一种触控电极结构、触摸屏及显示装置

摘要

本发明公开了一种触控电极结构、触摸屏及显示装置，该触控电极结构包括多个呈平行四边形的自电容电极组；其中，每个所述自电容电极组包括两个形状为三角形且相互绝缘且互补排布的自电容电极。相当于在保证触控精度不变的前提下将现有的四个矩形的并排排布的自电容电极合并为两个呈三角形的互补排布的自电容电极，这样，在保证触摸屏的触控精度的前提下，减少了自电容电极的数量，从而减少了与自电容电极一一对应连接的导线的数量，进而可以提高触摸屏的开口率，减小边框宽度和触控侦测芯片所占面积。

权利要求

1.一种触控电极结构，其特征在于，包括：多个呈平行四边形的自电容电极组；

其中，每个所述自电容电极组包括两个形状为三角形且相互绝缘且互补排布的自电容电极，所述自电容电极的形状为等腰三角形；

所述等腰三角形的底的长度为触控精度的二倍，以及等腰三角形的高的长度为所述触控精度的二倍；或所述等腰三角形的底的长度为所述触控精度的四倍，以及等腰三角形的高的长度为所述触控精度；

其中，所述触控精度为与所述触控电极匹配的屏幕的触控精度。

2.如权利要求1所述的触控电极结构，其特征在于，各所述自电容电极的形状一致且尺寸相同。

3.一种触摸屏，其特征在于，包括如权利要求1、2所述的触控电极结构。

4.如权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，还包括：位于所述触摸屏的显示区域内的与各所述自电容电极一一对应连接的导线，位于所述触摸屏的边框区域内的与各所述导线一一对应连接的第一周边走线，以及与各所述第一周边走线电性连接且用于在触控时间段通过检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片。

5.如权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，还包括：呈矩阵排列的多个像素单元，以及与各列所述像素单元一一对应连接的数据线；

所述导线位于所述数据线所在的相邻的两列像素单元之间的间隙处，所述导线与所述数据线同层设置且相互绝缘。

6.如权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，还包括：呈矩阵排列的多个像素单元，以及与各列所述像素单元一一对应连接的数据线；

所述导线与所述数据线异层设置、相互绝缘且相互重叠。

7.如权利要求5或6所述的触摸屏，其特征在于，还包括：位于所述触摸屏的边框区域内的与各所述数据线一一对应连接的第二周边走线；

所述第一周边走线与所述第二周边走线异层设置且相互绝缘。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求3-7任一项所述的触摸屏。

说明书

一种触控电极结构、触摸屏及显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控电极结构、触摸屏及显示装置。

背景技术

[0002] 随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。触摸屏按照原理可以分为：电容传感式触摸屏、电阻传感式触摸屏和光学传感式触摸屏等；其中，电容传感式触摸屏又包括自电容传感式触摸屏和互电容传感式触摸屏。与互电容传感式触摸屏相比，自电容传感式触摸屏的触控的信噪比较高，触控感应的准确性较高。

[0003] 在现有的自电容传感式触摸屏中，如图1所示，设置有同层设置且相互绝缘的多个自电容电极101、与各自电容电极101一一对应且电性连接的多条导线102，以及通过导线102与各自电容电极101电性连接的触控侦测芯片103。如图2A所示，当人体未触碰屏幕时，自电容电极101所承受的电容为一固定值Cp，如图2B所示，当人体触碰屏幕时，自电容电极
101所承受的电容为固定值Cp叠加人体电容△C，触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。

[0004] 在上述自电容传感式触摸屏中，为了保证触控精度，一般设置较多数量的自电容电极，相应地，导线的数量也会较多，位于边框区域内的与导线一一对应连接的周边走线的数量也会较多，这样，不利于触摸屏实现窄边框的设计；并且，触控侦测芯片中用于连接周边走线的接线端子的数量也会较多，从而会使触控侦测芯片所占面积较大，进而会使触摸屏的制作成本较大；此外，上述触摸屏在制作过程中，为了不额外增加掩模次数，一般将导线与数据线同层并排设置，这样势必会影响触摸屏的开口率。

