发光装置

摘要

发光装置具备：放射在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光的至少一个发光元件；被从发光元件放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第1绿色荧光体；被一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第2绿色荧光体；和被一次光激励，放射在红色区域具有峰值发光波长的光的红色荧光体。第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长比第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长短。

权利要求

1.一种发光装置，具备：

至少一个发光元件，其放射在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光；

第1绿色荧光体，其被从所述发光元件放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光；

第2绿色荧光体，其被所述一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光；和红色荧光体，其被所述一次光激励，放射在红色区域具有峰值发光波长的光，所述第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长比所述第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长短，其中，所述发光装置的发光光谱具有：在380nm以上且480nm以下的波长范围具有第1发光峰值波长的第1峰值、在485nm以上且580nm以下的波长范围具有第2发光峰值波长的第2峰值、和在610nm以上且660nm以下的波长范围具有第3发光峰值波长的第3峰值，在所述发光光谱中，所述第1发光峰值波长处的第1发光强度比所述第2发光峰值波长处的第2发光强度低，并且比所述第3发光峰值波长处的第3发光强度低，所述第2发光峰值波长处的第2发光强度比所述第3发光峰值波长处的第3发光强度低，所述发光光谱在比所述第2发光峰值波长长且比所述第3发光峰值波长短的波长范围，具有朝向发光强度变低的一侧突出的形状。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

在所述发光光谱中，在将所述第1发光强度表示为I1、将所述第2发光强度表示为I2、将所述第3发光强度表示为I3、将波长为540nm时的第4发光强度表示为I4、将波长为560nm时的第5发光强度表示为I5、将波长为580nm时的第6发光强度表示为I6的情况下，所述第1发光强度I1相对于所述第3发光强度I3的发光强度比(I1/I3×100)是35.7以上且47.1以下，所述第2发光强度I2相对于所述第3发光强度I3的发光强度比(I2/I3×100)是43.9以上且59.1以下，所述第4发光强度I4相对于所述第3发光强度I3的发光强度比(I4/I3×100)是45.5以上且54.6以下，所述第5发光强度I5相对于所述第3发光强度I3的发光强度比(I5/I3×100)是52.1以上且61.5以下，所述第6发光强度I6相对于所述第3发光强度I3的发光强度比(I6/I3×100)是60.2以上且72.7以下，所述发光装置放射相关色温为2757K以上且3113K以下的光。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述第2绿色荧光体的激励光谱在从所述发光元件放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域即380nm以上且480nm以下的波长范围内、和波长比从所述发光元件放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域短的波长范围内，分别具有激励峰值。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述发光装置还具备：

基板；和

在所述基板的上表面所设置的俯视下环状的树脂堤坝、布线图案、电极焊盘以及引线，在所述基板的所述上表面之中位于比所述树脂堤坝更靠内侧的部分，设置有所述至少一个发光元件、以及包含所述第1绿色荧光体、所述第2绿色荧光体和所述红色荧光体的密封树脂层，所述布线图案的至少一部分被所述树脂堤坝覆盖，

所述电极焊盘被设置于所述基板的所述上表面之中位于比所述树脂堤坝更靠外侧的部分，与所述布线图案电连接，所述引线至少将所述发光元件和所述布线图案电连接。

5.根据权利要求1～4的任意一项所述的发光装置，其中，

第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长与第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长的差为20nm以上。

说明书

发光装置

技术领域

[0001] 本发明涉及能够利用于照明器具或者显示装置的光源等的发光装置，特别地，涉及鲜明地显现出特定的颜色的发光装置。

背景技术

[0002] 具备半导体发光元件和荧光体的发光装置作为被期待低消耗电力、小型化、高亮度、进一步宽范围的颜色再现性的下一代的发光装置而被关注，并被积极地进行研究以及开发。从半导体发光元件放射的一次光通常在从近紫外区域到蓝色区域具有峰值发光波长，例如在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长。此外，也提出了使用适合于用途的各种荧光体的发光装置。

[0003] 也开发了各种被用作为照明装置等的发光装置，研究了各种用于提高这种发光装置的输出性能的手段。为了提高发光装置的输出性能，一般使用可见度高并且在作为蓝色的补色的黄色区域具有主要发光峰值的荧光体。此外，在能够用于一般照明器具用途的发光装置中，作为性能，具有高演色性(所谓“具有高演色性”，是指基本上平均演色评价数Ra为80以上。)也与输出性能的提高同样重要。

[0004] 上述平均演色评价数Ra被一般地用作为表示演色性的指数，是对能否自然地看到试剂颜色(R1～R8)进行评价的规格。在能够用于一般照明器具用途的发光装置中，能够自然地看到试剂颜色是重要的，也就是说，提高平均演色评价数Ra是重要的。但是，在使用了LED(light emitting diode，发光二极管)光源的照明器具的情况下，在从LED光源放射的光中，与高亮度放电灯等现有光源相比，蓝色区域的发光峰值和黄色区域的发光峰值显著较高。因此，即使平均演色评价数Ra较高，照射对象物的颜色的外观效果也可能不鲜明。这是由于黄色一般是表示“褪色”的色泽，因此照射对象物会显现出“褪色”的样子。

