在这种情况下，在显示单元交付之后，在用户使用按照这个修改例的显示单元1的时候，每当有必要时就更新表格33A和33B。换句话说，在这个修改例中不使用用于创建表格33A和33B的显示单元(主单元)来创建表格33A和33B。

[0254] 在这个修改例中，与上述修改例1一样，按照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量(更具体地说，从检测电路125输出的检测信号125A)改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的写脉冲的脉冲宽度。此外，按照与写入晶体管Tr2的阈值电压的减小量相对应或相关的特性量(更具体地说，从检测电路125输出的检测信号125A)改变施加于写入晶体管Tr2的栅极的Vth校正脉冲的脉冲宽度。因此，允许减小写入晶体管Tr2的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管Tr2的ON时段的变化。因此，允许减小写脉冲施加时段的变化或允许使驱动晶体管Tr1的栅极-源极电压Vgs接近驱动晶体管Tr1的阈值电压的Vth校正的时段的变化。因此，允许进一步减小耗尽漂移引起的发光亮度的降低。

[0255] (2-2.模块和应用例子)

[0256] 下面将描述在上述第二实施例和上述修改例中所述的显示单元1的应用例子。按照上述实施例等的显示单元1可应用于像电视机、数码相机、笔记本个人电脑、像蜂窝式电话那样的便携式终端设备、和摄像机那样，将从外部设备供应的图像信号或内部产生的图像信号显示成图像或画面的任何领域中的电子装置的显示单元。

[0257] (模块)

[0258] 按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1作为如25所例示的模块并入像后面将描述的应用例子1到5那样的各种电子装置中。在这个模块中，例如，在衬底2的侧面提供从密封显示部分10的构件(未例示出来)中暴露出来的区域210，以及通过延伸定时控制电路121、图像信号处理电路122、信号线驱动电路122、写入线驱动电路123、电源线驱动电路124、和电流检测电路126的布线在暴露区210中形成外部连接端子(未例示出来)。在外部连接端子中，可以提供用于信号输入和输出的柔性印刷电路(FPC)220。

[0259] (应用例子1)

[0260] 图40例示了应用按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1的电视机的外观。该电视机包括，例如，包括前面板310和过滤玻璃320的图像显示屏部分300，图像显示屏部分300由按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1构成。

[0261] (应用例子2)

[0262] 图41A和41B例示了应用按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1的数码相机的外观。该数码相机包括，例如，用于闪光的发光部分410、显示单元420、菜单切换器430、和快门按钮440，显示屏部分420由按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1构成。

[0263] (应用例子3)

[0264] 图42例示了应用按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1的笔记本个人电脑的外观。该笔记本个人电脑包括，例如，主体510、用于输入字符等的操作的键盘520、和显示图像的显示部分530，显示屏部分530由按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1构成。

[0265] (应用例子4)

[0266] 图43例示了应用按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1的摄像机的外观。该摄像机包括，例如，主要部分610、配备在主体部分610的前面和拍摄物体的图像的透镜620、拍摄开始/停止切换器630、和显示部分640，显示屏部分640由按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1构成。

[0267] (应用例子5)

[0268] 图44例示了应用按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1的蜂窝式电话的外观。该蜂窝式电话通过连接部分(铰链部分)730将，例如，顶侧外壳710和底侧外壳720相互连接形成，该蜂窝式电话包括显示器740、副显示器750、画面灯760、和照相机770，显示器740或副显示器750由按照上述第二实施例等的任何一个的显示单元1构成。

[0269] 尽管参照第二实施例、其修改例、和应用例子对本技术作出描述，但本技术不局限于此，而是可以作各种各样修改。

[0270] 在上述第二实施例等中，用于有源矩阵驱动的像素电路12的配置不局限于描述在上述实施例等中的那种，如有必要，可以添加电容器元件或晶体管。在这种情况下，按照对像素电路12的修改，除了上述信号线驱动电路122、写入线驱动电路123、电源线驱动电路124、电流检测电路126等之外，还可以包括必要驱动电路。

[0271] 此外，本技术可以具有如下配置。

[0272] (1)一种显示单元，包含：

[0273] 在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及[0274] 配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分，

[0275] 其中该像素电路包括

[0276] 配置成驱动发光器件的驱动晶体管，以及

[0277] 配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，以及

[0278] 该驱动部分按照与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。

[0279] (2)按照(1)所述的显示单元，其中该驱动部分通过改变脉冲宽度减小由写入晶体管的阈值电压特性的耗尽漂移引起的写入晶体管的ON时段的变化。

[0280] (3)按照(1)或(2)所述的显示单元，其中该驱动部分按照第一特性量改变当进行与图像信号的信号电压的写入时施加于写入晶体管的栅极的写脉冲的脉冲宽度。

[0281] (4)按照(3)所述的显示单元，其中

[0282] 其中该驱动部分按照第一特性量改变当进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正时施加于写入晶体管的栅极的Vth校正脉冲的脉冲宽度。

[0283] (5)按照(1)到(4)的任何一项所述的显示单元，其中

[0284] 该驱动部分包括配置成测量流过发光器件的电流的值或与该电流的值相对应的物理量的测量部分，以及

[0285] 该驱动部分利用该测量部分的测量值或通过对该测量值进行预定算术运算获得的值改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。

[0286] (6)按照(5)所述的显示单元，其中

[0287] 该驱动部分包括呈现第一特性量与施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度或与该脉冲的脉冲宽度相对应或相关的第二特性量之间的关系的表格；以及

[0288] 该驱动部分利用该测量部分的测量值或通过对该测量值进行预定算术运算获得的值、和该表格改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。

[0289] (7)按照(6)所述的显示单元，其中

[0290] 该显示部分在围绕显示区设置的框架区中包括第一哑像素和第二哑像素，该第一哑像素包括与发光器件和像素电路相同的配置，该第二哑像素与这样的电路相对应，该电路等效于除去了发光器件并短路设置发光器件的部分的第一哑像素，以及