[0005] 综上所述，目前在自电容传感式触摸屏中设置较多数量的自电容电极，使得导线的数量较多，从而导致触摸屏的边框宽度和触控侦测芯片所占面积较大，并且影响触摸屏的开口率。

发明内容

[0006] 本发明提供一种触控电极结构、触摸屏及显示装置，用以解决现有技术在自电容传感式触摸屏中设置较多数量的自电容电极，使得导线的数量较多，从而导致触摸屏的边框宽度和触控侦测芯片所占面积较大，并且影响触摸屏的开口率的问题。

[0007] 基于上述问题，本发明实施例提供一种触控电极结构，包括：

[0008] 多个呈平行四边形的自电容电极组；

[0009] 其中，每个所述自电容电极组包括两个形状为三角形且相互绝缘且互补排布的自电容电极。

[0010] 由于本发明实施例的触控电极结构包括多个呈平行四边形的自电容电极组，并且每个自电容电极组包括两个形状为三角形且相互绝缘且互补排布的自电容电极，相当于在保证触控精度不变的前提下将现有的四个矩形的并排排布的自电容电极合并为两个呈三角形的互补排布的自电容电极，这样，在保证触摸屏的触控精度的前提下，减少了自电容电极的数量，从而减少了与自电容电极一一对应连接的导线的数量，进而可以提高触摸屏的开口率，减小边框宽度和触控侦测芯片所占面积。

[0011] 可选的，各所述自电容电极的形状一致且尺寸相同。

[0012] 由于本发明实施的每个自电容电极的形状一致且尺寸相同，在本发明实施例提供的触控电极结构应用于触摸屏中时，可以统一触摸屏的触控精度，从而可以提高触摸屏的触控灵敏度。

[0013] 可选的，所述自电容电极的形状为等腰三角形。

[0014] 所述等腰三角形的底的长度为单个像素尺寸的二倍，以及等腰三角形的高的长度也为单个像素尺寸的二倍；或

[0015] 所述等腰三角形的底的长度为单个像素尺寸的四倍，以及等腰三角形的高的长度为单个像素的尺寸；

[0016] 其中，所述单个像素尺寸为与所述触控电极匹配的屏幕的单个像素尺寸。

[0017] 由于本发明实施的自电容电极的形状为等腰三角形，并且提供了两种具体形状的等腰三角形，保证触摸区域与自电容电极的电容变化值一一对应，从而根据自电容电极的电容变化，精确确定触摸区域。

[0018] 另一方面，本发明实施例提供一种触摸屏，包括：本发明实施例提供的上述触控电极结构。

[0019] 可选的，本发明实施例的触摸屏还包括：位于所述触摸屏的显示区域内的与各所述自电容电极一一对应连接的导线，位于所述触摸屏的边框区域内的与各所述导线一一对应连接的第一周边走线，以及与各所述第一周边走线电性连接且用于在触控时间段通过检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片。

[0020] 由于本发明实施例的触摸屏包括与自电容连接的导线，与导线连接的第一周边走线，以及用于检测自电容电极容值变化的触控侦测芯片，从而能够准确确触摸位置。

[0021] 可选的，本发明实施例的触摸屏还包括：呈矩阵排列的多个像素单元，以及与各列所述像素单元一一对应连接的数据线；

[0022] 所述导线位于所述数据线所在的相邻的两列像素单元之间的间隙处，所述导线与所述数据线同层设置且相互绝缘。

[0023] 可选的，本发明实施例的触摸屏还包括：呈矩阵排列的多个像素单元，以及与各列所述像素单元一一对应连接的数据线；

[0024] 所述导线与所述数据线异层设置、相互绝缘且相互重叠。

[0025] 由于本发明实施例的触摸屏还包括多个像素单元，以及与像素单元对应连接的数据线，并且具体提供了两种数据线与导线的位置关系，从而使得触摸屏的设计更加灵活。

