柔性显示装置及制备方法

摘要

本发明关于一种柔性显示装置及制备方法，包括第一基板及设置于该第一基板上的多个薄膜晶体管；间隔层，该间隔层形成于该多个薄膜晶体管上，该间隔层具有凹陷部；发光阵列，该发光阵列形成于该间隔层上，且该发光阵列包括发光区域与非发光区域，该非发光区域环绕该发光区域；以及间隙物，该间隙物填充于该凹陷部中；其中，该凹陷部对应于该非发光区域，且该凹陷部的下方未设置薄膜晶体管。本发明通过将间隙物嵌设于间隔层中方式，可有效抵抗外力对薄膜晶体管或者其它布线的损伤。

权利要求

1.一种柔性显示装置，包括第一基板及设置于该第一基板上的多个薄膜晶体管，其特征在于，还包括：间隔层，该间隔层形成于该多个薄膜晶体管上，该间隔层具有凹陷部；

发光阵列，该发光阵列形成于该间隔层上，且该发光阵列包括发光区域与非发光区域，该非发光区域环绕该发光区域；以及间隙物，该间隙物填充于该凹陷部中；

其中，该凹陷部对应于该非发光区域，且该凹陷部的面向该第一基板的区域未设置该薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，该间隔层包括平坦层和像素界定层，该平坦层形成于该多个薄膜晶体管上，该像素界定层形成于该平坦层上，该像素界定层具有镂空部，该镂空部对应该发光区域。

3.如权利要求2所述的柔性显示装置，其特征在于，该间隔层还包括绝缘层，该绝缘层设置于该平坦层与该像素界定层之间，其中，该凹陷部位于该像素界定层，或者该凹陷部自该像素界定层延伸至该绝缘层，或者该凹陷部自该像素界定层延伸至该平坦层。

4.如权利要求2所述的柔性显示装置，其特征在于，该发光区域具有电致发光元件，该电致发光元件配置于该像素界定层的该镂空部。

5.如权利要求4所述的柔性显示装置，其特征在于，该间隔层具有接触孔，该电致发光元件通过接触孔与该薄膜晶体管电性连接。

6.如权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，该间隙物的杨氏系数大于该间隔层的杨氏系数。

7.如权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，该凹陷部为贯穿该间隔层的通孔结构，或者该凹陷部为未贯穿该间隔层的非通孔结构。

8.如权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，还包括薄膜封装层，该薄膜封装层设置于该发光阵列的上方，用于与该第一基板形成密封空间。

9.如权利要求8所述的柔性显示装置，其特征在于，还包括圆偏光片，该圆偏光片设置于该薄膜封装层上。

10.如权利要求1所述的柔性显示装置，其特征在于，还包括与该第一基板相对设置的彩色滤光装置，该彩色滤光装置具有第二基板、形成在第二基板上的彩色滤光图案以及形成于该彩色滤光图案上的第二平坦层，其中，该彩色滤光图案面向该第一基板。

11.如权利要求10所述的柔性显示装置，其特征在于，还包括触控感应层，该触控感应层设置于该第二平坦层上，并面向该第一基板。

12.一种柔性显示装置中的制备方法，该柔性显示装置具有第一基板，形成多个薄膜晶体管于该第一基板上，其特征在于，该方法包括：(a)于该多个薄膜晶体管上形成间隔层；

(b)于该间隔层上形成凹陷部；

(c)于该凹陷部中填充间隙物；

其中，该凹陷部对应于该柔性显示装置的发光阵列的非发光区域，且该凹陷部的面向该第一基板的区域未设置该薄膜晶体管。

说明书

柔性显示装置及制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种显示装置及制备方法，特别关于一种能够有效抵抗外力的柔性显示装置及制备方法。

背景技术

[0002] 有机发光显示装置(Organic Light-Emitting Display，简称OLED)是主动发光器件，其中，自发光显示装置通过将电压施加到包括像素电极、对电极及设置在像素电极和对电极之间的发射层的有机层，以使电子和空穴在发射层中彼此复合来发光。相比现有的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)，有机发光显示装置具有更轻和更薄的设计、更宽的视角、更快的响应时间和更低的功耗，所以有机发光显示装置作为下一代显示装置而备受关注。目前，有机发光显示装置根据驱动方法被分为无源矩阵(Passive Matrix)有机发光显示装置和有源矩阵(Active Matrix)有机发光显示装置。其中，有源矩阵有机发光显示装置的优点包括高分辨率、高图像品质、低功耗和长寿命。

