电阻器及电阻器的制造方法

摘要

该电阻器中，散热器(Al部件)(23)与陶瓷基板(11)的另一面(11b)通过Al‑Si系钎料接合。Al‑Si系钎料的熔点为600～700℃左右。通过使用这种Al‑Si系钎料接合散热器(23)与陶瓷基板(11)，能够同时防止耐热性的劣化及接合时的热劣化。

权利要求

1.一种电阻器，其特征在于，

具备：片状电阻元件，包含形成于陶瓷基板的一面的电阻元件、第一金属电极及第二金属电极；第一金属端子及第二金属端子，分别与所述第一金属电极及所述第二金属电极电连接；及Al部件，形成于所述陶瓷基板的另一面侧，所述陶瓷基板与所述Al部件通过Al-Si系钎料接合，所述电阻元件的一面与所述陶瓷基板相接，

在所述电阻元件的另一面形成所述第一金属电极及所述第二金属电极，所述第一金属电极与所述第一金属端子分别与第一金属部件的一端及另一端接合，由此相互电连接，所述第二金属电极与所述第二金属端子分别与第二金属部件的一端及另一端接合，由此相互电连接，所述第一金属部件及所述第二金属部件具有450℃以上的熔点。

2.根据权利要求1所述的电阻器，其中，

所述第一金属部件及所述第二金属部件为Al线或Al带。

3.根据权利要求1所述的电阻器，其中，

所述Al部件为缓冲层与散热器的层叠体，所述缓冲层与所述陶瓷基板的另一面通过Al-Si系钎料接合，所述缓冲层由纯度为99.98％以上的Al构成。

4.根据权利要求3所述的电阻器，其中，

所述缓冲层的厚度为0.4mm以上且2.5mm以下的范围。

5.根据权利要求3所述的电阻器，其中，

所述陶瓷基板的厚度为0.3mm以上且1.0mm以下的范围，且所述散热器的厚度为2.0mm以上且10.0mm以下的范围。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电阻器，其中，所述片状电阻元件、所述第一金属端子及所述第二金属端子中，其一部分被绝缘性的密封树脂覆盖，所述密封树脂为热膨胀系数在8ppm/℃以上且20ppm/℃以下的范围的树脂。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的电阻器，其中，所述Al部件中，在与所述陶瓷基板的接合面相对的对置面呈以其中央区域为顶部并朝向所述陶瓷基板的相反方向弯曲的弯曲面，所述对置面的弯曲程度为30μm/50mm以上且700μm/50mm以下的范围。

8.一种电阻器的制造方法，其为制造权利要求1所述的电阻器的制造方法，其特征在于，具备：在所述陶瓷基板与所述Al部件之间配设Al-Si系钎料箔，将这些沿着层叠方向加压的同时加热，通过所述Al-Si系钎料接合所述陶瓷基板与所述Al部件的工序；

通过粘结剂将所述第一金属端子定位于所述第一金属电极的表面上的工序；

通过粘结剂将所述第二金属端子定位于所述第二金属电极的表面上的工序；

对所述第一金属端子及所述第一金属电极，分别接触第一金属部件的一端及另一端并施加超声波，在所述第一金属部件的一端及另一端分别接合所述第一金属电极及所述第一金属端子的工序；及对所述第二金属端子及所述第二金属电极，分别接触第二金属部件的一端及另一端并施加超声波，在所述第二金属部件的一端及另一端分别接合所述第二金属电极及所述第二金属端子的工序。

9.根据权利要求8所述的电阻器的制造方法，其为制造权利要求6所述的电阻器的制造方法，其具备：以包围所述片状电阻元件的周围的方式配置模具框的工序；及将软化的所述密封树脂填充于所述模具框内部的工序。

说明书

电阻器及电阻器的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种电阻器、及该电阻器的制造方法，该电阻器具备：片状电阻元件，具有形成于陶瓷基板的一面的电阻元件及金属电极；金属端子，与金属电极电连接；及散热器，由Al或Al合金构成。

[0002] 本申请主张基于2014年1月8日于日本申请的专利申请2014-001739号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

[0003] 作为电子电路组件的一例，广泛使用电阻器，其具备形成于陶瓷基板的一面的电阻元件及与该电阻元件接合的金属端子。电阻器中，与所施加的电流值相应地产生焦耳热，电阻器会发热。为了有效地释放电阻器中产生的热，例如提出有具备散热板(散热器)的电阻器。

[0004] 例如，专利文献1中，提出有一种电阻器，其构成为通过活性金属法在陶瓷基板上接合金属端子，并在该金属端子的接合部形成电阻元件。并且，提出有一种电阻器，其构成为在陶瓷基板上形成电阻元件及金属电极，并焊接金属电极与金属端子。

[0005] 而且，例如专利文献2中提出有焊接具备绝缘层的硅基板与散热板(散热器)的电阻器。

[0006] 并且，专利文献3中提出有一种电阻器，其构成为在陶瓷基板上形成电阻元件及金属电极，并焊接金属电极与金属端子。

[0007] 专利文献1：日本专利公开平02-238601号公报

[0008] 专利文献2：日本专利公开平08-306861号公报

[0009] 专利文献3：日本专利公开2005-101178号公报

[0010] 但是，如专利文献1所述那样通过利用Ag-Cu-Ti等钎料的活性金属法接合陶瓷基板与金属端子时，接合温度为例如850℃的比较高的温度，因此存在接合时电阻元件热劣化的问题。并且，在接合陶瓷基板与金属端子之后，在金属端子的接合部形成电阻元件时，由于钎料的接合温度较高，因此也存在在陶瓷基板与金属端子的接合部产生较大残留应力的问题。

[0011] 另一方面，近年来，上述电阻器在用途上用于使大电流流过，从而有时电阻元件发热而成为150℃以上的高温。如专利文献2所述那样焊接硅基板与散热器时，若如上述那样电阻元件变成高温，则焊锡材料劣化而无法确保充分的接合强度，有可能无法维持硅基板与散热器的接合。

[0012] 另外，在陶瓷基板上形成电阻元件及金属电极，并焊接金属电极与金属端子时，若如上述那样电阻元件变成高温，则有可能还无法维持金属电极与金属端子的接合。

发明内容

[0013] 本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种耐热性优异且能够抑制制造时的电阻元件和接合部的劣化的电阻器及该电阻器的制造方法。

[0014] 为了解决上述课题，本发明的几个方式提供如下电阻器及电阻器的制造方法。

[0015] 即，本发明的电阻器，具备：片状电阻元件，包含形成于陶瓷基板的一面的电阻元件及金属电极；金属端子，与所述金属电极电连接；及Al部件，形成于所述陶瓷基板的另一面侧，所述陶瓷基板与所述Al部件通过Al-Si系钎料接合，所述金属电极与所述金属端子分别与熔点450℃以上的金属部件的一端及另一端接合，由此相互电连接。

