含稀土的合金铸片、其制造方法和烧结磁体

摘要

提供了含稀土的合金片和一种由所述含稀土的合金片制得的烧结磁体，所述合金片在烧结磁体的制备中是有用的，在所述烧结磁体中，根据Dy和/或Tb含量，Br和HcJ可为优良的和良好平衡的。所述含稀土的合金片是R‑TM‑A‑M型合金片，所述合金片具有特定的组成和具有Nd2Fe14B主相和边界相的结构，所述边界相中的Fe含量不高于10质量％，所述边界相中Dy和Tb的总含量(b)与所述主相中Dy和Tb的总含量(a)之比高于1.0，并且所述含稀土的合金片作为烧结磁体材料是有用的。

权利要求

1.一种具有以下组成的R-TM-A-M型含稀土的合金片：不低于27.0质量％且不高于40.0质量％的R，所述R表示至少两种选自Y、Sc和原子序数

57至71的镧系元素的元素，其中Dy和Tb中的至少一种和Nd是必不可少的；

不低于0.7质量％且不高于2.0质量％的A，所述A表示B、或者B和C；

不低于0质量％且不高于3.0质量％的M，所述M表示至少一种选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi的元素；和余量的TM，所述TM表示Fe、或者Fe和Co；

其中，R中Dy和Tb的含量不低于0.1质量％且不高于10.0质量％，其中，所述合金片具有一种结构，该结构具有Nd2Fe14B主相和边界相，其中，所述边界相中的Fe含量不高于10质量％，和

其中，所述边界相中的Dy和Tb的总含量(b)与所述主相中的Dy和Tb的总含量(a)之比高于1.0。

2.根据权利要求1所述的合金片，其具有不薄于0.01mm且不厚于5.0mm的平均厚度。

3.一种用于制备权利要求1所述的含稀土的合金片的方法，所述方法包括以下步骤：(I)将由R、A、M和TM组成的原料熔化，所述R选自Y、Sc和原子序数57至64和67至71的镧系元素，其中Nd是必不可少的，所述A表示B、或者B和C，所述M表示至少一种选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi的元素，所述TM表示Fe、或者Fe和Co；

(II)将所述原料的熔化物冷却和固化，用于制备母合金片的前驱体；

(III)对由步骤(II)得到的所述母合金片的前驱体进行热处理，用于得到母合金片；

(IV)使Dy供应源和Tb供应源中的至少一种与所述母合金片接触；和(V)在所述步骤(IV)之后热处理，用于将Dy和Tb中的至少一种分散于所述母合金片中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述步骤(II)中，将所述原料的熔化物冷却和固化成不薄于0.01mm且不厚于5.0mm的厚度。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中步骤(III)中的所述热处理是在不低于500℃且不高于1000℃下进行的。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，其中所述Dy供应源或所述Tb供应源是Dy金属、Tb金属、Dy的卤化物、Tb的卤化物、Dy的氧化物、Tb的氧化物、Dy的有机酸盐、Tb的有机酸盐、Dy的氢化物或Tb的氢化物。

7.根据权利要求3至6中任一项的所述方法，其中所述步骤(IV)的热处理是在不低于

500℃且不高于1000℃下进行的。

8.一种烧结磁体，所述烧结磁体是通过烧结粉碎的权利要求1或2的含稀土的合金片的模制产品得到的。

说明书

含稀土的合金铸片、其制造方法和烧结磁体

技术领域

[0001] 本发明涉及含稀土的合金片，所述含稀土的合金片适用于制备具有优良的和良好平衡的剩磁(Br)和矫顽力(HcJ)的烧结磁体，还涉及用于制备该合金片的方法和使用该合金片的烧结磁体。

背景技术

[0002] 已知包含Nd2Fe14B作为主相的含稀土的合金烧结磁体是永磁体中具有最高性能的磁体，且用于例如各种电机，诸如硬盘驱动器中的音圈电机和用于混合动力车的电机中，以及用在消费性电器中。

[0003] 通常需要具有耐热性的用于汽车领域的烧结磁体需要具有高矫顽力用于防止高温退磁。通过对主相Nd2Fe14B和存在于主相颗粒之间的晶粒边界中的富R相(边界相)的结构的最佳调整和通过包含约数质量％至10质量％的Dy赋予该类型的磁体这样的高矫顽力，Dy作为自然资源更稀有，并且比Nd和Pr更昂贵。