[0003] 与现有的平板显示器不同，有机发光显示装置若采用柔性材料作为基板可实现柔性显示，从而能够打造更加丰富多样的视觉效果。柔性有机发光显示装置凭借其可弯曲性能可实现多领域应用，例如可应用于卷曲的显示装置。

[0004] 图1为现有的柔性显示装置的剖面示意图，如图1所示，柔性显示装置10包括，依次层叠设置的柔性基板11、缓冲层12、薄膜晶体管功能层13、发光阵列14、薄膜封装层15、圆偏光片(Circular polarizer)16及盖板(cover lens)17，其中，柔性基板11例如为，聚酰亚胺(PI)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板等柔韧性较佳的基板；缓冲层12形成于柔性基板11上，缓冲层12的材料一般选自为硅的氧化物或硅的氮化物，缓冲层12的功能用于增加柔性基板11与其表面的各作用层(例如薄膜晶体管功能层13)之间的附着性，还可提供阻挡柔性基板11内部的杂质在工艺中扩散进入各作用层；薄膜晶体管功能层13形成于缓冲层12上方，其主要包括，如栅极引线、数据信号引线、电源信号引线、阳极电极等电性传导结构；发光阵列14形成于薄膜晶体管功能层13上，其包括发光区域和非发光区域，非发光区域环绕发光区域，发光区域中设置有机发光二极管，有机发光二极管包括，阳极、有机发射层以及阴极，当电压被施加至阳极和阴极之间，使得电子和空穴在有机发射层中彼此复合来发光以实现柔性显示装置10的显示，其中，阳极及阴极的材料可选自氧化铟锡、Ag等；薄膜封装层15形成于发光阵列14上方，其用于与柔性基板11形成密闭空间，以防止外界环境对薄膜晶体管功能层13及发光阵列14的影响，较佳的薄膜封装层15需要具有良好的阻水汽及氧的性能；圆偏光片16设置于薄膜封装层15之上，主要用于抵抗环境光的干扰，提高显示对比度，其中，圆偏光片16可通过黏贴的方式设置于薄膜封装层15之上；盖板17设置于圆偏光片
16上，用以抵抗柔性显示装置10所受到的外力，其中，盖板17的材料为选择透明的亚克力基板或者玻璃基板。

[0005] 图2为现有的另一柔性显示装置的剖面示意图，图2中与图1中相同标号代表相同的元件并具有相同或相近的功能，在此不另赘述，柔性显示装置进一步包括，彩色滤光装置20和间隔层18，其中，彩色滤光装置20形成于间隔层18之上，间隔层18邻近薄膜封装层15设置，彩色滤光装置20邻近盖板17设置。彩色滤光装置20包括基板21，彩色滤光图案层22以及平坦层23，其中，彩色滤光图案层22包括R、G、B滤光色阻及用于分隔色阻的黑色矩阵BM，平坦层23形成于彩色滤光图案层22的外侧且邻近间隔层18。其中，间隔层18可充满空气或者透明的液体，用以间隔彩色滤光装置20与薄膜封装层15。

[0006] 但是受现有材料和技术的限制，如图1及图2中所示的现有的柔性显示装置中，为了使得柔性显示装置抵抗外界冲击的能力提高，一般而言会于整个显示装置的外侧使用刚性较大的亚克力或者玻璃基板作为盖板，然而这种方式是以牺牲柔性显示装置的柔韧性为前提的。因此，如何在不牺牲柔性显示装置柔韧性的前提下，当柔性显示装置受到外力冲击时，依然能够实现有效保护柔性显示装置内部的薄膜晶体管功能层中元件与布线不被压伤而断裂，从而避免造成显示装置发生功能障碍甚至报废，是为本发明要解决的主要问题。

