基板处理装置

摘要

本发明提供基板处理装置，能稳定支承大型化了的支架并能防止因支架大型化导致闸室的大容量化，缩短闸室的气氛的切换时间。该基板处理装置包括：处理基板的处理室；收容基板的闸室；在处理室和闸室之间输送基板的输送室；设置在处理室中，分别保持不同基板的两个支架；支架移动机构，使两个支架在基板接收位置和基板处理位置之间移动，在基板接收位置使两个支架处于上下排列的状态；及基板输送机构，将收容于闸室中的基板以上下排列的状态统一输送到位于基板接收位置的两个支架上。此外，支架移动机构具备两个移动支架的线性运动机构、以及使两个支架转动的转动机构。此外，线性运动机构在比支架的移动方向上的两端更靠内侧的位置支承支架。

权利要求

1.一种基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置包括：

处理室，在该处理室中在真空气氛下处理基板；

闸室，收容所述基板，被切换为大气气氛或真空气氛；

输送室，设置在所述处理室和所述闸室之间，在真空气氛下在所述处理室和所述闸室之间输送所述基板；

两个支架，设置在所述处理室中，分别保持基板；

支架移动机构，至少使所述两个支架在接收从所述输送室输送来的所述基板的接收位置与处理所述基板的处理位置之间移动，并且在所述接收位置使所述两个支架成为上下排列的状态；以及基板输送机构，设置在所述输送室中，将收容在所述闸室中的所述基板以上下排列的状态统一输送到位于所述接收位置的所述两个支架，所述支架移动机构包括：

线性运动机构，使所述两个支架分别沿按各个支架设定在规定的轴向上的彼此不同的移动路径移动；以及转动机构，使所述两个支架绕所述规定的轴向转动，

所述线性运动机构在比所述支架的所述规定的轴向上的两端更靠内侧的位置支承所述支架。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述转动机构使所述两个支架分别独立地转动。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述转动机构通过使所述支架转动，使所述基板在倒伏位置和立起位置之间进行姿势变更，所述两个支架的转动轴上下错开，使得当使一方的支架处于所述倒伏位置时，所述一方的支架不与另一方的支架的转动轴干涉。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括基板位置修正机构，所述基板位置修正机构使所述一方的支架处于立起位置时的基板的上下方向的位置与所述另一方的支架处于立起位置时的基板的上下方向的位置一致。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板位置修正机构设置在设于所述闸室中的基板台上，通过使分别放置有上下两个基板的上侧台面和下侧台面中的至少一方相对于另一方相对移动，使所述上侧台面和下侧台面的错开量与因所述两个支架的转动而产生的所述基板的位置的错开量相同。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板位置修正机构设置在所述基板输送机构上，通过使分别放置有上下两个基板的上侧输送面和下侧输送面中的至少一方相对于另一方相对移动，使所述上侧输送面和所述下侧输送面的错开量与因所述两个支架的转动而产生的所述基板的位置的错开量相同。

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述两个支架包括上侧支架和下侧支架，

所述基板位置修正机构设置在所述支架上、所述转动机构上或所述支架与所述转动机构之间，通过使分别保持有上下两个基板的所述上侧支架和所述下侧支架中的至少一方相对于另一方相对移动，使所述上侧支架和所述下侧支架的错开量与因所述两个支架的转动而产生的所述基板的位置的错开量相同。

说明书

基板处理装置

技术领域

[0001] 本发明涉及在处理室内对基板实施例如离子注入等处理的基板处理装置。

背景技术

[0002] 作为以往的基板处理装置，如专利文献1所示，有下述的装置：该装置具备：处理室，在该处理室中向立起的基板照射离子束；以及闸室(预真空室)，与所述处理室邻接设置，以将基板放倒为水平的状态收容基板。所述基板处理装置通过用设置于处理室中的支架移动机构将设置于处理室中的两个呈平板状的支架(台板)交替往返移动，对保持在支架上的基板进行离子注入。

[0003] 具体地进行说明，所述支架移动机构由线性运动机构和转动机构构成，所述线性运动机构由设置于处理室内的滚珠丝杠和与该滚珠丝杠螺纹连接的滚珠螺母构成，所述转动机构使支架在水平状态与立起状态之间转动。

[0004] 支架支承臂为L形，具备安装在滚珠螺母上并与滚珠丝杠垂直地延伸的根部臂、以及从所述根部臂的前端起与滚珠丝杠平行地延伸的支承臂，所述支架支承臂的前端安装有所述支架的侧缘。另外，支架面与由所述根部臂及支承臂形成的面在同一个平面上。