[0004] 然而，通常剩磁(Br)和矫顽力(HcJ)是折衷的(trade-off)，因此为提高HcJ增加磁体中的Dy含量导致Br的降低。

[0005] 为了抑制Br的降低同时提高HcJ，不是在主相中，而是在边界相中选择性地分布比Nd或Pr具有更高磁各向异性的Dy或Tb是有效的。

[0006] 专利文献1公开了通过在烧结稀土磁体上溅射形成Dy和/或Tb层，然后进行热处理从而将Dy和/或Tb以高浓度分布于稀土磁体表面上的边界相中来获得具有高矫顽力的磁体。

[0007] 专利文献2和3公开了通过将Dy或Tb的氟化物或氢化物附着至烧结稀土磁体的表面，接着进行热处理可实现与专利文献1中公开的效果相类似的效果。

[0008] 专利文献1：JP-2005-175138-A

[0009] 专利文献2：JP-2006-303433-A

[0010] 专利文献1：WO 2008/120784

[0011] 发明概述

[0012] 本发明要解决的问题

[0013] 然而，用专利文献1至3中公开的这些方法，Dy和Tb仅富集在稀土磁体烧结体的表面附近，难以以高浓度分布于整个边界相。

[0014] 此外，尚未存在已知的未烧结的具有Nd2Fe14B主相的含稀土的合金片，其中在边界相中比在主相中包含更高浓度的Dy和Tb。

[0015] 本发明的一个目的是提供在烧结磁体的制备中有用的含稀土的合金片，其中，根据Dy和/或Tb含量，Br和HcJ可为优良的和良好平衡的，以及提供利用该合金片的烧结磁体。

[0016] 本发明的另一目的是提供一种用于制备含稀土的合金片的方法，该方法允许容易并方便地制备在边界相中比在主相中包含更高浓度的Dy和Tb的含稀土的合金片。

[0017] 解决问题的方法

[0018] 本发明人已进行深入研究，发现可以通过在具有Nd2Fe14B主相的含稀土的合金片的制备中使Dy供应源和Tb供应源中的至少一种与边界相中的Fe含量减少的母合金片接触，接着进行热处理来解决上述问题，从而完成本发明。

[0019] 根据本发明，提供了具有以下组成的R-TM-A-M型含稀土的合金片：

[0020] 不低于27.0质量％且不高于40.0质量％的R，所述R表示至少两种选自Y、Sc和原子序数57至71的镧系元素的元素，其中Dy和Tb中的至少一种和Nd是必不可少的；

[0021] 不低于0.7质量％且不高于2.0质量％的A，所述A表示B、或者B和C；

[0022] 不低于0质量％且不高于3.0质量％的M，所述M表示至少一种选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi的元素；和

[0023] 余量的TM，所述TM表示Fe、或者Fe和Co；

[0024] 其中，R中的Dy和Tb的含量不低于0.1质量％且不高于10.0质量％，

[0025] 其中，所述合金片具有一种结构，所述结构具有Nd2Fe14B主相和边界相，

[0026] 其中，所述边界相中的Fe含量不高于10质量％，并且

[0027] 其中，所述边界相中的Dy和Tb的总含量(b)与所述主相中的Dy和Tb的总含量(a)之比高于1.0(在下文有时被称为本发明的合金片)。

[0028] 根据本发明，还提供了一种用于制备本发明的合金片的方法，所述方法包括以下步骤：

[0029] (I)将由R、A、M和TM组成的原料熔化，所述R选自Y、Sc和原子序数57至64和67至71的镧系元素，其中Nd是必不可少的，所述A表示B、或者B和C，所述M表示至少一种选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi的元素，所述TM表示Fe、或者Fe和Co；

[0030] (II)将所述原料的熔化物冷却和固化，用于制备母合金片的前驱体；

[0031] (III)对从步骤(II)得到的所述母合金片的前驱体进行热处理，用于得到母合金片；

[0032] (IV)使Dy供应源和Tb供应源中的至少一种与所述母合金片接触；和

[0033] (V)在所述步骤(IV)之后热处理，用于将Dy和Tb中的至少一种分散于所述母合金片中。

[0034] 根据本发明，进一步提供了一种通过烧结粉碎的本发明的合金片的模制产品得到的烧结磁体。

[0035] 发明效果

[0036] 本发明的合金片具有特定的合金组成和上文讨论的结构，以及调整的Dy和/或Tb在边界相和主相中的含量，其在烧结磁体的制备中是有用的，所述烧结磁体根据Dy和/或Tb的含量具有优良的和良好平衡的Br和HcJ。

