一种能降低介电损耗的多层Ni/BaTiO3薄膜的制备方法转让专利
申请号 : CN201610194051.1
文献号 : CN105803395B
文献日 : 2018-05-25
发明人 : 高海根 , 冯定 , 管锋 , 贾宏禹 , 吴文秀
申请人 : 长江大学
摘要 :
权利要求 :
1.一种能降低介电损耗的Ni/BaTiO3多层薄膜的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤;
1)、将纳米BaTiO3粉末在1000oC下压制成直径为75mm的BaTiO3靶材;
2)、将BaTiO3靶材依次用无水乙醇、去离子水中分别清洗5min,以将BaTiO3靶材表面的杂质清洁干净,然后再在烘箱中将BaTiO3靶材烘干;备用;
3)、将Ni 衬底在N2氛围、800-1000oC条件下热处理30min,以使Ni 衬底的晶粒长大,然后对Ni 衬底进行抛光,直至成镜面为止;
4)、将抛光后的Ni 衬底在无水乙醇中超声5min,然后在去离子水中超声5min,最后取出衬底并用N2气吹干;以保证Ni 衬底的清洁度;
5)、将吹干的Ni 衬底固定在磁控溅射设备中内腔室的样品台上,同时在磁控溅射设备中内腔室中固定好BaTiO3靶材,再将磁控溅射设备内腔抽至真空度为10-4Pa;
6)、往设备内通入Ar和O2直至工作压强达到2.2Pa,并设定溅射设备的溅射功率为144W、衬底温度为350-450oC、Ni衬底旋转速度为10-20rpm的溅射参数进行第一次溅射;
7)、在第一次溅射过程中,随时检测薄膜的溅射厚度,直至达到设定厚度,溅射完成后,降温到室温后取出样品并放置在样品盒中,以防止薄膜表面出现划痕;
8)、将第一次溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2为2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10℃ /min ,在750oC恒温加热30min进行热处理,然后降到室温,降温速度为10℃ /min ;
9)、将完成热处理后的溅射样品进行第二次溅射,第二次溅射参数中的Ni衬底温度设置为380-480oC,溅射设备的溅射功率为144W、Ni衬底旋转速度为10-20rpm,
10)、第二次溅射完成后将溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2 2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10℃ /min ,在750oC恒温加热30min,然后降到室温,降温速度为10℃ /min ,得 Ni/BaTiO3多层薄膜成品;
所述每层溅射过程中以第一次的Ni衬底溅射温度为基础,每次提高Ni衬底溅射温度
30oC。
说明书 :
一种能降低介电损耗的多层Ni/BaTiO3薄膜的制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
进行热处理,然后降到室温,降温速度为10 C/min;
附图说明
具体实施方式
350oC、Ni衬底旋转速度为10-20rpm的溅射参数进行第一次溅射。在第一次溅射过程中,随时检测薄膜的溅射厚度,直至达到设定厚度,溅射完成后,降温到室温后取出样品并放置在样品盒中(样品盒要做处理,避免里面的灰尘吸附到薄膜表面,影响薄膜的测试结果),以防止薄膜表面出现划痕。将第一次溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2约2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10 oC/min,在750oC恒温加热30min进行热处理,然后降到室温,降温速度为10 oC/min;将完成热处理后的溅射样品进行第二次溅射,第二次溅射参数中的Ni衬底温度设置为380oC,溅射设备的溅射功率为
144W、Ni衬底旋转速度为10-20rpm,第二次溅射完成后将溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2 2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10 oC/min,在750oC恒温加热30min,然后降到室温,降温速度为10 oC/min,得, Ni/BaTiO3多层薄膜成品。
清洁干净,然后再在烘箱中将BaTiO3靶材烘干;备用;将Ni 衬底(10 × 10 ×1mm )在N2氛围、900oC条件下热处理30min,以使Ni 衬底的晶粒长大,然后对Ni 衬底进行抛光,直至成镜面为止。将抛光后的Ni 衬底在无水乙醇中超声5min,然后在去离子水中超声5min,最后取出衬底并用N2气吹干;以保证Ni 衬底的清洁度。将吹干的Ni 衬底固定在磁控溅射设备中内腔室的样品台上,同时在磁控溅射设备中内腔室中固定好BaTiO3靶材,再将磁控溅射设备内腔抽至真空度为10-4Pa。往磁控溅射设备内通入Ar和O2(以Ar为参考,O2偏压在10−7和
10−8 atm之间)直至工作压强达到2.2Pa,并设定溅射设备的溅射功率为144W、衬底温度为
400oC、Ni衬底旋转速度为10-20rpm的溅射参数进行第一次溅射。在第一次溅射过程中,随时检测薄膜的溅射厚度,直至达到设定厚度,溅射完成后,降温到室温后取出样品并放置在样品盒中(样品盒要做处理,避免里面的灰尘吸附到薄膜表面,影响薄膜的测试结果),以防止薄膜表面出现划痕。将第一次溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2约2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10 oC/min,在750oC恒温加热30min进行热处理,然后降到室温,降温速度为10 oC/min;将完成热处理后的溅射样品进行第二次溅射,第二次溅射参数中的Ni衬底温度设置为430oC,溅射设备的溅射功率为
144W、Ni衬底旋转速度为10-20rpm,第二次溅射完成后将溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2 2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10 oC/min,在750oC恒温加热30min,然后降到室温,降温速度为10 oC/min,得, Ni/BaTiO3多层薄膜成品。
清洁干净,然后再在烘箱中将BaTiO3靶材烘干;备用;将Ni 衬底(10 × 10 ×1mm )在N2氛围、1000oC条件下热处理30min,以使Ni 衬底的晶粒长大,然后对Ni 衬底进行抛光,直至成镜面为止。将抛光后的Ni 衬底在无水乙醇中超声5min,然后在去离子水中超声5min,最后取出衬底并用N2气吹干;以保证Ni 衬底的清洁度。将吹干的Ni 衬底固定在磁控溅射设备中内腔室的样品台上,同时在磁控溅射设备中内腔室中固定好BaTiO3靶材,再将磁控溅射设备内腔抽至真空度为10-4Pa。往磁控溅射设备内通入Ar和O2(以Ar为参考,O2偏压在10−7和
10−8 atm之间)直至工作压强达到2.2Pa,并设定溅射设备的溅射功率为144W、衬底温度为
450oC、Ni衬底旋转速度为10-20rpm的溅射参数进行第一次溅射。在第一次溅射过程中,随时检测薄膜的溅射厚度,直至达到设定厚度,溅射完成后,降温到室温后取出样品并放置在样品盒中(样品盒要做处理,避免里面的灰尘吸附到薄膜表面,影响薄膜的测试结果),以防止薄膜表面出现划痕。将第一次溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2约2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10 oC/min,在750oC恒温加热30min进行热处理,然后降到室温,降温速度为10 oC/min;将完成热处理后的溅射样品进行第二次溅射,第二次溅射参数中的Ni衬底温度设置为480oC,溅射设备的溅射功率为
144W、Ni衬底旋转速度为10-20rpm,第二次溅射完成后将溅射样品放置在管式炉中,通入保护性气体N2 2min,直至里面的空气被赶出干净,然后将管式炉升温到750oC,升温速度为10 oC/min,在750oC恒温加热30min,然后降到室温,降温速度为10 oC/min,得, Ni/BaTiO3多层薄膜成品。