[0291] 该驱动部分利用第一哑像素和第二哑像素更新表格。

[0292] (8)一种配有显示单元的电子装置，该显示单元包括：

[0293] 在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示部分；以及[0294] 配置成根据图像信号驱动该像素电路的驱动部分，

[0295] 其中该像素电路包括

[0296] 配置成驱动发光器件的驱动晶体管，以及

[0297] 配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，以及

[0298] 该驱动部分按照与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。

[0299] (9)一种驱动显示单元的方法，该方法包括：

[0300] 在在显示区中的每个像素中包括发光器件和像素电路的显示单元中，该像素电路包括配置成驱动发光器件的驱动晶体管、和配置成控制对驱动晶体管的栅极施加与图像信号相对应的信号电压的写入晶体管，按照与写入晶体管的阈值电压的减小量相对应或相关的第一特性量改变施加于写入晶体管的栅极的脉冲的脉冲宽度。

[0301] 下面参照附图详细描述体现本技术的第三实施例。要注意的是，该描述按如下次序给出。

[0302] 3-1.实施例(显示单元)

[0303] 3-2.修改例(显示单元)

[0304] 3-3.应用例子(电子装置)

[0305] (3-1.实施例)

[0306] [配置]

[0307] 图28例示了按照本技术的第三实施例的显示单元1的示意性配置。这个显示单元1包括显示面板10和根据图像信号20A和同步信号20B驱动显示面板10的驱动电路20。驱动电路20包括，例如，定时生成电路21、图像信号处理电路22、信号线驱动电路23、扫描线驱动电路、和电源线驱动电路25。

[0308] (显示面板10)

[0309] 显示面板10由二维排列在显示面板10的显示区10A的整个表面上的多个像素11构成。显示面板10通过由驱动电路20在有源矩阵模式下驱动各自像素11，根据从外部设备输入的图像信号20A显示图像。

[0310] 图29例示了像素11的电路配置的例子。每个像素11包括，例如，像素电路12和有机EL器件13。有机EL器件13具有，例如，阳电极、有机层、和阴电极依次叠在一起的配置。像素电路12由，例如，驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2、和保留电容器Cs构成，具有2Tr1C的电路配置。写入晶体管Tr2被配置成控制对驱动晶体管Tr1的栅极施加与图像信号相对应的信号电压。更具体地说，写入晶体管Tr2被配置成采样后面将描述的信号线DTL的电压，并将该电压写入驱动晶体管Tr1的栅极中。驱动晶体管Tr1被配置成驱动有机EL器件13，并与有机EL器件13串联。驱动晶体管Tr1被配置成根据写入晶体管Tr2写入的电压的幅度，控制流过有机EL器件13的电流。保留电容器Cs被配置成在驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间保持预定电压。要注意的是，像素电路12可以具有与上述2Tr1C电路配置不同的电路配置。

[0311] 驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2的每一个由，例如，n沟道MOS薄膜晶体管(TFT)构成。要注意的是，对TFT的类型没有具体限制，可以是倒置交错配置(所谓的底部栅极型)或交错配置(顶部栅极型)。此外，驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2的每一个可以由P沟道MOS TFT构成。

[0312] 显示面板10包括沿着行方向延伸的多条扫描线WSL(第一布线)、沿着列方向延伸的多条信号线DTL(第三布线)、和沿着行方向延伸的多条电源线DSL(第二布线)。扫描线WSL用于选择各自像素11。信号线DTL用于向各自像素供应与图像信号相对应的信号电压。电源线DSL用于向各自像素11供应驱动电流。像素11被布置在每条信号线DTL和每条扫描线WSL的交点附近。每条信号线DTL与后面将描述的信号线驱动电路23的输出端(未例示出来)和写入晶体管Tr2的源极或漏极连接。每条扫描线WSL与后面将描述的扫描线驱动电路24的输出端(未例示出来)和写入晶体管Tr2的栅极连接。每条电源线DSL与输出固定电压的电源的输出端(未例示出来)和驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接。

[0313] 写入晶体管Tr2的栅极与扫描线WSL连接。写入晶体管Tr2的源极或漏极与信号线DTL连接，以及写入晶体管Tr2的源极和漏极未与信号线DTL连接的端子与驱动晶体管Tr1的栅极连接。驱动晶体管Tr1的源极或漏极与电源线DSL连接，以及驱动晶体管Tr1的源极和漏极未与电源线DSL连接的端子与有机EL器件13的阳极连接。保留电容器Cs的一端与驱动晶体管Tr1的栅极连接，保留电容器Cs的另一端与驱动晶体管Tr1的源极(在图29中处在与有机EL器件13较接近的位置上的端子)连接。换句话说，保留电容器Cs插在驱动晶体管Tr1的栅极和源极之间。要注意的是，有机EL器件13包括器件电容器Coled。

[0314] 如图29所例示，显示面板10进一步包括与有机EL器件13的阴极连接的地线GND。地线GND被配置成与具有地电位的外部电路(未例示出来)电连接。地线GND是在整个显示区10A上形成的薄片状电极。要注意的是，地线GND可以是以与像素行或像素列相对应的长方形形状形成的带状电极。显示面板10进一步包括，例如，围绕显示区10A的外边缘的不显示图像的框架区10B。框架区10B被，例如，光屏蔽件覆盖。

[0315] 图30和31例示了各自像素11的布局的例子。图30例示了第n像素行(1≤n

[0316] 每个像素11对应于作为构成显示面板10上的屏幕的最小单元的点。显示面板10是颜色显示面板，每个像素11对应于，例如，发射像红色、绿色、蓝色等那样的单种颜色的光的子像素，在这个实施例中，显示像素14由发射颜色相互不同的三种像素11组成。包括在显示像素14中的三种像素11由发射红光的像素11R、发射绿光的像素11G、和发射蓝光的像素11B构成。各自显示像素以所谓的带状排列排列着。换句话说，沿着行方向以像素11R，11G和11B的次序时段性地排列多个像素11，沿着列方向排列相同发射颜色的像素11。