[0005] 通过这种结构，以如下的方式将基板从闸室向处理室移动。

[0006] 首先，在通过所述转动机构使支架支承臂成为放倒的状态亦即使支架成为水平状态后，通过所述线性运动机构使支架进入所述闸室，将处于水平状态的基板保持在支架上。接着，使保持有基板的支架后退并将其取出到处理室内。随后，通过利用所述转动机构使支架支承臂转动并立起，使支架和保持在该支架上的基板立起。而后，在保持所述姿势的状态下，通过所述线性运动机构将基板移动到照射离子束的离子束照射区域。使被照射了离子束后的基板以与所述步骤相反的步骤返回到闸室内。

[0007] 从所述结构可知，支架的侧缘(即，与通过滚珠丝杠移动的移动方向垂直的端缘)以悬臂的方式支承在支架支承臂的前端。此外，支承所述支架支承臂的滚珠螺母，在所述支架的移动方向上位于支架的外侧。

[0008] 可是，近年来玻璃基板的尺寸正在大型化，已经达到第十代(基板尺寸2850mm×3050mm)的程度。此外，需要满足与基板的大型化无关地提高基板处理装置的生产率的要求。

[0009] 认为，所述的专利文献1的基板处理装置由于是将两个基板上下重叠输送的方式，所以不仅可以减小装置尺寸，还可以提高生产率。

[0010] 可是，在所述以往的结构中，由于因基板的大型化导致保持基板的支架也大型化，所以会产生例如下述的问题。

[0011] (1)在以往的结构中，在闸室与处理室之间，以不在中途交接基板的方式边改变其姿势边用单个支架保持并移动基板，因此支架的支承结构变得复杂且勉强(例如为了能将基板插入闸室内，将支架支承臂形成为前述的L形等长的形状，并用该支架支承臂以悬臂的方式支承支架的侧缘)，因而，由于基板和支架的大型化、沉重化，所以变得往往在所述支架支承臂、以及移动该支架支承臂的所述线性运动机构和转动机构等上作用过大的力。

[0012] 具体地进行说明，由于所述滚珠螺母通过L形的支架支承臂在支架移动方向的外侧支承支架，所以如果支架大型化并且重量增加，则不论支架是在立起姿势还是水平姿势的任意姿势情况下，都存在下述问题：滚珠螺母上总是会作用大的力矩，支架的支承变得不稳定，会损害滚珠螺母的移动的平滑性。

[0013] (2)不得不采用能使大型化后的支架进入闸室的结构，需要加大闸室的容积。

[0014] (3)由于闸室用于不使处理室返回大气气氛就能在处理室和大气之间取放基板，所以在交换基板时闸室从真空气氛变为大气气氛、或从大气气氛变为真空气氛。如上所述，如果闸室的容积变大，则用于切换闸室的气氛所花费的时间的会变多。

[0015] 现有技术文献

[0016] 专利文献1：日本专利公开公报特开平10-135146号

发明内容

[0017] 因此，本发明是用于解决所述的问题而做出的发明，本发明的主要目的是提供一种基板处理装置，其能够稳定地支承大型化了的支架，并且能够防止因支架的大型化而导致闸室的大容量化，并能缩短切换所述闸室的气氛的时间。

[0018] 即，本发明提供一种基板处理装置，其包括：处理室，在该处理室中在真空气氛下处理基板；闸室，收容所述基板，被切换为大气气氛或真空气氛；输送室，设置在所述处理室和所述闸室之间，在真空气氛下在所述处理室和所述闸室之间输送所述基板；两个支架，设置在所述处理室中，分别保持基板；支架移动机构，至少使所述两个支架在接收从所述输送室输送来的所述基板的接收位置与处理所述基板的处理位置之间移动，并且在所述接收位置使所述两个支架成为上下排列的状态；以及基板输送机构，设置在所述输送室中，将收容在所述闸室中的所述基板以上下排列的状态统一输送到位于所述接收位置的所述两个支架，所述支架移动机构包括：线性运动机构，使所述两个支架分别沿按各个支架设定在规定的轴向上的彼此不同的移动路径移动；以及转动机构，使所述两个支架绕所述规定的轴向转动，所述线性运动机构在比所述支架的所述规定的轴向上的两端更靠内侧的位置支承所述支架。

[0019] 总之，所述基板处理装置不是像以往那样通过支架和支架支承臂从闸室到处理室以途中不交接的方式输送基板，而是通过中间设置的基板输送机构，将收容在闸室中的基板输送到设置在处理室中的支架上。