[0016] 根据本发明的电阻器，对陶瓷基板与Al部件的接合不使用焊锡材料，而是使用熔点高于焊锡材料的Al-Si系钎料，因此即使电阻元件发热而变成高温，也能够充分维持陶瓷基板与Al部件的接合强度，且耐热性优异。并且，通过将金属电极与金属端子分别接合于熔点450℃以上的金属部件的一端及另一端，金属电极与金属端子经由金属部件电连接，因此能够良好地接合金属电极与金属端子，能够提高接合可靠性。并且，通过不使用焊锡材料而是经由金属部件接合金属电极与金属端子，即使电阻元件发热而变成高温，也能够充分维持接合强度，且耐热性优异。例如，能够确保300℃以上的耐热性。并且，若以低于钎料的接合温度的温度进行接合，则能够抑制制造时的电阻元件和接合部分的劣化。

[0017] 所述金属部件为Al线或Al带。

[0018] 通过对金属电极与金属端子的连接使用Al线或Al带，能够轻松且以低电阻连接金属电极与金属端子。

[0019] 所述Al部件为由纯度为99.98％以上的Al构成的缓冲层与散热器的层叠体，所述缓冲层与所述陶瓷基板的另一面通过Al-Si系钎料接合。

[0020] 通过设置由纯度为99.98％以上的Al构成的缓冲层及散热器，能够使在片状电阻元件中产生的热有效地传递至散热器，从而迅速地散热。并且，通过以纯度99.98％以上的高纯度Al形成缓冲层，变形电阻变小，能够通过该缓冲层吸收负载冷热循环时在陶瓷基板中产生的热应力，并能够抑制对陶瓷基板施加热应力而产生龟裂的现象。

[0021] 所述缓冲层的厚度为0.4mm以上、2.5mm以下的范围。

[0022] 若缓冲层的厚度小于0.4mm，则有可能无法充分缓冲热应力引起的变形。并且，若缓冲层的厚度超过2.5mm，则有可能很难将热有效地传递至散热器。

[0023] 所述陶瓷基板的厚度为0.3mm以上、1.0mm以下的范围，且所述散热器的厚度为2.0mm以上、10.0mm以下的范围。

[0024] 通过将陶瓷基板的厚度设为0.3mm以上1.0mm以下的范围内，能够兼顾陶瓷基板的强度与整个电阻器的厚度薄化。并且，通过将散热器的厚度设为2.0mm以上、10.0mm以下的范围内，能够确保充分的热容量，并且还能够实现整个电阻器的厚度薄化。

[0025] 所述片状电阻元件及所述金属端子中，其一部分被绝缘性的密封树脂覆盖，所述密封树脂为热膨胀系数为8ppm/℃以上、20ppm/℃以下的范围的树脂。

[0026] 此时，片状电阻元件及金属端子通过绝缘性的密封树脂成型，因此能够防止漏电流，并能够实现电阻器的高耐压性。并且，作为密封树脂使用热膨胀系数(线性膨胀系数)为8ppm/℃以上、20ppm/℃以下的范围内的树脂，由此能够将伴随电阻元件的发热的密封树脂的热膨胀引起的体积变化抑制在最小。由此，能够防止由于对被密封树脂覆盖的片状电阻元件和金属端子施加过剩的应力而接合部分受到损伤，从而引起导通不良等不良情况的现象。

[0027] 所述Al部件中，在与所述陶瓷基板的接合面相对的对置面呈以其中央区域为顶部并朝向所述陶瓷基板的相反方向弯曲的弯曲面，所述对置面的弯曲程度为30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围。

[0028] Al部件与陶瓷基板的接合面由于彼此的膨胀系数差而容易弯曲。其结果，相对于接合面的对置面容易成为朝向陶瓷基板的相反方向弯曲的弯曲面。然而，通过将这种对置面的弯曲程度限制在30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围内，即使在对置面上进一步形成冷却器时，也能够确保Al部件与冷却器的粘附性。并且，通过将对置面的弯曲程度限制在30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围内，能够抑制在Al部件与陶瓷基板的接合面产生过剩的弯曲应力，并防止Al部件与陶瓷基板剥离。

[0029] 本发明的电阻器的制造方法，其特征在于，具备：在所述陶瓷基板与所述Al部件之间配设Al-Si系钎料箔，将这些沿着层叠方向加压的同时加热，通过所述钎料接合所述陶瓷基板与所述Al部件的工序；通过粘结剂将所述金属端子定位于所述金属电极的表面上的工序；及对所述金属端子及所述金属电极分别接触金属部件的一端及另一端并施加超声波，在金属部件的一端及另一端分别接合所述金属电极及所述金属端子的工序。

[0030] 根据本发明的电阻器的制造方法，通过对陶瓷基板与Al部件的接合不使用焊锡材料而是使用熔点高于焊锡材料的Al-Si系钎料来接合，即使电阻元件发热而变成高温，也能够充分维持陶瓷基板与Al部件的接合强度，并能够制造耐热性优异的电阻器。并且，使金属电极与金属端子分别与金属部件的一端及另一端接触，施加超声波来接合，由此能够良好地接合金属电极与金属端子，并提高接合可靠性。并且，不使用焊锡材料而是通过超声波接合，经由金属部件接合金属电极与金属端子，因此即使电阻元件发热而变成高温，也能够充分维持接合强度，并能够制造耐热性优异的电阻器。

[0031] 本发明的电阻器的制造方法，其特征在于，具备：以包围所述片状电阻元件的周围的方式配置模具框的工序；及将软化的所述密封树脂填充于所述模具框内部的工序。

[0032] 此时，片状电阻元件及金属端子通过绝缘性的密封树脂成型，因此能够防止漏电流，并能够制造具备高耐压性的电阻器。并且，通过以密封树脂覆盖片状电阻元件及金属端子，能够制造出防止由于对片状电阻元件和金属端子施加过剩的应力而接合部分受到损伤，从而引起导通不良等不良情况的电阻器。

[0033] 根据本发明，能够提供一种耐热性优异，并且能够抑制制造时的电阻元件和接合部的劣化的电阻器及该电阻器的制造方法。

附图说明

[0034] 图1是本发明的第1实施方式所涉及的电阻器的剖视图。

[0035] 图2A是第1实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(电阻元件形成工序)。

[0036] 图2B是第1实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(金属电极形成工序)。

[0037] 图2C是第1实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(散热器接合工序)。

[0038] 图2D是第1实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(金属部件接合工序)。

[0039] 图3A是第1实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(密封树脂形成工序)。

[0040] 图3B是第1实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(冷却器安装工序)。

[0041] 图4是第1实施方式所涉及的电阻器的制造方法的流程图。

[0042] 图5是本发明的第2实施方式所涉及的电阻器的剖视图。

[0043] 图6A是第2实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(金属电极形成工序)。

[0044] 图6B是第2实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(电阻元件形成工序)。

[0045] 图6C是第2实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(缓冲层及散热器接合工序)。