[0005] 例如在服饰业中，使照射对象物显现出黄色的发光装置使其失去了照射对象物的鲜明，因此处于敬而远之的趋势。在这种用于物品销售等的发光装置中，不仅确保亮度而且重视照射对象物的外观的要求较多。

[0006] 为了满足这样的要求，例如国际公开第2011/108203号小册子(专利文献1)中，记载了具备LED光源和滤光器的LED灯。专利文献1所述的LED光源包含：在440nm～460nm的波长区域具有主要发光峰值的蓝色LED、被蓝色LED的出射光激励的绿色或者黄色荧光体、和被蓝色LED以及绿色或者黄色荧光体之中的至少一个的出射光激励的红色荧光体。此外，专利文献1所述的滤光器减少从LED光源出射的光的570nm～590nm的波长区域的至少一部分的分光放射强度。在专利文献1中，记载了通过应用对特定的波长区域的分光放射强度进行减少的滤光器，并且使LED光源中包含红色荧光体，从而不仅能够显现出中彩色(在专利文献1中，中彩色被定义为中彩度的试验色R1到R8)而且也能够自然地显现出鲜明的红色。但是，专利文献1所述的LED灯具备滤光器。因此，在LED灯的生产工序中的作业增加，LED灯的生产成本增加。此外，由于滤波器导致570nm～590nm的波长区域的至少一部分的分光放射强度减少，因此导致照明装置的电力效率的降低。

[0007] 此外，国际公开第2012/104937号小册子(专利文献2)中，记载了一种即使在环境光的相关色温较高的情况下，被照明的物体的颜色的鲜明度也被改善，其结果，能够优选地进行颜色再现的高色彩度的LED模块。在专利文献2中，记载了相关色温为4600K以上到7200K以下，其duv(Distance from perfect radiator locus on uv-ordinates)为-12以上且-6以下。通过duv是-12以上且-6以下，从而红色成分相对变多，因此，能够提高颜色再现性、特别是红色区域的颜色再现性。但是，由于色度范围从黑体轨迹较大偏离，导致发光色本身的红色变强，其结果，照射对象物可能有红色感。

[0008] 此外，国际公开第2013/150470号小册子(专利文献3)中，记载了通过使用发出近紫外区域的光的发光元件和发出蓝色区域的光的发光元件能够提供“鲜明的白色”。但是，即使配置发出近紫外区域的光的发光元件，黄色区域的发光峰值也不变化，因此本质上照射对象物可能为黄色。

[0009] 在先技术文献

[0010] 专利文献

[0011] 专利文献1：国际公开第2011/108203号小册子

[0012] 专利文献2：国际公开第2012/104937号小册子

[0013] 专利文献3：国际公开第2013/150470号小册子

发明内容

[0014] -发明要解决的课题-

[0015] 本发明的目的在于，提供一种能够使照射对象物鲜明地显现的发光装置。

[0016] -解决课题的手段-

[0017] 本发明的发光装置具备：至少一个发光元件，其放射在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光；第1绿色荧光体，其被从发光元件放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光；第2绿色荧光体，其被一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光；和红色荧光体，其被一次光激励，放射在红色区域具有峰值发光波长的光，第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长比第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长短。

[0018] 优选发光装置的发光光谱具有：在380nm以上且480nm以下的波长范围具有第1发光峰值波长的第1峰值、在485nm以上且580nm以下的波长范围具有第2发光峰值波长的第2峰值、和在610nm以上且660nm以下的波长范围具有第3发光峰值波长的第3峰值。在发光光谱中，优选第1发光峰值波长处的第1发光强度比第2发光峰值波长处的第2发光强度低，优选比第3发光峰值波长处的第3发光强度低。优选第2发光峰值波长处的第2发光强度比第3发光峰值波长处的第3发光强度低。优选发光光谱在比第2发光峰值波长长且比第3发光峰值波长短的波长范围，具有朝向发光强度变低的一侧而突出的形状。

[0019] 在发光光谱中，在将第1发光强度表示为I1、将第2发光强度表示为I2、将第3发光强度表示为I3、将波长为540nm时的第4发光强度表示为I4、将波长为560nm时的第5发光强度表示为I5、将波长为580nm时的第6发光强度表示为I6的情况下，优选第1发光强度I1相对于第3发光强度I3的发光强度比(I1/I3×100)是35.7以上且47.1以下，优选第2发光强度I2相对于第3发光强度I3的发光强度比(I2/I3×100)是43.9以上且59.1以下，优选第4发光强度I4相对于第3发光强度I3的发光强度比(I4/I3×100)是45.5以上且54.6以下，优选第5发光强度I5相对于第3发光强度I3的发光强度比(I5/I3×100)是52.1以上且61.5以下，优选第6发光强度I6相对于第3发光强度I3的发光强度比(I6/I3×100)是60.2以上且72.7以下。优选发光装置放射相关色温为2757K以上且3113K以下的光。

[0020] 优选第2绿色荧光体的激励光谱在从发光元件放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域即380nm以上且480nm以下的波长范围内、和波长比从发光元件放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域短的波长范围内，分别具有激励峰值。