[0037] 根据本发明的制备方法包括产生边界相中具有降低的Fe含量的母合金的步骤(III)和在步骤(IV)之后的热处理的步骤(V)，其允许方便并容易地制备本发明的合金片，其中在边界相中比在主相中包含更高浓度的Dy和Tb。

[0038] 附图简述

[0039] 图1是显示了Fe如何存在于实施例1中制备的本发明的合金片中的映射图像的影印件。

[0040] 图2是显示了Fe如何存在于对比例1中制备的烧结磁体中的映射图像的影印件。

[0041] 发明的实施方式

[0042] 现在将对本发明进行详细解释。

[0043] 根据本发明的R-TM-A-M型含稀土的合金片的特征在于特定的组成、具有四方Nd2Fe14B主相和具有比主相更高的稀土元素含量的边界相的结构、和边界相中比主相中更高的Dy或Tb含量。顺便提及，本发明的合金片未经烧结，并且，例如，当用作烧结磁体的原料时，需要在磁体的制备中被烧结。因此，本发明的合金片清楚地区别于专利文献1至3中所公开的使Dy和/或Tb与其表面接触的未经热处理的磁体烧结体。

[0044] 在所述R-TM-A-M型本发明的合金片中，R是至少两种选自Y、Sc和原子序数57至71的镧系元素的元素，并且必不可少地包括Dy和Tb中的至少一种和Nd。原子序数57至71的镧系元素是La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu。

[0045] 在本发明的合金中，R的含量不低于27.0质量％且不高于40.0质量％，并且最小含量优选28.0质量％，最大含量优选35.0质量％，更优选33.0质量％。在低于27.0质量％下，合金片中α-Fe含量可能高。在高于40.0质量％下，由所述合金片制得的烧结磁体的Br可能低。

[0046] 在R中，其中至少一种是必要元素的Dy和Tb的总含量优选不低于0.1质量％且不高于10质量％，更优选不低于0.3质量％且不高于8.0质量％，最优选不低于0.3质量％且不高于7.0质量％。如将在后面讨论的，优选的是，将尽可能多的Dy和Tb离析在边界相中，但是在高于10质量％下，Dy和Tb还可引入主相中，以使由这些合金片制得的烧结磁体的磁体性能劣化。在低于0.1质量％下，可能不能实现改善磁体性能的效果。

[0047] 在R中是必要元素的Nd的含量优选不低于9.0质量％且不高于39.9质量％，更优选不低于9.0质量％且不高于39.7质量％。

[0048] 在本发明的合金片中，A是B、或者B和C。当A包括C时，C原子的数量优选小于B原子的数量。

[0049] 在本发明的合金片中，A的含量不低于0.7质量％且不高于2.0质量％，且最大含量优选为1.5质量％，更优选为1.2质量％，最优选为1.0质量％。在A的含量在上述范围之外的情况下，由这些合金片制得的烧结磁体的磁体性能可能差。

[0050] 当C原子的数量大于B原子的数量时，在由这些合金片制得的烧结磁体中形成大量碳化物，从而降低Br。

[0051] 在本发明的合金片中，M是至少一种选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi的元素。

[0052] 本发明的合金片中M的含量不低于0质量％且不高于3.0质量％。该M含量范围对改善由这些合金片制得的烧结磁体的磁性能和物理性能是有利的。

[0053] M优选为至少一种选自Al、Cu和Si的元素，并且尤其优选地包含用于显著改善Dy和/或Tb在边界相中的分散和分布以及显著改善HcJ的Si。在该情况下，Si的含量优选不低于0.1质量％。

[0054] 在本发明的合金片中，TM是Fe、或者Fe和Co。

[0055] 本发明的合金片中TM的含量是从100质量％减去R、A、M和不可避免的成分的总量后剩余的余量。

[0056] 当TM包含Co时，Co的含量优选不低于0.10质量％且不高于5.00质量％。

[0057] 本发明的合金片的结构具有四方Nd2Fe14B主相和具有比主相更高的稀土元素含量的边界相。可以任选地包含不可避免地形成的痕量的其它相。

[0058] 在本发明的合金片中，边界相中的Fe含量不高于10质量％，优选不高于5质量％。边界相中的最小Fe含量优选尽可能地小，用于将Dy和/或Tb保持在边界相中，且通常为约
1.00质量％。