[0046] 图6D是第2实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(金属部件接合工序)。

[0047] 图7A是第2实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(密封树脂形成工序)。

[0048] 图7B是第2实施方式所涉及的电阻器的制造方法的剖视图(冷却器安装工序)。

[0049] 图8是第2实施方式所涉及的电阻器的制造方法的流程图。

具体实施方式

[0050] 以下，参考附图对本发明的电阻器及该电阻器的制造方法进行说明。

[0051] 另外，以下所示的各实施方式是为了更好地理解发明的宗旨而具体说明的实施方式，除非另有指定，则并不限定本发明。并且，关于以下说明中使用的附图，为了便于理解本发明的特征，为方便起见，有时会放大显示成为主要部分的部分，各构成要件的尺寸比例并不一定与实际相同。

[0052] (电阻器：第1实施方式)

[0053] 关于本发明的电阻器的第1实施方式，参考附图1进行说明。

[0054] 图1是表示第1实施方式的电阻器的沿着层叠方向的剖面的剖视图。第1实施方式所涉及的电阻器10具备陶瓷基板11及重叠形成于该陶瓷基板11的一面11a的片状电阻元件16。该片状电阻元件16具有电阻元件12及金属电极13a、13b。并且，分别与金属电极13a、13b重叠并经由粘结剂层17而配置有金属端子14a、14b。金属电极13a与金属端子14a之间及金属电极13b与金属端子14b之间分别通过金属部件18a、18b电连接。

[0055] 而且，在片状电阻元件16的周围配置有以与片状电阻元件16分开的方式包围的模具框19。并且，该模具框19的内部填充有密封树脂21。这种密封树脂21形成为覆盖片状电阻元件16和金属端子14a、14b的一部分。

[0056] 陶瓷基板11的另一面11b上重叠配设有Al部件。

[0057] 本实施方式中，Al部件作为散热器23(散热部件)。关于这种陶瓷基板11与散热器23的接合结构，将在后文进行叙述。

[0058] 在该散热器23的周缘附近形成有多个螺孔24。

[0059] 在散热器23与陶瓷基板11接合的接合面的相反面上还安装有冷却器25。冷却器25通过贯穿散热器23的螺孔24的螺钉26紧固于散热器23。另外，冷却器25与散热器23之间优选进一步形成有高传热性的润滑脂层27。

[0060] 陶瓷基板11防止电阻元件12及金属电极13a、13b与导电性的散热器23的电连接，第1实施方式中为由绝缘性较高的AlN(氮化铝)构成的板状部件。并且，由AlN构成的陶瓷基板11的厚度例如为0.3mm以上1.0mm以下的范围内即可，更优选为0.5mm以上0.85mm以下的范围内，第1实施方式中，设定为0.635mm。

[0061] 陶瓷基板11的厚度能够通过卡尺等测定。

[0062] 若这种陶瓷基板11的厚度小于0.3mm，则有可能无法充分确保相对于施加在陶瓷基板11的应力的强度。并且，若陶瓷基板11的厚度超过1.0mm，则整个电阻器10的厚度增加，有可能难以厚度薄化。因此，通过将陶瓷基板11的厚度设为例如0.3mm以上1.0mm以下的范围内，能够兼顾陶瓷基板11的强度与整个电阻器10的厚度薄化。

[0063] 电阻元件12作为电阻器10中流过电流时的电阻而发挥作用，作为构成材料的一例，可举出Ta-Si系薄膜电阻元件或RuO2厚膜电阻元件。电阻元件12在第1实施方式中由Ta-Si系薄膜电阻元件构成，厚度例如设为0.5μm。

[0064] 金属电极13a、13b为设置于电阻元件12的电极，第1实施方式中由Cu构成。并且，金属电极13a、13b的厚度例如设为2μm以上3μm以下，第1实施方式中设为1.6μm。

[0065] 另外，本实施方式中，设为构成金属电极13a、13b的Cu包含纯Cu或Cu合金。并且，金属电极13a、13b并不限定于Cu，例如可采用Al、Ag等高导电率的各种金属。

[0066] 金属端子14a、14b为外形弯曲成大致L字状的电端子，分别经由金属部件18a、18b与金属电极13a、13b电连接。金属端子14a、14b各自的一端侧经由粘结剂层17固定于金属电极13a、13b的表面。并且，金属端子14a、14b各自的另一端侧从密封树脂21突出而露出于外部。这种金属端子14a、14b在第1实施方式中与金属电极13同样地由Cu构成。并且，金属端子14的厚度设为0.1mm以上0.5mm以下，第1实施方式中设为0.3mm。

[0067] 电阻器10经由该金属端子14a、14b连接于外部的电子电路等。

[0068] 金属端子14a作为电阻器10的一个极性端子，并且金属端子14b作为电阻器10的另一极性端子。

[0069] 金属部件18a、18b为熔点450℃以上的线、带等细长的线状部件，例如为由Al形成的Al线、Al带等。这种金属部件18a、18b各自的一端侧接合于金属电极13a、13b，并且各自的另一端侧接合于金属端子14a、14b。

[0070] 金属部件18a、18b的熔点的上限值优选为1500℃以下，更优选为550～1100℃。

[0071] 金属部件18a、18b的一端侧与金属电极13a、13b的接合、及金属部件18a、18b的另一端侧与金属端子14a、14b的接合通过超声波接合来直接接合。这种超声波接合例如通过粘结金属部件18a、18b与金属电极13a、13b及金属端子14a、14b并施加超声波来进行。通过这种结构，金属电极13a、13b与金属端子14a、14b分别经由金属部件18a、18b电连接。

[0072] 通过利用细长线状的部件例如Al线、Al带等电连接金属电极13a、13b与金属端子14a、14b，即使电阻元件12经过反复通电时的发热及非通电时的降热的温度循环，金属电极
13a、13b与金属端子14a、14b也不会引起导通不良。

[0073] 另外，本实施方式中，设为构成金属部件18a、18b的Al包含纯Al或Al合金。并且，金属部件18a、18b并不限定于Al，例如可采用由Cu、Ag等熔点为450℃以上的高导电率的各种金属构成的线状部件、带状部件。