发明内容

[0007] 本发明的目的在于提供一种能够兼具柔韧性和抗外力冲击的柔性显示装置及其制备方法。

[0008] 本发明提供的柔性显示装置，包括第一基板及设置于该第一基板上的多个薄膜晶体管，还包括：间隔层，该间隔层形成于该多个薄膜晶体管上，该间隔层具有凹陷部；发光阵列，该发光阵列形成于该间隔层上，且该发光阵列包括发光区域与非发光区域，该非发光区域环绕该发光区域；以及间隙物，该间隙物填充于该凹陷部中；其中，该凹陷部对应于该非发光区域，且该凹陷部的下方未设置该薄膜晶体管。

[0009] 作为可选的技术方案，该间隔层包括，平坦层和像素界定层，该平坦层形成于该多个薄膜晶体管上，该像素界定层形成于该平坦层上，该像素界定层具有镂空部，该镂空部对应该发光区域。

[0010] 作为可选的技术方案，其特征在于，该间隔层还包括绝缘层，该绝缘层设置于该平坦层与该像素界定层之间，其中，该凹陷部位于该像素界定层，或者该凹陷部自该像素界定层延伸至该绝缘层，或者该凹陷部自该像素界定层延伸至该平坦层。

[0011] 作为可选的技术方案，该发光区域具有电致发光元件，该电致发光元件配置于该像素界定层的该镂空部。

[0012] 作为可选的技术方案，该间隔层具有接触孔，该电致发光元件通过接触孔与该薄膜晶体管电性连接。

[0013] 作为可选的技术方案，该间隙物的杨氏系数大于该间隔层的杨氏系数。

[0014] 作为可选的技术方案，该凹陷部为贯穿该间隔层的通孔结构，或者该凹陷部为未贯穿该间隔层的非通孔结构。

[0015] 作为可选的技术方案，还包括薄膜封装层，该薄膜封装层设置于该发光阵列的上方，用于与该第一基板形成密封空间。

[0016] 作为可选的技术方案，还包括圆偏光片，该圆偏光片设置于该薄膜封装层上。

[0017] 作为可选的技术方案，还包括与该第一基板相对设置的彩色滤光装置，该彩色滤光装置具有第二基板、形成在第二基板上的彩色滤光图案以及形成于该彩色滤光图案上的第二平坦层，其中，该彩色滤光图案面向该第一基板。

[0018] 作为可选的技术方案，还包括触控感应层，该触控感应层设置于该第二平坦层上，并面向该第一基板。

[0019] 本发明还提供一种柔性显示装置的制备方法，该柔性显示装置具有第一基板，形成多个薄膜晶体管于该第一基板上，该方法包括：(a)于该多个薄膜晶体管上形成间隔层；(b)于该间隔层上形成凹陷部；(c)于该凹陷部中填充间隙物；其中，该凹陷部对应于该柔性显示装置的发光阵列的非发光区域，且该凹陷部的面向该第一基板的区域未设置该薄膜晶体管。

[0020] 与现有技术相比，本发明提供的柔性显示装置中，填充于间隔层的凹陷部中的间隙物提供一定强度的支撑力，用于抵抗施加在柔性显示装置上的外力，避免多个薄膜晶体管的压伤，提高了显示品质的稳定性。另外，本发明中填充式的间隙物的结构特点，使其更符合显示装置薄型化趋势。

