一种硅胶高分子材料的冷却成型方法转让专利

申请号 : CN201610341129.8

文献号 : CN106003520B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 闫森源

申请人 : 强新正品(苏州)环保材料科技有限公司

摘要 :

本发明涉及硅胶高分子材料领域,具体涉及一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,包括如下步骤:将硅胶高分子材料的熔融混合物在50‑80摄氏度下喷水冷却1‑2min,将熔融混合物压平,再在0‑4摄氏度冷却1‑5min,再在室温下继续固化直至成型得到产品;成型后,对产品表面进行去污处理。本发明采用上述的冷却成型方法,提高最终产品硬度。

权利要求 :

1.一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,其特征在于,包括如下步骤:将硅胶高分子材料的熔融混合物在50-80摄氏度下喷水冷却1-2min,将熔融混合物压平,再在0-4摄氏度冷却1-5min,再在室温下继续固化直至成型得到产品;

成型后,对产品表面进行去污处理;

将甲基苯基乙烯基硅橡胶10-15份、增塑剂1-5份、铂催化剂0.5-1份、云母0.1-0.5份在高速混合机中混合并加热到230-260摄氏度并保温1-2h得到熔融混合物,所述的份数为重量份数。

2.根据权利要求1所述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,其特征在于,将硅胶高分子材料的熔融混合物在70摄氏度下喷水冷却。

3.根据权利要求1所述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,其特征在于,将硅胶高分子材料的熔融混合物在70摄氏度下喷水冷却2min。

4.根据权利要求1所述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,其特征在于,在4摄氏度冷却1-5min。

5.根据权利要求4所述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,其特征在于,在4摄氏度冷却3min。

说明书 :

一种硅胶高分子材料的冷却成型方法

技术领域

[0001] 本发明涉及硅胶高分子材料领域,具体涉及一种硅胶高分子材料的冷却成型方法。

背景技术

[0002] 硅胶高分子材料主要为电子产品生产过程中的中间件也可以是最终件,其在制备过程中由多种成分组成,其硬度对于电子产品在生产过程中其它零部件是否定位精准、尺寸精准有一定帮助。

发明内容

[0003] 本发明针对现有技术的不足,提供了一种提高硬度的硅胶高分子材料的冷却成型方法。
[0004] 为了实现上述发明目的,本发明采用以下技术方案:一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,其特征在于,包括如下步骤:
[0005] 将硅胶高分子材料的熔融混合物在50-80摄氏度下喷水冷却1-2min,将熔融混合物压平,再在0-4摄氏度冷却1-5min,再在室温下继续固化直至成型得到产品;
[0006] 成型后,对产品表面进行去污处理。
[0007] 前述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,将甲基苯基乙烯基硅橡胶10-15份、增塑剂1-5份、铂催化剂0.5-1份、云母0.1-0.5份在高速混合机中混合并加热到230-260摄氏度并保温1-2h得到熔融混合物,所述的份数为重量份数。
[0008] 前述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,将硅胶高分子材料的熔融混合物在70摄氏度下喷水冷却。
[0009] 前述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,将硅胶高分子材料的熔融混合物在70摄氏度下喷水冷却2min。
[0010] 前述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,在4摄氏度冷却1-5min。
[0011] 前述的一种硅胶高分子材料的冷却成型方法,在4摄氏度冷却3min。
[0012] 本发明采用上述的冷却成型方法,提高最终产品硬度。

具体实施方式

[0013] 下面结合具体实施例对本发明作进一步详细介绍。
[0014] 实施例1
[0015] 将硅胶高分子材料的熔融混合物在60摄氏度下喷水冷却2min,将熔融混合物压平,再在4摄氏度冷却3min,再在室温下继续固化直至成型得到产品。成型后,对产品表面进行去污处理。得到的材料硬度(指的是初产品邵氏硬度)为A105+5。
[0016] 实施例2
[0017] 将硅胶高分子材料的熔融混合物在80摄氏度下喷水冷却1min,将熔融混合物压平,再在4摄氏度冷却5min,再在室温下继续固化直至成型得到产品;成型后,对产品表面进行去污处理。得到的材料硬度(指的是初产品邵氏硬度)为A110+5。
[0018] 对比例1
[0019] 将硅胶高分子材料的熔融混合物在室温下进行处理,得到的材料硬度(指的是初产品邵氏硬度)为A95+5。
[0020] 对比例2
[0021] 将硅胶高分子材料的熔融混合物在4摄氏度下进行固化处理,得到的材料硬度(指的是初产品邵氏硬度)为A95+5。
[0022] 需要说明的是,以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所做的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。