[0020] 因此，基板输送机构只要具备不改变基板的姿势地在闸室和输送室之间输送基板的功能即可，其结构当然能够简单且小型化。此外，能够使从闸室取出基板或将基板放入闸室的基板输送机构的结构简单且小型化，这样能够将闸室的大容量化抑制为最小限度，例如能够缩短闸室的气氛的切换时间。

[0021] 另一方面，支架移动机构只要使支架仅在处理室内移动即可，其结果，构成支架移动机构的所述线性运动机构，在比所述轴向上的支架的两端更靠内侧的位置支承支架。在此，“在比所述轴向上的支架的两端更靠内侧的位置支承支架”是指，设定在线性运动机构上的支架支承部位的至少一部分，位于比支架的两端实质上更靠内侧，即，位于能得到和本发明相同效果的范围内的内侧(少许支承部位位于外侧也可以)。因此，按照这种结构，能使所述支承部位尽可能接近支架，从而能稳定地支承支架。

[0022] 优选的是，所述转动机构使所述两个支架分别独立地转动。

[0023] 相比于以往那种使两个支架和线性运动机构一起转动的结构，如果是这种使两个支架分别独立地转动的结构，则能够减小驱动力。这种结构在支架大型化了情况下尤其有效。

[0024] 优选的是，所述转动机构通过使所述支架转动，使所述基板在例如作为水平状态的倒伏位置和例如作为垂直状态的立起位置之间进行姿势变更，所述两个支架的转动轴上下错开，使得当使一方的支架处于所述倒伏位置时，所述一方的支架不与另一方的支架的转动轴干涉。

[0025] 按照该方式，能够通过简单的结构消除在使两个支架分别独立地转动的情况下可能引起的一方的支架与另一方的支架的转动轴的干涉。

[0026] 由于使两个支架的转动轴上下错开，所以例如虽然使位于倒伏位置的两个支架没有错开地保持基板，但如果将所述的支架转动到立起位置，则基板的位置也会错开。因此，优选的是，所述基板处理装置还包括基板位置修正机构，所述基板位置修正机构使所述一方的支架处于立起位置时的基板的上下方向的位置与所述另一方的支架处于立起位置时的基板的上下方向的位置一致。

[0027] 按照该方式，能够使保持在一方的支架上的基板和保持在另一方的支架上的基板的例如离子注入等上下方向的处理位置一致。

[0028] 优选的是，所述基板位置修正机构设置在设于所述闸室中的基板台上，通过使分别放置有上下两个基板的上侧台面和下侧台面中的至少一方相对于另一方相对移动，使所述上侧台面和下侧台面的错开量与因所述两个支架的转动而产生的所述基板位置的错开量相同。

[0029] 由此，通过将基板位置修正机构设置于基板台，相比于设置于基板输送机构或支架等的情况，能够简化结构。

[0030] 由于闸室因在真空气氛和大气气氛之间切换而在内部产生对流，所以在将基板位置修正机构设置于闸室中的情况下，存在基板位置修正机构成为颗粒产生源的问题。此外，因为闸室的容量会变大基板位置修正机构这部分，所以闸室的气氛的切换时间变长，会对生产率产生恶劣影响。

[0031] 因此，优选的是，所述基板位置修正机构设置在所述基板输送机构上，通过使分别放置有上下两个基板的上侧输送面和下侧输送面中的至少一方相对于另一方相对移动，使所述上侧输送面和所述下侧输送面的错开量与因所述两个支架的转动而产生的所述基板位置的错开量相同。

[0032] 这样，通过将基板位置调整机构设置于基板输送机构，能够减小闸室的容量，能够缩短闸室的气氛的切换时间，从而能够提高生产率。

[0033] 优选的是，所述两个支架包括上侧支架和下侧支架，所述基板位置修正机构设置在所述支架上、所述转动机构上或所述支架与所述转动机构之间，通过使分别保持有上下两个基板的所述上侧支架和所述下侧支架中的至少一方相对于另一方相对移动，使所述上侧支架和所述下侧支架的错开量与因所述两个支架的转动而产生的所述基板位置的错开量相同。

[0034] 这样，通过将基板位置调整机构设置在所述支架上、所述转动机构上或所述支架和所述转动机构之间，能够减小闸室的容量，能够缩短闸室的气氛的切换时间，从而能够提高生产率。在此，通过使基板位置修正机构利用所述转动机构的动力，无需设置新的动力。