[0021] 优选发光装置还具备：基板；和在基板的上表面所设置的俯视下环状的树脂堤坝、布线图案、电极焊盘以及引线。优选在基板的上表面之中位于比树脂堤坝更靠内侧的部分，设置有至少一个发光元件、以及包含第1绿色荧光体、第2绿色荧光体和红色荧光体的密封树脂层。优选布线图案的至少一部分被树脂堤坝覆盖。优选电极焊盘被设置于基板的上表面之中位于比树脂堤坝更靠外侧的部分，并优选与布线图案电连接。优选引线至少将发光元件和布线图案电连接。

[0022] 另外，优选第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长与第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长的差[(第1绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长)-(第2绿色荧光体所放射的光的峰值发光波长)]为20nm以上且60nm以下。

[0023] -发明效果-

[0024] 在本发明的发光装置中，能够使照射对象物鲜明地显现。

附图说明

[0025] 图1(a)是本发明的一实施方式的发光装置的示意俯视图，(b)是其剖视图。

[0026] 图2是本发明的一实施方式的发光装置的示意俯视图。

[0027] 图3表示实施例1～3的发光装置的发光光谱分布。

[0028] 图4表示实施例1以及4～6的发光装置的发光光谱分布。

[0029] 图5表示实施例1以及比较例1的发光装置的发光光谱分布。

[0030] 图6表示第1绿色荧光体的一个例子的发光光谱分布。

[0031] 图7表示第2绿色荧光体的一个例子的发光光谱分布。

[0032] 图8表示红色荧光体的一个例子(CaAlSiN3：Eu2+)的发光光谱分布。

[0033] 图9表示红色荧光体的另一个例子((Sr，Ca)AlSiN3：Eu2+)的发光光谱分布。

具体实施方式

[0034] 以下，使用附图来对本发明的发光装置进行说明。另外，在本发明的附图中，同一参照符号表示同一部分或者相当部分。此外，长度、宽度、厚度、深度等尺寸关系为了附图的明了化和简单化而被适当地变更，并不表示实际的尺寸关系。

[0035] ＜第1实施方式＞

[0036] 图1(a)是本发明的第1实施方式的发光装置的一个例子的示意俯视图，图1(b)是将发光元件6以及引线7切断的沿着XZ方向的发光装置的主要部位剖视图。在图1(a)中，为了使布线图案3(3a、3k)与发光元件6的连接关系以及发光元件6彼此的连接关系等明了，将发光装置1的内部透明化而进行了图示。

[0037] (发光装置的发光特性、发光装置的发光光谱)

[0038] 本实施方式的发光装置1具备：至少一个发光元件6、第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11、和红色荧光体12。发光元件6对在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光进行放射。第1绿色荧光体10被从发光元件6放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光。第2绿色荧光体11被从发光元件6放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光。第2绿色荧光体11所放射的光的峰值发光波长比第1绿色荧光体10所放射的光的峰值发光波长短。红色荧光体12被从发光元件6放射的一次光激励，放射在红色区域具有峰值发光波长的光。由此，能够提高发光装置1的演色性。

[0039] 此外，由于发光装置1具备第2绿色荧光体11，因此能够减少蓝色区域(波长为380nm以上且480nm以下的区域)的发光强度和黄色区域(波长为540nm以上且580nm以下的区域)的发光强度。由此，能够鲜明地显现出照射对象物。例如在来自发光装置1的光照射到白色的照射对象物的情况下，能够将该照射对象物不是显现出带有黄色的白色而是鲜明的白色。因此，发光装置1能够适当地用于物品销售等，尤其能够适当地用于服饰业。

[0040] 另外，优选第1绿色荧光体10所放射的光的峰值发光波长与第2绿色荧光体11所放射的光的峰值发光波长的差[(第1绿色荧光体10所放射的光的峰值发光波长)-(第2绿色荧光体11所放射的光的峰值发光波长)]为20nm以上且60nm以下。

[0041] 如上述那样，发光装置1包含：第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11和红色荧光体12。因此，从发光装置1放射的光的光谱(发光装置1的发光光谱)具有：在380nm以上且480nm以下的波长范围具有第1发光峰值波长的第1峰值、在485nm以上且580nm以下的波长范围具有第2发光峰值波长的第2峰值、和在610nm以上且660nm以下的波长范围具有第3发光峰值波长的第3峰值。在发光光谱中，优选第1发光峰值波长的第1发光强度比第2发光峰值波长的第2发光强度低，并且优选第1发光峰值波长的第1发光强度比第3发光峰值波长的第3发光强度低。优选第2发光峰值波长的第2发光强度比第3发光峰值波长的第3发光强度低。此外，优选这样的发光光谱在比第2发光峰值波长长且比第3发光峰值波长短的波长范围，具有向发光强度变低的一侧突出的形状。由此，能够将蓝色区域的发光强度和黄色区域的发光强度进一步抑制得较低。因此，能够进一步鲜明地显现照射对象物。