[0059] 在本发明的合金片中，边界相中Dy和Tb的总含量(b)与主相中Dy和Tb的总含量(a)之比，即(b)/(a)，高于1.0，优选不低于10.0。在(b)/(a)不高于1.0的情况下，不可能实现本发明的根据所述Dy和/或Tb含量的优良的和良好平衡的Br和HcJ的效果。

[0060] 本发明的合金片具有优选不薄于0.01mm且不厚于5.0mm的平均厚度。超过5.0mm时，可能不能得到希望的结构。

[0061] 例如通过本发明的制备方法可以得到本发明的合金片，但不限于此。

[0062] 本发明的制备方法包括将由R、A、M和TM组成的原料熔化的步骤(I)，所述R选自Y、Sc和原子序数57至64和67至71的镧系元素，其中Nd是必不可少的，所述A表示B、或者B和C，所述M表示至少一种选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi的元素，所述TM表示Fe、或者Fe和Co。

[0063] 可适宜地确定步骤(I)中R、TM、A和M各自的含量以实现上文讨论的本发明的合金片中R、TM、A和M各自的含量范围。

[0064] 可以用常规已知的方法，例如在坩埚中在惰性气体气氛如Ar气氛下，通常在降低的或大气压力下，优选在1400至1600℃下，熔化原料。

[0065] 本发明的制备方法包括将所述原料的熔化物冷却和固化用于制备母合金片的前驱体的步骤(II)。

[0066] 例如可通过带式铸造(strip casting)，如常规已知的单辊快淬(single-roll rapid quenching)，进行冷却和固化。不优选在模具中慢淬(slow quenching)，因为形成初相(primary phase)α-Fe。

[0067] 从步骤(II)得到的母合金片的前驱体的厚度优选不薄于0.01mm且不厚于5.0mm。

[0068] 母合金片的前驱体通常具有包含较小量的主相和较大量的边界相的合金结构，因为边界相被固化成非平衡态，不沉淀的主相留在其中。该边界相大量地，通常以大于约25质量％包含主相成分之一，Fe。边界相中大量的Fe的存在干扰有助于改善磁体性能的诸如Dy和Tb的重稀土在边界相中以较高的比例存在。这是因为Dy和Tb对Fe比对Nd有更高的亲和力(affinity)，并且在后面待讨论的步骤(IV)中与Fe一起从边界相迁移到主相。这导致更高的HcJ但是不利地更低的Br。鉴于此，在本发明的制备方法中，进行后续步骤(III)。

[0069] 根据本发明的制备方法包括对从步骤(II)得到的所述母合金片的前驱体进行热处理以获得母合金片的步骤(III)。

[0070] 在步骤(III)中，可以在这样的条件下进行热处理，所述条件使得边界相中的Fe迁移至主相中，从而降低从步骤(II)得到的所述母合金片的前驱体中的边界相中的Fe含量。热处理条件的具体实例可通常为不低于500℃且不高于1000℃，优选不低于700℃且不高于
900℃，通常1分钟至20小时，优选10分钟至10小时。在低于500℃下，Fe从边界相迁移至主相耗费长时间，这是不优选的，然而，在超过1000℃下，难以调整边界相中的Fe含量，这是不优选的。

[0071] 气氛优选为惰性气体，如稀有气体气氛，或真空。热处理的方式可以是例如电加热、或高频或红外加热。

[0072] 在从步骤(III)得到的母合金片中，优选的是边界相中的Fe含量通常不高于10质量％。

[0073] 根据本发明的制备方法包括使Dy供应源和Tb供应源中的至少一种与所述母合金片接触的步骤(IV)。

[0074] 所述Dy供应源或所述Tb供应源可以是例如Dy金属；Tb金属；Dy或Tb的卤化物，诸如氯化物或氟化物，例如DyF3或TbF3；Dy或Tb的氧化物，诸如Dy2O3或Tb2O3；Dy或Tb的有机酸盐，诸如氟氧化物、碳酸盐、草酸盐或乙酸盐；或Dy或Tb的氢化物，诸如DyH2或TbH2。

[0075] 可以通过常规已知的方法实现Dy供应源和/或Tb供应源与所述母合金片的接触。优选的是，适宜地确定待与母合金片接触的量，使得得到的本发明的合金片中的R中Dy和Tb的总量不低于0.1质量％且不高于10.0质量％。