附图说明

[0021] 图1为现有的一柔性显示装置的剖面示意图。

[0022] 图2为现有的另一柔性显示装置的剖面示意图。

[0023] 图3为本发明的第一实施例的柔性显示装置的剖面示意图。

[0024] 图4为本发明的第一实施例的柔性显示装置的发光阵列的局部示意图。

[0025] 图5为图4中的柔性显示装置的沿虚线A的剖面示意图。

[0026] 图6A至图6F为本发明图2中所示的柔性显示装置的间隙物形成过程示意图。

[0027] 图7为本发明的第二实施例的柔性显示装置的示意图。

[0028] 图8为本发明的第三实施例的柔性显示装置的示意图。

[0029] 图9为本发明的第四实施例的柔性显示装置的示意图。

具体实施方式

[0030] 为使得对本发明的内容有更清楚及更准确的理解，现在将结合附图详细说明，在说明书附图中示出本发明的实施例的示例，其中，相同的标号表示相同的元件。

[0031] 图3为本发明的第一实施例的柔性显示装置的剖面示意图，图4为本发明的第一实施例的柔性显示装置的发光阵列的局部示意图。请一并参照图3与图4，柔性显示装置30包括第一基板31及设置于第一基板31上的多个薄膜晶体管33，间隔层34，其形成于多个薄膜晶体管33之上，间隔层34具有凹陷部35；发光阵列36，其形成于间隔层34上，其中，发光阵列36具有发光区域36a与非发光区域36b，非发光区域36b环绕发光区域36a；以及间隙物40，其填充于凹陷部35中；其中，凹陷部35对应于发光阵列36的非发光区域36b，且凹陷部35的面向第一基板31的区域未设置薄膜晶体管32。在本实施例中，填充于凹陷部35中的间隙物40提供一定强度的支撑力，用于抵抗施加在柔性显示装置30上的外力，避免多个薄膜晶体管
33的压伤。较佳的，本实施例中，间隙物40的杨氏系数大于间隔层34的杨氏系数。间隙物40例如选自感光性间隙物(photo spacer)或丙烯酸树脂间隙物等。间隔层34的材料为选自硅的氮化物、硅的氧化物、环氧树脂或者丙烯酸树脂等无机或有机绝缘材料。凹陷部35为贯穿间隔层34的通孔结构，凹陷部35下方未设置其它与薄膜晶体管连接其它走线，例如扫描线、数据线和驱动线。第一基板31的材料例如为聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚烯烃、聚醚砜(PES)、聚萘二酯(PEN)中的一种或者多种组成。

[0032] 请继续参照图3与图4，柔性显示装置30进一步具有缓冲层32与薄膜封装层37，其中，缓冲层32设置于第一基板31与多个薄膜晶体管33之间，薄膜封装层37覆盖于发光阵列36上，用于隔绝环境中水汽及氧对多个薄膜晶体管33及发光阵列36的影响。其中，薄膜封装层37可具有这样的结构，即，由无机材料(例如，硅的氧化物或硅的氮化物)形成的层和/或由有机材料(例如，环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺)形成的层交替地形成。然而，本实施例不限于此，薄膜封装层37可具有任意结构，只要薄膜封装层37为透明薄膜。在本发明的其它实施方式中，依据实际需要柔性显示装置30还可具备其它的功能层，例如，形成多个薄膜晶体管33与薄膜封装层37之间的应力层，应力层用以缓冲施加在柔性显示装置30的外力，提高抵抗外力冲击的能力。

[0033] 为使得对本发明的柔性显示装置30的内部结构有更详细的了解，图5为图4中的柔性显示装置的沿虚线A的剖面示意图，请继续参照图5。

[0034] 如图5所示，缓冲层32形成于第一基板31上，其用于增加柔性基板31的平坦性与其表面的各作用层例如薄膜晶体管功能层、栅极绝缘层之间的附着性，还可提供阻挡柔性基板31内部的杂质在工艺中扩散进入其表面的各作用层的功用。缓冲层32可由各种材料形成。例如，缓冲层32可由无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛)、有机材料(例如，聚酰亚胺、聚酯或丙烯酸树脂)或它们的有机-无机组合材料形成。在本实施例中，缓冲层32包括依次层叠设置的第一氮化硅层32a、第二氧化硅层32b、第三氮化硅层32c以及第四氧化硅层32d。在本发明的其它实施例中，缓冲层32不是必须的，如果需要，可省略缓冲层32。