[0026] 可选的，本发明实施例的触摸屏还包括：位于所述触摸屏的边框区域内的与各所述数据线一一对应连接的第二周边走线；

[0027] 所述第一周边走线与所述第二周边走线异层设置且相互绝缘。

[0028] 由于本发明实施例的触摸屏采用上述的触控电极结构，可以有效的减少与自电容电极一一对应连接的导线的数量从而减少与导线一一对应连接的第一周边走线的数量，从而触摸屏内部有较大的空间能够放置与数据线对应的第二周边走线，使得第一周边走线与第二周边走线能够异层设置降低触摸屏制作成本。

[0029] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述触摸屏。

附图说明

[0030] 图1为现有的自电容传感式触摸屏的结构示意图；；

[0031] 图2A为现有的自电容传感式触摸屏在发生触摸前的工作原理图；

[0032] 图2B为现有的自电容传感式触摸屏在发生触摸后的工作原理图；

[0033] 图3为本发明实施例提供的触控电极结构的结构示意图；

[0034] 图4为现有的触控电极结构与本发明实施例提供的触控电极结构的结构比较示意图；

[0035] 图5为本发明实施例提供的第一种触控电极结构的结构示意图；

[0036] 图6A-图6P分别为本发明实施例提供的第一种触控电极结构中不同触点位置的判定的示意图；

[0037] 图7为本发明实施例提供的第二种触控电极结构的结构示意图；

[0038] 图8A-图8P分别为本发明实施例提供的第二种触控电极结构中不同触点位置的判定的示意图；

[0039] 图9A为本发明实施例提供的第一种触控电极结构对应触摸屏的结构示意图；

[0040] 图9B为本发明实施例提供的第二种触控电极结构对应触摸屏的结构示意图；

[0041] 图10-图11分别为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图。

具体实施方式

[0042] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0043] 附图中各部件的形状和尺寸不反映其真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

[0044] 本发明实施例提供的一种触控电极结构，包括：多个呈平行四边形的自电容电极组；

[0045] 其中，每个所述自电容电极组包括两个形状为三角形且相互绝缘且互补排布的自电容电极。

[0046] 如图3所示的触控电极结构，包括多个呈平行四边形的自电容电极组。其中，一个自电容电极组的结构如图3中虚线框所示的结构，包括两个三角形的自电容电极，图3示出两行的自电容电极组。

[0047] 本发明实施例提供的上述触控电极结构，相当于在保证触控精度不变的前提下将现有的四个矩形的并排排布的自电容电极合并为两个呈三角形且互补排布的自电容电极。

[0048] 例如，如图4所示，上图为现有技术中的触控电极结构，包括八个矩形的并排排布的自电容电极，分别为自电容电极A、B、C、D、E、F、G、H；下图为本发明实施例的触控电极结构，包括自电容电极J、K、L、M、N；并且，每两个自电容电极之间相互绝缘。

[0049] 其中，本发明实施例的触控电极结构中的自电容电极K，是由现有技术的自电容电极A的四分之三，自电容电极B的四分之三，自电容电极E的四分之一，以及自电容电极F的四分之一构成。因此，本发明实施例的一个自电容电极的面积等于现有技术的两个自电容电极的面积之和。这样，在保证触摸屏的触控精度的前提下，可以减少自电容电极的数量，相应地可以减少与自电容电极一一对应连接的导线的数量，从而可以提高触摸屏的开口率，并且，也可以减少与导线一一对应连接的周边走线的数量，从而可以减小触摸屏的边框宽度，此外，还可以减少触控侦测芯片中用于连接周边走线的接线端子的数量，从而可以减小触控侦测芯片所占面积。

[0050] 可选的，本发明实施例的各所述自电容电极的形状一致且尺寸相同。

[0051] 由于本发明实施的每个自电容电极的形状一致且尺寸相同，在本发明实施例提供的触控电极结构应用于触摸屏中时，可以统一触摸屏的触控精度，从而可以提高触摸屏的触控灵敏度。