[0076] 根据本发明的制备方法包括在步骤(IV)之后热处理以将Dy和Tb中的至少一种分散于所述母合金片中的步骤(V)。

[0077] 在步骤(V)中，步骤(IV)中接触的Dy和/或Tb被分散于母合金的边界相中。这是因为，在母合金中，在边界相中比在主相中熔点更低，所以Dy和/或Tb更容易被引入边界相中。

[0078] 在步骤(V)中，热处理的温度优选不低于500℃且不高于1000℃，更优选不低于700℃且不高于900℃。在低于500℃下，Dy和/或Tb分散于边界相中不利地耗费长时间，然而超过1000℃，边界相可以被液化和离析，主相变粗糙，或甚至合金本身根据其组成可能被熔化。

[0079] 考虑到加热方式、气氛、热处理温度或类似因素，可适宜地选择热处理的持续时间，且优选为1分钟至20小时，更优选为10分钟至10小时。

[0080] 热处理的气氛优选为惰性气体，诸如稀有气体气氛，或真空。加热的方式没有具体限制，只要可以将合金加热至希望的温度即可，并且加热的方式可以是例如电加热、或高频或红外加热。

[0081] 可以通过烧结粉碎的本发明的合金片的模制产品得到根据本发明的烧结磁体。

[0082] 具体地，可以通过例如以下得到烧结磁体：用常规已知的方法，诸如氢爆裂(hydrogen decrepitation)或机械粉碎，将本发明的合金片粉碎至希望的粒度，在压力下制备希望形状的模制产品，和在希望的磁场中烧结得到的模制产品。

[0083] 可以在常规已知条件下，例如通过在不低于1050℃下在惰性气体诸如稀有气体气氛中或真空中加热1至10小时，进行所述烧结。

[0084] 在烧结之后，可优选地进行常规已知的热处理用于均匀化(homogenization)。实施例

[0085] 现在将参照实施例和对比例更详细地解释本发明，这并非意在限制本发明。

[0086] 实施例1

[0087] 1.母合金片的前驱体的制备

[0088] 配合原料以具有表1中所示的组成，在高频炉(由SANTOKU CORPORATION制造)中熔化，带式铸造以得到R-TM-A-M型母合金的前驱体。具体地，将所述原料引入氧化铝坩埚，并且在高频炉中熔化。铸造条件如下。首先，在0.5atm的Ar气氛中，在1500℃下实现原料的熔化，然后通过带式铸造用水冷铜辊将得到的熔化物冷却并固化成薄片，从而得到母合金片的前驱体。母合金的前驱体的平均厚度为约300μm。母合金片前驱体的原料的组成示于表1中。

[0089] 2.母合金片的制备

[0090] 在1atm的Ar气氛中，在900℃下对得到的母合金片前驱体热处理5小时，以得到母合金片。在此，在由SHIMADZU MECTEM,INC制造的SVSGgr20/20中进行热处理。母合金片的前驱体的热处理条件示于表2中。

[0091] 3.Dy和/或Tb分散热处理

[0092] 将得到的母合金片浸没在10wt％的DyF3的乙醇溶液中10分钟，并且通过真空干燥除去乙醇，以用DyF3涂敷母合金片的表面。

[0093] 然后，在1atm的Ar气氛中在900℃下热处理涂敷有DyF3的母合金片3小时，以将Dy分散于边界相中，从而得到实施例1的R-TM-A-M型合金片。也可在上述步骤2中讨论的热处理设备中进行该处理。

[0094] 分散热处理的条件示于表2中。实施例1的R-TM-A-M型合金片的组成和边界相中的Fe含量示于表3中。此外，边界相中的Dy+Tb的含量(b)与主相中的Dy+Tb的含量(a)之比(b)/(a)也示于表3中。

[0095] 在此，用WDS(波长色散X-射线光谱)使用JOEL LTD制造的JXA-8530F场发射电子探针微量分析仪和ZAF测定来测定表3中所示的每种元素的含量。结果示于图1中，图1是显示Fe如何存在于实施例1中制备的本发明的合金片中的图像的影印件。在图1中，黑色部分表明Fe几乎不存在。