[0074] 粘结剂层17为了定位并固定金属端子14a、14b而设置，例如使用树脂系粘结剂。金属电极13a、13b与金属端子14a、14b如上述那样经由金属部件18a、18b电连接，因此粘结剂层17也可以是绝缘性材料。

[0075] 模具框19例如由耐热性树脂板构成。并且，关于填充于该模具框19的内侧的密封树脂21，例如使用30℃～120℃的温度范围的热膨胀系数(线性膨胀系数)为8ppm/℃～20ppm/℃的范围的绝缘性树脂。密封树脂21的热膨胀系数(线性膨胀系数)更优选为12ppm/℃～18ppm/℃的范围。作为具有这种热膨胀系数的绝缘性树脂，例如可举出在环氧树脂中加入SiO2填充剂的树脂。此时，优选将密封树脂21设为SiO2填充剂为72％～84％且环氧树脂为16％～28％的组成。

[0076] 密封树脂21的热膨胀系数(线性膨胀系数)能够通过膨胀计(METZSCH公司制造的TD5000SA)测定。

[0077] 作为密封树脂21，使用30℃～120℃的温度范围的热膨胀系数为8ppm/℃～20ppm/℃的范围的绝缘性树脂，由此能够将伴随电阻元件12的发热的密封树脂21的热膨胀引起的体积变化抑制在最小。并且，能够防止由于对被密封树脂21覆盖的片状电阻元件16和金属端子14a、14b施加过剩应力而接合部分受到损伤，从而引起导通不良等不良情况的现象。

[0078] 另外，还优选作为Al部件，以由纯度为99.98％以上的Al构成的缓冲层与散热器的层叠体构成，并通过Al-Si系钎料接合该缓冲层与陶瓷基板的另一面。

[0079] 缓冲层的Al的纯度能够通过发射光谱分析装置(Thermo Fisher Scientific,Inc.制造4460)测定。

[0080] 作为Al部件的散热器(散热部件)23用于放出从电阻元件12产生的热，由热传导性良好的Al或Al合金形成。第1实施方式中，散热器23由A6063合金(Al合金)构成。

[0081] 散热器23中，优选沿层叠方向的厚度形成为2.0mm以上、10.0mm以下的范围，更优选为3.0mm以上、5.0mm以下。若散热器23的厚度小于2.0mm，则对散热器23施加应力时，散热器23有可能变形。并且，由于热容量过小，因此有可能无法充分吸收、散热从电阻元件12产生的热。另一方面，若散热器23的厚度超过10.0mm，则由于散热器23的厚度，还很难实现整个电阻器10的厚度薄化，并且整个电阻器10的重量有可能变得过大。

[0082] 散热器23的厚度能够通过卡尺等测定。

[0083] 这种散热器23与陶瓷基板11的另一面11b通过Al-Si系钎料接合。Al-Si系钎料的熔点为600～700℃左右。通过利用这种Al-Si系钎料接合散热器23与陶瓷基板11，能够同时防止耐热性的劣化及接合时的热劣化。

[0084] 例如，如以往那样利用焊锡接合散热器与陶瓷基板时，由于焊锡的熔点较低(200～250℃左右)，因此当电阻元件12变成高温时，有可能导致散热器与陶瓷基板剥离。另一方面，作为重视耐热性的现有例，利用Ag-Cu-Ti系钎料接合散热器与陶瓷基板时，熔点(接合温度)变成850℃，虽然耐热性得到提高，但若在接合时升温至850℃以上，则电阻元件引起热劣化，有可能无法发挥规定的性能。因此，如本实施方式，通过利用Al-Si系钎料接合散热器23与陶瓷基板11，与焊锡接合相比，耐热性大幅提高，且与利用Ag-Cu-Ti系钎料的接合相比，能够可靠地防止接合时的电阻元件12的热劣化。

[0085] 相对于散热器23与陶瓷基板11的接合面的对置面，即与冷却器25相接的面有时会由于散热器23与陶瓷基板11的接合而稍微弯曲。这是因为，构成散热器23的Al的热膨胀系数大于陶瓷基板11的热膨胀系数。由此，若在以高温接合之后冷却至室温左右，则散热器23的对置面(与冷却器25相接的面)弯曲成以中央区域为顶部并朝向陶瓷基板11的相反方向突出。

[0086] 关于这种散热器23的对置面(与冷却器25相接的面)的弯曲程度，优选限制在30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围，更优选限制在30μm/50mm以上、100μm/50mm以下的范围，由此即使在散热器23上进一步设置冷却器25时，也能够确保散热器23与冷却器25的粘附性。并且，能够抑制在散热器23与陶瓷基板11的接合面产生过剩的弯曲应力，并防止散热器23与陶瓷基板11剥离。

[0087] 散热器23的对置面的弯曲程度能够通过利用阴影云纹技术的加热翘曲测定装置(Akrometrix.Inc.制造Samorei PS200)测定。

[0088] 冷却器25冷却散热器23，与散热器23本身的散热功能一同防止散热器23的温度上升。冷却器25例如为空冷式或水冷式的冷却器即可。冷却器25通过贯穿形成于散热器23的螺孔24、24的螺钉26、26，紧固于散热器23。

[0089] 并且，优选在冷却器25与散热器23之间进一步形成有高传热性的润滑脂层27。润滑脂层27提高冷却器25与散热器23的粘附性，朝向冷却器25顺畅地传递散热器23的热。作为构成润滑脂层27的润滑脂，使用热传导性优异且耐热性优异的高耐热润滑脂。

[0090] (电阻器的制造方法：第1实施方式)

[0091] 接着，参考图2A～图2D、图3A～图3B、图4，对第1实施方式所涉及的电阻器10的制造方法进行说明。

[0092] 图2A～图2D、图3A～图3B是分步骤地示出第1实施方式的电阻器的制造方法的剖视图。并且，图4是表示第1实施方式的电阻器的制造方法中的各工序的流程图。

[0093] 首先，如图2A所示，准备例如由厚度为0.3mm以上1.0mm以下的AlN构成的陶瓷基板11。并且，在该陶瓷基板11的一面11a上，例如利用溅射法形成由厚度为0.5μm左右的Ta-Si系薄膜构成的电阻元件12(电阻元件形成工序：S01)。

[0094] 接着，如图2B所示，在电阻元件12的规定位置，例如利用溅射法形成例如由厚度为2～3μm左右的Cu构成的金属电极13a、13b(金属电极形成工序：S02)。由此，在陶瓷基板11的一面11a上形成片状电阻元件16。另外，还优选构成为在Cu的底层预先形成由Cr构成的基底层，从而提高电阻元件12与金属电极13a、13b的粘附性的结构。