[0042] 更优选地，在发光装置1的发光光谱中，第1发光强度I1相对于第3发光强度I3的发光强度比(I1/I3×100)为35.7以上且47.1以下，第2发光强度I2相对于第3发光强度I3的发光强度比(I2/I3×100)为43.9以上且59.1以下，第4发光强度I4相对于第3发光强度I3的发光强度比(I4/I3×100)为45.5以上且54.6以下，第5发光强度I5相对于第3发光强度I3的发光强度比(I5/I3×100)为52.1以上且61.5以下，第6发光强度I6相对于第3发光强度I3的发光强度比(I6/I3×100)为60.2以上且72.7以下。由此，能够进一步较低地抑制黄色区域的发光强度。进一步地，更加优选发光装置1放射相关色温为2757K以上且3113K以下的光。因此，能够进一步鲜明地显现出照射对象物。这里，“相关色温”是依照JIS Z 8725(光源的分布温度以及色温/相关色温的测定方法)而求出的值。

[0043] 作为用于得到这样的发光光谱的具体方法，举例将第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11以及红色荧光体12之中的至少一个的材料、含量、或者材料以及含量最佳化的方法。

[0044] 此外，作为第2绿色荧光体11，优选使用具有如下所示的激励光谱的绿色荧光体。换句话说，优选第2绿色荧光体11的激励光谱在从发光元件6放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域(380nm以上且480nm以下的波长范围)内、和波长比从发光元件6放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域(380nm以上且480nm以下的波长范围)短的波长范围内分别具有激励峰值。这里，所谓“第2绿色荧光体11的激励光谱”，是通过对激励第2绿色荧光体
11的光的波长进行扫描，并对通过激励而从第2绿色荧光体11放射的光之中特定的波长的发光强度进行测定而得到的。

[0045] 另外，在本说明书中，将“第1发光峰值波长处的第1发光强度I1”简单记为“第1发光强度I1”。同样地，将“第2发光峰值波长处的第2发光强度I2”简单记为“第2发光强度I2”，将“第3发光峰值波长处的第3发光强度I3”简单记为“第3发光强度I3”。此外，将“波长为540nm时的第4发光强度I4”简单记为“第4发光强度I4”，将“波长为560nm时的第5发光强度I5”简单记为“第5发光强度I5”，将“波长为580nm时的第6发光强度I6”简单记为“第6发光强度I6”。

[0046] (发光装置的构成)

[0047] 优选地，发光装置1还具备：基板2、布线图案3(3a、3k)、电极焊盘4(4a、4k)、密封树脂层5、引线7、印刷电阻元件8、和树脂堤坝9。

[0048] 树脂堤坝9被设置于基板2的上表面，在从比基板2的上表面更靠上侧观察基板2的上表面时形成为环状(俯视环状)。在基板2的上表面之中位于比树脂堤坝9更靠内侧的部分，设置密封树脂层5和至少一个发光元件6。密封树脂层5包含：第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11和红色荧光体12。

[0049] 布线图案3(3a、3k)被设置于基板2的上表面，被树脂堤坝9覆盖。电极焊盘4(4a、4k)被设置于基板2的上表面之中位于比树脂堤坝9更靠外侧的部分。引线7至少将发光元件
6与布线图案3(3a、3k)电连接。在设置了2个以上的发光元件6的情况下，优选发光元件6彼此经由引线7而连接。以下，具体表示发光装置1的各构成要素。

[0050] (基板、布线图案、电极焊盘)

[0051] 基板2例如形成为俯视下长方形，例如是陶瓷基板或者在表面形成有绝缘膜的金属基板等。

[0052] 布线图案3(3a、3k)被设置于基板2的上表面使得相互对置，分别在俯视下具有从圆环切出其一部的形状(圆弧形状)。这样的布线图案3(3a、3k)例如通过丝网印刷方法等而形成。

[0053] 电极焊盘4(4a、4k)是外部连接用(例如电源供给用途)的电极，例如由Ag-Pt等构成。电极焊盘4a经由引出布线来与布线图案3a的一端连接，电极焊盘4k经由另一引出布线来与布线图案3k的一端连接。这样的电极焊盘4(4a、4k)例如通过丝网印刷方法等而形成。

[0054] (密封树脂层)

[0055] 在密封树脂层5中，第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11和红色荧光体12一样地分散于透明树脂。这样的密封树脂层5根据以下所示的方法而形成。首先，将第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11和红色荧光体12一样地混合于透明树脂。将得到的混合树脂注入到基板2的上表面之中位于比树脂堤坝9更靠内侧的部分。此时，在基板2的上表面之中位于比树脂堤坝9更靠内侧的部分，已经设置了至少一个发光元件6。在设置2个以上的发光元件6的情况下，2个以上的发光元件6经由引线7而相互连接。然后，进行热处理。通过该热处理，透明树脂被固化，其结果，至少一个发光元件6、第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11和红色荧光体12被密封(密封树脂层5的形成)。

[0056] 密封树脂层5中包含的透明树脂只要是具有透光性的树脂即可，没有限定，例如优选是环氧树脂、硅酮树脂或者尿素树脂等。此外，密封树脂层5也可以还包含与透明树脂、第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11以及红色荧光体12不同的材料，例如SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3或者Y2O3等添加剂。若密封树脂层5包含这样的添加剂，则能够防止第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11以及红色荧光体12等的沉淀。此外，能够高效地扩散分别来自发光元件6、第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11以及红色荧光体12的光。

[0057] (第1绿色荧光体)

