本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种电路系统。防电压脉冲干扰的系统，包括，一基准电压产生电路，用于产生一基准电压，基准电压产生电路的接地端连接一基准地信号；基准地信号通过一基准地信号产生电路产生，基准地信号产生电路包括，一运算放大器，于一正电源电压和一负电源电压的作用下产生基准地信号；一电荷泵电路，用于产生负电源电压。本发明通过基准地信号产生电路产生一标准的基准地信号，提供给基准电压产生电路，可以避免电路受到脉冲信号的干扰，确保基准电压的稳定。
1.防电压脉冲干扰的系统，其特征在于，用于模拟数字混合系统，包括，一基准电压产生电路，用于产生一基准电压，所述基准电压产生电路的接地端连接一基准地信号；所述基准地信号通过一基准地信号产生电路产生，所述基准地信号产生电路包括，一运算放大器，于一正电源电压和一负电源电压的作用下产生所述基准地信号；
复数个MOS管组成的差分放大电路，可控制地连接于所述第一电源端、所述第二电源端、所述第一输入端、所述第二输入端及所述输出端之间，用以对所述第一输入信号和所述第二输入信号进行差分放大后自所述输出端输出所述基准地信号；
一开关控制信号产生电路，用于产生一组开关控制信号；
一设置有储能电容的工作电路，包括多个开关支路，其控制端与所述开关控制信号产生电路连接，多个所述开关支路于所述开关控制信号作用下组合导通和关断，以得到所述负电源电压。
2.根据权利要求1所述的防电压脉冲干扰的系统，其特征在于，所述差分放大电路包括，第一NMOS管，其栅极与所述第一输入信号连接，漏极连接一第一交汇结点，源极连接一第二交汇结点；
第二NMOS管，其栅极与所述第二输入信号连接，漏极连接所述输出端，源极连接所述第二交汇结点；
第一PMOS管，其源极与所述第一电源端连接，漏极与所述第一交汇结点连接，栅极与所述漏极连接；
第二PMOS管，其源极与所述第一电源端连接，漏极与所述输出端连接，栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；
第三NMOS管，其栅极连接一偏置电压，源极与所述第二电源端连接，漏极连接所述第二交汇结点。
3.根据权利要求1所述的防电压脉冲干扰的系统，其特征在于，所述工作电路包括，一输入电压端，与一工作电压连接；
第一开关支路，连接于所述输入电压端和一第一参考节点之间；
第二开关支路，连接于所述第一参考节点和第一接地端之间；
第三开关支路，连接于所述输出电压端和一第二参考节点之间；
第四开关支路，连接于所述第二参考节点和第二接地端之间；
一第一储能电容连接于所述第一参考节点和所述第二参考节点之间；
一第二储能电容连接于所述输出电压端和所述第一接地端之间；
所述工作电路于充电模式时，所述输入电压端向所述第一储能电容充电；
所述工作电路于放电模式时，自所述第一储能电容两端向所述第二储能电容放电。
4.根据权利要求1所述的防电压脉冲干扰的系统，其特征在于，所述开关控制信号产生电路包括，比较器，于一第二基准电压和一采样自所述输出电压端的电压反馈信号作用下产生一比较信号；
电荷泵控制电路，于所述比较信号的作用下产生所述开关控制信号。
5.根据权利要求1所述的防电压脉冲干扰的系统，其特征在于，所述基准电压产生电路包括，一电流源；
一电阻分压电路，串联于所述电流源与所述接地端之间；所述电阻分压电路包括预定数量且相互串联地连接于所述电流源与所述接地端之间的分压电阻，所述分压电阻间相连接的点形成分压节点；所述基准电压自预定的分压节点处引出。
防电压脉冲干扰的系统
技术领域
[0001] 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种电路系统。
背景技术
[0002] 在芯片内部常常需要高质量的内部稳压源，以提供稳定的偏置电压或作为比较器的参考电压，如线性稳压器(LDO)中通过参考基准电路产生参考电压，利用该参考电压和一采样自线性稳压器输出电压的电压反馈信号进行比较以驱动调整元件，以稳定输出电压；一般要求参考基准电路在电路中能够提供稳定的电压，应该不受电源电压和工作温度的影响，然而实际应用中发现，参考基准电路常常会受到脉冲信号的干扰，特别是随着模拟数字混合系统的大规模使用，数字电路的脉冲信号往往通过电源对模拟电路产生干扰，影响了参考基准电压的正常工作。
发明内容
[0003] 本发明的目的在于，提供一种防电压脉冲干扰的系统，解决以上技术问题；
[0004] 本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
[0005] 防电压脉冲干扰的系统，其中，包括，
[0006] 一基准电压产生电路，用于产生一基准电压，所述基准电压产生电路的接地端连接一基准地信号；所述基准地信号通过一基准地信号产生电路产生，所述基准地信号产生电路包括，
[0007] 一运算放大器，于一正电源电压和一负电源电压的作用下产生所述基准地信号；
[0008] 一电荷泵电路，用于产生所述负电源电压。
[0009] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，所述运算放大器包括，
[0010] 第一电源端，用于连接所述正电源电压；