[0096] 4.烧结磁体的制备

[0097] 在1atm的氢气氛中在室温下将得到的R-TM-A-M型合金片氢爆裂3小时。然后在0.5MPa下、在喷射磨机内、在氮气中将得到的氢爆裂粉末进一步粉碎，以得到具有5.0μm的平均颗粒直径D50的合金粉末。在此，D50是中值粒径，并且是用SYMPATEC GMBH制造的HELOS&RODOS-T4.1测得的。

[0098] 使用COSMO ENGINEERING CO.,LTD制造的CM-5S，在2t/cm2的压力下在1.5T(特斯拉)的磁场中压力模制5g得到的合金粉末，以得到长方体模制产品。随后，在真空中1050℃下烧结模制产品4小时，然后在真空中在500℃下老化1小时，从而得到长方体烧结磁体。

[0099] 5.磁体性能的评价

[0100] 用TOEI INDUSTRY CO.,LTD制造的TRF-5BH-25auto测量得到的烧结磁体的Br和HcJ。结果示于表4中。

[0101] 实施例2、6、7、9和10

[0102] 以与实施例1中相同的方式制备母合金片、R-TM-A-M型合金片和烧结磁体，除了以下之外：母合金片的前驱体的原料的组成改变为如表1中所示，用于母合金片的前驱体的热处理条件、Dy或Tb供应源和分散热处理的条件如表2中所示，以及使Dy或Tb与母合金片接触的方式改变成下文讨论的气相沉积。以与实施例1中相同的方式进行测量和评价的结果示于表3和表4中。

[0103] 通过将母合金片和Dy或Tb供应源非常接近地放置在热处理设备中，加热以使Dy或Tb从其供应源蒸发，和使蒸发的金属沉积在母合金片上进行气相沉积。

[0104] 实施例3、4、5、8和11

[0105] 以与实施例1中相同的方式制备母合金片、R-TM-A-M型合金片和烧结磁体，除了以下之外：母合金片的前驱体的原料的组成改变为如表1中所示，用于母合金片的前驱体的热处理条件、Dy或Tb供应源和分散热处理的条件如表2中所示。以与实施例1中相同的方式进行的测量和评价的结果示于表3和表4中。

[0106] 在所有实施例中，R-TM-A-M型合金片的边界相中的Fe含量不高于4质量％。然而，母合金片的前驱体的边界相中的Fe含量为30-35质量％，其和表3中示出的对比例中的Fe含量相当，因为该含量是在热处理前测量的。

[0107] 对比例1

[0108] 通过以与实施例1中相同的方式制备母合金片的前驱体，然后使得到的前驱体经受上文讨论的步骤4中描述的工艺制备烧结磁体。然后，使得到的烧结磁体经受上文步骤3中描述的分散热处理。使得到的烧结磁体以与实施例1中相同的方式经受WDS，且结果示于图2中，图2是显示Fe如何存在于对比例1中制备的烧结磁体中的图像的影印件。在图2中，黑色部分表明Fe是几乎不存在的。随后，如上文步骤5中所描述评价磁体性能。结果示于表4中。

[0109] 对比例2至4

[0110] 使用具有分别示于表1中一对上下行中的组成的两种原料以与实施例1中相同的方式制备两种母合金片的前驱体。在对比例2和4中，将得到的具有所述上下行的各组成的母合金片的前驱体以95：5的质量比混合，在对比例3中，将得到的具有上下行的各组成的母合金片的前驱体以90：10混合，并且根据上文步骤4中描述的工艺制备烧结磁体。

[0111] 根据上文步骤5中描述的工艺评价得到的烧结磁体的磁体性能。结果示于表4中。

[0112] 对比例5

[0113] 以与实施例1中相同的方式制备表3中示出的R-TM-A-M型合金片，除了以下之外：根据上文步骤2制备母合金片，但是将母合金片的前驱体用作母合金片，然后以与实施例1中相同的方式由这些合金片制备烧结磁体，并评价磁体性能。结果示于表4中。

[0114] 表1

[0115]

[0116] *1Bal：余量(100质量％-其它元素的总质量％)

[0117] 表2

[0118]

[0119] 表3

[0120]

[0121] *1Bal：余量(100质量％-其它元素的总质量％)

[0122] *2边界相中Dy+Tb的含量(b)与主相中Dy+Tb的含量(a)之比

[0123] 表4

[0124]

[0125] 表4清楚地示出，与由对比例的合金制得的烧结磁体相比，由实施例的R-TM-A-M型合金片制得的烧结磁体具有根据所述Dy或Tb含量的Br和HcJ两者都优良的和良好平衡的磁体性能。