[0058] 作为第1绿色荧光体10，例如举例有：由一般式(A)：(M1)3-xCex(M2)5O12(在一般式(A)中，(M1)表示Y、Lu、Gd以及La之中的至少一个，(M2)表示Al以及Ga之中的至少一个，表示Ce的组成比(浓度)的x满足0.005≤x≤0.20)表示的荧光体、Ca3(Sc，Mg)2Si3O12：Ce系荧光体、由一般式EuaSibAlcOdNe(a满足0.005≤a≤0.4，b以及c满足b+c＝12，d以及e满足d+e＝16)表示的β型SiAlON即2价的铕活化氮氧化物荧光体、由一般式(B)：(M3)2-xEuxSiO4(在一般式中，(M3)表示Mg、Ca、Sr以及Ba之中的至少一个，表示Eu的组成比(浓度)的x满足0.03≤x≤0.10)表示的2价的铕活化硅酸盐荧光体、由La3xCexSi6N11(x满足0.01＜x≤0.2)表示的3价的铈活化荧光体、(Ca，Sr，Ba)SiAl2O3N2：Ce系荧光体、Ba3Si6O12N2：Eu系荧光体、或者(Sr，Ba)2SiO4：Eu系荧光体等。作为第1绿色荧光体10，可以单独使用这些的1种，也可以混合使用这些的2种以上。这里，所谓“绿色区域”，是指波长为485nm以上且580nm以下的区域。

[0059] 优选第1绿色荧光体10的荧光光谱的半值宽度较宽，例如优选是95nm以上。以Ce为活化剂的荧光体，例如Lu3-xCexAl5O12系绿色荧光体(是上述一般式(A)中(M1)为Lu且(M2)为Al的荧光体)具有石榴石晶体构造。在该荧光体中，将Ce用作为活化剂，因此能够得到半值宽度较宽的(半值宽度为95nm以上)荧光光谱。因此，以Ce为活化剂的荧光体是适合于提高发光装置1的演色性的绿色荧光体。

[0060] (第2绿色荧光体)

[0061] 作为第2绿色荧光体11，例如能够举例有：BaSi2(O，Cl)2N2：Eu系荧光体、由一般式(C)：(M4)1-aEuaSib(O1-c，(M5)c)bNb(一般式(C)中，(M4)表示Ca、Sr以及Ba之中的至少一个，(M5)表示F、Cl以及Br之中的至少一个，a满足0.01≤a≤0.50，b满足1.90≤b≤2.10，c满足0.00≤c≤0.50)表示的荧光体、(Ca，Sr，Ba)SiAl2O3N2：Ce系荧光体、(Sr，Ba)35iO5：Eu系荧光体、(Sr，Ba)Al2O4：Eu系荧光体、或者(Sr，Ba)4Al14O25：Eu系荧光体等。作为第2绿色荧光体
11，可以单独使用这些的1种，也可以混合使用这些的2种以上。

[0062] (红色荧光体)

[0063] 作为红色荧光体12，例如举例有：(Sr，Ca)AlSiN3：Eu系荧光体、CaAlSiN3：Eu系荧光体、由一般式(D)：(M6)2-xEuxSi5N8(一般式(D)中，(M6)表示Mg、Ca、Sr以及Ba之中的至少一个，表示Eu的组成比(浓度)的x满足0.01≤x≤0.30)表示的2价的铕活化氮化物荧光体、或者由一般式(E)：[Eua(M7)1-a]xSibAlcOdNe(一般式(E)中，x满足0.15≤x≤1.5，a满足0≤a≤1，b以及c满足b+c＝12，d以及e满足d+e＝16，(M7)表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La以及Gd之中的至少一个)表示的α型SiAlON即2价的铕活化氮氧化物荧光体等。作为红色荧光体12，可以单独使用这些的1种，也可以混合使用这些的2种以上。将这些的2种以上混合更能够提高发光装置1的平均演色评价数Ra的选择性。

[0064] 优选红色荧光体12的荧光光谱的半值宽度与第1绿色荧光体10同样较宽。因此，作为红色荧光体12的适当的一个例子，能够举例有(Sr，Ca)AlSiN3：Eu系荧光体或者CaAlSiN3：Eu系荧光体等。

[0065] (发光元件)

[0066] 由于发光元件6在380nm以上且480nm以下的波长范围内放射具有峰值发光波长的光，因此能够确保蓝色成分的光对来自发光装置1的光的贡献率。由此，能够将发光装置1的演色性维持较高，能够提高发光装置1的实用性。另一方面，在使用峰值发光波长小于380nm的发光元件的情况下，蓝色成分的光对来自发光装置的光的贡献率变低，因此导致演色性的恶化，由此可能导致发光装置的实用性的降低。在使用峰值发光波长超过480nm的发光元件的情况下，蓝色成分的光对来自发光装置的光的贡献率也变低，因此可能导致发光装置的实用性的降低。

[0067] 优选被用作为发光元件6的LED芯片是对包含在蓝色区域(380nm以上且480nm以下的波长范围)具有峰值发光波长的光(蓝色成分的光)的光进行放射的半导体发光元件的裸芯片，更合适地，是InGaN系LED芯片。作为发光元件6的一个例子，能够举例有峰值发光波长为450nm附近的LED芯片。这里，所谓“InGaN系LED芯片”，是指发光层为InGaN层的LED芯片。

