3D柱状电感器

摘要

基底焊盘在支撑表面上分隔开一节距。传导构件(可任选地Cu或其它金属柱)从基底焊盘向上延伸到顶部焊盘。顶部焊盘互连器以建立基底焊盘之间的电感器电流路径的配置来连接顶部焊盘。

权利要求

1.一种三维电感器，包括：

下基板，其具有包括基底焊盘支撑表面的顶部表面；以及

顶部支撑结构，其具有包括面对所述基底焊盘支撑表面的顶部焊盘支撑表面的底部表面；

被排列在所述基底焊盘支撑表面上的被分隔开一节距的第一基底焊盘、第二基底焊盘和第三基底焊盘；

第一传导构件，其具有与所述第一基底焊盘对准且耦合的基底并且具有在所述第一基底焊盘上方一高度处的顶部；

第二传导构件，其具有与所述第二基底焊盘对准且耦合的基底并且具有在所述第二基底焊盘上方所述高度处的顶部；

第三传导构件，其具有与所述第三基底焊盘对准且耦合的基底并且具有在所述第三基底焊盘上方所述高度处的顶部；

第一顶部焊盘，其被排列在所述基底焊盘支撑表面上方的所述顶部焊盘支撑表面上、与所述第一基底焊盘对准且耦合至所述第一传导构件的顶部；

所述顶部焊盘支撑表面上的第二顶部焊盘，其与所述第二基底焊盘对准且耦合至所述第二传导构件的顶部；

所述顶部焊盘支撑表面上的第三顶部焊盘，其与所述第三基底焊盘对准且耦合至所述第三传导构件的顶部；

所述顶部焊盘支撑表面上的顶部焊盘互连器，其将所述第一顶部焊盘耦合至所述第二顶部焊盘；以及基底焊盘互连器，其耦合所述第二基底焊盘与所述第三基底焊盘，

其中所述第一基底焊盘、第二基底焊盘和第三基底焊盘呈线性排列。

2.如权利要求1所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件、所述第一顶部焊盘、所述顶部焊盘互连器、所述第二顶部焊盘和所述第二传导构件在与所述基底焊盘支撑表面垂直的平面内建立从所述第一基底焊盘到所述第二基底焊盘的曲折电流路径。

3.如权利要求2所述的三维 电感器，其特征在于，所述高度以及所述第一传导构件和所述第二传导构件的节距被配置成其中所述曲折电流路径建立接近一曲折型电感器的电感器，所述曲折型电感器具有臂长对应于所述高度且臂间隔对应于所述节距的两个臂、具有作为第一端子的所述第一基底焊盘和作为第二端子的所述第二基底焊盘。

4.如权利要求3所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件是第一金属柱，并且所述第二传导构件是第二金属柱。

5.如权利要求4所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一金属柱是第一铜柱，并且所述第二金属柱是第二铜 柱。

6.如权利要求3所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件是第一焊球，具有焊接至所述第一基底焊盘的基底以及焊接至所述第一顶部焊盘的顶部，并且所述第二传导构件是第二焊球，具有焊接至所述第二基底焊盘的基底以及焊接至所述第二顶部焊盘的顶部。

7.如权利要求1所述的三维 电感器，其特征在于，所述顶部焊盘互连器是第一顶部焊盘互连器，其中所述三维 电感器进一步包括：所述基底焊盘支撑表面上的第四基底焊盘，所述第一基底焊盘、所述第二基底焊盘、所述第三基底焊盘和所述第四基底焊盘沿线性轴对准并且彼此分隔开所述节距；

与所述第四基底焊盘对准和耦合的第四传导构件，所述第四传导构件具有所述高度；

所述顶部焊盘支撑表面上的与所述第四传导构件的顶部对准和耦合的第四顶部焊盘；

以及

所述顶部焊盘支撑表面上的第二顶部焊盘互连器，其将所述第三顶部焊盘耦合至所述第四顶部焊盘。

8.如权利要求7所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件、所述第一顶部焊盘、所述第一顶部焊盘互连器、所述第二传导构件、所述第二基底焊盘、所述基底焊盘互连器、所述第三基底焊盘、所述第三传导构件、所述第三顶部焊盘、所述第二顶部焊盘互连、所述第四顶部焊盘和所述第四传导构件在与所述基底焊盘支撑表面的平面垂直的参考平面内建立从所述第一基底焊盘到所述第四基底焊盘的曲折电流路径。

9.如权利要求8所述的三维 电感器，其特征在于，所述高度以及所述第一传导构件、所述第二传导构件、所述第三传导构件和所述第四传导构件的节距被配置成其中所述曲折电流路径建立接近一曲折型电感器的电感器，所述曲折型电感器具有臂长对应于所述高度且臂间隔对应于所述节距的四个臂。

10.如权利要求9所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件是第一金属柱，所述第二传导构件是第二金属柱，所述第三传导构件是第三金属柱，并且所述第四传导构件是第四金属柱。

11.如权利要求10所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一金属柱、所述第二金属柱、所述第三金属柱和所述第四金属柱由铜构成。

12.如权利要求7所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件是第一焊球，具有焊接至所述第一基底焊盘的基底以及焊接至所述第一顶部焊盘的顶部；所述第二传导构件是第二焊球，具有焊接至所述第二基底焊盘的基底以及焊接至所述第二顶部焊盘的顶部；所述第三传导构件是第三焊球，具有焊接至所述第三基底焊盘的基底以及焊接至所述第三顶部焊盘的顶部；并且所述第四传导构件是第四焊球，具有焊接至所述第四基底焊盘的基底以及焊接至所述第四顶部焊盘的顶部。

13.如权利要求12所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一焊球、所述第一顶部焊盘、所述第一顶部焊盘互连器、所述第二焊球、所述第二基底焊盘、所述基底焊盘互连器、所述第三基底焊盘、所述第三焊球、所述第三顶部焊盘、所述第二顶部焊盘互连、所述第四顶部焊盘和所述第四焊球在与所述基底焊盘支撑表面的平面垂直的参考平面内建立从所述第一基底焊盘到所述第四基底焊盘的曲折电流路径。

14.如权利要求13所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一焊球、所述第二焊球、所述第三焊球和所述第四焊球的高度以及所述节距被配置成其中所述曲折电流路径建立接近一曲折型电感器的电感器，所述曲折型电感器具有臂长对应于所述高度且臂间隔对应于所述节距的四个臂。

15.如权利要求7所述的三维 电感器，其特征在于，所述基底焊盘互连器是第一基底焊盘互连器，其中所述三维 电感器进一步包括：所述基底焊盘支撑表面上的第五基底焊盘和第六基底焊盘，所述第五基底焊盘和所述第六基底焊盘沿所述线性轴对准并且所述第四基底焊盘、所述第五基底焊盘和所述第六基底焊盘被分隔开所述节距；

与所述第五基底焊盘对准和耦合的第五传导构件，以及与所述第六基底焊盘对准和耦合的第六传导构件，所述第五传导构件和所述第六传导构件具有所述高度；

所述顶部焊盘支撑表面上的与所述第五传导构件的顶部对准和耦合的第五顶部焊盘，以及所述顶部焊盘支撑表面上的与所述第六传导构件的顶部对准和耦合的第六顶部焊盘；

所述基底焊盘支撑表面上的第二基底焊盘互连器，其将所述第四基底焊盘耦合至所述第五基底焊盘；以及所述顶部焊盘支撑表面上的第三顶部焊盘互连器，其将所述第五顶部焊盘耦合至所述第六顶部焊盘。

16.如权利要求15所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件、所述第一顶部焊盘、所述第一顶部焊盘互连器、所述第二传导构件、所述第二基底焊盘、所述第一基底焊盘互连器、所述第三基底焊盘、所述第三传导构件、所述第三顶部焊盘、所述第二顶部焊盘互连、所述第四顶部焊盘和所述第四传导构件、所述第二基底焊盘互连、所述第五传导构件、所述第三顶部焊盘互连、所述第六顶部焊盘和所述第六传导构件在与所述基底焊盘支撑表面的平面垂直的参考平面内建立从所述第一基底焊盘到所述第六基底焊盘的曲折电流路径。

17.如权利要求16所述的三维 电感器，其特征在于，所述高度以及所述第一传导构件、所述第二传导构件、所述第三传导构件、所述第四传导构件、所述第五传导构件和所述第六传导构件的节距被配置成其中所述曲折电流路径建立接近一曲折型电感器的电感器，所述曲折型电感器具有臂长对应于所述高度且臂间隔对应于所述节距的六个臂。

18.如权利要求16所述的三维 电感器，其特征在于，所述高度以及所述第一传导构件、所述第二传导构件、所述第三传导构件、所述第四传导构件、所述第五传导构件和所述第六传导构件的节距被配置成其中所述曲折电流路径建立接近一3匝曲折型电感器的电感器，所述3匝曲折型电感器具有对应于所述高度的臂长和对应于所述节距的臂间隔。

19.如权利要求16所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一传导构件是第一金属柱，所述第二传导构件是第二金属柱，所述第三传导构件是第三金属柱，所述第四传导构件是第四金属柱，所述第五传导构件是第五金属柱，并且所述第六传导构件是第六金属柱。