[0095] 接着，如图2C所示，在陶瓷基板11的另一面11b接合散热器23(散热器接合工序：S03)。

[0096] 接合陶瓷基板11的另一面11b与散热器23时，在陶瓷基板11的另一面11b与散热器23之间夹入Al-Si系钎料箔。并且，在真空加热炉中，沿层叠方向负载0.5kgf/cm2以上
10kgf/cm2以下的焊接压力，将真空加热炉的加热温度设定为640℃以上650℃以下，保持10分钟以上60分钟以下。由此，配设于陶瓷基板11的另一面11b与散热器23之间的Al-Si系钎料箔熔融而陶瓷基板11与散热器23接合。

[0097] 如此获得的陶瓷基板11与散热器23的接合部与例如基于焊锡的接合相比，耐热性大幅提高，且接合时无需800℃的高温，因此还能够防止已形成的电阻元件12引起热劣化。

[0098] 若接合散热器23与陶瓷基板11，并从Al-Si系钎料箔的熔融温度冷却至室温，则由于散热器23与陶瓷基板11的热膨胀系数差，相对于散热器23与陶瓷基板11的接合面的对置面有时弯曲成以其中央区域为顶部并朝向陶瓷基板11的相反方向突出。通过将这种散热器23的对置面(与冷却器25相接的面)的弯曲程度限制在30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围，在之后的工序中在散热器23上设置冷却器25时，能够确保散热器23与冷却器25的粘附性。并且，抑制在散热器23与陶瓷基板11的接合面产生过剩的弯曲应力。

[0099] 接着，如图2D所示，通过粘结剂层17，将金属端子14a、14b分别临时固定(定位固定)于金属电极13a、13b。金属端子14a、14b例如将由厚度为0.3mm左右的Cu构成的板材弯曲成剖面呈大致L字状即可。并且，例如，使由Al线或Al带构成的金属部件18a、18b的一端侧分别与金属电极13a、13b接触，并且使金属部件18a、18b的另一端侧分别与金属端子14a、14b接触。并且，对这些接触部分进行按压(加压)的同时施加超声波，对接触部分进行超声波接合(金属部件接合工序：S04)。由此，金属电极13a、13b与金属端子14a、14b分别通过金属部件18a、18b电连接。

[0100] 接着，如图3A所示，在陶瓷基板11的一面11a上，以包围片状电阻元件16的周围的方式配置模具框19。并且，在该模具框19的内部填充已软化的绝缘性树脂，形成密封片状电阻元件16及金属端子14a、14b的一部分的密封树脂21(密封树脂形成工序：S05)。

[0101] 接着，如图3B所示，在散热器23的下表面形成由耐热润滑脂构成的润滑脂层27之后，利用螺钉26、26将冷却器25安装于散热器23(冷却器安装工序：S06)。

[0102] 经过以上的工序，能够制造第1实施方式所涉及的电阻器10。

[0103] 根据设为如上结构的本实施方式所涉及的电阻器10及其制造方法，利用Al-Si系钎料接合陶瓷基板11与散热器23，因此即使电阻元件12发热而变成高温，与例如如以往那样利用焊锡材料接合时相比，能够充分维持接合强度，且耐热性优异。另一方面，与如以往那样利用Ag-Cu-Ti系钎料接合时相比，能够降低接合温度，因此能够可靠地防止接合时的电阻元件12的热劣化。并且，能够减少陶瓷基板11及电阻元件12的热负载，并且能够简化制造工序并降低制造成本。

[0104] 并且，本实施方式中，利用细长的线状部件，例如Al线、Al带等电连接金属电极13a、13b与金属端子14a、14b，并未通过导电层等直接接合金属电极13a、13b与金属端子
14a、14b，因此即使电阻元件12经过反复通电时的发热与非通电时的降热的温度循环，金属电极13a、13b与金属端子14a、14b也不会引起导通不良。

[0105] 并且，通过将由AlN构成的陶瓷基板11的厚度设为0.3mm以上1.0mm以下，即使电阻元件12的发热次数较多，也能够抑制陶瓷基板11产生龟裂。

[0106] 而且，通过将由Cu构成的金属端子14a、14b的厚度设为0.1mm以上，能够充分确保作为端子的强度，并且能够使比较大的电流流过。并且，通过将金属端子14a、14b的厚度设为0.3mm以下，即使电阻元件12的发热次数较多，也能够抑制陶瓷基板11产生龟裂。

[0107] 并且，通过作为密封树脂21使用热膨胀系数(线性膨胀系数)为8ppm/℃～20ppm/℃的范围的绝缘性树脂，能够将伴随电阻元件12的发热的密封树脂21的热膨胀引起的体积变化抑制在最小。通过这种结构，能够防止由于对被密封树脂21覆盖的片状电阻元件16和金属端子14a、14b施加过剩的应力而接合部分受到损伤，从而引起导通不良等不良情况的现象。

[0108] 并且，通过将相对于散热器23与陶瓷基板11的接合面的对置面的弯曲程度限制在30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围，在散热器23上设置冷却器25时，能够确保散热器
23与冷却器25的粘附性。尤其，本实施方式中，在散热器23的周缘附近形成有多个螺孔24、
24，通过贯穿该螺孔24、24的螺钉26、26紧固散热器23与冷却器25，因此能够提高散热器23与冷却器25的粘附性。并且，能够抑制在散热器23与陶瓷基板11的接合面产生过剩的弯曲应力。

[0109] (电阻器：第2实施方式)

[0110] 参考附图5对本发明的电阻器的第2实施方式进行说明。

[0111] 另外，以下说明中，对与第1实施方式的电阻器相同的结构，标注相同符号并省略其详细说明。

[0112] 并且，对各值的测定方法，也适用与第1实施方式相同的方法。

[0113] 图5是表示第2实施方式的电阻器的沿着层叠方向的剖面的剖视图。

[0114] 第2实施方式所涉及的电阻器30具备陶瓷基板11及重叠形成于该陶瓷基板11的一面11a的片状电阻元件16。该片状电阻元件16具有电阻元件12及金属电极13a、13b。并且，经由粘结剂层17，金属端子14a、14b分别重叠配置于金属电极13a、13b。金属电极13a与金属端子14a之间及金属电极13b与金属端子14b之间分别通过金属部件18a、18b电连接。

[0115] 而且，在片状电阻元件16的周围，配置有以与片状电阻元件16分开的方式包围的模具框19。并且，该模具框19的内部填充有密封树脂21。这种密封树脂21形成为覆盖片状电阻元件16和金属端子14a、14b的一部分。

[0116] 第2实施方式中，陶瓷基板11由氧化铝构成。并且，由氧化铝构成的陶瓷基板11的厚度设定为0.3mm以上1.0mm以下的范围内，更优选为0.3mm以上0.85mm以下的范围内，第2实施方式中设定为0.38mm。