[0317] 在k(k≥2)个像素行被当作一个单元的情况下，对每个单元指定将多条扫描线WSL的k条扫描线WSL。包括在一个单元中的像素行的数量等于或大于2，或等于或小于发射颜色的种类数。更具体地说，在两个像素行被当作一个单元的情况下，对每个单元指定多条扫描线WSL的两条，包括在一个单元中的扫描线WSL的数量也是2。扫描线WSL的总数等于像素行的总数，是N条。要注意的是，图30中的“n”是包括1和N/2两者在内的1到N/2的正整数，图30中的WSL(n)指的是第n扫描线WSL。每条扫描线WSL与一个单元中的相同发射颜色的多个像素11连接。更具体地说，在包括在一个单元中的两条扫描线WSL(n)和WSL(n+1)中，扫描线WSL(n)与包括在一个单元中的多个像素11R和多个像素11B连接，扫描线WSL(n+1)与包括在一个单元中的多个像素11G连接。此外，每条扫描线WSL与一个单元中相同发射颜色的所有像素11连接。更具体地说，在包括在一个单元中的两条扫描线WSL(n)和WSL(n+1)中，扫描线WSL(n)与包括在一个单元中的所有像素11R和所有像素11B连接，扫描线WSL(n+1)与包括在一个单元中的所有像素11G连接。

[0318] 对每一个单元指定多条电源线DSL之一。因此，包括在一个单元中的电源线DSL的数量是1。电源线DSL的总数等于像素行的总数的一半，即，J(＝N/2)条。要注意的是，图30中的“j”是包括1和N/2两者在内的1到N/2的正整数，图30中的DSL(j)指的是第j电源线DSL。每条电源线DSL与一个单元中的所有像素11连接。更具体地说，包括在一个单元中的一条电源线DSL与包括在一个单元中的所有像素(11R，11G和11B)连接。

[0319] 对每个像素行中的每个显示像素14指定多条信号线DTL的两条。在指定给每个像素行中的每个显示像素14的两条信号线DTL中，信号线DTL之一与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11连接。信号线DTL的另一条与其余类型发射颜色的像素11连接。更具体地说，首先，把注意力集中在包括在第n和第n+1像素行中的多个显示像素14处在沿着列方向彼此相邻的位置上的两个显示像素14(即，一个单元中处在不同行上但彼此相邻的两个显示像素14)上。对两个显示像素14包括在第n像素行中的显示像素14指定两条信号线DTL(m)和DTL(m+2)。要注意的是，信号线DTL的数量等于包括在一个像素行中的像素11的数量，是M(M是4的倍数)条。在图30中，m是包括1和M-4两者在内的1到M-4的正整数，在m不是1的情况下是与(4+1的倍数)相对应的数字。因此，图30中的DTL(m)指的是第m信号线DTL。

[0320] 在上述两条信号线DTL(m)和DTL(m+2)中，作为其中之一的信号线DTL(m+2)与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11G和11B连接，作为其中的另一条的信号线DTL(m)与其余类型发射颜色的像素11R连接。此外，对上述两个显示像素14包括在第n+1像素行中的显示像素14指定两条信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。在两条信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)中，作为其中之一的信号线DTL(m+1)与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11R和11G连接，信号线DTL(m+3)与其余类型发射颜色的像素11B连接。

[0321] 换句话说，在一个单元中处在不同行上但彼此相邻的两个显示像素14中，对显示像素14之一指定偶数行中的两条信号线DTL(m)和DTL(m+2)，对另一个显示像素14指定奇数行中的两条信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。此外，相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11的组合在一个单元中处在不同行上但彼此相邻的两个显示像素14之间是不同的。因此，使信号线DTL的总数保持最小。

[0322] (驱动电路20)

[0323] 接着，下面将描述驱动电路20。如上所述，驱动电路20包括，例如，定时生成电路21、图像信号处理电路22、信号线驱动电路23、扫描线驱动电路、和电源线驱动电路25。定时生成电路21被配置成控制驱动电路20中的各自电路以便相互结合地工作。定时生成电路21被配置成响应从外部设备输入的同步信号20B(与其同步地)向上述各自电路输出，例如，控制信号21A。

[0324] 例如，图像信号处理电路22被配置成对从外部设备输入的数字图像信号20A进行预定校正，并将通过校正获得的图像信号22A输出到信号线驱动电路23。预定校正的例子包括伽马校正、过驱动校正等。

[0325] 例如，信号线驱动电路23被配置成响应控制信号21A的输入(与其同步地)对每条信号线DTL施加与从图像信号处理电路22输入的图像信号22A相对应的模拟信号电压。允许信号线驱动电路23输出，例如，两种类型的电压(Vofs和Vsig)。更具体地说，信号线驱动电路23被配置成通过信号线DTL将两种类型的电压(Vofs和Vsig)供应给扫描线驱动电路24选择的像素11。

[0326] 图32例示了利用扫描线WSL上的扫描依次施加于四条信号线DTL(DTL(m)，DTL(m+1)，DTL(m+2)和DTL(m+3))的电压V(n)，V(n+1)，V(n+2)和V(n+3)的例子，该四条信号线DTL(DTL(m)，DTL(m+1)，DTL(m+2)和DTL(m+3))与一个给定单元中沿着列方向处在彼此相邻的位置上的两个显示像素14连接。例如，如图32所例示，信号线驱动电路23被配置成通过偶数信号线DTL(m)和DTL(m+2)将与第n像素行相对应的电压Vsig(Vsig(n,m)和Vsig(n,m+2)供应给扫描线驱动电路24同时选择的多个像素11处在第n像素行中的多个像素11。此外，信号线驱动电路23被配置成通过奇数信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)将与第n+1像素行相对应的电压Vsig(Vsig(n+1,m)和Vsig(n+1,m+2)供应给扫描线驱动电路24同时选择的多个像素11处在第n+1像素行中的多个像素11。换句话说，当在选择扫描线WSL(n)的时候将电压V(n)施加于信号线DTL(DTL(m)到DTL(m+3)时，信号线驱动电路23同时将与第n像素行相对应的电压Vsig和与第n+1像素行相对应的电压Vsig分别输出到偶数信号线DTL(m)和DTL(m+2)和奇数信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。