20.如权利要求19所述的三维 电感器，其特征在于，所述高度以及所述第一金属柱、所述第二金属柱、所述第三金属柱、所述第四金属柱、所述第五金属柱和所述第六金属柱的节距被配置成其中所述曲折电流路径建立接近一曲折型电感器的电感器，所述曲折型电感器具有臂长对应于所述高度且臂间隔对应于所述节距的六个臂。

21.如权利要求19所述的三维 电感器，其特征在于，所述第一金属柱、所述第二金属柱、所述第三金属柱、所述第四金属柱、所述第五金属柱和所述第六金属柱由铜构成。

22.如权利要求15所述的三维 电感器，其特征在于，所述顶部支撑结构包括由所述下基板以倒装配置支撑的集成电路芯片，所述集成电路 芯片具有包括所述顶部焊盘支持表面的底部表面。

23.一种形成三维电感器的方法，包括：

制造电感器下部子组装件，包括：

在基板的基底焊盘支撑表面上形成被分隔开一节距的第一基底焊盘、第二基底焊盘和第三基底焊盘，所述第一基底焊盘、第二基底焊盘和第三基底焊盘呈线性排列；

形成具有与所述第一基底焊盘对准且耦合的基底且具有在所述第一基底焊盘上方一高度处的顶部的第一传导构件、具有与所述第二基底焊盘对准且耦合的基底且具有在所述第二基底焊盘上方所述高度处的顶部的第二传导构件、以及具有与所述第三基底焊盘对准且耦合的基底且具有在所述第三基底焊盘上方所述高度处的顶部的第三传导构件；以及在所述基底焊盘支撑表面上形成基底焊盘互连器，其耦合所述第二基底焊盘与所述第三基底焊盘，制造电感器顶部子组装件，包括：在顶部支撑结构的顶部焊盘支撑表面上形成被分隔开所述节距的第一顶部焊盘、第二顶部焊盘和第三顶部焊盘；

在所述顶部焊盘支撑表面上形成顶部焊盘互连器，其将所述第一顶部焊盘耦合至所述第二顶部焊盘；以及将所述电感器顶部子组装件组装到所述电感器下部子组装件以形成三维 电感器，其中所述组装包括将所述第一顶部焊盘、所述第二顶部焊盘和所述第三顶部焊盘分别与所述第一传导构件的顶部、所述第二传导构件的顶部和所述第三传导构件的顶部对准和耦合。

24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述顶部焊盘互连器是第一顶部焊盘互连器，其中制造所述电感器下部子组装件进一步包括：

在所述基底焊盘支撑表面上形成第四基底焊盘，所述第一基底焊盘、所述第二基底焊盘、所述第三基底焊盘和所述第四基底焊盘沿线性轴对准并且彼此分隔开所述节距，以及与所述第四基底焊盘对准和耦合的第四传导构件，所述第四传导构件具有所述高度，其中制造所述电感器顶部子组装件进一步包括：在所述顶部焊盘支撑表面上形成所述顶部焊盘支撑表面上的与所述第四传导构件的顶部对准和耦合的第四顶部焊盘；以及在所述顶部焊盘支撑表面上形成第二顶部焊盘互连器，其将所述第三顶部焊盘耦合至所述第四顶部焊盘。

说明书

3D柱状电感器

[0001] 公开领域

[0002] 本申请一般涉及电感器和集成电路器件内的辐射元件。

背景技术

[0003] 电感器可形成或安装在用于各种应用的集成电路(IC)芯片上。示例包括电感器与功率轨串联以对电流“尖峰”(例如，来自负载的快速切换)滤波以及包括电感器和电容器的各种互连的“LC”滤波器。

[0004] 一种已知的IC芯片电感器结构是平面的“zigzag(Z字形)”或“曲折线”(下文的“曲折型”)电感器。图1示出了一种常规平面曲折型电感器100，由在基板104的顶部平面上延伸的曲折型导体102形成。然而，如图1所示的常规平面曲折型电感器可具有某些缺点。一个缺点可能是曲折型导体102在基板104的表面上占据的面积，即，L1和W1的乘积。另一缺点可能是部分地由于基板104的介电属性而引起的其品质因数(Q)的较低值，品质因数是电抗(ωx L)与实电阻(R)的比率。比优选Q低可具有负面影响(诸如，功耗)，其可降低电池寿命和生成热量并且在诸如LC滤波器之类的应用中可降低性能。

[0005] 另一已知的IC芯片电感器结构是三维(“3D”)结构，其被称为“透玻通孔”或“TGV”3D电感器，诸如图2A和2B所示的TGV 3D电感器200。图2A是从垂直于玻璃基板202的顶部表面202A的方向来看的俯视图。图2B是从图2A的切面1-1来看的横截面投影视图。参照图2A和
2B，TGV 3D电感器200采用透玻通孔(TGV)204作为垂直区段并采用顶部迹线206和底部迹线
208分别作为水平区段。

[0006] TGV 3D电感器200在一些应用中与相当的图1的常规平面曲折型电感器100相比可具有较高Q和较高的电感。然而，相关技术的TGV 3D电感器200可具有某些缺点。一个缺点在于在图2A和2B上示为P1和P2的最小节距(即，TGV到TGV间隔)可能比期望的大，这是因为TGV技术的基本方面。结果，TGV 3D电感器200往往占据比优选大的面积或体积。

[0007] 相应地，需要高Q、低表面面积的IC芯片电感器。

[0008] 概述

[0009] 各个示例性实施例还可提供具有诸特征和益处的电感器结构，这些特征和益处可包括但不限于每单位面积或每单位体积的较高电感、和较高Q、易于制造以及与已知常规IC设计和制造技术的兼容性。

[0010] 根据各个示例性实施例的示例三维(3D)电感器可包括第一基底焊盘和第二基底焊盘，其间间隔一节距。第一基底焊盘和第二基底焊盘可被排列在给定基底焊盘支撑表面上。第一传导构件可被排列成具有与第一基底焊盘对准且耦合的基底并且具有在第一基底焊盘上方一高度处的顶部。在一方面，第二传导构件可具有与第二基底焊盘对准且耦合的基底以及在第二基底焊盘上方一高度的顶部。在一方面，第一顶部焊盘可被排列在高于且面对给定基底焊盘支撑表面的给定顶部焊盘支撑表面上、与第一基底焊盘对准且耦合至第一传导构件的顶部。在相关方面，第二顶部焊盘可被排列在该给定顶部焊盘支撑表面上，其与第二基底焊盘对准且耦合至第二传导构件的顶部。在一方面，顶部焊盘互连器可被形成在给定顶部焊盘支撑表面上，将第一顶部焊盘耦合至第二顶部焊盘。

[0011] 在一方面，第一传导构件、第一顶部焊盘、顶部焊盘互连器、第二顶部焊盘和第二传导构件可被排列成在与给定基底焊盘支撑表面的平面垂直的参考平面内建立从第一基底焊盘到第二基底焊盘的曲折电流路径。

[0012] 在进一步方面，该高度以及第一传导构件、第二传导构件、第三传导构件和第四传导构件的节距可被配置成其中曲折电流路径建立接近具有四个臂的曲折型电感器的电感器。所接近的曲折型电感器的臂长可对应于高度。臂间隔可对应于节距。第一基底焊盘可以是第一端子并且第二基底焊盘可以是第二端子。

[0013] 根据各个示例性实施例的示例三维(3D)电感器可包括第一传导构件行和第二传导构件行。这些传导构件可各自从给定基底焊盘支撑表面上的对应基底焊盘延伸一高度到对应顶部焊盘。对应顶部焊盘可以在面对给定基底焊盘支撑表面的给定顶部焊盘支撑表面上。在一方面，第一传导构件行和第二传导构件行可被排列成平行于给定绕组轴且在给定绕组轴的相对侧。给定绕组轴可平行于给定基底焊盘支撑表面和给定顶部焊盘支撑表面且在给定基底焊盘支撑表面和给定顶部焊盘支撑表面之间。基底交叉连接器可在给定绕组轴下方将第一行中的第一传导构件的基底焊盘连接至第二行中的第一传导构件的基底焊盘。在进一步方面，毗邻匝链路可在该绕组轴上方从第二行中的第一传导构件的顶部焊盘延伸至第一行中的第二传导构件的顶部焊盘，毗邻于第一行中的第一传导构件。

[0014] 根据各个示例性实施例的示例方法可提供3D电感器的形成，并且可包括制造电感器下部子组装件、制造电感器顶部子组装件以及组装这些子组装件。在一方面，形成电感器下部子组装件可包括在基板的给定基底焊盘支撑表面上形成被间隔开一节距的第一基底焊盘和第二基底焊盘，以及形成具有与第一基底焊盘对准和耦合的基底的第一传导构件。在一方面，第一传导构件可具有在第一基底焊盘上方一高度处的顶部。方法还可包括形成第二传导构件，其具有与第二基底焊盘对准且耦合的基底以及在第二基底焊盘上方该高度的顶部。根据各个示例性实施例，制造电感器顶部子组装件可包括在给定顶部支撑结构的给定顶部焊盘支撑表面上形成被分隔开该节距的第一顶部焊盘和第二顶部焊盘。方法可进一步包括在所述给定顶部焊盘支撑表面上形成顶部焊盘互连器，其将第一顶部焊盘耦合至第二顶部焊盘。示例方法可进一步包括将电感器顶部子组装件组装到电感器下部子组装件以形成3D电感器。在一方面，该组装可包括将第一顶部焊盘和第二顶部焊盘分别与第一传导构件的顶部和第二传导构件的顶部对准和耦合。