[0035] 继续参照图5，薄膜晶体管33(如图5中虚线框中所示)形成于缓冲层32的表面上，于本实施例中，薄膜晶体管33为顶栅极的结构，具体来讲，半导体活性层Active layer形成于缓冲层32上，第一绝缘层38a形成于半导体活性层Active layer上，栅极Gate形成于第一绝缘层38a上，第二绝缘层38b、第三绝缘层38c依次形成于栅极Gate上，接触孔TH1与TH2形成并贯穿于第二绝缘层38b、第三绝缘层38c且分别暴露出部分半导体活性层Active layer，源极Source通过通孔TH1与半导体活性层Active layer连接，漏极Drain通过通孔TH2与半导体活性层Active layer连接。其中，半导体活性层Active layer的材料为选自多晶硅、非晶硅或金属氧化物。栅极Gate、源极Source及漏极Drain的材料为选自Al、Cu、Mo、AlNd、Cr、Ti、Ag的单层金属膜或者多层复合膜。第一绝缘层38a、第二绝缘层38b及第三绝缘层38c的材料为选自硅的氮化物、硅的氧化物或有机树脂等绝缘材料。通孔TH1与TH2通过光刻和蚀刻等工序来形成。此外，柔性显示装置30还可以包括连接到薄膜晶体管和电容器的各种线，例如扫描线、数据线和驱动线。当然，薄膜晶体管33的结构不局限于上述结构，薄膜晶体管33可以具有各种结构。例如，栅极Gate为形成在半导体活性层Active layer下方的底栅极结构，或具有双栅极的薄膜晶体管架构中。

[0036] 继续参照图5，薄膜晶体管33上覆盖有间隔层34，与本实施例中较佳的间隔层34包括平坦层34a与像素界定层34b，其中，平坦层34a邻近多个薄膜晶体管33设置，平坦层34a的形成用以减小第一基板31及多个薄膜晶体管33的表面的高度差，使得后续形成于平坦层34a其它功能层的平坦性更好，平坦层34a可以是具有平坦的顶表面的单层或多层绝缘层。
平坦层34a可由从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和苯酚树脂组成的组中选择的至少一种形成。像素界定层34b形成于平坦层34a之上并邻近发光阵列36，像素定义层
34b的材料例如为丙烯酸树脂。像素界定层34b为具有镂空部，镂空部以阵列的方式排列，且镂空部对应于发光阵列36的发光区域36a。另外，发光区域36a配置电致发光元件50(如图5中虚线框中所示)。于本实施例中，电致发光元件50实质上配置于像素界定层34b的镂空部中，且每一个电致发光元件50通过接触孔TH3与薄膜晶体管33相互电连接。每一个电致发光元件50包括阳极Anode、电致发光层51以及阴极Cathode，其中，阳极Anode与阴极Cathode可以选自金属和/或透明的金属氧化物组成的单层或者多层结构形成。于本实施例中，阳极Anode为ITO/Ag/ITO或者ITO/Al/ITO，阴极Cathode为Al或者Ag。另外，在本发明的其它实施例中，阳极Anode可与显示结构中的像素电极共用，阴极Cathode可与显示结构中的公共电极共用。

[0037] 在本实施例中，可自阳极Anode依序向阴极Cathode堆叠包括空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、发射层(Emititng Layer，简称EML)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)来形成电致发光层51。电致发光层51的材料可以使用公知电致发光元件的材料，发射层可以为有机发光层或者无机发光层，有机发光层的材料例如，铜酞菁(CuPc)、N，N'-二(萘-1-基)-N，N'-二苯基联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)、聚(3,4)乙撑二氧基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。电子注入层的材料例如为LiF、CsF、Liq、K、Mg、Ca中的一种或几种。上述电致发光元件50，可视实际需求通过执行真空沉积、喷墨印刷(Ink-Jetprinting，IJP)、旋涂等方法制成。电致发光元件50可为顶发光(Top emission)或者底发光(Bottom emission)架构。

[0038] 本发明公开的具有如上所述架构的柔性显示装置30，可分别适用独立定义颜色的SBS(Side by Side)技术，或者白光OLED结合CF(White OLED+Color Filter)技术。

[0039] 继续参照图5，在本实施例中，间隔层34可进一步包括第四绝缘层34c，第四绝缘层34c设置于平坦层34a与像素界定层34b之间。其中，较佳的第四绝缘层34c为硅的氮化物层。
于本实施例中，凹陷部35为自像素界定层34b延伸至平坦层34a的贯孔结构。但在本发明的其它实施例中，凹陷部35可仅位于像素界定层34b中，或者凹陷部35为自像素界定层34b延伸至第四绝缘层34c中。