[0327] 当在选择扫描线WSL(n+1)的时候将电压V(n+1)施加于信号线DTL(DTL(m)到DTL(m+3)时，信号线驱动电路23同时将与第n+1像素行相对应的电压Vsig(Vsig(n+1,m)和Vsig(n+1,m+2))和与第n像素行相对应的电压Vsig(Vsig(n,m+1)和Vsig(n,m+3))分别输出到偶数信号线DTL(m)和DTL(m+2)和奇数信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。要注意的是，信号线驱动电路23以与第n像素行和第n+1像素行的情况类似的方式将电压施加于第n+2像素行和第n+3像素行。

[0328] 如本文所使用，Vsig代表与图像信号20A相对应的电压值。Vofs代表与图像信号20A无关的固定电压。Vsig的最小电压具有比Vofs低的电压值，Vsig的最大电压具有比Vofs高的电压值。

[0329] 扫描线驱动电路24被配置成响应控制信号21A的输入(与其同步地)以预定单位依次选择多条扫描线WSL。允许扫描线驱动电路24输出，例如，两种类型的电压(Von和Voff)。更具体地说，扫描线驱动电路24被配置成通过扫描线WSL将两种类型的电压(Von和Voff)供应给作为驱动目标的像素11，以便进行写入晶体管Tr2的ON/OFF控制。

[0330] 如本文所使用，Von是等于或高于写入晶体管Tr2的ON电压的值。Von是在后面将描述的“Vth校正准备时段的后半部分”、“Vth校正时段”、或“写入·μ校正时段”等中从扫描线驱动电路24输出的写脉冲的峰值。Voff是低于写入晶体管Tr2的ON电压的值，并且是低于Von的值。Voff是在后面将描述的“Vth校正准备时段的前半部分”、或“发光时段”等中从扫描线驱动电路24输出的写脉冲的峰值。

[0331] 例如，电源线驱动电路25被配置成响应控制信号21A的输入(与其同步地)以预定单位依次选择多条电源线DSL。允许电源线驱动电路25输出，例如，两种类型的电压(Vcc和Vss)。更具体地说，电源线驱动电路25被配置成通过电源线DSL将两种类型的电压(Vcc和Vss)供应给包括扫描线驱动电路24选择的像素11的整个单元。如本文所使用，Vss是比相加有机EL器件13的阈值电压Vel和有机EL器件13的阴极电压Vcath所得的电压(Vel+Vcath)低的电压值。Vcc是等于或高于电压(Vel+Vcath)的电压值。

[0332] [操作]

[0333] 接着，下面将描述按照这个实施例的显示单元1的操作(消光到发光的操作)。在这个实施例中，即使有机EL器件13的I-V特性随时间而变，或即使驱动晶体管Tr1的阈值电压或迁移率随时间而变，为了不受它们影响地保持有机EL器件13的发光亮度不变，也可以采用对有机EL器件的I-V特性的变化的补偿操作和对驱动晶体管Tr1的Vth或μ的变化的校正操作。

[0334] 图33例示了显示单元1中的各种波形的例子。图33例示了在扫描线WSL、电源线DSL、和信号线DTL中瞬时发生两个值之间的电压切换的状态。此外，图33例示了驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg和源极电压Vs时刻随扫描线WSL、电源线DSL、和信号线DTL中的电压切换而变的状态。

[0335] (Vth校正准备时段)

[0336] 首先，驱动电路20准备允许使驱动晶体管Tr1的栅极-源极电压Vgs接近驱动晶体管Tr1的阈值电压的Vth校正。更具体地说，当扫描线WSL的电压处在Voff上，信号线DTL的电压处在Vofs上，和电源线DSL的电压处在Vcc上时(即，当有机EL器件13发光时)，电源线驱动电路25响应控制信号21A(T1)，将电源线DSL的电压从Vcc降低到Vss。于是，使源极电压Vs降低到Vss，有机EL器件13停止发光。此时，栅极电压Vg也因通过保留电容器Cs的耦合而降低。

[0337] 接着，在电源线DSL的电压处在Vss和信号线DTL的电压处在Vofs上的同时，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T2)，将扫描线WSL的电压从Voff升高到Von。于是，使栅极电压Vg降低到Vofs。此时，栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电位差Vgs可能小于，等于或大于驱动晶体管Tr1的阈值电压。

[0338] (Vth校正时段)

[0339] 接着，驱动电路20进行Vth校正。更具体地说，在信号线DTL的电压处在Vofs上和扫描线WSL的电压处在Von上的同时，电源线驱动电路25响应控制信号21A(T3)，将电源线DSL的电压从Vss升高到Vcc。于是，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，使源极电压Vs升高。此时，在源极电压Vs低于Vofs-Vth的情况下(在还未完成Vth校正的情况下)，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，直到驱动晶体管Tr1截止(直到电位差Vgs达到Vth)。因此，使栅极电压Vg转变成Vofs，使源极电压Vs升高，其结果是，保留电容器Cs被充电到Vth，电位差Vgs变成Vth。

[0340] 此后，在信号线驱动电路23响应控制信号21A将信号线DTL的电压从Vofs转变成Vsig之前，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T4)，将扫描线WSL的电压从Von降低到Voff。于是，使驱动晶体管Tr1的栅极转变到浮置状态；因此，允许电位差Vgs与信号线DTL的电压的幅度无关地保持在Vth上。因此，甚至在驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth对于每个像素电路12来说不同的情况下，也允许通过将电位差Vgs设置成Vth消除有机EL器件13的发光亮度的变化。

