半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括连接至同一电源的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每一个，在设置在第一导电类型的源极区与漏极区之间的低浓度沟道区下方包括第二导电类型的浓度较高的杂质区。使第一晶体管和第二晶体管之一的栅极绝缘膜的厚度大于另一个的栅极绝缘膜的厚度。根据本公开，可以将晶体管中的截止电流抑制得较低。