[0040] 图6A至图6F为本发明图2中所示的柔性显示装置的间隙物制备过程示意图。

[0041] 如图6A所示，在平坦层34a对应于发光阵列36的非发光区域36b处形成第一凹陷35a，第一凹陷35a的尺寸和形状可依据实际需要而设定，于本实施例中第一凹陷35a为倒置的梯形结构，即第一凹陷35a邻近第三绝缘层38c处的开口的尺寸小于第一凹陷35a邻近第四绝缘层34c处的开口的尺寸。

[0042] 如图6B所示，在第四绝缘层34c对应于第一凹陷35a处形成第二凹陷35c，第二凹陷35c的尺寸和形状可与第一凹陷35a匹配。

[0043] 如图6C所示，电致发光元件50的阳极Anode通过接触孔TH3与源极Source电性连接。与本实施例中，接触孔TH3贯穿平坦层34a与第四绝缘层34c以暴露出薄膜晶体管33的部分源极Source，电致发光元件的阳极Anode通过接触孔TH3与源极Source电性连接。其中，接触孔TH3的形成方式，例如接触孔TH3可与第二凹陷35c同时形成，或者接触孔TH3可两次形成，即接触孔TH3贯穿平坦层34a的部分与第一凹陷35a一同形成，接触孔TH3贯穿第四绝缘层34c的部分与第二凹陷35c同时形成。此外，在本发明的其它实施例中，第一凹陷35a与第二凹陷35c可以通过一道光阻蚀刻步骤形成，即在薄膜晶体管33上依次形成平坦层34a与第四绝缘层34c后，藉由一道光阻蚀刻步骤，同时在平坦层34a与第四绝缘层34c上形成凹陷部35。

[0044] 如图6D所示，继续形成像素界定层34b，像素界定层34b具有镂空部，镂空部对应于发光阵列36的发光区域36a，且电致发光元件50的阳极Anode于镂空部中露出，其中，像素界定层34b对应于第二凹陷35c处形成第三凹陷35b，第三凹陷35b的尺寸与形状与第二凹陷35c匹配，依次叠置的第一凹陷35a、第二凹陷35c与第三凹陷35b构成凹陷部35。其中，凹陷部35为贯穿平坦层34a、像素界定层34b及第四绝缘层34c的通孔结构。于本实施例中，像素界定层34b的第三凹陷35b与镂空部可以通过一道光阻蚀刻步骤形成。另外，在本发明的其它实施例中，第一凹陷35a、第二凹陷35c及第三凹陷35b可以通过一道光阻蚀刻步骤形成，即在薄膜晶体管33的上依次形成平坦层34a、第四绝缘层34c、阳极Anode以及像素界定层
34b后，藉由一道光阻蚀刻步骤，同时在平坦层34a、第四绝缘层34c与像素界定层34b上形成凹陷部35。

[0045] 此外，凹陷部35于非发光区域36b上排列位置，可依照柔性显示装置的电路设计与结构强度需求，进行任意排列，且不影响柔性显示装置曲率及中性轴。

[0046] 如图6E所示，于凹陷部35中形成间隙物40，间隙物40例如为光固化的丙烯酸树脂或者环氧树脂。在本实施例中间隙物40的材料的杨氏系数要大于像素界定层34b、第四绝缘层34c及平坦层34a的组成的间隔层34的杨氏系数。因此，当柔性显示装置30受到外力撞击时，间隙物40可提供有效的强度支撑，缓解外力对薄膜晶体管33、电致发光元件50或者其它的布线结构的损伤。此外，间隙物40嵌设于间隔层34中的结构，相较于现有技术中间隙物突出基板设置结构而言，本发明中提供的这种间隙物填充式的结构可进一步的降低显示装置的厚度，符合显示装置薄化的发展趋势。

[0047] 如图6F所示，于阳极Anode上形成电致发光层51，于电致发光层51上形成阴极Cathode，于阴极Cathode上继续形成薄膜封装层37，薄膜封装层37用于隔绝环境中的水汽及氧，以保护电致发光元件50或者其它的电性结构。