[0068] 在设置了2个以上的发光元件6的情况下，作为2个以上的发光元件6的排列方式的一个例子，考虑如下所示的排列方式。2个以上的发光元件6被装片于基板2的上表面，相对于基板2的一边(在X方向延伸的基板2的边)几乎平行，并且被配置为直线状。2个以上的发光元件6在基板2的上表面之中位于比树脂堤坝9更靠内侧的部分被高密度地配置。具体而言，2个以上的发光元件6被配置为在由树脂堤坝9规定的圆环的中心附近一列的发光元件6的个数较多、并且随着从上述圆环的中心朝向基板2的周边(上述圆环的径向外侧)而一列的发光元件6的个数变少。在图1所示的例子中，以12个发光元件6串联连接而成的为一列，12列并联连接。

[0069] 优选发光元件6具有从其上面放射光的构造。此外，优选发光元件6在其表面具有：用于经由引线7而将相邻的发光元件6彼此连接的电极焊盘、以及用于将发光元件6与布线图案3(3a、3k)连接的电极焊盘(例如阳极用电极焊盘和阴极用电极焊盘)。

[0070] 另外，发光元件6也可以具有从其下面放射光的构造。在该情况下，首先，将相当于引线7的布线和电极焊盘4形成在基板2的上表面。接下来，使设置于发光元件6的表面的电极焊盘与基板2的上表面对置，经由凸块通过倒装芯片连接来将发光元件6与基板2连接。这样，能够将具有从下面放射光的构造的发光元件6安装于基板2的上表面。此外，发光元件6可以仅设置一个，也可以设置2个以上。

[0071] (印刷电阻元件)

[0072] 印刷电阻元件8是以提高静电耐压的目的而被设置的，被设置为将图1所示布线图案3a的一端与布线图案3k的一端连接，具有从圆环切出其一部分的形状(圆弧形状)。优选这样的印刷电阻元件8例如是齐纳二极管。另外，本实施方式的发光装置1也可以不具备印刷电阻元件8。

[0073] (树脂堤坝)

[0074] 树脂堤坝9是用于阻挡密封树脂层5的树脂，优选由有着色材料(优选是白色材料或者乳白色材料)构成。如图1(b)所示，优选树脂堤坝9形成为覆盖由布线图案3和印刷电阻元件8形成的圆环部分。

[0075] 以上，说明了发光装置1，第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11以及红色荧光体12可以是通过从公知的制造方法中选择的任意制造方法来制造的荧光体，也可以是作为产品而入手的荧光体。这在后述的第2实施方式中也是如此。

[0076] 此外，基板2、布线图案3(3a、3k)、电极焊盘4(4a、4k)、密封树脂层5中包含的透明树脂、发光元件6、引线7、印刷电阻元件8以及树脂堤坝9的构成(材料，大小或者形状等)并不限定于上述的记载。

[0077] ＜第2实施方式＞

[0078] 图2是本发明的第2实施方式的发光装置的一个例子的示意俯视图。另外，在图2中，为了避免附图变得繁琐，未图示发光元件、第1绿色荧光体、第2绿色荧光体、红色荧光体以及引线等。

[0079] 本实施方式的发光装置101包含上述第1实施方式所述的第1绿色荧光体、第2绿色荧光体以及红色荧光体。因此，本实施方式的发光装置101具有上述第1实施方式所述的发光特性以及发光光谱。因此，在本实施方式中，能够得到上述第1实施方式所述的效果。以下，主要表示与上述第1实施方式不同的方面。

[0080] 本实施方式的发光装置101具备：基板102、第1布线图案103(103a、103k)、第2布线图案203(203a、203k)、第1电极焊盘104(104a、104k)、第2电极焊盘204(204a、204k)、第1密封树脂层105、第2密封树脂层205、发光元件(未图示)、引线(未图示)、印刷电阻元件(未图示)以及树脂堤坝109。

[0081] 树脂堤坝109被设置在基板102的上表面，在从比基板102的上表面更靠上侧观察基板102的上表面时，形成为环状(俯视环状)。在基板102的上表面之中位于比树脂堤坝109更靠内侧的部分，设置第1密封树脂层105、第2密封树脂层205、和至少一个发光元件(未图示)。

[0082] 第1密封树脂层105以及第2密封树脂层205分别包含：第1绿色荧光体、第2绿色荧光体以及红色荧光体。第1密封树脂层105与第2密封树脂层205中，第1绿色荧光体、第2绿色荧光体以及红色荧光体之中的至少一个材料、混合比例、或者材料以及混合比例相互不同。由此，容易调整发光装置101的发光特性(例如发光装置101的发光光谱的形状)。

[0083] 第1布线图案103(103a、103k)被设置在基板102的上表面，其一部分被树脂堤坝109覆盖。第1电极焊盘104(104a、104k)被设置在基板102的上表面之中位于比树脂堤坝109更靠外侧的部分。第1电极焊盘104a经由引出布线来与第1布线图案103a的一端连接，第1电极焊盘104k经由其他的引出布线来与第1布线图案103k的一端连接。引线至少将发光元件与第1布线图案103(103a、103k)电连接。在设置了2个以上的发光元件的情况下，优选发光元件彼此经由上述引线而连接。