[0011] 第二电源端，用于连接所述负电源电压；
[0012] 第一输入端，用于连接一第一输入信号；
[0013] 第二输入端，用于连接一第二输入信号；
[0014] 输出端；
[0015] 复数个MOS管组成的差分放大电路，可控制地连接于所述第一电源端、所述第二电源端、所述第一输入端、所述第二输入端及所述输出端之间，用以对所述第一输入信号和所述第二输入信号进行差分放大后自所述输出端输出所述基准地信号。
[0016] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，所述差分放大电路包括，
[0017] 第一NMOS管，其栅极与所述第一输入信号连接，漏极连接一第一交汇结点，源极连接一第二交汇结点；
[0018] 第二NMOS管，其栅极与所述第二输入信号连接，漏极连接所述输出端，源极连接所述第二交汇结点；
[0019] 第一PMOS管，其源极与所述第一电源端连接，漏极与所述第一交汇结点连接，栅极与所述漏极连接；
[0020] 第二PMOS管，其源极与所述第一电源端连接，漏极与所述输出端连接，栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；
[0021] 第三NMOS管，其栅极连接一偏置电压，源极与所述第二电源端连接，漏极连接所述第二交汇结点。
[0022] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，所述电荷泵电路包括：
[0023] 一开关控制信号产生电路，用于产生一组开关控制信号；
[0024] 一设置有储能电容的工作电路，包括多个开关支路，其控制端与所述开关信号产生电路连接，多个所述开关支路于所述开关控制信号作用下组合导通和关断，以得到所述负电源电压。
[0025] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，所述工作电路包括，
[0026] 一输入电压端，与一工作电压连接；
[0027] 一输出电压端；
[0028] 第一开关支路，连接于所述输入电压端和一第一参考节点之间；
[0029] 第二开关支路，连接于所述第一参考节点和第一接地端之间；
[0030] 第三开关支路，连接于所述输出电压端和一第二参考节点之间；
[0031] 第四开关支路，连接于所述第二参考节点和第二接地端之间；
[0032] 一第一储能电容连接于所述第一参考节点和所述第二参考节点之间；
[0033] 一第二储能电容连接于所述输出电压端和所述第一接地端之间；
[0034] 所述工作电路于充电模式时，所述输入电压端向所述第一储能电容充电；
[0035] 所述工作电路于放电模式时，自所述第一储能电容两端向所述第二储能电容放电。
[0036] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，所述开关控制信号产生电路包括，[0037] 比较器，于一第二基准电压和一采样自所述输出电压端的电压反馈信号作用下产生一比较信号；
[0038] 电荷泵控制电路，于所述比较信号的作用下产生所述开关控制信号。
[0039] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，所述基准电压产生电路包括，[0040] 一电流源；
[0041] 一电阻分压电路，串联于所述电流源与所述接地端之间；所述电阻分压电路包括预订数量且相互串联地连接于所述电流源与所述接地端之间的分压电阻，所述分压电阻间相连接的点形成分压节点；所述基准电压自预定的分压节点处引出。
[0042] 有益效果：由于采用以上技术方案，本发明通过基准地信号产生电路产生一标准的基准地信号，提供给基准电压产生电路，可以避免受到脉冲信号的干扰，确保基准电压稳定。
附图说明
[0043] 图1为本发明的电路系统结构图；
[0044] 图2为本发明的电荷泵电路结构示意图；
[0045] 图3为本发明的运算放大器的电路结构图；
[0046] 图4本发明的基准电压产生电路的示意图；
[0047] 图5现有技术的受到脉冲信号干扰时的电路波形示意图；
[0048] 图6采用本发明后的电路波形示意图。
具体实施方式
[0049] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0050] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0051] 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0052] 参照图1，防电压脉冲干扰的系统，其中，包括，
[0053] 一基准电压产生电路3，用于产生一基准电压Vref，基准电压产生电路3的接地端连接一基准地信号GNDACC；基准地信号GNDACC通过一基准地信号产生电路产生，基准地信号产生电路包括，
[0054] 一运算放大器2，于一正电源电压VDD和一负电源电压CPVSS的作用下产生基准地信号GNDACC；
[0055] 一电荷泵电路1，用于产生负电源电压CPVSS。
[0056] 本发明通过正负电源电压供电的运算放大器2产生精确的零伏电压作为基准地信号GNDACC，可以避免受到脉冲信号的干扰，确保基准电压稳定。