[0052] 进一步地，在本发明实施例提供的上述触控电极结构中，每个自电容电极的形状为等腰三角形。

[0053] 本发明实施例提供两种形状的自电容电极。下面针对不同形状的自电容电极分别进行说明。

[0054] 一、等腰三角形的底和高的长度相等。

[0055] 可选的，等腰三角形的底的长度为触控精度的二倍，以及等腰三角形的高的长度为所述触控精度的二倍。

[0056] 其中，所述触控精度为与该触控电极匹配的屏幕的触控精度。

[0057] 本发明实施例的触控精度是指能够识别到的最小的触摸区域的尺寸。在触摸区域为圆形时，该触控精度为圆形触摸区域的直径；在触摸区域为正方形时，该触控精度为正方形触摸区域的边长。

[0058] 本发明实施例的自电容电极的形状为底和高相等的等腰三角形时，自电容电极的结构如图5所示，图5所示的图中共包括八个自电容电极，分别为电极A、B、C、D、E、F、G、H，并且每两个电极之间相互绝缘。

[0059] 需要说明的是，图1、图3、图4和图5所示的触控电极结构的触控精度均相同。

[0060] 下面以触摸区域为正方形，并且触控精度是4mm为例，说明本发明实施例的自电容电极确定触控区域的方法。

[0061] 针对图4中上图所示的现有技术的触控电极结构，自电容电极均为边长为4mm的正方形结构，这样，在尺寸大于或等于4mm的导体(例如手指)接触触摸屏时，可以通过自电容电极的电容值的变化准确确定触点的位置。其中，在尺寸大于4mm的导体接触触摸屏时，确定导体接触区域的中心位置，以中心位置为中心，形成边长为4mm的正方形触摸区域，通过判断该正方形区域的位置，确定导体的触摸区域。

[0062] 如图5所示，自电容电极A为等腰三角形，并且，等腰三角形的底和高均为4mm，在尺寸大于或等于4mm的导体(例如手指)接触触摸屏时，可以通过自电容电极的电容值的变化准确确定触点的位置。

[0063] 下面分别针对图5中的十六个触点位置(1-16)的判定方法进行详细说明。

[0064] 如图6A所示，当触摸到区域1时，即触摸到A电极和B电极，而且区域1中，A、B电极所占的面积比是3:1，那么A、B电极的对地自容变化量的比值是3:1。也就是说，当感应到只有A、B电极的对地自容发生变化，且电容变化量是3:1时，说明触控行为发生在区域1。

[0065] 如图6B所示，当触摸到区域2时，即触摸到A电极和B电极，而且区域2中，A、B电极所占的面积比是1:1，那么A、B电极的对地自容变化量的比值是1:1。也就是说，当感应到只有A、B电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:1时，说明触控行为发生在区域2。

[0066] 如图6C所示，当触摸到区域3时，即触摸到A电极和B电极，而且区域3中，A、B电极所占的面积比是1:3，那么A、B电极的对地自容变化量的比值是1:3。也就是说，当感应到只有A、B电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:3时，说明触控行为发生在区域3。

[0067] 如图6D所示，当触摸到区域4时，即触摸到A、B、E、F电极，而且区域4中，A、F电极所占的面积比是1:1，B、E电极所占的面积比是1:1，那么A、F电极的对地自容变化量的比值是1:1，B、E电极的对地自容变化量的比值是1:1。也就是说，当感应到只有A、B、E、F电极的对地自容发生变化，且A与F的电容变化量是1:1，B与E的电容变化量也是1:1时，说明触控行为发生在区域4。

[0068] 如图6E所示，当触摸到区域5时，即触摸到A、B、C电极，而且区域5中，A、B、C电极所占的面积比是1:2:1，那么A、B、C电极的对地自容变化量的比值是1:2:1。也就是说，当感应到只有A、B、C电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:2:1时，说明触控行为发生在区域5。