[0035] 按照所述构成的本发明，能够稳定地支承大型化了的支架，并且能够防止因支架的大型化导致闸室的大容量化，并能够缩短切换所述闸室的气氛的时间。

附图说明

[0036] 图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的示意图。

[0037] 图2是示意性地表示与图1为相同实施方式的支架移动机构的结构的主视图和侧视图。

[0038] 图3是示意性地表示与图1为相同实施方式的支架移动机构的结构的立体图。

[0039] 图4是表示与图1为相同实施方式的两个支架的倒伏位置和立起位置的示意图。

[0040] 图5是在基板输送机构上设置有与图1为相同实施方式的基板位置修正机构的情况的示意图。

[0041] 图6是在基板台上设置有与图1为相同实施方式的基板位置修正机构的情况的示意图。

[0042] 图7是在支架上设置有与图1为相同实施方式的基板位置修正机构的情况的示意图。

[0043] 图8是表示与图1为相同实施方式的基板的处理位置和退避位置的示意图。

[0044] 图9是表示本发明的其他实施方式的滑块的支承部位的示意图。

[0045] 图10是表示本发明的另一实施方式的滑块的支承部位的示意图。

[0046] 附图标记说明

[0047] 100···基板处理装置

[0048] W···基板

[0049] S1···处理室

[0050] S2···闸室

[0051] S3···输送室

[0052] 21···上侧支架(支架)

[0053] 22···下侧支架(支架)

[0054] P1···接收位置

[0055] P2···处理位置

[0056] 3···支架移动机构

[0057] 5···基板输送机构

[0058] 31···线性运动机构

[0059] 32···转动机构

[0060] Q1···倒伏位置

[0061] Q2···立起位置

[0062] 4···转动轴

[0063] 6···基板位置修正机构

[0064] 7···基板台

[0065] 71···上侧台

[0066] 72···下侧台

[0067] 51···上侧手

[0068] 52···下侧手

具体实施方式

[0069] 下面，参照附图说明本发明的基板处理装置的一个实施方式。

[0070] 本实施方式的基板处理装置100，在真空室内向用于平板显示器等的、大型的基板W照射离子束IB对所述基板W进行处理。在此，本实施方式的基板W包括例如玻璃基板、具有取向膜的玻璃基板、半导体基板、以及其他照射离子束的基板。此外，基板W的形状在本实施方式中是大体为矩形的薄板，但是也可以呈圆形。

[0071] 具体地说，如图1所示，所述基板处理装置100包括：处理室S1，在真空室的内部，在真空气氛下向基板W照射离子束IB对基板W进行处理；闸室S2，切换为大气气氛或真空气氛，在使处理室S1维持真空气氛的状态下取放基板W并且收容所述基板W；以及输送室S3，以与处理室S1和闸室S2邻接的方式设置在处理室S1和闸室S2之间，在真空气氛下在处理室S1和闸室S2之间输送基板W。在处理室S1～输送室S3各室的连接部分设有闸阀等真空阀，可以将处理室S1～输送室S3各室分别独立地维持在真空状态。另外，向处理室S1中导入例如带状的离子束IB，所述带状的离子束IB通过引出电极从离子源引出，并通过了分析电磁铁和分析狭缝等质量分析系统。

[0072] 此外，如图2和图3所示，在处理室S1中设有分别保持基板W的上侧支架21和下侧支架22这两个支架、以及移动所述上侧支架21和下侧支架22这两个支架的支架移动机构3。

[0073] 上侧支架21和下侧支架22这两个支架彼此呈相同的形状，能通过支架移动机构3分别独立地移动。

[0074] 如图1所示，支架移动机构3使上侧支架21和下侧支架22这两个支架在接收从输送室S3输送的基板W的接收位置P1和处理基板W的处理位置P2之间移动，并且在接收位置P1使上侧支架21和下侧支架22这两个支架成为上下排列的状态。

[0075] 具体地说，如图2和图3所示，支架移动机构3具备：线性运动机构31，使上侧支架21和下侧支架22这两个支架按各个支架21、22沿规定的轴向移动；以及转动机构32，使上侧支架21和下侧支架22这两个支架绕规定的轴向转动。另外，本实施方式的“规定的轴向”是如图1所示的横切离子束的、沿着左右方向的轴向。

[0076] 线性运动机构31使上侧支架21和下侧支架22各支架分别沿设定在所述规定的轴向上的、彼此平行且不同的移动路径直线移动。

[0077] 具体地说，线性运动机构31具备：第一导轨31a，规定一方的支架21的移动路径；第一滑块31b，在所述第一导轨31a上滑动并支承一方的支架21；未图示的驱动器，使所述第一滑块31b在第一导轨31a上移动；第二导轨31c，规定另一方的支架22的移动路径；第二滑块31d，在所述第二导轨31c上滑动并支承另一方的支架22；以及未图示的驱动器，使所述第二滑块31d在第二导轨31c上移动。