[0057] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，参照图2，电荷泵电路1可以包括：
[0058] 一开关控制信号产生电路12，用于产生一组开关控制信号；
[0059] 一设置有储能电容的工作电路13，包括多个开关支路，其控制端与开关控制信号产生电路12连接，多个开关支路于开关控制信号作用下组合导通和关断，以得到负电源电压CPVSS。
[0060] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，工作电路13包括，
[0061] 一输入电压端VDD，与一工作电压连接；
[0062] 一输出电压端VSS；
[0063] 第一开关支路，连接于输入电压端VDD和一第一参考节点x1之间；
[0064] 第二开关支路，连接于第一参考节点x1和第一接地端GND1之间；
[0065] 第三开关支路，连接于输出电压端VSS和一第二参考节点x2之间；
[0066] 第四开关支路，连接于第二参考节点x2和第二接地端GND2之间；
[0067] 一第一储能电容C1连接于第一参考节点x1和第二参考节点x2之间；
[0068] 一第二储能电容C2连接于输出电压端VSS和第一接地端GND1之间；
[0069] 工作电路13于充电模式时，输入电压端VDD向第一储能电容C1充电；
[0070] 工作电路13于放电模式时，自第一储能电容C1两端向第二储能电容C2放电。
[0071] 电荷泵电路外接电路简单，且没有使用电感作为储能元件，因而电磁干扰小，依据不同的拓扑结构及控制方法，可以实现升压、降压和电压反转功能，本发明的防电压脉冲干扰的系统，还可以包括另一电荷泵电路，用于产生正电源电压VDD。
[0072] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，开关控制信号产生电路12包括，[0073] 比较器123，于一第二基准电压Vref1和一采样自输出电压端VSS的电压反馈信号作用下产生一比较信号；
[0074] 电荷泵控制电路121，于比较信号的作用下产生开关控制信号。
[0075] 开关控制信号产生电路12采用现有技术实现，不属于本发明改进的技术特征，在此不作赘述。
[0076] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，运算放大器2可以包括，
[0077] 第一电源端VDD，用于连接正电源电压；
[0078] 第二电源端VSS，用于连接负电源电压CPVSS；
[0079] 第一输入端Vip，用于连接一第一输入信号；
[0080] 第二输入端Vin，用于连接一第二输入信号；
[0081] 输出端Vout；
[0082] 复数个MOS管组成的差分放大电路，可控制地连接于第一电源端VDD、第二电源端VSS、第一输入端Vip、第二输入端Vin及输出端Vout之间，用以对第一输入信号和第二输入信号进行差分放大后自输出端Vout输出基准地信号GNDACC。
[0083] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，差分放大电路包括，
[0084] 第一NMOS管Mn1，其栅极与第一输入端Vip连接，漏极连接一第一交汇结点A，源极连接一第二交汇结点B；
[0085] 第二NMOS管Mn2，其栅极与第二输入端Vin连接，漏极连接输出端Vout，源极连接第二交汇结点B；
[0086] 第一PMOS管Mp1，其源极与第一电源端VDD连接，漏极与第一交汇结点A连接，栅极与漏极连接；
[0087] 第二PMOS管Mp2，其源极与第一电源端VDD连接，漏极与输出端Vout连接，栅极与第一PMOS管Mp1的栅极连接；
[0088] 第三NMOS管Mn3，其栅极连接一偏置电压Vbias，源极与第二电源端VSS连接，漏极连接第二交汇结点B。
[0089] 本发明的差分放大电路是以第一NMOS管Mn1、第二NMOS管Mn2作为输入对管的差分放大器，其负载电流镜由第一PMOS管Mp1和第二PMOS管Mp2组成，第三NMOS管Mn3提供差分放大电路的工作电流。差分放大电路与共源放大器、共漏放大器等单端输入电路相比，有较强的共模输入信号抑制能力，具有更好的抗干扰能力，且输入、输出信号范围较大。
[0090] 本发明的防电压脉冲干扰的系统，基准电压产生电路3包括，
[0091] 一电流源Ibias；
[0092] 一电阻分压电路，串联于电流源Ibias与接地端之间；电阻分压电路包括预订数量且相互串联地连接于电流源Ibias与接地端之间的分压电阻，分压电阻间相连接的点形成分压节点；基准电压Vref自预定的分压节点处引出。接地端连接基准地信号GNDACC。
[0093] 上述的采用电阻分压的基准电压产生电路3是一种简单的基准电压源的实现电路，对比图5和图6可以看出，采用本发明的基准地信号后，基准电压输出稳定，实现抗外界脉冲信号的干扰，本发明可以扩展至其他芯片系统中的参考基准源，通过简单的电路实现基准电压稳定。
[0094] 以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