[0048] 图7为本发明的第二实施例的柔性显示装置的示意图。第二实施例中的柔性显示装置与第一实施例中的柔性显示装置30的区别在于，凹陷部的结构不同。在第二实施例中，凹陷部39为非通孔结构，即，凹陷部39的一端的位于间隔层34的中间，并未完全贯穿间隔层34。在本实施例中，例如，凹陷部39可包括，于像素界定层34b和第四绝缘层34c上形成贯孔结构的凹陷，而于平坦层34a上形成非贯孔结构的凹陷，贯孔结构的凹陷与非贯孔结构的凹陷组合形成凹陷部39。当然，在本发明的其它实施方式中，凹陷部39的非贯孔结构的凹陷形成的具体位置可依据实际需求而设定。

[0049] 图8为本发明的第三实施例的柔性显示装置的示意图。如图所示，与图2中的柔性显示装置30相比，第三实施例的柔性显示装置还包括阻挡层61，阻挡层61形成于薄膜封装层37上用于进一步的阻隔水汽和氧对电致发光元件50的影响，阻挡层61的材料可选自具有良好水汽及氧的阻隔效率的无机或者有机材料，例如，硼铝硅酸盐、镁铝硅酸盐、氮化硅或者氧化硅等。阻挡层61上设置圆偏光片60，当圆偏光片60为一市售的膜片，可直接贴附于阻挡层61上，或者，可通过涂布的方式，于阻挡层61的表面上直接涂布形成圆偏光片60。其中，通过涂布形成的圆偏光片60的厚度可更薄。圆偏光片60上可形成黏着层62，盖板70可通过黏着层62固定于柔性显示装置上。

[0050] 图9为本发明的第四实施例的柔性显示装置的示意图。如图所示，与图2中的柔性显示装置30相比，第四实施例的柔性显示装置还包括，彩色滤光装置80，其与第一基板31相对设置，彩色滤光装置80包括第二基板81，形成于第二基板81上彩色滤光图案82，形成于彩色滤光图案82上的第二平坦层83，彩色滤光图案包括R、G、B滤光色阻及用于分隔R、G、B滤光色阻的黑色矩阵BM，其中，R、G、B滤光色阻呈矩阵式排列，且分别对应于发光阵列36的发光区域36a。于本实施例中第二基板81具有与第一基板31相似的材料组成。

[0051] 继续参照图9，彩色滤光装置80中的平坦层83位于第二基板81朝向第一基板31的一侧，于平坦层83上，可进一步设置触控感应层90，触控感应层90用以提供触控功能。于触控感应层90上依次设置空气阻挡层110、填充层100，空气阻挡层110以及填充层100用于间隔彩色滤光装置80与薄膜封装层37。其中，填充层100可充满空气或者透明的填充液体。在本发明的其它实施例中，触控感应层90可以有多种设置方式，例如形成于第一基板31上的缓冲层32与多个薄膜晶体管33之间，或者形成于薄膜封装层37的内侧或者外侧，或者形成于盖板37朝向第一基板31的一侧。即触控感应层90的设置方式可依据实际的需要而设定，不以上述举例方式为限。

[0052] 另外，于第二基板81远离第一基板31的一侧的表面上可设置黏着层63，盖板70可通过黏着层63贴附于柔性显示装置上。盖板70可选择柔韧性较佳的塑料基板。在本发明其它实施方式中，盖板70的材料可与第一基板31的材料相似。

[0053] 本发明还提供一种柔性显示装置中的制备方法，柔性显示装置30具有第一基板31，形成多个薄膜晶体管33于第一基板31上，首先，于多个薄膜晶体管33上形成间隔层34；
其次，于间隔层34上形成凹陷部35；然后，于凹陷部35中填充间隙物40；其中，凹陷部35对应于柔性显示装置30的发光阵列36的非发光区域36b，且凹陷部35的面向第一基板31的区域未设置薄膜晶体管33。

[0054] 综上所述，本发明提供的柔性显示装置，由于采用填充式的间隙物，通过从内部结构改变以增强柔性显示装置抵抗外界冲击力的能力，保护显示装置中薄膜晶体管、有机发光元件或者其它的布线被压伤，提高了显示品质的稳定性。另外，填充式的间隙物的结构特点，使其更符合显示装置薄型化趋势。

[0055] 当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。