[0341] (Vth校正停止时段)

[0342] 此后，在Vth校正停止时段中，信号线驱动电路27将信号线DTL的电压从Vofs转变成Vsig。

[0343] (信号写入·μ校正)

[0344] 在Vth校正停止时段结束之后(即，在完成Vth校正之后)，驱动电路20进行与图像信号20A相对应的信号电压的写入和μ校正。更具体地说，在信号线DTL的电压处在Vsig上和电源线DSL的电压处在Vcc上的同时，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T5)将扫描线WSL的电压从Voff升高到Von，以便将驱动晶体管Tr1的栅极与信号线DTL连接。于是，驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg变成信号线DTL的电压Vsig。此时，有机EL器件13的阳极电压在这个阶段仍然小于有机EL器件13的阈值电压Vel，使有机EL器件13截止。因此，由于电流Ids流入有机EL器件13的器件电容器Coled中对器件电容器Coled充电，使源极电压Vs升高ΔVs，电位差Vgs最终达到Vsig+Vth-ΔVs。因此，与写入同时地进行μ校正。在这种情况下，驱动晶体管Tr1的迁移率μ越大，ΔVs升高得越多；因此，当在发光之前将电位差Vgs降低ΔV时，允许消除每个像素11的迁移率μ的变化。

[0345] (发光)

[0346] 最后，扫描线驱动电路24响应控制信号21A(T6)将扫描线WSL的电压从Von降低到Voff。于是，使驱动晶体管Tr1的栅极转变到浮置状态，电流Ids在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动，使源极电压Vs升高。其结果是，将等于或高于阈值电压Vel的电压施加于有机EL器件13，使有机EL器件13以所希望亮度发光。

[0347] 接着，下面将参照图32和34描述按照这个实施例的显示单元1中为了Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子。要注意的是，图34例示了为了对给定四条相继像素行(第n像素行、第n+1像素行、第n+2像素行、和第n+3像素行)Vth校正和信号写入·μ校正的扫描的例子。

[0348] 要注意的是，将在通过与之连接的扫描线WSL将一个单元中的所有像素划分成组的情况下加以描述。在这个实施例中，使一个单元中的所有像素11R和所有像素11B包括在一个组中，以及使一个单元中的所有像素11G包括在一个组中。然后，在下文中，使一个单元中与扫描线WSL(n)和WSL(n+1)连接的所有像素11R和所有像素11B包括在第一组中，以及使该单元中的所有像素11G包括在第二组中。此外，使一个单元中与扫描线WSL(n+2)和WSL(n+3)连接的所有像素11R和所有像素11B包括在第三组中，以及使该单元中的所有像素11G包括在第四组中。

[0349] 驱动电路20对一个单元中的所有组(第一和第二组)同时进行Vth校正，然后从一个组到另一个组地对该单元中的所有组(第一和第二组)依次进行信号电压的写入(和μ校正)。此后，驱动电路20对下一个单元中的所有组(第三和第四组)同时进行Vth校正，然后从一个组到另一个组地对该单元中的所有组(第三和第四组)依次进行信号电压的写入(和μ校正)。此时，驱动电路20在一个水平时段(H)中对一个单元进行Vth校正，然后在下一个水平时段中进行信号电压的写入(和μ校正)。换句话说，驱动电路20利用两个相继水平时段(2H)对一个单元进行Vth校正和信号电压的写入(和μ校正)。

[0350] 此外，当对每个组进行信号写入时，驱动电路20对包括在该组中的所有像素11同时进行信号写入。更具体地说，当选择扫描线WSL(n)时，驱动电路20将上述电压V(n)输出到每条信号线DTL。换句话说，当选择扫描线WSL(n)时，驱动电路20同时将第n像素行中的电压Vsig(Vsig(n,m),Vsig(n,m+2))和与第n+1像素行相对应的电压Vsig(Vsig(n+1,m+1),Vsig(n+1,m+3))分别输出到偶数信号线DTL(DTL(m)和DTL(m+2))和奇数信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。进一步，当选择扫描线WSL(n+1)时，驱动电路20同时将第n+1像素行中的电压Vsig(Vsig(n+1,m),Vsig(n+1,m+2))和与第n像素行相对应的电压Vsig(Vsig(n,m+1),Vsig(n,m+3))分别输出到偶数信号线DTL(DTL(m)和DTL(m+2))和奇数信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。

[0351] 作为这样做的结果，相同颜色的各自像素11R中从Vth校正结束到μ校正开始的时段(所谓的等待时段Δt1)相互一致；因此，每个像素行中的多个像素11R的等待时段Δt1相互一致。要注意的是，在这个实施例中，每个像素11B的等待时段Δt2等于每个像素11R的等待时段Δt1。因此，相同颜色的各自像素11B中的等待时段Δt2相互一致；因此，每个像素行中的多个像素11B的等待时段Δt2相互一致。此外，相同颜色的各自像素11G中的等待时段Δt3相互一致；因此，每个像素行中的多个像素11G的等待时段Δt3相互一致。要注意的是，像素11R和11B的等待时段Δt1和Δt2不同于像素11G的等待时段Δt3；但是，这只稍微影响颜色的可再现性，而不影响颜色的不均匀性。

[0352] [效果]

[0353] 接着，下面将描述按照这个实施例的显示单元1的效果。

[0354] 图35例示了按照参考例的像素排列的例子。在该参考例中，包括在显示像素14中的像素11R，11G，和11B与公用扫描线WSL(n)和公用电源线DSL(n)连接。在采用这样的排列的情况下，例如，如图36所例示，当在每个1H时段中进行Vth校正和信号写入时，难以缩短1H时段和缩短每个1H的扫描时段(即，实现驱动的加速)。因此，例如，如图37所例示，在公用1H时段中对两条线集体进行Vth校正之后，在下一个1H时段中从一条线到另一条线地进行信号写入。由于对几条线集体进行Vth校正，所以这种驱动方法适合高速驱动。但是，从Vth校正结束到信号写入开始的等待时段Δt从一条线到另一条是不同的。因此，即使将具有相同灰度的信号电压施加于各自线上的驱动晶体管的栅极，发光亮度对于每条线也不同，从而引起出现亮度不均匀的问题。