[0078] 第一导轨31a和第二导轨31c沿所述规定的轴向(左右方向)彼此平行地设置，在本实施方式中分别形成在单个轨道构件301的、彼此相对的相对面(前后侧面)上。

[0079] 第一滑块31b在一方的支架21的下方支承所述一方的支架21，第二滑块31d在另一方的支架22的下方支承所述另一方的支架22。更具体地说，第一滑块31b和第二滑块31d各滑块分别呈块状，在分别设置于它们的上端面的支承部位X1、X2支承上方敞开的コ形的支承框32a(具体后述)的底边部，所述支承框32a以可转动的方式保持上侧支架21和下侧支架22。即，为了支承上侧支架21和下侧支架22而设定在线性运动机构31上的支承部位X1、X2，配置在实质上比上侧支架21和下侧支架22各支架的所述轴向的两端(左右两端)更靠内侧的下方的位置。

[0080] 如图3所示，转动机构32使上侧支架21和下侧支架22这两个支架分别独立地转动，在基板W成为水平状态的倒伏位置Q1和基板W成为垂直状态的立起位置Q2之间使上侧支架21和下侧支架22各支架转动90°。另外，基板在倒伏位置无需一定水平，例如如果在闸室中的基板保持姿势略微倾斜，则基板的倒伏位置可以与其配合倾斜。此外，基板在立起位置也无需一定垂直，例如可以配合离子束的照射角度倾斜。

[0081] 具体地说，如图2和图3所示，转动机构32分别设置在上侧支架21和下侧支架22各支架上，转动机构32具备：支承框32a，通过沿所述规定的轴向设置的转动轴4以可转动的方式分别支承上侧支架21和下侧支架22；马达等驱动器32b，设置在所述支承框32a的下方；以及传递连杆32c，通过向所述转动轴4传递所述驱动器32b的驱动力，使所述上侧支架21和下侧支架22转动。转动轴4分别与上侧支架21和下侧支架22的左右侧面连接，支承框32a呈正面观察时大体朝上的コ形，并具有支承上侧支架21和下侧支架22的左右两侧的转动轴4的左右侧壁。

[0082] 通过所述转动机构32，本实施方式的上侧支架21和下侧支架22如图3和图4所示，在接收基板W时的倒伏位置Q1和向基板W注入离子束IB的立起位置Q2之间以最小的转动角度转动。例如，在立起位置Q2是使基板成为垂直的垂直位置的情况下，转动机构32使上侧支架21和下侧支架22在倒伏位置Q1和立起位置Q2之间转动90度。

[0083] 另外，在本实施方式中，在转动机构32的支承框32a的下壁的下表面，分别固定有线性运动机构31的第一滑块31b和第二滑块31d。即，线性运动机构31通过在转动机构32的下方支承转动机构32，来支承上侧支架21和下侧支架22。

[0084] 通过如上所述地构成的支架移动机构3，在上侧支架21和下侧支架22这两个支架都处于倒伏位置Q1的接收位置P1，所述上侧支架21和下侧支架22这两个支架成为上下排列的状态。因此，将上侧支架21和下侧支架22这两个支架的转动轴4在上下方向上错开，使得当一方的支架21成为倒伏位置Q1时，所述一方的支架21不会与另一方的支架22的转动轴4发生干涉。具体地说，在接收位置P1，位于上侧的一方的支架21的转动轴4错开为比位于下侧的另一方的支架22的转动轴4更靠上侧。

[0085] 此外，在输送室S3中设有基板输送机构5，所述基板输送机构5将收容于闸室S2中的基板W向位于处理室S1的接收位置P1的上侧支架21和下侧支架22这两个支架输送。

[0086] 所述基板输送机构5将收容在闸室S2的基板台7上的两个基板W以上下排列的状态统一输送到位于接收位置P1的上侧支架21和下侧支架22这两个支架上。具体地说，基板输送机构5具备：上侧手51，输送上下两个基板W中的上侧的基板W；下侧手52，输送下侧的基板W；以及手驱动装置53，使上侧手51和下侧手52在闸室S2和处理室S1之间移动。在本实施方式中，上侧手51和下侧手52由共同的手支承部54一体形成。