[0015] 附图简述

[0016] 给出附图以帮助对本发明实施例进行描述，且提供附图仅用于解说实施例而非对其进行限定。

[0017] 图1是相关技术平面曲折型电感器的平面图。

[0018] 图2A是相关技术TGV电感器的俯视图。

[0019] 图2B是图2A的相关技术TGV电感器在1-1切面上的投影。

[0020] 图3A是根据一个或多个示例性实施例的三维(3D)柱状曲折型电感器的从平行于Cu柱状臂的延伸平面的投影来看的正视图。

[0021] 图3B是图3A的注解，示出由3D柱状曲折型电感器建立的曲折型电感器电流路径。

[0022] 图4A是图3A的切面3-3上的投影，示出根据一个示例柱状基底互连图案的3D柱状曲折型电感器的Cu柱以及它们相应的柱状基底互连器的示例对准和节距。

[0023] 图4B是图3A的切面4-4上的投影，示出根据一个示例柱状顶部连接图案的3D柱状电感器的Cu柱顶部焊盘以及它们相应的柱状顶部互连器。

[0024] 图5A-5H示出了从图3A的正视图来看根据一个或多个示例性实施例的在下基板上制造3D柱状曲折型电感器下部子组装件以用于与对应3D柱状曲折型电感器顶部子组装件的后续组装的一个过程中的示例操作的一个快照序列。

[0025] 图6是从图5H投影5-5来看示出从3D柱状曲折型电感器下部子组装件的下基板向上延伸的Cu柱的对准的平面视图。

[0026] 图7A是一个3D柱状曲折型电感器顶部子组装件在被翻转以与图5H的3D柱状曲折型电感器的下部子组装件组装之前的柱状顶部焊盘和柱状顶部互连器的一个示例排列的平面图。

[0027] 图7B是在被翻转以与图5H的3D柱状曲折型电感器的下部子组装件组装之后从图7A投影6-6来看的正视图。

[0028] 图8A-8B示出根据一个或多个示例性实施例的将图7A-7B的3D柱状曲折型电感器顶部子组装件组装到图5H的3D柱状曲折型电感器的下部子组装件上以形成3D曲折型电感器的快照序列。

[0029] 图9A-9B示出根据一个或多个示例性实施例的将具有Cu柱的顶部部分的经修改3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件组装到具有Cu柱的下部部分的经修改3D柱状曲折型电感器的下部子组装件上以形成3D曲折型电感器的示例操作的快照序列。

[0030] 图10示出根据一个或多个示例性实施例的制造3D柱状曲折型电感器的一个过程中的示例操作的一个流程的逻辑示图。

[0031] 图11A是根据一个或多个示例性实施例的3D柱状矩形螺旋电感器的从垂直于下基板的平面的投影来看的正视图。

[0032] 图11B是根据各个示例性实施例的图11A的切面7-7上的投影，示出用于一个示例3D柱状矩形螺旋电感器的Cu柱和基底焊盘互连的一个示例排列。

[0033] 图11C是根据各个示例性实施例的图11A的切面8-8上的投影，示出一个示例3D柱状矩形螺旋电感器的Cu柱顶部焊盘和相应柱状顶部焊盘互连器的一个示例排列。

[0034] 图12是根据一个示例性替换实施例的一个3D焊球曲折型电感器的下部子组装件的正视图。

[0035] 图13A-13B示出根据一个示例性替换实施例的将3D焊球曲折型电感器的顶部子组装件组装到经修改3D焊球曲折型电感器的下部子组装件上以形成3D焊球曲折型电感器的一个示例操作的快照序列。

[0036] 图14A是根据一个或多个示例性实施例的3匝Cu柱线圈电感器的下部子组装件的平面图。

[0037] 图14B是从图14A的投影9-9来看的正视图。

[0038] 图15是根据一个或多个示例性实施例的被配置成用于与图14A-14B的柱状线圈电感器的下部子组装件1400组装以形成3匝柱线圈电感器的一个示例Cu柱线圈电感器的上部或顶部子组装件的平面图。

[0039] 图16A–16B示出根据一个或多个示例性实施例的将图15的柱状线圈电感器的顶部子组装件组装到图14A-14B的柱状线圈电感器的下部子组装件以形成3匝柱状线圈电感器的一个示例操作的快照。

[0040] 图17是从投影11-11来看的图16B的3匝柱状线圈电感器的顶部视图，通过隐藏线示出在下方跨越绕组轴WX的柱状交叉连接器以及在绕组轴WX之上对角通过的柱状毗邻匝链路。

[0041] 图18示出根据一个或多个示例性实施例的一个示例个人通信和计算设备的一个示例功能示意图。

[0042] 详细描述

[0043] 本发明的诸方面在以下针对具体示例性实施例的描述和相关附图中公开。可以设计替换实施例而不会脱离本发明的范围。在所描述的某些示例实现中，标识了其中各种组件结构和操作部分可从已知的常规技术取得并且随后根据一个或多个示例性实施例安排的实例。在此类实例中，已知的常规组件结构和/或操作部分的内部细节被省略以帮助避免潜在模糊创造性概念。

[0044] 本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而并不旨在限定本发明的实施例。

[0045] 如本文所使用的措辞“示例性”意指“用作示例、实例或解说”。相应地，如本文所使用的术语“示例性实施例”意指用作示例、实例或解说的实施例，而并不一定优于或胜过其他实施例。类似地，将理解，本文参照特征、优点或操作模式使用的术语“本发明的实施例”并不意指本发明的所有实施例包括所讨论的特征、优点或操作模式。

[0046] 如本文所使用的，单数形式的“一”、“某”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。术语“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其群组的存在或添加。

[0047] 某些实施例按照例如在设计和制造的各个过程中或涉及这些过程的操作和步骤的形式描述。将理解，除了其中显式地陈述或其中从特定上下文变得清楚的实例，此类操作或步骤的所描述次序仅仅是出于示例目的，而没有必要限制可在实践中根据各个示例性实施例应用的操作或步骤的次序。

[0048] 进一步，某些实施例是以操作、步骤、动作或操作序列、可由例如计算设备或计算设备的元件执行或由其控制的步骤和动作的形式描述的。本领域普通技术人员在阅读本公开时将理解，此类操作、步骤、动作、序列和其它组合因此可由专用电路(例如，专用集成电路(ASIC))、由正被一个或多个处理器执行的程序指令、或由这两者的组合来执行或受其控制。

[0049] 相应地，此类人员将领会，操作、步骤、动作、序列和其其它组合可被完全实施在任何形式的计算机可读存储介质内，其中存储有一经执行就将使相关联的处理器直接或间接地执行本文所描述的操作、步骤、动作、序列和其它组合的相应计算机指令集。因此，本发明的各种方面可以用数种不同形式来实施，所有这些形式都被构想落在所要求保护的主题内容的范围内。

[0050] 贯穿本公开，术语“焊盘”意指被布置在所描述的表面上的传导结构，具有一范围内的厚度，该范围包括但不限于由集成电路(IC)和IC封装技术内的“焊盘”的普通和通常含义内的结构所涵盖的厚度的范围。

[0051] 如贯穿本公开所使用的，术语“传导构件”意指传导结构，例如，传导柱、桩或球，其具有基底或底部表面，该基底或底部表面与对应“基底焊盘”对准和耦合或者被配置成与对应“基底焊盘”对准和耦合，并且具有在基底上方间隔一“高度”的顶部表面，该顶部表面与被指定为“顶部焊盘”的对应焊盘对准或耦合或者被配置成与该对应焊盘对准或耦合。

[0052] 根据各个示例性实施例的一个示例三维(3D)电感器包括第一基底焊盘和第二基底焊盘，其彼此间隔开一节距，被布置在给定基底焊盘支撑表面上。该给定基底焊盘支撑表面可以例如是给定下基板或基底基板的获指派顶部表面区域。在一方面，第一传导构件(例如，金属柱、桩或焊球)可与第一基底焊盘对准和耦合，并且第二传导构件可与第二基底焊盘对准和耦合。在进一步方面，第一传导构件的顶部可耦合至给定顶部焊盘支撑表面上的第一顶部焊盘，其可在基底焊盘支撑表面上方分隔开且面对基底焊盘支撑表面。第一顶部焊盘可在第一基底焊盘上方并与其对准。在进一步方面，第二传导构件的顶部可耦合至给定顶部焊盘支撑表面上的第二顶部焊盘，并且第二顶部焊盘可在第二基底上方并与第二基底焊盘对准。顶部焊盘支撑表面上的顶部焊盘互连器可将第一顶部焊盘耦合至第二顶部焊盘。

[0053] 在一方面，第一传导构件、第一顶部焊盘、顶部焊盘互连器、第二顶部焊盘和第二传导构件可在与给定基底焊盘支撑表面垂直的平面内建立曲折电流路径。

[0054] 如示例性实施例所涉及的本领域普通技术人员将领会的，该高度以及第一传导构件和第二传导构件的节距可被配置成其中曲折电流路径接近具有两个臂的曲折型电感器。所接近的曲折型电感器的臂长可对应于高度，并且臂间距可对应于节距。在一方面，第一基底焊盘可以是第一端子并且第二基底焊盘可以是第二端子。