[0355] 另一方面，在这个实施例中，用于选择各自像素11的每条扫描线WSL与一个单元中相同发射颜色的多个像素11连接。此外，用于向各自像素11供应驱动电流的电源线DSL与一个单元中的所有像素11连接。因此，如上所述，在对一个单元中的所有组同时进行Vth校正之后，允许从一个组到另一个组地对一个单元中的所有组进行信号电压的写入。其结果是，相同颜色的各自子像素中从Vth校正结束到μ校正开始的等待时段相互一致；因此，每条线中相同颜色的像素11的等待时段相互一致。因此，允许减少对几条线集体进行Vth校正引起的亮度不均匀的出现。

[0356] (3-2.修改例)

[0357] 下面将描述按照上述第三实施例的显示单元1的各种修改例。要注意的是，与按照上述第三实施例的显示单元1共同的组件用相同标号表示。此外，将适当地不重复对与按照上述第三实施例的显示单元1共同的组件的描述。

[0358] [修改例1]

[0359] 在上述第三实施例中，例如，各自像素的布局可以如图38所例示。在38中，每条扫描线WSL(WSL(n)到WSL(n+3)含有数量与包括在一个单元中的像素的数量相同的分支(即，两个分支)。在每条扫描线WSL(WSL(n)到WSL(n+3)中，该分支在显示面板10中相互连接。分支之间的连接点C1可以处在显示区10A中或在围绕显示区10A的外边缘的区域(框架区)中。此外，当从与显示面板10垂直的方向看过去时，在相同单元中，每条扫描线WSL与另一条扫描线WSL相交。此外，在图38中每条电源线DSL(DSL(j)和DSL(j+1))包括数量与包括在一个单元中的像素行的数量相同的分支(即，两个分支)。在每条电源线DSL(DSL(j)和DSL(j+1))中，该分支在显示面板10中相互连接。分支之间的连接点C2可以处在显示面板10中或在围绕显示区10A的外边缘的区域(框架区)中。因此，当每条扫描线WSL和每条电源线DSL包括分支时，允许加宽扫描线WSL之间的间隔或电源线DSL之间的间隔。其结果是，使布线布局更容易。

[0360] [修改例2]

[0361] 在上述第三实施例中，显示像素14由发射颜色相同不同的三种类型像素11R，11G和11B构成；但是，显示像素14可以由发射颜色相同不同的四种或更多种类型像素构成。例如，如图39所例示，显示像素14可以由发射颜色相同不同的四种类型像素11R，11G，11B和11W构成。此时，发射颜色的种类数是4。此时，像素11W是发射白光的像素，具有与其它像素
11R，11G和11B类似的配置。要注意的是，在这个修改例中，可以取代像素11W，提供发射黄光的像素11Y。每个显示像素14具有所谓的平铺式排列。换句话说，四种类型像素11R，11G，11B和11W以格子形式排列在显示像素14中。

[0362] 在这个修改例中，根据作为参考的显示像素14考虑一个像素行。在两个像素行被当作一个单元的情况下，对每个单元指定多条扫描线WSL的两条。因此，包括在一个单元中的扫描线WSL的数量也是2。扫描线WSL的总数等于像素行的总数，是N条。每条扫描线WSL与相同发射颜色的多个像素11连接。更具体地说，在包括在一个单元中的两条扫描线WSL(n)和WSL(n+1)中，扫描线WSL(n)与包括在一个单元中的两种类型发射颜色的像素11R和11G连接，扫描线WSL(n+1)与包括在一个单元中的两种类型发射颜色的像素11B和11W连接。此外，每条扫描线WSL与一个单元中相同发射颜色的所有像素11连接。更具体地说，在包括在一个单元中的两条扫描线WSL(n)和WSL(n+1)中，扫描线WSL(n)与一个单元中的所有像素11R和所有像素11G连接，扫描线WSL(n+1)与一个单元中的所有像素11B和所有像素11W连接。

[0363] 对每一个单元指定多条电源线DSL之一。因此，包括在一个单元中的电源线DSL的数量是1。电源线DSL的总数等于像素行的总数的一半，即，J(＝N/2)条。每条电源线DSL与一个单元中的所有像素11连接。更具体地说，包括在一个单元中的一条电源线DSL与包括在一个单元中的所有像素(11R，11G，11B和11W)连接。

[0364] 对每个像素行中的每个显示像素14指定多条信号线DTL的两条。在指定给每个像素行中的每个显示像素14的两条信号线DTL中，信号线DTL之一与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11连接，以及另一条信号线DTL也与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11连接。更具体地说，把注意力集中在包括在第n和第n+1像素行中的多个显示像素14处在沿着列方向彼此相邻的位置上的两个显示像素14(即，一个单元中处在不同行上但彼此相邻的两个显示像素14)上。对两个显示像素14包括在第n像素行中的显示像素14指定两条信号线DTL(m)和DTL(m+2)。要注意的是，信号线DTL的数量等于包括在一个像素行中的像素11的数量，是M(M是4的倍数)条。

[0365] 在上述两条信号线DTL(m)和DTL(m+2)中，作为其中之一的信号线DTL(m)与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11R和11G连接，作为其中的另一条的信号线DTL(m+2)与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11B和11W连接。此外，对上述两个显示像素14包括在第n+1像素行中的显示像素14指定两条信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。在两条信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)中，作为其中之一的信号线DTL(m+1)与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11R和11G连接，作为其中的另一条线的信号线DTL(m+3)与不相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11B和11W连接。