[0087] 接着，说明基板输送机构5和支架移动机构3的动作。

[0088] 首先，通过支架移动机构3位于接收位置P1的上侧支架21和下侧支架22这两个支架，都处于倒伏位置Q1且成为上下排列的状态。在该状态下，通过基板输送机构5向上侧支架21和下侧支架22各支架分别输送并放置一个基板W。

[0089] 接着，通过转动机构32使上侧支架21和下侧支架22这两个支架从倒伏位置Q1转动到立起位置Q2。随后，通过线性运动机构31将上侧支架21和下侧支架22这两个支架一个一个交替地沿移动路径往返移动到处理位置P2。由此，向各基板W照射离子束IB进行离子注入处理。在此所述的处理位置P2如图8所示在轴向上具有规定的宽度，并且是指从如图8的(a)所示的、设定在基板W上的离子注入区域的一方的侧缘暴露于离子束IB的位置到如图8的(b)所示的、所述离子注入区域的另一方的侧缘暴露于离子束IB的位置为止的范围。另外，在此的线性运动机构31如图8的(c)所示，能使保持有基板W的上侧支架21和下侧支架22超过所述处理位置P2移动到设定于接收位置P1的相反一侧的退避位置(处理结束位置)P3，但是线性运动机构31也可以构成为仅能使保持有基板W的上侧支架21和下侧支架22移动到处理位置P2。

[0090] 而后，处理结束后，上侧支架21和下侧支架22这两个支架通过线性运动机构31和转动机构32移动到接收位置P1，通过基板输送机构5将处理完的基板W从处理室S1向闸室S2输送。

[0091] 如图4所示，在本实施方式的基板处理装置100中，由于上侧支架21和下侧支架22这两个支架的转动轴4在上下方向上错开，所以为了使对位于立起位置Q2的各支架21、22上保持的基板W进行处理的处理高度(离子束的离子束中心的位置)相同，需要将位于倒伏位置Q1的各支架21、22上保持的基板W沿前后方向(向上侧支架21和下侧支架22输送的输送方向)错开规定量。在此所谓的“规定量”是指上侧支架21和下侧支架22这两个支架的转动轴4在上下方向上的错开量与上侧支架21和下侧支架22这两个支架的转动轴4在前后方向(向上侧支架21和下侧支架22输送的输送方向)上的错开量的合计。

[0092] 因此，本实施方式的基板处理装置100包括基板位置修正机构6，所述基板位置修正机构6使将一方的支架21设于立起位置Q2时的基板W的上下方向的位置与、将所述另一方的支架22设于立起位置Q2时的基板W的上下方向的位置一致。

[0093] 具体地说，作为基板位置修正机构6，可以考虑如下所述的情况：(1)设置在输送室S3中的情况，(2)设置在闸室S2中的情况下，(3)设置在处理室S1中的情况。

[0094] (1)设置在输送室S3中的情况

[0095] 作为设置在输送室S3中的情况，可以考虑设置于输送室S3内的基板输送机构5。

[0096] 具体地说，如图5所示，作为使分别放置上下两个基板W的、上侧手51的输送面(上侧输送面)和下侧手52的输送面(下侧输送面)中的至少一方相对于另一方移动的结构，使上侧输送面和下侧输送面的错开量与因上侧支架21和下侧支架22这两个支架从倒伏位置Q1向立起位置Q2转动而产生的基板W的位置的错开量相同。

[0097] 图5所示的一个例子，通过使上侧输送面相对于下侧输送面在前后方向上相对移动来进行位置修正，所述基板位置修正机构6具备：例如真空用伺服马达等驱动器6a1，设于支承下侧手52的手支承部54；直线引导机构6a2，设于所述手支承部54和上侧手51之间，沿前后方向延伸；以及同步带等传递部6a3，将所述驱动器6a1的驱动力传递给所述上侧手51，使所述上侧手51利用直线引导机构6a2直线移动。另外，通过未图示的线缆承载管(CABLEVEYOR(注册商标))等向驱动器6a1供给电力。

[0098] 下面对由所述基板位置修正机构6进行的基板W的位置修正动作进行说明。

[0099] 当基板输送机构5从闸室S2的基板台7取出两个基板W时，上侧手51和下侧手52上下位置相同，分别放置在上侧手51和下侧手52这两个手上的两个基板W上下位置相同。此外，在基板输送机构5将两个基板W从闸室S2向处理室S1输送期间，基板位置修正机构6使上侧手51相对于下侧手52相对移动，由此修正基板W的位置。在该状态下，将两个基板W交给位于处理室S1的接收位置P1的上侧支架21和下侧支架22这两个支架。由此，当接收了基板W的上侧支架21和下侧支架22这两个支架转动到立起位置Q2时，分别保持于所述上侧支架21和下侧支架22上的基板W的处理高度(向各基板W照射的离子束IB的离子束中心的高度)相同。另外，当将处理完的基板W从上侧支架21和下侧支架22收容到闸室S2的基板台7上时，基板位置修正机构6进行与所述动作相反的动作，当将处理完的基板W收容到闸室S2的基板台7上时，上侧手51和下侧手52上下位置相同。