[0055] 在一个示例中，给定顶部焊盘支撑表面可以自身是高于基底或下基板的另一基板的底部表面。例如，不作为限定，一个给定顶部焊盘支撑表面可以是在其顶部表面上以倒装配置支撑IC芯片的基板的底部表面。在另一示例中，不作为限定，一个给定顶部焊盘支撑表面可以是由给定基底或下基板以倒装配置支持的IC芯片的活跃芯片表面。

[0056] 在一方面，在根据各个示例性实施例的示例3D电感器中，传导构件中的每一个可以是金属柱。例如，第一传感构件可以是第一金属柱，并且第二传导构件可以是第二金属柱。作为更具体的示例，第一传感构件可以是第一铜(Cu)柱，并且第二传导构件可以是第二Cu柱。

[0057] 在一方面，顶部焊盘互连器可以是第一顶部焊盘互连器，并且3D电感器可进一步包括给定基底焊盘支撑表面上的第三基底焊盘和第四基底焊盘。在进一步方面，第一基底焊盘、第二基底焊盘、第三基底焊盘和第四基底焊盘可沿线性轴对准并且彼此分隔开该节距。

[0058] 在另一方面，基底焊盘互连器可被提供在耦合第一基底焊盘和第二基底焊盘的给定基底焊盘支撑表面上。在组合中，第三传导构件可与第三基底焊盘对准和耦合，并且第四传导构件与第四基底焊盘对准和耦合。第三传导构件和第四传导构件可具有与第一传导构件和第二传导构件相同的高度。在另一方面，第三顶部焊盘和第四顶部焊盘可被布置在给定顶部焊盘支撑表面上。第三顶部焊盘可与第三传导构件的顶部对准和耦合，并且第四顶部焊盘可与第四传导构件的顶部对准和耦合。在一方面，第二顶部焊盘互连器可被支撑在给定顶部焊盘支撑表面上，将第三顶部焊盘耦合至第四顶部焊盘。

[0059] 在一方面，第一传导构件、第一顶部焊盘、第一顶部焊盘互连器、第二顶部焊盘和第二传导构件、第二基底焊盘、基底焊盘互连器、第三基底焊盘、第三传导构件、第三顶部焊盘、第四顶部焊盘和第四传导构件可建立曲折电流路径。在一方面，所建立的曲折电流路径可以在与给定基底焊盘支撑表面垂直的平面内，从第一基底焊盘到第四基底焊盘。

[0060] 如本领域普通技术人员从阅读本公开将领会的，该高度以及第一传导构件、第二传导构件、第三传导构件和第四传导构件的节距可被配置成其中曲折电流路径建立接近具有四个臂的曲折型电感器的电感器。所接近的曲折型电感器可具有对应于高度的臂长和对应于节距的臂间距。第一基底焊盘可以是第一端子并且第四基底焊盘可以是第二端子。

[0061] 图3A示出了根据一个示例性实施例的一个3D柱状电感器结构300的正视图。如图3B所示，3D柱状电感器结构300提供了3D柱状曲折型电感器350，其根据一个示例性实施例建立曲折电流路径CP。在一方面，曲折型电感器350包括六个臂，其各自相应地由示例金属柱302-1、302-2...302-6(合称为“金属柱302”)之一形成。金属柱302可将从下基板304的基底焊盘支撑表面304S延伸一柱长度D1直到顶部支撑结构306的顶部焊盘支撑表面306S。将理解，诸如“下部”和“上部”之类的术语指代在图3A-3B的纸张上的顶部到底部次序，并且柱“高度”意指从基底焊盘支撑表面304S的延伸，并且这些不一定涉及较大参考系(例如，地球)内的取向。将领会，曲折电流路径CP在垂直于基底焊盘支撑表面304S的平面内。

[0062] 图4A是从图3B的投影2-2来看的平面图，示出基底焊盘支撑表面304S上金属柱302的节距P3和排列以及它们的特定互连。图4B是从图3B的投影3-3来看的平面图，示出顶部支撑结构306的顶部焊盘支撑表面306S上金属柱302的顶部的特定互连。在描述3D柱状电感器结构300的示例方面时，金属柱302-1、302-2...302-6可被个体地称为第一金属柱302-1、第二金属柱302-2、第三金属柱302-3、第四金属柱302-4、第五金属柱302-5和第六金属柱302-6。

[0063] 在一方面，金属柱302可由铜(Cu)构成。将Cu用作传导柱302的示例的后续描述将出于简洁起见将金属柱302引述为“Cu柱”302。在描述使用Cu柱302的3D柱状电感器结构300的示例方面时，Cu柱302可被个体地称为第一Cu柱302-1、第二Cu柱302-2、第三Cu柱302-3、第四Cu柱302-4、第五Cu柱302-5和第六Cu柱302-6。然而，引述Cu柱302的描述并不旨在将示例性实施例限制到由Cu构成的金属柱302。相反，示例性实施例构想了替换高传导率金属(诸如但不作为限定，铝(Al)和各种铜合金)的金属柱302。另外，本领域普通技术人员在阅读本公开时可将引述Cu柱302的描述适应于使用替换金属(诸如Al)的示例性实施例的实践，而无需过度的实验。

[0064] 参照图4A，在下基板304的基底焊盘支撑表面304S上可以是被均等间隔开节距P3的基底焊盘308-1、308-2...308-6(合称为“基底焊盘308”)沿轴AX的线性排列。这些基底焊盘中的每一个支撑Cu柱302中的对应一个Cu柱。在描述3D柱状电感器结构300的示例方面时，基底焊盘308-1、308-2...308-6可被个体地称为第一基底焊盘308-1、第二基底焊盘308-2、第三基底焊盘308-3、第四基底焊盘308-4、第五基底焊盘308-5和第六基底焊盘308-
6。

[0065] 第一端子TA可连接至第一基底焊盘308-1，并且第二端子TB可连接至第六基底焊盘308-6。第一和第二端子TA和TB没有必要被特定地结构化为端子。例如，“TA”和“TB”可以简单地是分别应用于第一基底焊盘308-1和第六基底焊盘308-6的参考名称。另外，由于金属柱302的示例数量(其为六)为偶数，因此第一和第二端子TA和TB均在基底焊盘支撑表面304S上。将理解，如果选择了奇数数目的金属柱302，则第一和第二端子TA和TB之一可以在支撑表面304A上，而另一个在顶部焊盘支撑表面306S上。

[0066] 仍参照图4A，也在基底焊盘支撑表面304S上，基底焊盘第一互连器310-1可将第二基底焊盘308-2连接至第三基底焊盘308-3。类似地，基底焊盘第二互连310-2可将第四基底焊盘308-4连接至第五基底焊盘308-5。基底焊盘第一互连器310-1和基底焊盘第二互连器310-2将被合称为“基底焊盘互连器310”。基底焊盘互连器310可例如由Cu或另一良好传导的金属构成。基底焊盘互连器310藉以连接基底焊盘308的上述模式可被称为“基底焊盘互连模式”。

[0067] 图4B是从顶部焊盘支撑表面306S的图3B切面3-3来看的平面图，示出了与基底焊盘308对准的沿轴AX’排列的六个柱顶部焊盘312-1、312-2...312-6(合称为“顶部焊盘”312)。在描述3D柱状电感器结构300的示例方面时，顶部焊盘312-1、312-2...312-6可被个体地称为第一顶部焊盘312-1、第二顶部焊盘312-2、第三顶部焊盘312-3、第四顶部焊盘
312-4、第五顶部焊盘312-5和第六顶部焊盘312-6。顶部焊盘第一互连器314-1将第一顶部焊盘312-2连接至第二顶部焊盘312-2。顶部焊盘第二互连器314-2将第三顶部焊盘312-3连接至第四顶部焊盘312-4，并且顶部焊盘第三互连器314-3将第五顶部焊盘312-5连接至第六顶部焊盘312-6。顶部焊盘第一互连器314-1、顶部焊盘第二互连器314-2和顶部焊盘第三互连器314-3将被合称为“顶部焊盘互连器314”。顶部焊盘互连器314可例如由Cu或另一良好传导的金属构成。顶部焊盘互连器314藉以连接顶部焊盘312的上述模式可被称为“顶部焊盘互连模式”。

[0068] 参照图3A-3B，金属柱302的上述排列(其中它们的基底焊盘308以所描述的基底焊盘互连模式互连，并且它们的顶部焊盘312以所描述的顶部焊盘互连模式互连)向曲折型电感器350提供了曲折电流路径CP。如先前所描述的，曲折电流路径CP可在垂直于基底焊盘支撑表面304S的平面内。在一方面，金属柱302的高度D1和节距P3可被配置成其中曲折电流路径CP建立接近具有六个臂的曲折型电感器的电感器。所接近的曲折型电感器的臂长可对应于D1，并且臂间距可对应于P3。第一基底焊盘308-1可以是第一端子并且第六基底焊盘308-6可以是第二端子。

[0069] 上述3D柱状曲折型电感器350示出沿线性轴AX排列的其金属柱302。这仅仅是一个示例，并不旨在作为对示例性实施例中任一者的限制。具有在X-Y区域之上排列以例如构成3D线圈电感器的金属柱和其它传导构件的附加方面在本公开中稍后描述。