[0117] 第2实施方式中，电阻元件12由RuO2的薄膜电阻元件构成。并且，电阻元件12的厚度设定为5μm以上10μm以下，具体而言设定为7μm。

[0118] 第2实施方式中，金属电极13a、13b由Ag构成。

[0119] 并且，金属电极13a、13b的厚度设为5μm以上10μm以下，第2实施方式中设为7μm。另外，本实施方式中，设为Ag包含纯Ag或Ag合金。

[0120] 第2实施方式中，金属端子14a、14b由Cu构成。

[0121] 并且，金属端子14a、14b的厚度设为0.1mm以上0.5mm以下，第2实施方式中设为0.3mm。另外，本实施方式中，设为Cu包含纯Cu或Cu合金。

[0122] 在陶瓷基板11的另一面11b上接合有Al部件。

[0123] 本实施方式中，Al部件为缓冲层22与散热器43的层叠体。陶瓷基板11与缓冲层22通过Al-Si系钎料接合。

[0124] 并且，缓冲层22与散热器43通过Al-Si系钎料接合。这些Al-Si系钎料的熔点为600～700℃左右。利用这种Al-Si系钎料接合陶瓷基板11与缓冲层22、及缓冲层22与散热器43，能够同时防止耐热性的劣化及接合时的热劣化。

[0125] 缓冲层22为例如由纯度为99.98％以上的高纯度Al构成的薄板状部件。该缓冲层的厚度例如为0.4mm以上、2.5mm以下即可，更优选为0.6mm以上、2.0mm以下。通过在陶瓷基板11的另一面11b与散热器43之间形成这种缓冲层，能够有效地将在片状电阻元件16中产生的热传递至散热器43，从而迅速地散热。

[0126] 缓冲层的厚度能够通过卡尺等测定。

[0127] 并且，通过以纯度99.98％以上的高纯度Al形成缓冲层，变形电阻变小，能够通过该缓冲层吸收负载冷热循环时在陶瓷基板11中产生的热应力，并能够抑制对陶瓷基板11施加热应力而产生龟裂的现象。

[0128] 第2实施方式中的散热器43由散热器主体部44及从该散热器主体部44的与陶瓷基板11的接合面44a的相反面44b延伸的多个散热片45构成。多个散热片45由与散热器主体部44相同的材料例如Al或Al合金构成。这种多个散热片45可与散热器主体部44一体形成，并且也可将独立形成的多个散热片45安装于散热器主体部44的相反面44b侧。

[0129] 将多个散热片45形成于散热器主体部44的散热器43与例如第1实施方式中示出的散热器43相比，表面积大幅增加。由此，能够经由多个散热片45有效地向外部空气释放由片状电阻元件16的发热而传递的热。

[0130] 在构成散热器43的散热器主体部44的与陶瓷基板11接合的接合面44a的相反面44b上还安装有冷却器35。冷却器35通过贯穿散热器43的螺孔24、24的螺钉26、26紧固于散热器43。另外，优选在冷却器35与散热器43之间进一步形成有高传热性的润滑脂层27。

[0131] 冷却器35上形成有使形成于散热器主体部44的多个散热片45暴露于外部空气的开口部38。开口部38为以包围形成有多个散热片45的区域的方式沿着冷却器35的厚度方向贯穿的贯穿孔。通过这种开口部38，多个散热片45暴露于外部空气，散热器43能够有效地进行散热。另外，还优选在冷却器35的开口部38进一步形成用于对这种多个散热片45强制性喷吹外部空气或者吸气的电动风机等。

[0132] (电阻器的制造方法：第2实施方式)

[0133] 接着，参考图6A～图6D、图7A～图7B、图8，对第2实施方式所涉及的电阻器30的制造方法进行说明。

[0134] 图6A～图6D、图7A～图7B是分步骤地示出第2实施方式的电阻器的制造方法的剖视图。并且，图8是表示第2实施方式的电阻器的制造方法中的各工序的流程图。

[0135] 首先，如图6A所示，在陶瓷基板11的一面上的规定位置，利用厚膜印刷法印刷Ag浆料并干燥，之后以850℃烧结，由此形成由Ag构成的金属电极13a、13b(金属电极形成工序：S11)。

[0136] 接着，如图6B所示，在陶瓷基板11的一面，例如在厚度为0.3mm以上1.0mm以下的陶瓷基板11的一面，利用厚膜印刷法印刷RuO2浆料并干燥，之后以850℃烧结，由此形成由RuO2构成的厚膜电阻元件(电阻元件)12(电阻元件形成工序：S12)。

[0137] 接着，如图6C所示，在陶瓷基板11的另一面11b形成缓冲层22之后，接合具备多个散热片45的散热器43(缓冲层及散热器接合工序：S13)。缓冲层22使用例如由厚度为0.4mm～2.5mm左右、纯度为99.98％以上的高纯度Al构成的薄板状部件即可。

[0138] 接合陶瓷基板11的另一面11b与缓冲层22及散热器43时，在陶瓷基板11的另一面11b与缓冲层22之间及缓冲层22与散热器43之间夹入Al-Si系钎料箔29。并且，在真空加热炉中，沿层叠方向负载0.5kgf/cm2以上10kgf/cm2以下的焊接压力，将真空加热炉的加热温度设定为640℃以上650℃以下，保持10分钟以上60分钟以下。由此，配设于陶瓷基板11的另一面11b与缓冲层22之间及缓冲层22与散热器43之间的Al-Si系钎料箔29熔融，陶瓷基板11与散热器43经由缓冲层22接合。

[0139] 如此获得的陶瓷基板11与散热器43的接合部与例如基于焊锡的接合相比，耐热性大幅提高，且接合时无需800℃的高温，因此还能够防止已形成的电阻元件12引起热劣化。

[0140] 接着，如图6D所示，通过粘结剂层17将金属端子14a、14b分别临时固定(定位固定)于金属电极13a、13b。金属端子14a、14b为将例如由厚度为0.3mm左右的Cu构成的板材弯曲成剖面呈大致L字状即可。并且，使例如由Al线或Al带构成的金属部件18a、18b的一端侧分别与金属电极13a、13b接触，并且使金属部件18a、18b的另一端侧分别与金属端子14a、14b接触。并且，对这些接触部分进行按压(加压)的同时施加超声波，对接触部分进行超声波接合(金属部件接合工序：S14)。由此，金属电极13a、13b与金属端子14a、14b分别通过金属部件18a、18b电连接。

[0141] 接着，如图7A所示，在陶瓷基板11的一面11a，以包围片状电阻元件16的周围的方式配置模具框19。并且，在该模具框19的内部填充已软化的绝缘性树脂，从而形成密封片状电阻元件16及金属端子14a、14b的一部分的密封树脂21(密封树脂形成工序：S15)。