[0084] 同样地，第2布线图案203(203a、203k)被设置在基板102的上表面，其一部分被树脂堤坝109覆盖。第2电极焊盘204(204a、204k)被设置在基板102的上表面之中位于比树脂堤坝109更靠外侧的部分。第2电极焊盘204a经由引出布线来与第2布线图案203a的一端连接，第2电极焊盘204k经由其他的引出布线来与第2布线图案203k的一端连接。引线至少将发光元件与第2布线图案203(203a、203k)电连接。在设置了2个以上的发光元件的情况下，优选发光元件经由上述引线而连接。

[0085] 以上，说明了发光装置101，基板102、第1布线图案103(103a、103k)、第2布线图案203(203a、203k)、第1电极焊盘104(104a、104k)、第2电极焊盘204(204a、204k)、第1密封树脂层105以及第2密封树脂层205分别包含的透明树脂、发光元件、引线、印刷电阻元件以及树脂堤坝109的构成(材料、大小或者形状等)并不限定于上述第1实施方式で的记载。

[0086] [实施方式的概括]

[0087] 图1或者图2所示的发光装置1、101具备：放射在380nm以上且480nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的光的至少一个发光元件6；被从发光元件6放射的一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第1绿色荧光体10；被一次光激励，放射在绿色区域具有峰值发光波长的光的第2绿色荧光体11；和被一次光激励，放射在红色区域具有峰值发光波长的光的红色荧光体12。第2绿色荧光体11所放射的光的峰值发光波长比第1绿色荧光体10所放射的光的峰值发光波长短。由此，能够提高发光装置1、101的演色性。此外，能够减少蓝色区域(波长为380nm以上且480nm以下的区域)的发光强度和黄色区域(波长为540nm以上且580nm以下的区域)的发光强度。

[0088] 优选发光装置1、101的发光光谱具有：在380nm以上且480nm以下的波长范围具有第1发光峰值波长的第1峰值、在485nm以上且580nm以下的波长范围具有第2发光峰值波长的第2峰值、在610nm以上且660nm以下的波长范围具有第3发光峰值波长的第3峰值。在该发光光谱中，优选第1发光强度I1比第2发光强度I2低，比第3发光强度I3低。优选第2发光强度I2比第3发光强度I3低。优选该发光光谱在比第2发光峰值波长长且比第3发光峰值波长短的波长范围，具有朝向发光强度变低的一侧而突出的形状。由此，能够进一步减少蓝色区域的发光强度和黄色区域的发光强度。

[0089] 在发光装置1、101的发光光谱中，更优选第1发光强度I1相对于第3发光强度I3的发光强度比(I1/I3×100)是35.7以上且47.1以下，更优选第2发光强度I2相对于第3发光强度I3的发光强度比(I2/I3×100)是43.9以上且59.1以下，更优选第4发光强度I4相对于第3发光强度I3的发光强度比(I4/I3×100)是45.5以上且54.6以下，更优选第5发光强度I5相对于第3发光强度I3的发光强度比(I5/I3×100)是52.1以上且61.5以下，更优选第6发光强度I6相对于第3发光强度I3的发光强度比(I6/I3×100)是60.2以上且72.7以下。更优选发光装置1、101放射相关色温为2757K以上且3113K以下的光。由此，能够进一步减少黄色区域的发光强度。

[0090] 优选第2绿色荧光体11的激励光谱在从发光元件6放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域即380nm以上且480nm以下的波长范围内、和短波比从发光元件6放射的光的峰值发光波长所存在的波长区域长的波长范围内分别具有激励峰值。由此，能够提供具有所希望的发光特性的发光装置1、101。

[0091] 优选例如图1所示的发光装置1具备：基板2、设置于基板2的上表面的俯视下环状的树脂堤坝9、布线图案3(3a、3k)、电极焊盘4(4a、4k)以及引线7。优选在基板2的上表面之中位于比树脂堤坝9更靠内侧的部分，设置至少一个发光元件6、包含第1绿色荧光体10、第2绿色荧光体11和红色荧光体12的密封树脂层5。优选布线图案3(3a、3k)的至少一部分被树脂堤坝9覆盖。优选电极焊盘4(4a、4k)被设置于基板2的上表面之中位于比树脂堤坝9更靠外侧的部分，并优选与布线图案3(3a、3k)电连接。优选引线7至少将发光元件6和布线图案3(3a、3k)电连接。

[0092] 实施例

[0093] 以下，举例实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些。在以下所示的实施例中，制造图1所示的发光装置并调查了其发光特性。

[0094] ＜实施例1～3＞

[0095] 实施例1～3的发光装置分别包含Lu3-xCexAl5O12系荧光体(Lu3Al5O12：Ce3+)来作为第1绿色荧光体，包含BaSi2(O，Cl)2N2：Eu荧光体(BaSi2(O，Cl)2N2：Eu2+)来作为第2绿色荧光体，包含CaAlSiN3：Eu系荧光体(CaAlSiN3：Eu2+)来作为红色荧光体。使用的第2绿色荧光体3 3
具有10μm以上且20μm以下的平均粒径，并具有3.3g/cm以上且3.5g/cm以下的密度。调整第
1绿色荧光体、第2绿色荧光体和红色荧光体的配合比率，以使得从发光装置放射的光的相关色温Tcp为2900K附近。各实施例中的荧光体的配合量如表1所示。