[0069] 如图6F所示，当触摸到区域6时，即触摸到A、B、C电极，而且区域6中，A、B、C电极所占的面积比是1:14:1，那么A、B、C电极的对地自容变化量的比值是1:14:1。也就是说，当感应到只有A、B、C电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:14:1时，说明触控行为发生在区域6。

[0070] 如图6G所示，当触摸到区域7时，即仅触摸到B电极，那么仅有B电极的对地自容发生变化。也就是说，当感应到只有B电极的对地自容发生变化时，说明触控行为发生在区域7。

[0071] 如图6H所示，当触摸到区域8时，即触摸到B、E、F、G电极，而且区域8中，B、E、F、G电极所占的面积比是8:3:2:3，那么B、E、F、G电极的对地自容变化量的比值是8:3:2:3。也就是说，当感应到只有B、E、F、G电极的对地自容发生变化，且B、E、F、G的电容变化量是8:3:2:3时，说明触控行为发生在区域8。

[0072] 如图6I所示，当触摸到区域9时，即触摸到B、C电极，而且区域9中，B、C电极所占的面积比是1:3，那么B、C电极的对地自容变化量的比值是1:3。也就是说，当感应到只有B、C电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:3时，说明触控行为发生在区域9。

[0073] 如图6J所示，当触摸到区域10时，即触摸到B、C电极，而且区域10中，B、C电极所占的面积比是1:1，那么B、C电极的对地自容变化量的比值是1:1。也就是说，当感应到只有B、C电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:1时，说明触控行为发生在区域10。

[0074] 如图6K所示，当触摸到区域11时，即触摸到B、C电极，而且区域11中，B、C电极所占的面积比是3:1，那么B、C电极的对地自容变化量的比值是3:1。也就是说，当感应到只有B、C电极的对地自容发生变化，且电容变化量是3:1时，说明触控行为发生在区域11。

[0075] 如图6L所示，当触摸到区域12时，即触摸到B、C、F、G电极，而且区域12中，B、C、F、G电极所占的面积比是7:1:1:7，那么B、C、F、G电极的对地自容变化量的比值是7:1:1:7。也就是说，当感应到只有B、C、F、G电极的对地自容发生变化，且B、C、F、G的电容变化量是7:1:1:7时，说明触控行为发生在区域12。

[0076] 如图6M所示，当触摸到区域13时，即仅触摸到C电极，那么仅有C电极的对地自容发生变化。也就是说，当感应到只有C电极的对地自容发生变化时，说明触控行为发生在区域13。

[0077] 如图6N所示，当触摸到区域14时，即触摸到B、C、D电极，而且区域14中，B、C、D电极所占的面积比是1:14:1，那么B、C、D电极的对地自容变化量的比值是1:14:1。也就是说，当感应到只有B、C、D电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:14:1时，说明触控行为发生在区域14。

[0078] 如图6O所示，当触摸到区域15时，即触摸到B、C、D电极，而且区域15中，B、C、D电极所占的面积比是1:2:1，那么B、C、D电极的对地自容变化量的比值是1:2:1。也就是说，当感应到只有B、C、D电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:2:1时，说明触控行为发生在区域15。

[0079] 如图6P所示，当触摸到区域16时，即触摸到B、C、D、G电极，而且区域16中，B、C、D、G电极所占的面积比是3:2:3:8，那么B、C、D、G电极的对地自容变化量的比值是3:2:3:8。也就是说，当感应到只有B、C、D、G电极的对地自容发生变化，且B、C、D、G的电容变化量是3:2:3:8时，说明触控行为发生在区域16。

[0080] 需要说明的是，本发明实施例提供的上述触控电极结构中其他触点位置的判定方法与上述十六个触点位置的判定方法类似，在此不做赘述。

[0081] 二、等腰三角形的底的长度是高的长度的四倍。

[0082] 可选的，等腰三角形的底的长度为所述触控精度的四倍，以及等腰三角形的高的长度为所述触控精度。

[0083] 其中，所述触控精度为与该触控电极匹配的屏幕的触控精度。

[0084] 本发明实施例的触控精度是指能够识别到的最小的触摸区域的尺寸。在触摸区域为圆形时，该触控精度为圆形触摸区域的直径；在触摸区域为正方形时，该触控精度为正方形触摸区域的边长。