[0100] (2)设置在闸室S2中的情况

[0101] 作为设置在闸室S2中的情况，可以考虑设置在闸室S2内的基板台7上。

[0102] 具体地说，如图6所示，作为使分别放置上下两个基板W的上侧台71的放置面(上侧台面)和下侧台72的放置面(下侧台面)中的至少一方相对于另一方相对移动的结构，使上侧台面与下侧台面的错开量与因上侧支架21和下侧支架22这两个支架从倒伏位置Q1向立起位置Q2转动而产生的基板W的位置的错开量相同。

[0103] 图6所示的一个例子，通过使下侧台面相对于上侧台面在交接方向上相对移动来进行位置修正，所述基板位置修正机构6具备：伺服电机等驱动器6b1；直线引导机构6b2，设置在下侧台72的下侧，沿交接方向延伸；以及连杆部6b3，通过将所述驱动器6b1的驱动力传递给下侧台72，使所述下侧台72利用直线引导机构6b2直线移动。

[0104] 下面对由所述基板位置修正机构6进行的基板W的位置修正动作进行说明。

[0105] 当将基板从真空室的外部(大气)收容到闸室S2的基板台7上时，上侧台71和下侧台72上下位置相同。随后，在闸室S2的大气气氛或真空气氛的状态下，基板位置修正机构6通过使下侧台72相对于上侧台71相对移动，来修正基板W的位置。随后，基板输送机构5的上侧手51和下侧手52分别接收上侧台71和下侧台72上的基板W，并将两个基板W转交给位于处理室S1的接收位置P1的上侧支架21和下侧支架22这两个支架。另外，配合所述上侧台71和下侧台72的错开量，设定基板输送机构5的上侧手51和下侧手52的长度。由此，当接收了基板W的上侧支架21和下侧支架22这两个支架转动到立起位置Q2时，对分别保持在所述上侧支架21和下侧支架22上的基板W进行处理的处理高度(向各基板W照射的离子束IB的离子束中心的高度)成为相同。另外，在将处理完的基板W从上侧支架21和下侧支架22收容到闸室S2的基板台7上时，基板位置修正机构6进行与所述动作相反的动作，将处理完的基板W收容到闸室S2的基板台7上后，上侧台71和下侧台72上下位置相同。

[0106] (3)设置在处理室S1中的情况

[0107] 作为设置在处理室S1中的情况，可以考虑设置在处理室S1内的支架21、22和转动机构32之间。

[0108] 具体地说，如图7所示，作为使分别保持上下两个基板W的上侧支架21和下侧支架22中的至少一方相对于另一方相对移动的结构，通过修正因上侧支架21和下侧支架22这两个支架从倒伏位置Q1向立起位置Q2转动而产生的基板W的位置的错开量，使保持于位于立起位置Q2的上侧支架21和下侧支架22这两个支架上的、基板W的上下方向的高度位置一致。

[0109] 图7所示的一个例子，通过使上侧支架21相对于下侧支架22相对移动来进行位置修正，在上侧支架21从倒伏位置Q1转动到立起位置Q2期间，上侧支架21相对于转动轴4向下侧退，在从立起位置Q2转动到倒伏位置Q1期间，上侧支架21相对于转动轴4向输送方向伸出。

[0110] 更具体而言，基板位置修正机构6具备：转动基座6c1，与转动轴4的支架侧端部连接，与转动轴4一起转动；固定齿轮6c2，固定在所述转动轴4上；行星齿轮6c4，固定在连杆臂6c3上，并通过与所述固定齿轮6c2啮合而转动，所述连杆臂6c3以转动自如的方式与所述转动基座6c1连接；从动连杆6c5，一端与所述连杆臂6c3连接，另一端与上侧支架21连接；以及直线引导机构6c6，设置在所述转动基座6c1和所述支架21之间。另外，从动连杆6c5为伸缩连杆，具备：第一连杆构件6c51，一端部固定在连杆臂6c3上；以及第二连杆构件6c52，以转动自如的方式与所述第一连杆构件6c51的另一端部连接，并且以转动自如的方式与支架21连接。