[0096] ＜实施例4～6＞

[0097] 实施例4～6的发光装置分别包含Lu3-xCexAl5O12系荧光体(Lu3Al5O12：Ce3+)来作为第1绿色荧光体，包含BaSi2(O，Cl)2N2：Eu荧光体(BaSi2(O，Cl)2N2：Eu2+)来作为第2绿色荧光体，包含(Sr，Ca)AlSiN3：Eu系荧光体((Sr，Ca)AlSiN3：Eu2+)来作为红色荧光体。使用的第2绿色荧光体具有10μm以上且20μm以下的平均粒径，并具有3.3g/cm3以上且3.5g/cm3以下的密度。调整第1绿色荧光体、第2绿色荧光体和红色荧光体的配合比率，以使得从发光装置放射的光的相关色温Tcp为2900K附近。各实施例中的荧光体的配合量如表1所示。

[0098] 对被制造出的发光装置各自的发光光谱进行测定，求出第1发光强度I1～第6发光强度I6。依照JIS Z8725(光源的分布温度以及色温/相关色温的测定方法)，求出从各发光装置放射的光的相关色温Tcp。此外，依照JIS Z 8726：1990(光源的演色性评价方法)，求出各发光装置的平均演色评价数Ra。

[0099] ＜比较例1＞

[0100] 比较例1的发光装置包含Lu3-xCexAl5O12系荧光体(Lu3Al5O12：Ce3+)来作为第1绿色荧光体，包含CaAlSiN3：Eu系荧光体(CaAlSiN3：Eu2+)来作为红色荧光体，但不包含第2绿色荧光体。调整第1绿色荧光体与红色荧光体的配合比率，以使得从发光装置放射的光的相关色温Tcp为2900K附近。比较例中的荧光体的配合量如表1所示。

[0101] 根据上述实施例1～6所述的方法，求出第1发光强度I1～第6发光强度I6，求出从发光装置放射的光的相关色温Tcp，并求出发光装置的平均演色评价数Ra。

[0102] [表1]

[0103]

[0104] 在表1中，在“配合量*11(质量部)”一栏，记载了使透明树脂的配合量为100质量部时的各荧光体的配合量。在“发光强度比*12”一栏记载了使第3发光强度I3为100时的各发光强度。

[0105] ＜结果＞

[0106] 表1以及图3～图5中表示结果。图3中表示实施例1～3的发光装置的发光光谱，图4中表示实施例1以及4～6的发光装置的发光光谱，图5中表示实施例1以及比较例1的发光装置的发光光谱。另外，图6～图9中分别表示本实施例中使用的第1绿色荧光体、第2绿色荧光体以及红色荧光体的发光光谱。在图3～图9中，横轴表示波长(nm)，纵轴表示发光强度(单位任意)。

[0107] 在实施例1中，与比较例1相比，蓝色区域(380nm以上且480nm以下的波长区域)的发光强度较低，黄色区域(540nm以上且580nm以下的波长区域)的发光强度较低(图5)。

[0108] 在实施例2以及3中，发光元件的峰值发光波长与实施例1不同。但是，在实施例2以及3中，与比较例1相比，蓝色区域的发光强度较低，黄色区域的发光强度较低(图3以及图5)。

[0109] 在实施例4～6中，将(Sr，Ca)AlSiN3：Eu系荧光体((Sr，Ca)AlSiN3：Eu2+)用作为红色荧光体，红色荧光体的配合量与实施例1不同。但是，在实施例4～6中，与比较例1相比，蓝色区域的发光强度较低，黄色区域的发光强度较低(图4以及图5)。

[0110] 实施例1～6的发光光谱在500nm～630nm的波长范围，具有朝向发光强度变低的一侧而突出的形状。另一方面，在比较例1的发光光谱中，在500nm～630nm的波长范围，若波长变长，则发光强度变大(图3～图5)。

[0111] 以上，考虑了在将来自实施例1～6的发光装置的光照射到白色的照射对象物的情况下，能够使该照射对象物显现出鲜明的白色。此外，考虑了在将来自实施例1～6的发光装置的光照射到黑色的照射对象物的情况下，能够使该照射对象物显现出鲜明的黑色。

[0112] 应认为本次公开的实施方式以及实施例在全部方面都是示例并不是限制性的。例如，也能够应用于侧向发光型LED或者表面安装型LED等发光装置。进一步地，能够将所述发光装置搭载于筒灯或者聚光灯等照明器具。本发明的范围并不通过上述说明表示而通过权利要求书来表示，意图包含与权利要求均等的内容以及范围内的全部变更。

[0113] -符号说明-

[0114] 1、101发光装置，2、102基板，3、3a、3k布线图案，4、4a、4k电极焊盘，5密封树脂层，6发光元件，7引线，8印刷电阻元件，9、109树脂堤坝，10第1绿色荧光体，11第2绿色荧光体，12红色荧光体，103、103a、103k第1布线图案，104、104a、104k第1电极焊盘，105第1密封树脂层，203、203a、203k第2布线图案，204、204a、204k第2电极焊盘，205第2密封树脂层。