[0142] 接着，如图7B所示，在散热器43的下表面中未形成有散热片45的螺孔24、24的开口面的周围形成由耐热润滑脂构成的润滑脂层27。并且，利用螺钉26、26将冷却器35安装于散热器43(冷却器安装工序：S16)。此时，安装成散热片45进入形成于冷却器35的开口部38的内部，散热片45经由开口部38而暴露于外部。经过以上的工序，能够制造第2实施方式所涉及的电阻器30。

[0143] 根据如上构成的本实施方式所涉及的电阻器30及其制造方法，利用Al-Si系钎料接合陶瓷基板11与散热器43，因此即使电阻元件12发热而变成高温，与例如如以往那样使用焊锡材料接合时相比，能够充分维持接合强度，且耐热性优异。另一方面，与如以往那样使用Ag-Cu-Ti系钎料接合时相比，能够降低接合温度，因此能够可靠地防止接合时的电阻元件12的热劣化。并且，能够减少陶瓷基板11及电阻元件12的热负载，并且能够简化制造工序，降低制造成本。

[0144] 并且，本实施方式中，利用细长的线状部件例如Al线、Al带等电连接金属电极13a、13b与金属端子14a、14b，并未通过导电层等直接接合金属电极13a、13b与金属端子14a、
14b，因此即使电阻元件12经过反复通电时的发热与非通电时的降热的温度循环，金属电极
13a、13b与金属端子14a、14b也不会引起导通不良。

[0145] 并且，通过将由AlN构成的陶瓷基板11的厚度设为0.3mm以上1.0mm以下，即使电阻元件12的发热次数较多，也能够抑制陶瓷基板11产生龟裂。

[0146] 而且，通过将由Cu构成的金属端子14a、14b的厚度设为0.1mm以上，能够确保作为端子的强度，并且能够使比较大的电流流过。并且，通过将金属端子14a、14b的厚度设为0.3mm以下，即使电阻元件12的发热次数较多，也能够抑制陶瓷基板11产生龟裂。

[0147] 并且，通过作为密封树脂21使用热膨胀系数(线性膨胀系数)为8ppm/℃～20ppm/℃的范围的绝缘性树脂，能够将伴随电阻元件12的发热的密封树脂21的热膨胀引起的体积变化抑制在最小。通过这种结构，能够防止由于对被密封树脂21覆盖的片状电阻元件16和金属端子14a、14b施加过剩的应力而接合部分受到损伤，从而引起导通不良等不良情况的现象。

[0148] 并且，散热器43通过具备散热片45、45……，与例如第1实施方式所示的散热器43相比，能够大幅增加表面积。由此，能够经由多个散热片45有效地向外部空气释放由片状电阻元件16的发热而传递的热，冷却功能进一步提高。

[0149] 以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于此，能够在不脱离本发明的技术思想的范围内进行适当变更。

[0150] 另外，第2实施方式中，在陶瓷基板11与散热器43之间形成有缓冲层22，但也可不设置这种缓冲层22，而是构成为以陶瓷基板11与散热器43通过Al-Si系钎料直接相接的方式接合。

[0151] 并且，第1实施方式、第2实施方式中，经由由Al线或Al带构成的金属部件18a、18b电连接金属电极13a、13b与金属端子14a、14b，但也可不经由连接部件等而直接电接合金属电极13a、13b与金属端子14a、14b。此时，金属电极13a、13b与金属端子14a、14b通过超声波接合或使用导电性钎料的接合而相互接合即可。

[0152] 并且，上述实施方式中，对在陶瓷基板的一面形成电阻元件之后形成金属电极的情况进行了说明，但也可构成为在形成金属电极之后形成电阻元件。

[0153] 并且，第1实施方式、第2实施方式中，密封片状电阻元件16及金属端子14a、14b的一部分的密封树脂21的形成并不限定于各实施方式中公开的顺序。例如，可在安装冷却器之后通过密封树脂21进行密封。

[0154] 并且，第2实施方式中，通过Al-Si系钎料接合缓冲层22与散热器43，但也可使用Al-Cu系钎料或Al-Si-Mg系钎料等。除此以外，例如可预先通过Al-Si系钎料接合陶瓷基板与缓冲层之后，通过利用助焊剂的钎焊等接合缓冲层与散热器。

[0155] 实施例

[0156] [实施例1]

[0157] 以下，对为了确认本发明的效果而进行的第1确认实验(实施例1)的结果进行说明。

[0158] (本发明例1-1)

[0159] 在由AlN构成的陶瓷基板(15mm×11mm×0.635mmt)的一面，利用溅射法形成Ta-Si系的电阻元件(10mm×10mm×0.5μm)。而且，利用溅射法，在陶瓷基板的一面的规定位置形成由Cu构成的金属电极(厚度：1.6μm)。并且，通过溅射法预先形成Cr层作为金属电极的基底层。

[0160] 接着，在陶瓷基板的另一面，经由Al-Si系钎料箔层叠由4N-Al构成的缓冲层，经由Al-Si系钎料箔层叠由Al合金(A1050)构成的散热器(20mm×13mm×3mmt)。并且，沿层叠方向施加5kgf/cm2的焊接压力，在真空气氛下，以645℃保持30分钟，通过Al-Si系钎料接合陶瓷基板与散热器。在金属电极上通过粘结剂固定由Cu构成的金属端子(厚度：0.3μm)，并通过Al线电连接金属电极与金属端子。金属电极及金属端子与Al线分别施加超声波来进行接合。而且，通过螺钉将散热器紧固于冷却器，从而制造本发明例1的电阻器。

[0161] (本发明例1-2)

[0162] 在由氧化铝构成的陶瓷基板(15mm×11mm×0.38mmt)的一面，利用厚膜印刷法，在陶瓷基板的一面的规定位置印刷Ag浆料并干燥，之后以850℃烧结，由此形成厚膜金属电极(厚度：7μm)。而且，印刷厚膜印刷用RuO2浆料并干燥，之后以850℃烧结，由此形成由RuO2构成的电阻元件(10mm×10mm×7μmt)。

[0163] 接着，在陶瓷基板的另一面，经由Al-Si系钎料箔层叠由Al合金(A1050)材构成的散热器(20mm×13mm×3mmt)。

[0164] 并且，沿层叠方向施加5kgf/cm2的焊接压力，在真空气氛下，以645℃保持30分钟，由此通过Al-Si系钎料接合陶瓷基板与散热器。并且，通过粘结剂在金属电极上固定由Cu构成的金属端子(厚度：0.3μm)，通过Al线电连接金属电极与金属端子。金属电极及金属端子与Al线分别施加超声波来进行接合。而且，通过螺钉将散热器紧固于冷却器，从而制造本发明例2的电阻器。