[0070] 再次参照图4A，金属柱302被示为均等地间隔开节距P3。这仅仅是出于示例目的。在一个替换方面，金属柱302可被不均等地间隔开(在附图中未显式示出)。进一步，金属柱
302以圆形横截面示出。可是圆形横截面仅仅是示例，而非限定。

[0071] 关于顶部支撑结构306，图3A将其示出为以翻转排列支撑IC芯片(其被任意地标记为“芯片X”)的基板。将理解，顶部支撑结构306仅仅是一个示例。根据各个实施例的实践包括例如使用集成电路芯片(诸如“芯片X”)的表面来执行所描述的顶部焊盘支撑表面306S的功能。

[0072] 参照图3A-3B和4A-4B，六个金属柱302的数量仅仅是出于示例目的，而并不旨在限制示例性实施例可包括的金属柱302的数量。例如，如将从整体阅读本公开理解的，根据图3A-3B的结构可被实现成具有仅三个或者更少的金属柱302、或者例如七个或更多个金属柱
302。

[0073] 参照图3B，在一方面，在金属柱302之间可存在分布式空间(示出但未单独标记)，从下基板304的基底焊盘支撑表面304S跨越直至顶部支撑结构306的顶部焊盘支撑表面306S。在一方面，该分布式空间可填充有例如空气。在进一步方面，该分布式空间可填充有低损耗介电材料。在另一方面，该分布式空间可填充有磁性材料。

[0074] 将理解，根据示例性实施例的3D曲折型电感器可包括比由示例3D柱状曲折型电感器350示出的更少的匝数。例如，“一匝”(未在附图中单独标记)3D柱状曲折型电感器可以仅使用第一金属柱302-1、第二金属柱302-2和顶部焊盘第一互连器314-1来实现。该“一匝”3D曲折型电感器的一个端子可以是电感器的第一端子导线TA(或第一基底焊盘308-1)，并且另一个可以是第二基底焊盘308-2。在该示例中，第一金属柱302-1、第一顶部焊盘312-1、第一顶部焊盘互连器314-1和第二金属柱302-2可形成曲折电流路径(图3B中可见，但未单独标记)。该一匝示例仅仅是一个实现。具有本公开的本领域普通技术人员可容易地在3D柱状曲折型电感器350内标识可被用作一匝3D柱状曲折型电感器的其它的其组成结构。另外，此类人员在阅读该公开时可变得显而易见的是3D柱状曲折型电感器350可被补充有附加金属柱(图3A-3B或图4A-4B中未显式示出)、以及对应附加柱状顶部焊盘互连器和柱状基底焊盘互连器，按照所公开的一般模式。

[0075] 现在将更详细地描述根据各个示例性实施例的用于制造3D柱状曲折型电感器的解说性过程中的示例操作。

[0076] 参照图5A，一个起始结构500-A可包括具有支撑表面502S的下基板502。下基板502在示例实现中可以是较大的下基板(图5A中未完全可见)的区域或部分。

[0077] 起始结构500-A将在假定其被配置成用于制造图3A-3B和4A-4B柱状电感器结构300的情况下描述，以专注于概念而不会被另一示例结构实现的描述造成可能的模糊。相应地，对于该示例，起始结构500-A在支撑表面502S上具有沿线性对准轴(图5A中不可见)排列的六个基底焊盘504-1、504-2...504-6(合称为“基底焊盘”504)。该线性对准轴可以是例如图4A的AX。在一方面，基底焊盘504可被分隔开一节距(被示出但未单独标记)，该节距被假定为P3。在描述示例方面时，基底焊盘504可被个体地称为第一基底焊盘504-1、第二基底焊盘504-2、第三基底焊盘504-3、第四基底焊盘504-4、第五基底焊盘504-5和第六基底焊盘
504-6。

[0078] 也在下基板502的支撑表面502S上，第一基底焊盘互连器506-1被配置成将第二基底焊盘504-2连接至第三基底焊盘504-3，并且第二基底焊盘互连器506-2被配置成将第四基底焊盘504-4连接至第五基底焊盘504-5。第一基底焊盘互连器506-1和第二基底焊盘互连器506-2的此排列因此根据关于图3A-3B的下部基底焊盘308描述的基底焊盘互连模式来连接基底焊盘504。被标记为“TR”的导体(在支撑表面502S上被示为连接至第一基底焊盘504-1)可作为第一端子来包括。被标记为“TS”的导体(在支撑表面502S上被示为连接至基底焊盘504-6)可作为第二端子来包括。

[0079] 参照图5B，根据一个过程的操作可包括在图5A的起始结构500-A之上沉积钝化层508以形成工艺内结构500-B。钝化层508可以是例如SiO2。然而，SiO2仅仅是用于钝化层508的一种示例材料。查看了本公开的本领域普通技术人员可标识各种替换方案。钝化层508可根据常规钝化层技术来沉积，而不必特定于示例性实施例。因此，用于沉积钝化层508的技术的进一步详细描述被省略。钝化层508的厚度(被示出，但未单独标记)可以至少部分地是因应用而异的。但是，本领域普通技术人员在面对特定应用和整体阅读本公开的情况下可容易地确定用于钝化层508的恰适厚度或厚度范围，而无需过度实验。

[0080] 参照图5C，在沉积钝化层508之后，可执行蚀刻或其它已知的移除操作以暴露基底焊盘504的顶部表面区域510，如由工艺内结构500-C所示。所暴露的顶部表面区域510在一方面是用于Cu柱(图5C中未示出)的后续沉积的位置，Cu柱例如对应于图3A-3B的柱状电感器结构300的金属柱302。所暴露的顶部表面区域510由此可根据Cu柱的直径来调整大小。

[0081] 参照图5D，在暴露基底焊盘504的顶部表面区域510之后，可通过在钝化层508的顶部表面(示出但未单独标记)上沉积种子层512来形成工艺内结构500-D。如图所示，具体而言，种子层512可覆盖所暴露的顶部表面区域510。种子层512的功能是辅助在暴露的表面区域上柱的Cu(或替换金属)电镀，如将参照该图5A-5H快照序列中的稍后附图描述的。种子层512可包括例如Cu、钛(Ti)、钽(Ta)或对于本领域普通技术人员在阅读该公开时可变得显而易见的一个或多个替换。种子层512可通过例如常规技术来沉积，这些技术包括但不限于化学气相沉积(CVD)、等离子气相沉积(PVD)、或对于此类人员在阅读该公开时可变得显而易见的替换技术。种子层512的厚度(被示出，但未分开标记)可以至少部分地是因应用而异的。但本领域普通技术人员可鉴于本公开通过应用常规技术来确定种子层512的恰适厚度的应用而无需过度实验。厚度的进一步详细描述由此被省略。种子层512直接在所暴露的顶部表面区域510上的区域(其一个代表性示例被标记为“514”)将支撑在后续操作中沉积的柱。

[0082] 接着参照图5E，厚度为D5的模塑层516随后可被沉积在种子层512之上，从而形成工艺内结构500-E。模塑层516可包括但不限于SiO2。SiO2的替换对于本领域普通技术人员在阅读本公开时可变得显而易见。在一方面，模塑层516的厚度D5可与金属柱(例如，图3A-3B的金属柱302)的期望长度(高度)基本上相同。在进一步方面，模塑层516可被形成有大于期望金属柱高度的厚度D5以例如允许沉积金属间化合物(IMC)(图5E中未示出)，如稍后更详细描述的。

[0083] 参照图5F，将柱凹进518掩模和蚀刻到模塑层516中可形成具有柱模塑520的工艺内结构500F，其柱凹进518与先前暴露的顶部表面区域510上的种子层512的区域对准。柱凹进518可根据期望柱(例如，图3A-3B的金属柱302)来调整形状和大小。关于蚀刻柱凹进518的技术，具有本公开的本领域普通技术人员可选择和适配常规蚀刻技术来执行该蚀刻，而无需过度实验。进一步详细描述由此被省略。

[0084] 参照图5G，在形成柱模塑520之后，金属(例如，铜(Cu))或另一导体可被沉积到柱凹进518的高度D6。出于示例目的，将假定沉积的导体是Cu。沉积的结果因此是多个装入Cu柱522，如通过工艺内结构500-G示出的。Cu(以及各个替换金属)的沉积可例如通过应用常规电镀技术来完成。Cu被沉积的高度D6可以是D5，即，它可完全填充(未示出)柱凹进518。在一个替换方面，Cu可被沉积到较浅深度(未示出)以允许例如先前提及的IMC的后续沉积。

[0085] 接着参照图5H，柱模塑520可被移除以提供工艺内结构500-H。工艺内结构500-H可包括在基底焊盘504上支撑六个Cu柱522-1、522-2...522-6(合称为“Cu柱520”，标记未在附图中显式示出)的下基板502。在描述示例方面时，Cu柱520可被个体地称为第一Cu柱520-1、第二Cu柱520-2、第三Cu柱520-3、第四Cu柱520-4、第五Cu柱520-5和第六Cu柱520-6。

[0086] 为了在本公开的后续章节方便地参照图5H，顶部(即，Cu柱522的远端)将被一般性地称为“柱顶部522A”，其一个代表性示例在第一Cu柱522-1上标记。