[0085] 本发明实施例的自电容电极的形状为等腰三角形，并且等腰三角形底的长度是高的长度的四倍时，自电容电极的结构如图7所示，图7所示的图中共包括八个自电容电极，分别为电极K、L、M、N、O、P、Q、R，并且每两个电极之间相互绝缘。

[0086] 需要说明的是，图1、图3、图4、图5和图7所示的触控电极结构的触控精度均相同。

[0087] 下面以触摸区域为正方形，并且触控精度是4mm为例，说明本发明实施例的自电容电极确定触控区域的方法。

[0088] 针对图4中上图所示的现有技术的触控电极结构，自电容电极均为边长为4mm的正方形结构，这样，在尺寸大于或等于4mm的导体(例如手指)接触触摸屏时，可以通过自电容电极的电容值的变化准确确定触点的位置。其中，在尺寸大于4mm的导体接触触摸屏时，确定导体接触区域的中心位置，以中心位置为中心，形成边长为4mm的正方形触摸区域，通过判断该正方形区域的位置，确定导体的触摸区域。

[0089] 如图7所示，自电容电极A为等腰三角形，并且，等腰三角形的底和高均为4mm，在尺寸大于或等于4mm的导体(例如手指)接触触摸屏时，可以通过自电容电极的电容值的变化准确确定触点的位置。

[0090] 下面分别针对图7中的十六个触点位置(1-16)的判定方法进行详细说明。

[0091] 如图8A所示，当触摸到区域1时，即触摸到K电极和L电极，而且区域1中，K、L电极所占的面积比是3:1，那么K、L电极的对地自容变化量的比值是3:1。也就是说，当感应到只有K、L电极的对地自容发生变化，且电容变化量是3:1时，说明触控行为发生在区域1。

[0092] 如图8B所示，当触摸到区域2时，即触摸到K电极和L电极，而且区域2中，K、L电极所占的面积比是1:1，那么K、L电极的对地自容变化量的比值是1:1。也就是说，当感应到只有K、L电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:1时，说明触控行为发生在区域2。

[0093] 如图8C所示，当触摸到区域3时，即触摸到K电极和L电极，而且区域3中，K、L电极所占的面积比是1:3，那么K、L电极的对地自容变化量的比值是1:3。也就是说，当感应到只有K、L电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:3时，说明触控行为发生在区域3。

[0094] 如图8D所示，当触摸到区域4时，即触摸到K、L、M电极，而且区域4中，K、L、M电极所占的面积比是1:14:1，那么K、L、M电极的对地自容变化量的比值是1:14:1。也就是说，当感应到只有K、L、M电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:14:1时，说明触控行为发生在区域4。

[0095] 如图8E所示，当触摸到区域5时，即触摸到L电极和M电极，而且区域5中，L、M电极所占的面积比是3:1，那么K、L电极的对地自容变化量的比值是3:1。也就是说，当感应到只有L、M电极的对地自容发生变化，且电容变化量是3:1时，说明触控行为发生在区域5。

[0096] 如图8F所示，当触摸到区域6时，即触摸到L电极和M电极，而且区域6中，L、M电极所占的面积比是1:1，那么L、M电极的对地自容变化量的比值是1:1。也就是说，当感应到只有L、M电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:1时，说明触控行为发生在区域6。

[0097] 如图8G所示，当触摸到区域7时，即触摸到L电极和M电极，而且区域7中，L、M电极所占的面积比是1:3，那么L、M电极的对地自容变化量的比值是1:3。也就是说，当感应到只有L、M电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:3时，说明触控行为发生在区域7。