[0366] 换句话说，在一个单元中处在不同行上但彼此相邻的两个显示像素14中，对显示像素14之一指定两条偶数信号线DTL(m)和DTL(m+2)，对另一个显示像素14指定两条奇数信号线DTL(m+1)和DTL(m+3)。此外，在一个单元中处在不同行上但彼此相邻的两个显示像素14中相互共享相同扫描线WSL的两种类型发射颜色的像素11的组合彼此相同。因此，使信号线DTL的总数保持最小。

[0367] 顺便说一下，在这个修改例中，驱动电路20以与上述实施例类似的方式进行驱动。其结果是，相同颜色的像素11中从Vth校正结束到μ校正开始的等待时段相互一致；因此，每个像素行中相同颜色的多个像素11的等待时段相互一致。

[0368] 接着，下面将描述按照这个修改例的显示单元1的效果。在这个修改例中，与上述实施例一样，用于选择各自像素11的每条扫描线WSL与一个单元中相同发射颜色的多个像素连接。此外，用于向各自像素11供应驱动电流的电源线DSL与一个单元中的所有像素连接。因此，在对一个单元中的所有组同时进行Vth校正之后，允许从一个组到另一个组地对一个单元中的所有组进行信号电压的写入。其结果是，相同颜色的各自子像素11中从Vth校正结束到μ校正开始的等待时段相互一致；因此，每条线中相同颜色的像素11的等待时段相互一致。因此，允许减少对几条线集体进行Vth校正引起的亮度不均匀的出现。

[0369] (3-3.应用例子)

[0370] 下面将描述在上述第三实施例中所述的显示单元1的应用例子。按照上述第三实施例的显示单元1可应用于像电视机、数码相机、笔记本个人电脑、像蜂窝式电话那样的便携式终端设备、和摄像机那样，将从外部设备供应的图像信号或内部产生的图像信号显示成图像或画面的任何领域中的电子装置的显示单元。

[0371] (应用例子1)

[0372] 图40例示了应用按照上述第三实施例的显示单元1的电视机的外观。该电视机包括，例如，包括前面板310和过滤玻璃320的图像显示屏部分300，图像显示屏部分300由按照上述第三实施例的显示单元1构成。

[0373] (应用例子2)

[0374] 图41A和41B例示了应用按照上述第三实施例的显示单元1的数码相机的外观。该数码相机包括，例如，用于闪光的发光部分410、显示单元420、菜单切换器430、和快门按钮440，显示屏部分420由按照上述第三实施例的显示单元1构成。

[0375] (应用例子3)

[0376] 图42例示了应用按照上述第三实施例的显示单元1的笔记本个人电脑的外观。该笔记本个人电脑包括，例如，主体510、用于输入字符等的操作的键盘520、和显示图像的显示部分530，显示屏部分530由按照上述第三实施例的显示单元1构成。

[0377] (应用例子4)

[0378] 图43例示了应用按照上述第三实施例的显示单元1的摄像机的外观。该摄像机包括，例如，主要部分610、配备在主体部分610的前面和拍摄物体的图像的透镜620、拍摄开始/停止切换器630、和显示部分640，显示屏部分640由按照上述第三实施例的显示单元1构成。

[0379] (应用例子5)

[0380] 图44例示了应用按照上述第三实施例的显示单元1的蜂窝式电话的外观。该蜂窝式电话通过连接部分(铰链部分)730将，例如，顶侧外壳710和底侧外壳720相互连接形成，该蜂窝式电话包括显示器740、副显示器750、画面灯760、和照相机770，显示器740或副显示器750由按照上述第三实施例等的显示单元1构成。

[0381] 尽管参照第三实施例和应用例子对本技术作出描述，但本技术不局限于此，而是可以作各种各样修改。

[0382] 在上述第三实施例等中，用于有源矩阵驱动的像素电路12的配置不局限于描述在上述第三实施例等中的那种，如有必要，可以添加电容器元件或晶体管。在这种情况下，按照对像素电路12的修改，除了上述信号线驱动电路23、扫描线驱动电路24、电源线驱动电路125等之外，还可以包括必要驱动电路。