[0087] 上述制造过程根据图3A-3B的3D柱状曲折型电感器350的基底焊盘连接模式来连接基底焊盘504。该示例工艺内结构500-H将被称为3D柱状曲折型电感器“下部子组装件”500-H。

[0088] 图6是从图5H的投影5-5来看的俯视图，其示出被分隔开节距P3且沿轴AX对准的Cu柱522。

[0089] 图7A是根据一个或多个示例性实施例的被配置成用于与3D柱状曲折型电感器下部子组装件500-H组装以形成3D曲折型电感器的一个示例3D柱状曲折型电感器顶部子组装件700的平面图。3D柱状曲折型电感器顶部子组装件700可包括具有支撑表面702S的顶部支撑结构702。图7B是从图7A投影6-6来看的正视图。参照图7B，并且参照图7A的组装快照，在被翻转以与图5H的3D柱状曲折型电感器下部子组装件500-H组装之后，支撑表面702S面对下基板502的支撑表面502S。

[0090] 参照图7A，支撑表面702S可支撑柱顶部焊盘，诸如，第一顶部焊盘704-1、第二顶部焊盘704-2、第三顶部焊盘704-3、第四顶部焊盘704-4、第五顶部焊盘704-5、以及第六顶部焊盘704-4(合称为“柱顶部焊盘704”，标记未在附图中特别示出)。柱顶部焊盘704被定位成与图5H的3D柱状曲折型电感器的下部子组装件500-H的Cu柱522对准。出于示例目的，3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件700被示为配置有图3A-3B的3D曲折型电感器150中示出的顶部焊盘互连模式。相应地，支撑表面702S上的柱顶部焊盘第一互连器706-1将第一顶部焊盘704-1连接至第二顶部焊盘704-2，柱顶部焊盘第二互连器706-2将第三顶部焊盘704-3连接至第四顶部焊盘704-4，并且柱顶部焊盘第三互连器706-3将第五顶部焊盘704-5连接至第六顶部焊盘704-6。出于简洁目的，柱顶部焊盘第一互连器706-1、柱顶部焊盘第二互连器706-2和柱顶部焊盘第三互连器706-3将被合称为“柱顶部焊盘互连器706”。

[0091] 图8A是将图7A-7B的3D柱状曲折型电感器顶部子组装件700组装到图5H的3D柱状曲折型电感器下部子组装件500-H的操作800A的快照示图。操作800A形成图8B中所示的3D Cu柱状曲折型电感器结构800B。

[0092] 参照图8A，可在柱顶部522A处布置IMC材料802，如参照图5G描述的。IMC材料802可以是例如焊料。然而，焊料通常具有比Cu低的传导率。因此，在一个方面，可执行Cu柱顶部522A到柱顶部焊盘704的直接Cu到Cu接合(在附图中未显式可见)。在一方面，直接Cu到Cu接合可被优选以增大顶部基板到底部基板界面处的传导率，并且进而增大所导致的3D柱状曲折型电感器的Q。

[0093] 如图8A所示，3D柱状曲折型电感器顶部子组装件700和3D柱状曲折型电感器下部子组装件500-H中的一者或两者可在“AB”方向上推进在一起。在一方面，该推进可被配置成维持柱顶部焊盘704与Cu柱顶部522A的可接受对准。关于“可接受对准”，本领域普通技术人员将领会，关于对准的可接受性的容限或窗口可以因应用而异。但是查看了本公开的此类人员可通过应用此类人员对于所描述的概念拥有的基础工程技术来容易地确定可接受性的容限或窗口，而无需过度实验。柱顶部焊盘704随后可以导电方式接合Cu柱顶部522A，以获取图8B中所示的Cu柱状曲折型电感器结构800B。

[0094] 所描述的示例示出3D柱状曲折型电感器的下部子组装件500-H具有整个Cu柱522，并且3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件700仅具有柱顶部焊盘704和柱顶部焊盘互连器706。换言之，如因此所描述的，Cu柱522在种子层512的区域514上全部形成到它们的期望高度。

[0095] 在一个替换实施例中，代替Cu柱522为完整器件的Cu柱的全部高度，它们可仅被形成为全部高度的下部区段，例如，一半或三分之一。完整器件的Cu柱的较高或顶部区段可被形成在3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件700的柱顶部焊盘704上。在对准3D柱状曲折型电感器的上部和下部子组装件时，Cu柱的下部区段向上延伸，并且Cu柱的上部区段向下延伸。在组装之际，它们的远端相交并连接。这可根据各种示例性实施例提供3D柱状曲折型电感器，其与例如完全形成在下基板的支撑表面上时可获得的电感器相比具有较大高度的Cu柱、或以较低制造成本、或两者。

[0096] 图9A示出了从图8A的相同视图来看，在将经修改3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件902组装到经修改3D柱状曲折型电感器的下部子组装件904上中的一个示例组装操作900A的投影。该组装形成了图9B的3D柱状曲折型电感器900B。为了避免与新结构的描述的可能模糊，经修改3D柱状曲折型电感器的下部子组装件904将被假定为在除了其Cu柱906被形成为小于期望端高度的高度D7之外的所有方面都等同于3D柱状曲折型电感器的下部子组装件500-H。换言之，Cu柱906具有与Cu柱522相同的基底焊盘互连模式。经修改3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件902将被假定为在所有方面都等同于图7A-7B的3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件700，不同之处在于向下指(相对于图9A的图纸)的Cu柱908被形成在柱顶部焊盘704上，向下延伸高度D8。还可在柱顶部焊盘704上形成种子层(图9A中未示出)。
在一方面，D7和D8可以相等或不相等。

[0097] 图9B示出了根据各个示例性实施例的从图9A的组装产生的3D柱状曲折型电感器900B。Cu柱906和Cu柱908的相应远端之间的接合区域被标记，根据各个示例性实施例的制造3D柱状电感器的一个过程中的一个流1000。参照图10，示例操作可开始于1002并且行进至1004以在下基板(诸如图5A的下基板502)上形成数个基底焊盘(例如，图5A的基底焊盘
504)。1004处的形成可包括形成基底焊盘互连器(例如，图5A的基底焊盘互连器506)。在一方面，1004处的形成可根据先前描述的基底焊盘互连模式来配置柱基底互连器。接着，在
1006，流1000可在1004处形成的工艺内结构之上形成钝化层。1006处的形成可以例如根据参照图5B描述的钝化层508的形成。接着，在根据流1000的操作中，在1006处形成钝化层之后，操作可包括在1008，蚀刻或其它方式移除钝化层的部分以暴露基底焊盘的顶部。1008处的蚀刻或移除可以是例如根据先前参照图5C描述的蚀刻以暴露顶部表面区域510。

[0098] 继续参照图10，在1008处蚀刻或其它方式移除钝化层的部分以暴露基底焊盘的顶部之后，操作可包括在1010在层上沉积种子层，主要覆盖基底焊盘的所暴露顶部部分。1010处的沉积可以例如为先前参照图5D描述的种子层512的沉积。接着，在1010处沉积种子层之后，根据流1000的操作可在1012沉积模塑层。如先前参照图5D描述的，模塑层可以例如是SiO2，并且可以在至少为柱(例如，图3A-3B的Cu柱302)的期望长度的厚度。接着，在1012处沉积模塑层之后，根据流1000的操作可在1014蚀刻或以其它方式移除模塑层的部分以形成对应于柱的凹进。该操作的一个示例是形成先前参照图5F描述的柱凹进518。

[0099] 参照图10，在1014之后，根据流1000的操作可行进至1016并且在1014处蚀刻的凹进中沉积Cu或者各种替换金属。在一方面，1016处的沉积可以到等于柱的期望长度的深度。在另一方面，1016处的沉积可以到小于期望长度的深度以在移除模塑之前容适在柱尖端上沉积IMP，如先前参照图5G描述的。继续参照图10，在1016处沉积Cu或其它金属到期望深度之后，根据流1000的操作可在1018移除模塑以暴露柱。结果所得的结构可以例如是基底支撑的柱并且连接先前参照图5H描述的结构500G。

[0100] 继续参照图10，根据流1000的操作可包括在1005，提供或制造柱顶部连接结构，其具有基板支撑的柱顶部焊盘(例如，图3A-3B的柱顶部焊盘310)和柱顶部焊盘互连器(例如，图3A-3B的顶部焊盘互连器314)。1005处的操作可例如形成参照图7A描述的3D柱状曲折型电感器顶部子组装件700。接着，1020处的操作可将柱顶部连接结构放置在1018处产生的基底支撑的柱和柱连接结构之上并且随后在1022，如图8A-8B处所示，将这些组装以形成根据一个或多个示例性实施例的3D柱状电感器。流1000随后可在1024结束。

[0101] 一个示例性替换实施例可包括3D柱状螺旋电感器。图11A是根据各个示例性实施例的一个示例3D柱状螺旋电感器1100的正投影。3D柱状螺旋电感器1100可包括具有支撑表面1102S的下基板1102以及上部或顶部支撑结构1104的上部或顶部支撑表面1104S，其被间隔在下基板1102上方并平行于下基板1102。3D柱状螺旋电感器1100可包括多个(例如，六个)金属(例如，Cu)柱，例如，Cu柱1106-1、1106-2...1106-6(合称为“Cu柱1106”)。将理解，Cu柱1106-1、1106-2...1106-6的标记并不是按从左到右的次序。在描述示例方面时，Cu柱1106可被个体地称为第一Cu柱1106-1、第二Cu柱1106-2、第三Cu柱1106-3、第四Cu柱1106-
4、第五Cu柱1106-5和第六Cu柱1106-6。