[0098] 如图8H所示，当触摸到区域8时，即触摸到L、M、N电极，而且区域8中，L、M、N电极所占的面积比是1:14:1，那么L、M、N电极的对地自容变化量的比值是1:14:1。也就是说，当感应到只有L、M、N电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:14:1时，说明触控行为发生在区域8。

[0099] 如图8I所示，当触摸到区域9时，即触摸到K、L、O电极，而且区域8中，K、L、O电极所占的面积比是1:1:2，那么K、L、O电极的对地自容变化量的比值是1:1:2。也就是说，当感应到只有K、L、O电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:1:2时，说明触控行为发生在区域9。

[0100] 如图8J所示，当触摸到区域10时，即触摸到K、L、O、P电极，而且区域10中，K、L、O、P电极所占的面积比是1:7:7:1，那么K、L、O、P电极的对地自容变化量的比值是1:7:7:1。也就是说，当感应到只有K、L、O、P电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:7:7:1时，说明触控行为发生在区域10。

[0101] 如图8K所示，当触摸到区域11时，即触摸到L、O、P电极，而且区域11中，L、O、P电极所占的面积比是2:1:1，那么L、O、P电极的对地自容变化量的比值是2:1:1。也就是说，当感应到只有L、O、P电极的对地自容发生变化，且电容变化量是2:1:1时，说明触控行为发生在区域11。

[0102] 如图8L所示，当触摸到区域12时，即触摸到L、O、P、Q电极，而且区域12中，L、O、P、Q电极所占的面积比是8:1:6:1，那么L、O、P、Q电极的对地自容变化量的比值是8:1:6:1。也就是说，当感应到只有L、O、P、Q电极的对地自容发生变化，且电容变化量是8:1:6:1时，说明触控行为发生在区域12。

[0103] 如图8M所示，当触摸到区域13时，即触摸到L、P、Q电极，而且区域13中，L、P、Q电极所占的面积比是2:1:1，那么L、P、Q电极的对地自容变化量的比值是2:1:1。也就是说，当感应到只有L、P、Q电极的对地自容发生变化，且电容变化量是2:1:1时，说明触控行为发生在区域13。

[0104] 如图8N所示，当触摸到区域14时，即触摸到L、M、P、Q电极，而且区域14中，L、M、P、Q电极所占的面积比是7:1:1:7，那么L、M、P、Q电极的对地自容变化量的比值是7:1:1:7。也就是说，当感应到只有L、M、P、Q电极的对地自容发生变化，且电容变化量是7:1:1:7时，说明触控行为发生在区域14。

[0105] 如图8O所示，当触摸到区域15时，即触摸到L、M、Q电极，而且区域15中，L、M、Q电极所占的面积比是1:1:2，那么L、M、Q电极的对地自容变化量的比值是1:1:2。也就是说，当感应到只有L、M、Q电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:1:2时，说明触控行为发生在区域15。

[0106] 如图8P所示，当触摸到区域16时，即触摸到L、M、N、Q电极，而且区域16中，L、M、N、Q电极所占的面积比是1:6:1:8，那么L、M、N、Q电极的对地自容变化量的比值是1:6:1:8。也就是说，当感应到只有L、M、N、Q电极的对地自容发生变化，且电容变化量是1:6:1:8时，说明触控行为发生在区域16。

[0107] 需要说明的是，本发明实施例提供的上述触控电极结构中其他触点位置的判定方法与上述十六个触点位置的判定方法类似，在此不做赘述。

[0108] 基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种触摸屏，包括：本发明实施例提供的上述触控电极结构。该触摸屏的实施可以参见上述触控电极结构的实施例，重复之处不再赘述。

[0109] 在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，还可以包括：位于触摸屏的显示区域内的与各自电容电极一一对应连接的导线，位于触摸屏的边框区域内的与各导线一一对应连接的第一周边走线，以及与各第一周边走线电性连接且用于在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片。