[0165] (现有例1)

[0166] 在由AlN构成的陶瓷基板(15mm×11mm×0.635mmt)的一面，利用溅射法形成由Ta-Si系构成的电阻元件(10mm×10mm×0.5μmt)。而且，利用溅射法，在陶瓷基板的一面的规定位置形成由Cu构成的金属电极(厚度：1.6μm)。

[0167] 接着，在金属电极上，使用焊锡材料(Sn-Ag焊锡)以220℃接合金属端子(厚度：0.3μm)。并且，在陶瓷基板的另一面上，也利用焊锡材料以200℃接合由Al合金(A1050)材构成的散热器。另外，散热器的焊接在对散热器实施镀Ni之后进行。而且，通过螺钉将散热器紧固于冷却器，从而制造现有例1的电阻器。

[0168] 对如上制造的电阻器实施以下说明的耐热试验，并进行耐热性评价。

[0169] (耐热试验)

[0170] 将电阻器的金属端子连接于电源并施加300V～500V的电压，通过红外线测温仪测定电阻元件的表面温度，若电阻元件的表面温度达到规定温度，则以该温度保持规定时间之后，切断电源。并且，若电阻元件的表面温度下降至30℃，则再次进行前述电压施加操作。反复该操作来实施使电阻元件发热5次的耐热试验。另外，上述的规定温度设定为150℃、
300℃、500℃。

[0171] (耐热性的评价)

[0172] 在耐热试验之后的电阻器中，未出现金属电极与金属端子的接合部的接合强度的下降及陶瓷基板与散热器(本发明例1-1中为缓冲层)的接合部的接合强度的下降时，评价为“A”。并且，接合强度的下降在自初始值30％以内时评价为“B”。并且，金属端子及散热器(本发明例1-1中为缓冲层)在耐热试验中从接合部脱落时评价为“C”。

[0173] 将该评价结果示于表1。

[0174] 关于接合强度的测定，保持耐热试验之后的电阻器，并沿水平拉伸金属端子来测定。并且，关于陶瓷基板与散热器(本发明例1-1中为缓冲层)的接合强度，在切割为适当的形状之后，保持散热器部分，测定界面中的剪切强度。

[0175] [表1]

[0176]

[0177] 如表1所示，可确认到本发明例1及本发明例2的电阻器中，在150℃、300℃、500℃的耐热试验中，未出现接合强度的下降，耐热性良好。

[0178] 另一方面，现有例1的电阻器中，300℃的耐热试验中，焊锡材料的一部分熔融而出现接合强度的下降。并且，500℃的耐热试验中，焊锡材料熔融而金属端子及散热器从接合部脱落。

[0179] [实施例2]

[0180] 接着，对为了确认本发明的效果而进行的第2确认实验(实施例2)的结果进行说明。

[0181] 用于第2确认实验的本发明例2-1～2-21的电阻器的规格如表2所示。

[0182] 另外，散热器、散热片的材质设为Al合金(A1050)。缓冲层的材质设为具有表2所述的纯度的Al。密封树脂的材质设为在环氧树脂中混合SiO2填充剂，且具有表2所述的热膨胀系数的树脂。以如下方式制备了密封树脂，即，密封树脂的热膨胀系数为5ppm/℃的树脂中SiO2填充剂为90％，8ppm/℃的树脂中的SiO2填充剂为84％，16ppm/℃的树脂中的SiO2填充剂为72％，20ppm/℃的树脂中的SiO2填充剂为69％。

[0183] 除此以外的结构与第1实施方式、第2实施方式相同。

[0184] 针对如上结构的本发明例2-1～2-21的电阻器，验证剥离率、龟裂产生次数及耐压特性。

[0185] (1)剥离率：评价反复1000次温度循环(-40～125℃)之后的陶瓷基板与缓冲层的剥离状况及剥离率。剥离率根据以下公式(1)求出。

[0186] (剥离率)＝(剥离面积)/(陶瓷基板的面积)×100……(1)

[0187] 另外，针对反复温度循环时陶瓷基板产生龟裂的情况未评价剥离率。

[0188] (2)龟裂产生次数：以温度循环次数200次为单位，通过目视观察反复温度循环(-40～125℃)之后的陶瓷基板的龟裂产生。反复1000次之后陶瓷基板未产生龟裂时，评价为“未产生”。

[0189] (3)耐压特性：当散热器与金属电极之间的绝缘耐压为1.2kV/mm以上时评价为A，超过0.9kV/mm且小于1.2kV/mm时评价为B，变成0.9kV/mm以下时评价为C。

[0190] 将如上的本发明例2-1～2-21的电阻器的规格及实施温度循环之后的评价项目的结果总结在表2中。

[0191] 另外，表2中未示出的散热器(Al部件)中的对置面的弯曲程度分别为如下，即，本发明例2-1：81μm/50mm、本发明例2-2：80μm/50mm、本发明例2-3：85μm/50mm、本发明例2-4：81μm/50mm、本发明例2-5：82μm/50mm、本发明例2-6：80μm/50mm、本发明例2-7：92μm/50mm、本发明例2-8：57μm/50mm、本发明例2-9：98μm/50mm、本发明例2-10：48μm/50mm、本发明例2-
11：250μm/50mm、本发明例2-12：33μm/50mm、本发明例2-13：520μm/50mm、本发明例2-14：30μm/50mm、本发明例2-15：71μm/50mm、本发明例2-16：88μm/50mm、本发明例2-17：55μm/50mm、本发明例2-18：98μm/50mm、本发明例2-19：77μm/50mm、本发明例2-20：68μm/50mm、本发明例
2-21：70μm/50mm。

[0192]

[0193] 根据表2，从这些结果可知，陶瓷基板的材质优选使用氧化铝。

[0194] 并且，确认到陶瓷基板的厚度优选形成为0.3mm～1.0mm的范围。

[0195] 并且，确认到散热器的厚度优选形成为2mm～10mm的范围。

[0196] 并且，确认到缓冲层的厚度优选形成为0.4mm～2.5mm的范围。

[0197] 并且，确认到构成缓冲层的Al纯度优选设为99.98％以上。

[0198] 并且，确认到密封树脂优选使用热膨胀系数为8ppm/℃以上、20ppm/℃以下的范围的树脂。

[0199] 符号说明

[0200] 10、30-电阻器，11-陶瓷基板，12-电阻元件，13a、13b-金属电极，14a、14b-金属端子，18a、18b-金属部件，22-缓冲层，23、43-散热器(散热部件)、45-散热片。