[0102] Cu柱1106中的每一个从下基板1102的支撑表面1102S上的相应基底柱焊盘(示出，但未单独标记)延伸到顶部支撑结构1104的表面1104S上的相应顶部柱焊盘(示出，但未单独标记)。在一方面，Cu柱1106可以仅形成在基底柱焊盘上，以用于相当于图8A-8B的组装件。在另一方面，Cu柱1106可以形成在基底柱焊盘和顶部柱焊盘两者上，以用于相当于图9A-9B的组装件。

[0103] 为了便于描述示例特征，到Cu柱1106的基底柱焊盘的连接将被称为到“Cu柱1106的基底”的“连接”或“连接至”“Cu柱1106的基底”。出于类似目的，到Cu柱1106的顶部柱焊盘的连接将被称为到“Cu柱1106的顶部”的“连接”或“连接至”“Cu柱1106的顶部”的某事物。

[0104] 图11B是从投影7-7面对下基板1102的支撑表面1102S的横截面投影。参照图11B，Cu柱1106可沿线性轴BX对准并且被均匀分开一节距(示出但未单独标记)。支撑表面1102S还可支撑连接至第一Cu柱1106-1的基底的第一端子“TF”以及连接至第六Cu柱1106-6的基底的第二端子“TG”。例如，支撑表面1102S上的电感器第一基底区段1110将第三Cu柱1106-3的基底连接至第五Cu柱1106-5的基底。电感器第一基底区段1110可具有可平行于BX延伸的主要部分(示出但未单独标记)。电感器第一基底区段1110的主要部分可在垂直于BX的第一方向上与第四Cu柱1106-4、第五Cu柱1106-5和第六Cu柱1106-6的相应基底焊盘(示出但未单独编号)的上部(相对于图11B的平面)外边沿分隔开距离D11。电感器第二基底区段1112将第四Cu柱1106-4的基底连接至第五Cu柱1106-5的基底。电感器第二基底区段1112可类似地具有也可平行于BX延伸、但在与第一方向相反的第二方向上与第六Cu柱1106-6的基底焊盘的下部外边沿分隔开距离D11的主要部分(示出但未单独标记)。

[0105] 图11C是从图11A的切面8-8面对顶部支撑结构1104的支撑表面1104S的横截面投影。参照图11C，支撑表面1104S支撑电感器第一顶部区段1114、电感器第二顶部区段1116和电感器第三顶部区段1118。电感器第一顶部区段1114将Cu柱1106-1的顶部连接至Cu柱1106-2的顶部。电感器第一顶部区段1114具有平行于BX延伸的主要部分(示出但未单独标记)。电感器第一顶部区段1114的主要部分在第一方向上与第四Cu柱1106-4、第六Cu柱
1106-6和第三Cu柱1106-3的柱顶部焊盘(示出但未单独编号)的上部(相对于图11B的平面)外边沿分隔开上述距离D11。电感器第二顶部区段1116将第四Cu柱1106-4的顶部连接至第三Cu柱1106-3的顶部。电感器第二顶部区段1116具有平行于BX延伸、且在第二方向上与第六Cu柱1106-6的基底焊盘的外边沿分隔开距离D11的主要部分(示出但未单独标记)。电感器第三顶部区段1118将第五Cu柱1106-5的顶部连接至第六Cu柱1106-6的顶部。电感器第三顶部区段1118可与BX对准延伸。

[0106] 参照图11A，上述结构形成螺旋电感器电流路径IP，其具有可被表征为三个矩形环的路径。将理解，螺旋电感器电流IP的区段“IPT”和“IPL”使用垂直间隔的区段线来绘制，但这些线表示多个共平面的电流区段。例如，最里面或第一环(示出但未单独标记)由第五Cu柱1106-5和第六Cu柱1106-6连同电感器第三顶部区段1118建立。与第一环串联的下一较外或第二环(示出但未单独标记)由第三Cu柱1106-3和第四Cu柱1106-4、电感器第二基底区段1112和电感器第二顶部区段1116建立。第三或最外环由第二环馈送，并且由第一Cu柱1106-
1和第二Cu柱1106-2、电感器第一上部区段1014和电感器第一基底区段1010建立。

[0107] 在一方面，图11A到11C结构的子区段可用减少数量(例如，小于三个)的环实现螺旋电感器。例如，第二Cu柱1106-2的基底焊盘可被指派为第一端子，并且第四Cu柱1106-4的基底焊盘可被指派为第二端子。第一Cu柱1106-1和第六Cu柱1106-6可被省略。

[0108] 3D电感器的各种替换实施例可代替图3A-3B的金属(例如，Cu)柱302而采用被配置和排列成例如充当3D曲折型电感器的臂的焊球电感器区段。

[0109] 图12示出了一种替换3D曲折型电感器下部子组装件1200，其具有代替图3A-3B的柱状曲折型电感器350的金属(例如，Cu)柱302的焊球电感器区段。在图12示例中，焊球电感器区段包括第一焊球1202-1、第二焊球1202-2、第三焊球1202-3、第四焊球1202-4、第五焊球1202-5和第六焊球1202-6(合称为“焊球电感器区段1202”，标记未出现在附图中)。为了避免不必要添加的描述，将假定，除非特别陈述或者否则从上下文变得清楚，替换3D曲折型电感器的下部子组装件1200被结构化为等同于图5H的示例3D Cu柱状曲折型电感器的下部子组装件500-H。为了减少双重标记，类似结构不被编号。焊球电感器区段1202可各自在浸湿表面上形成，其一个代表性示例被编号为1204。

[0110] 图13A-13B示出了将3D曲折型电感器的顶部子组装件1302组装到图12的3D曲折型电感器的下部子组装件1200上的组装过程中的示例操作的快照序列。为了避免不必要添加的描述，将假定，除非特别陈述或者以其它方式从上下文变得清楚，3D曲折型电感器的顶部子组装件1302等同于图7A-7B的示例3D柱状曲折型电感器的顶部子组装件700，并且相似结构不被编号。在一方面，3D曲折型电感器的顶部子组装件1302可包括被布置在图7A的柱顶部焊盘704上的浸湿表面(图13A-13B中未显式示出)。

[0111] 参照图13B，图13A快照所示的组装的结果提供了3D曲折型电感器1350，提供了曲折电流路径LP。如图所示，曲折电流路径LP在垂直于支撑焊球电感器区段1202的平面(示出但未单独标记)的平面内。

[0112] 示例性实施例和方面已在上文参照具有沿线性轴(例如，图4A的轴AX)排列的Cu柱的示例描述。根据一个或多个进一步实施例的3D电感器可包括具有传导(例如Cu)柱的二维或X-Y排列的3D Cu柱状电感器。在一方面，根据各个示例性实施例的具有Cu柱的二维(例如X-Y)排列的一个示例3D Cu柱状电感器可提供N匝Cu柱状线圈电感器。

[0113] 在一个方面，可提供N匝Cu柱线圈电感器，包括具有N个Cu柱的两个毗邻行或列，这两个行或列例如在X方向上延伸。毗邻行或列之间的间隔可以在Y方向上。可将绕组轴定义为平行于两个毗邻行或列并在两个毗邻行或列之间延伸。沿着毗邻行或列中的任一者，N个Cu柱中的每一个的基底可例如通过柱基底交叉连接器来链接，柱基底交叉连接器在Y方向上在绕组轴下方跨越到另一行或列中的对应相对Cu柱的基底。在一方面，结果所得的结构可以是N个部分绕组的级联。N个部分绕组中的每一个可由一对相对Cu柱形成，该对相对Cu柱跨骑绕组轴并且在它们相应的柱顶部通过柱基底互连器链接。在一方面，柱基底互连器可在绕组轴下方穿过，并且可被绕组轴分叉。在进一步方面，N个部分绕组的级联可被形成为通过N-1个毗邻绕组链路的N个完整绕组的级联，该N-1个毗邻绕组链路在毗邻行或列的特定柱顶部之间在绕组轴之上对角跨越。

[0114] 在一个方面，根据各个示例性实施例的N匝Cu柱线圈电感器的制造可包括制造N匝Cu柱线圈电感器的下部子组装件，该下部子组装件在下基板上具有所描述的Cu柱行或列，通过柱交叉连接器链接以形成N个部分绕组的级联。在进一步方面，N匝Cu柱线圈电感器的上部或顶部子组装件可被制造，具有N-1个毗邻绕组链路。N匝Cu柱线圈电感器的顶部子组装件可被排列成使得在与N匝Cu柱线圈电感器的下部子组装件组装时，N-1个毗邻绕组链路对角跨越在绕组轴之上，并且以形成N个完整绕组的级联的模式来连接Cu柱顶部。

[0115] 图14A是根据一个或多个示例性实施例的3匝Cu柱线圈电感器(未在图14A-14B中完整示出)的下部子组装件1400、从垂直于例如下基板1402的支撑表面1402S的方向观看的平面图。图14B是从图14A的投影9-9来看的正视图。出于简洁起见，短语“根据一个或多个示例性实施例的3匝Cu柱线圈电感器的下部子组装件1400”将以简化形式“柱状线圈电感器下部子组装件”1400来叙述。如稍后更详细描述的，柱状线圈电感器的下部子组装件1400可被配置成用于与柱状线圈电感器的上部或顶部子组装件(图14A-14B中未示出)组装以形成根据一个或多个示例性实施例的3匝Cu柱线圈电感器。