[0383] 此外，本技术可以具有如下配置。

[0384] (1)一种显示面板，包括：

[0385] 每一个包括发射颜色相互不同的多个子像素的多个像素；

[0386] 多条第一布线，将它的k(k≥2)条指定给每一个单元，该第一布线用于选择各自像素，该一个单元包括k个像素行；以及

[0387] 多条第二布线，将它的一条指定给该一个单元，该第二布线用于向各自像素供应驱动电流，

[0388] 其中每条第一布线与一个单元中相同发射颜色的多个子像素连接，以及[0389] 每条第二布线与一个单元中的所有子像素连接。

[0390] (2)按照(1)所述的显示面板，其中

[0391] 包括在一个单元中的像素行的数量k等于或大于2，并且等于或小于发射颜色的种类数，以及

[0392] 每条第一布线与一个单元中相同发射颜色的所有子像素连接。

[0393] (3)按照(2)所述的显示面板，其中

[0394] 包括在一个单元中的像素行的数量是2，

[0395] 发射颜色的种类数是3，以及

[0396] 包括在一个单元中的两条第一布线的一条布线与一个单元中两种类型的发射颜色的子像素连接。

[0397] (4)按照(3)所述的显示面板，其中

[0398] 该显示面板包括多条第三布线，将它的2条指定给每个像素行中的每个像素，该第三布线用于向每个像素供应与图像信号相对应的信号电压，以及

[0399] 指定给每个像素行中的每个像素的两条第三布线的一条布线与不相互共享第一布线的两种类型发射颜色的子像素连接。

[0400] (5)按照(2)所述的显示面板，其中

[0401] 包括在一个单元中的像素行的数量是2，

[0402] 发射颜色的种类数是4，以及

[0403] 包括在一个单元中的两条第一布线的一条布线与一个单元中两种类型的发射颜色的子像素连接。

[0404] (6)按照(5)所述的显示面板，其中

[0405] 该显示面板包括多条第三布线，将它的2条指定给每个像素，该第三布线用于向每个像素供应与图像信号相对应的信号电压，以及

[0406] 指定给每个像素行中的每个像素的两条第三布线的一条布线与不相互共享第一布线的两种类型发射颜色的子像素连接。

[0407] (7)按照(1)到(6)的任何一项所述的显示面板，其中

[0408] 每条第一布线包括数量与包括在一个单元中的像素行的数量相同的分支，以及[0409] 在每条第一布线中，该分支在显示面板中相互连接。

[0410] (8)按照(1)到(7)的任何一项所述的显示面板，其中

[0411] 当从与显示面板垂直的方向看过去时，在相同单元中，每条第一扫描线与另一条第一扫描线相交。

[0412] (9)按照(1)到(7)的任何一项所述的显示面板，其中

[0413] 每个子像素包括发光器件、配置成驱动发光器件的驱动电路、和配置成将与图像信号相对应的信号电压写入驱动电路中的写入电路，

[0414] 该驱动电路包括与发光器件串联的驱动晶体管、和配置成保持驱动晶体管的栅极-源极电压的保留电容器，

[0415] 该写入电路包括与驱动晶体管的栅极连接的写入晶体管，

[0416] 每条第一布线与写入晶体管的栅极连接，以及

[0417] 每条第二布线与驱动晶体管的源极或漏极连接。

[0418] (10)一种配有显示面板和驱动显示面板的驱动电路的显示单元，该显示面板包括：

[0419] 每一个包括发射颜色相互不同的多个子像素的多个像素；

[0420] 多条第一布线，将它的k(k≥2)条指定给每个单元，该第一布线用于选择各自像素，该一个单元包括k个像素行；以及

[0421] 多条第二布线，将它的一条指定给该一个单元，该第二布线用于向各自像素供应驱动电流，

[0422] 其中每条第一布线与一个单元中相同发射颜色的多个子像素和驱动电路连接，以及

[0423] 每条第二布线与一个单元中的所有子像素连接。

[0424] (11)按照(10)所述的显示面板，其中

[0425] 每个子像素包括发光器件、与发光器件串联的驱动晶体管、和配置成将与图像信号相对应的信号电压写入驱动晶体管的栅极中的写入晶体管，

[0426] 每条第一布线与写入晶体管的栅极连接，以及

[0427] 每条第二布线与驱动晶体管的源极或漏极连接。

[0428] (12)按照(11)所述的显示面板，其中

[0429] 当一个单元中的所有子像素通过与之连接的第一布线划分成组时，

[0430] 该驱动电路对一个单元中的所有组同时进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后从一个组到另一个组地进行信号电压到一个单元中的所有组的写入。

[0431] (13)一种配有显示单元的电子装置，该显示单元包括显示面板和配置成驱动显示面板的驱动电路，该显示面板包含：

[0432] 每一个包括发射颜色相互不同的多个子像素的多个像素；

[0433] 将k(k≥2)条指定给每个单元的多条第一布线，该第一布线用于选择各自像素，该一个单元包括k个像素行；以及

[0434] 将一条指定给该一个单元的多条第二布线，该第二布线用于向各自像素供应驱动电流，

[0435] 其中每条第一布线与一个单元中相同发射颜色的多个子像素连接，以及[0436] 每条第二布线与一个单元中的所有子像素连接。

[0437] (14)一种驱动显示面板的方法，

[0438] 该显示面板包括

[0439] 每一个包括发射颜色相互不同的多个子像素的多个像素；

[0440] 多条第一布线，将它的k(k≥2)条指定给每个单元，该第一布线用于选择各自像素，该一个单元包括k个像素行；以及

[0441] 多条第二布线，将它的一条指定给该一个单元，该第二布线用于向各自像素供应驱动电流，

[0442] 每条第一布线与一个单元中相同发射颜色的多个子像素连接，

[0443] 每条第二布线与一个单元中的所有子像素连接，

[0444] 每个子像素包括发光器件、与该发光器件串联的驱动晶体管、和配置成将与图像信号相对应的信号电压写入驱动晶体管的栅极中的写入晶体管，

[0445] 每条第一布线与写入晶体管的栅极连接，

[0446] 每条第二布线与驱动晶体管的源极或漏极连接，

[0447] 该方法包含：

[0448] 在该显示面板中，

[0449] 一个单元中的所有子像素通过与之连接的第一布线划分成组；以及

[0450] 对一个单元中的所有组同时进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后从一个组到另一个组地进行信号电压到一个单元中的所有组的写入。

[0451] (15)一种驱动显示面板的方法，该方法包含：

[0452] 在包括多个像素的显示面板中，每个像素包括发射颜色相互不同的多个子像素，每个子像素包括发光器件、与该发光器件串联的驱动晶体管、和配置成将与图像信号相对应的信号电压写入驱动晶体管的栅极中的写入晶体管，

[0453] 将多个像素行当作一个单元，以及根据作为分类准则的发射颜色，将一个单元中的所有子像素划分成每一个包括多个子像素的组；以及

[0454] 对一个单元中的所有组同时进行允许使驱动晶体管的栅极-源极电压接近驱动晶体管的阈值电压的Vth校正，然后从一个组到另一个组地进行信号电压到一个单元中的所有组的写入。

[0455] 本技术的第一到第三实施例不仅可单独地，而且可所有第一到第三实施例组合地应用于显示单元。在这样的情况下，本技术获得更协同的效果。同样，本技术的第一到第三实施例可第一和第二实施例组合地，第二和第三实施例组合地，或第一和第三实施例组合应用。此外，在这样的情况下，本技术获得更协同的效果。

[0456] 本公开包含与公开在2011年12月9日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2011-269988、2011年12月15日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2011-274444、和2012年3月16日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2012-059695中的主题有关的主题，特此通过引用并入其全部内容。

[0457] 本领域的普通技术人员应该明白，只要在所附权利要求书或其等效物的范围之内，视设计要求和其它因素而定，可以作出各种各样的修改、组合、分组合和变更。