[0110] 具体地，触控侦测芯片通过各导线同时对各自电容电极发送脉冲信号，各自电容电极通过对应的导线将各自耦合脉冲信号得到的电压信号反馈给触控侦测芯片，触控侦测芯片根据反馈的电压信号判断触点的位置。

[0111] 并且，在本发明实施例的自电容电极的形状为底和高相等的等腰三角形时，自电容电极，导线、第一周边走线与触控侦测芯片的连接方式如图9A所示。其中，各自电容电极1之间相互绝缘，位于触摸屏的显示区域内的导线2与各对应的自电容电极1连接，位于触摸屏的边框区域内的第一周边走线3与对应的导线2连接，以及触控侦测芯片4与各第一周边走线3电性连接。

[0112] 在本发明实施例的自电容电极的形状为等腰三角形，且等腰三角形的底的长度是高的长度的四倍时，自电容电极，导线、第一周边走线与触控侦测芯片的连接方式如图9B所示。其中，各自电容电极1之间相互绝缘，位于触摸屏的显示区域内的导线2与各对应的自电容电极1连接，位于触摸屏的边框区域内的第一周边走线3与对应的导线2连接，以及触控侦测芯片4与各第一周边走线3电性连接。

[0113] 在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，如图10所示，还可以包括：呈矩阵排列的多个像素单元5，以及与各列像素单元5一一对应连接的数据线6；导线2可以位于数据线6所在的相邻的两列像素单元5之间的间隙处，导线2与数据线6同层设置且相互绝缘；这样，采用本发明实施例提供的上述触控电极结构，可以通过减少自电容电极的数量的方式减少与自电容电极一一对应连接的导线的数量，从而可以提高触摸屏的开口率，并且，也可以减少与导线一一对应连接的第一周边走线的数量，从而可以减小触摸屏的边框宽度，此外，还可以减少触控侦测芯片中用于连接第一周边走线的接线端子的数量，从而可以减小触控侦测芯片所占面积。

[0114] 在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，如图11所示，还可以包括：呈矩阵排列的多个像素单元5，以及与各列像素单元5一一对应连接的数据线6；导线2可以与数据线6异层设置、相互绝缘且相互重叠；这样，采用本发明实施例提供的上述触控电极结构，可以通过减少自电容电极的数量的方式减少与自电容电极一一对应连接的导线的数量从而减少与导线一一对应连接的第一周边走线的数量，从而可以减小触摸屏的边框宽度，并且，还可以减少触控侦测芯片中用于连接第一周边走线的接线端子的数量，从而可以减小触控侦测芯片所占面积。

[0115] 在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，还可以包括：位于触摸屏的边框区域内的与各数据线一一对应连接的第二周边走线；由于在触摸屏的边框区域内，第一周边走线需要与触控侦测芯片电性连接，第二周边走线需要与数据驱动电路电性连接，因此，为了避免第一周边走线与第二周边走线电性连接而发生短路的问题，可以将第一周边走线与第二周边走线异层设置，且在第一周边走线所在膜层与第二周边走线所在膜层之间设置绝缘层以使第一周边走线与第二周边走线相互绝缘。

[0116] 基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述触摸屏，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述触摸屏的实施例，重复之处不再赘述。

[0117] 本发明实施例提供的一种触控电极结构、触摸屏及显示装置，该触控电极结构包括多个呈平行四边形的自电容电极组；每个自电容电极组包括两个形状为三角形且相互绝缘且互补排布的自电容电极；相当于在保证触控精度不变的前提下将现有的四个矩形的并排排布的自电容电极合并为两个等腰三角形的互补排布的自电容电极，这样，在保证触摸屏的触控精度的前提下，可以减少自电容电极的数量，相应地可以减少与自电容电极一一对应连接的导线的数量，从而可以提高触摸屏的开口率，并且，也可以减少与导线一一对应连接的周边走线的数量，从而可以减小触摸屏的边框宽度，此外，还可以减少触控侦测芯片中用于连接周边走线的接线端子的数量，从而可以减小触控侦测芯片所占面积。

[0118] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。