[0116] 参照图14A，下基板1402可以是较大的下基板(不一定在附图中完整可见)的一部分。支撑表面1402S可支撑Cu柱1404-1、1404-2、1404-3、1404-4的行(合称为“Cu柱”1404)并且在给定绕组轴“CX”的相对侧上支撑Cu柱1406-1、1406-2、1406-3、1406-4的行(合称为“Cu柱”1406)。如本领域普通技术人员在阅读本公开之后将领会的，在图14A-14B所示的示例中，可省略Cu柱1406-4。Cu柱1404的行可沿着行线“TX”，并且Cu柱1406的行可沿着行线“VX”。将理解，行线TX和VX仅出于示例目的被示为线性，因为根据各个示例性实施例的实践可包括含有其Cu柱的非线性X-Y排列的柱状线圈电感器。

[0117] 参照图14B，Cu柱1404可沿TX行线均等地彼此间隔开节距P5。在替换实施例中，Cu柱1404可以不均等地间隔开。在一方面，Cu柱1406可按与Cu柱1404沿行线TX的排列等同或大致相同的方式来沿行线VX排列。从行线TX到行线VX的节距为P6。将理解，节距P5和P6可显著小于图1的相关技术TGV电感器的节距P1和P2。

[0118] 参照图14B，绕组轴CX被示为在支撑表面1402S之上提升高度D14。在一个方面，高度D14可以约为Cu柱1404和1406的高度D15的一半。但是在一方面，柱状线圈电感器的顶部子组装件可具有Cu柱的顶部区段(图14A-14B中不可见)，以使得柱状线圈电感器下部子组装件1400被组装到的最终柱状线圈电感器的Cu列(图14A-14B中并非必需示出)的高度大于D15。在此类方面，D14可大于D15的一半。

[0119] 参照图14A-14B，Cu柱1404和Cu柱1406被示为布置在相应基底焊盘上(示出但未单独编号)。为了避免被结构化细节的描述模糊，到特定Cu柱1404或1406的相应柱焊盘的连接将被称为到特定Cu柱1404或1406的基底的“连接”或“连接至”特定Cu柱1404或1406的基底。

[0120] 参照图14A，支撑表面1402S可支撑柱基底交叉连接器1408-1，其在一端(示出但未单独标号)处连接至Cu柱1404-1的基底，在绕组轴WX下方跨越，并且在其另一端连接至Cu柱1406-1的基底。以类似方式，柱基底交叉连接器1408-2在一端处连接至Cu柱1404-2的基底，在绕组轴CX下方跨越，并且连接至Cu柱1406-2的基底。Cu柱1404-1、1406-1、1404-2以及柱基底交叉连接器1408-1的组合可被称为3匝柱状线圈电感器下部子组装件1400的“第一部分匝”。

[0121] 以类似方式，基底交叉连接器1408-3在一端处连接至Cu柱1404-3的基底，在绕组轴CX下方跨越，并且连接至Cu柱1406-3的基底。柱基底交叉连接器1408-2以及Cu柱1406-2和1404-2的组合可被称为3匝柱状线圈电感器下部子组装件1400的“第二部分匝”。继续，柱基底交叉连接器1408-3在一端处连接至Cu柱1404-3的基底，在绕组轴CX下方跨越，并且连接至Cu柱1406-3的基底。柱基底交叉连接器1408-3以及Cu柱1406-3和1404-4的组合可被称为柱状线圈电感器下部子组装件1400的“第三部分匝”。出于描述示例操作的目的，第一端子导线1410被示为连接至柱1404-1的基底，并且第二端子导线1412被示为连接至柱1404-4的基底。

[0122] 图15是根据一个或多个示例性实施例的被配置成用于与柱状线圈电感器的下部子组装件1400组装以形成3匝柱状线圈电感器(在图15中整体可见)的一个示例Cu柱线圈电感器的上部或顶部子组装件1500的平面图。图16A示出在被倒装以与柱状线圈电感器下部子组装件1400组装的作为子组装件1601-B的Cu线圈电感器顶部子组装件1500从图15的投影面10-10来看的正面图。

[0123] 参照图15，支撑表面1502S支撑两行的四个柱顶部焊盘，即，柱顶部焊盘1504-1...1504-4的行以及柱顶部焊盘1506-1...1506-4的行。在一方面，柱顶部焊盘1506-4可被省略。在Cu线圈电感器的顶部子组装件1500在柱状线圈电感器的下部子组装件1400上方对准时，柱顶部焊盘1504-1...1504-4和1506-1...1506-4的行可以被定位成分别与柱1404-
1...1404-4的顶部和柱1406-1...1406-4的顶部对准。

[0124] 顶部第一毗邻匝链路1508-1在一端(示出但未单独标号)处连接至柱1506-1并且对角延伸至柱顶部焊盘1504-2。顶部第二毗邻匝链路1508-2在一端(示出但未单独标号)处连接至柱1506-2并且对角延伸至柱顶部焊盘1504-3。以类似方式，顶部第三毗邻匝链路1508-3在一端(示出但未单独标号)处连接至柱顶部焊盘1506-3并且对角延伸至柱顶部焊盘1504-4。

[0125] 图16A，如先前所描述的，示出了将上述柱状线圈电感器顶部子组装件1500组装到通过形成在Cu柱1404-1...1404-4和Cu柱1406-1...1406-4(在图16A中未显式可见)的顶部上的IMG 1602修改的柱状线圈电感器下部子组装件1400的一个示例操作的快照。子组装件1500和1400中的一者或两者可沿“AB”轴推进以在恰当对准的情况下一起移动。参照图16B，柱顶部焊盘1504-1...1504-4到柱1404-1...1404-4的顶部的接合以及柱顶部焊盘1506-
1...1506-4到柱1406-1...1405-4的顶部的接合根据一个或多个示例性实施例形成了柱状线圈电感器1600B。

[0126] 图17是从图16的投影11-11来看的3匝柱状线圈电感器1600B的俯视图，以隐藏线示出在绕组轴CX下方交叉的柱交叉连接器1408-1、1408-2和1408-3以及在绕组轴CX之上对角穿过的柱毗邻匝链路1508-1、1508-2和1508-3。

[0127] 图18解说了其中可有利地采用本公开的一个或多个实施例(例如，如参照图3A-3B、4A-4B、5A-5H、8A-8B、9A-9B、10、11A-11C、12和13A-13B中的任何一者或多者描述的)的示例性通信系统1800。出于解说目的，图18示出了三个远程单元1820、1830和1850以及两个基站1840。将认识到，常规无线通信系统可具有远多于此的远程单元和基站。远程单元
1820、1830和1850包括集成电路或其它半导体器件1825、1835和1855，其具有根据所公开的示例性实施例(例如，如参照图3A-3B、4A-4B、5A-5H、8A-8B、9A-9B、10、11A-11C、12和13A-
13B中的任何一者或多者描述的)中的一者或多者的一个或多个柱状电感器。图18示出了从基站1840到远程单元1820、1830和1850的前向链路信号1880，以及从远程单元1820、1830和
1850到基站1840的反向链路信号1890。

[0128] 在图18中，远程单元1820被示为移动电话，远程单元1830被示为便携式计算机，且远程单元1850被示为无线本地环路系统中的位置固定的远程单元。这些仅仅是示例，均以数量和类型的形式例如，远程单元1820、1830和1850可以是移动电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数据助理(PDA))、导航设备(诸如启用GPS的设备)、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、位置固定的数据单元(诸如仪表读数装置)、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或者其任何组合中的一者或任何组合。尽管图18解说了根据本公开的教义的远程单元，但本公开并不限于这些所解说的示例性单元。本公开的各实施例可适于用在具有有源集成电路系统(包括存储器以及用于测试和表征的片上电路系统)的任何设备中。

[0129] 上文公开的设备和功能性(例如，如参照图3A-3B、4A-4B、5A-5H、8A-8B、9A-9B、10、11A-11C、12和13A-13B中的任何一者或多者描述的)可被设计和配置在存储在计算机可读介质上的计算机文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)中。一些或全部此类文件可被提供给基于此类文件来制造设备的制造处理人员。结果得到的产品包括半导体晶片，其随后被切割为半导体管芯并被封装成半导体芯片。这些芯片随后被用在以上描述的设备中。

[0130] 本领域技术人员将领会，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示。例如，贯穿上面描述始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、以及码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。

[0131] 此外，本领域技术人员将领会，结合本文中所公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路、以及步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范围。

[0132] 结合本文中所公开的实施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或者在这两者的组合中体现。软件模块可驻留在RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM或者本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读写信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。

[0133] 尽管上述公开示出了本发明的解说性实施例，但是应当注意到，在其中可作出各种更换和改动而不会脱离如所附权利要求定义的本发明的范围。根据本文中所描述的本发明实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不必按任何特定次序来执行。此外，尽管本发明的要素可能是以单数来描述或主张权利的，但是复数也是已料想了的，除非显式地声明了限定于单数。