[0111] 下面对由所述基板位置修正机构6进行的基板W的位置修正动作进行说明。

[0112] 当基板输送机构5将两个基板向位于接收位置P1的上侧支架21和下侧支架22这两个支架输送时，两个支架上下位置相同，放置在所述上侧支架21和下侧支架22这两个支架上的两个基板W上下位置相同。

[0113] 而后，转动机构32使上侧支架21和下侧支架22各支架从倒伏位置Q1向立起位置Q2转动。此时，如果上侧支架21的转动机构32使上侧支架21的转动轴4转动，则伴随与此，固定齿轮6c2和转动基座6c1转动，行星齿轮6c4围绕固定齿轮6c2转动移动。通过所述行星齿轮6c4的转动移动，连杆臂6c3转动，并且固定于连杆臂6c3的从动连杆6c5的第一连杆构件
6c51转动，从动连杆6c5伸缩，上侧支架21沿直线引导机构6c6滑动。在本实施方式中，伴随上侧支架21从倒伏位置Q1向立起位置Q2转动，从动连杆6c5收缩，伴随支架从起立位置向倒伏位置转动，从动连杆伸展。由此，当接收了基板W的上侧支架21和下侧支架22这两个支架从倒伏位置Q1转动到了立起位置Q2时，分别保持在所述上侧支架21和下侧支架22上的基板W的处理高度(对各基板W照射的离子束IB的离子束中心的高度)相同。此外，当从立起位置Q2转动到了倒伏位置Q1时，分别保持在所述上侧支架21和下侧支架22上的基板W上下位置相同。

[0114] <本实施方式的效果>

[0115] 按照如上所述地构成的本实施方式的基板处理装置100，在处理室S1和闸室S2之间设置有输送室S3，由于通过设置在所述输送室S3中的基板输送机构5把收容在闸室S2中的基板W输送到设置在处理室S1中的上侧支架21和下侧支架22上，所以无需使上侧支架21和下侧支架22进入闸室S2，能够防止因上侧支架21和下侧支架22的大型化而导致闸室S2大容量化，并且能够缩短闸室S2的气氛的切换时间。

[0116] 此外，由于线性运动机构31在比上侧支架21和下侧支架22的规定的轴向上的两端更靠内侧的下方支承上侧支架21和下侧支架22，所以能够使上侧支架21和下侧支架22的支承部位接近上侧支架21和下侧支架22，从而能够稳定地支承上侧支架21和下侧支架22。

[0117] 此外，因为具备基板位置修正机构6，所以即使上侧支架21和下侧支架22这两个支架的转动轴4上下错开，也能够使保持在一方的支架21上的基板W与保持在另一方的支架22上的基板W上的例如离子注入等上下方向的处理位置一致。

[0118] 在此，将基板位置修正机构6设置在闸室S2的基板台7上的情况，相比于设置在基板输送机构5或上侧支架21和下侧支架22等上的情况，能够使结构变得简单。此外，将基板位置修正机构6设置在输送室S3的基板输送机构5上的情况，能够减小闸室S2的容量，并且能够缩短闸室S2的气氛的切换时间，由此能够提高生产率。此外，将基板位置修正机构6设置在处理室S1的上侧支架21和下侧支架22与转动机构32之间的情况，能够减小闸室S2的容量，能够缩短闸室S2的气氛的切换时间，由此能够提高生产率。此时，由于本实施方式的基板位置修正机构6利用转动机构32的动力，所以无需设置新的动力，能够使装置结构简单化和小型化。

[0119] <其他的变形实施方式>

[0120] 另外，本发明不限于所述实施方式。

[0121] 例如，如图9所示，也可以将第一滑块31b(第二滑块31d)分成两块并设置在上侧支架21(下侧支架22)的两侧缘部下方。此外，如图10所示，第一滑块31b(第二滑块31d)的一部分可以设置在比上侧支架21(下侧支架22)的两侧缘部更靠外侧。但是，只要支承部位X1(X2)实质上位于比上侧支架21(下侧支架22)的两侧缘部更靠内侧的位置即可。观察所述图10时，虽然严格地讲支承部位X1位于上侧支架21的稍外侧，但是由于支承部位X1支承保持上侧支架21的两侧缘的支承框32a的底边部，所以支承部位X1实质上位于上侧支架21的内侧。

[0122] 此外，所述实施方式的两个支架可以保持收容有多个基板的盘。这样，可以统一处理多个基板。

[0123] 此外，在所述实施方式中，具有两个闸室，但是也可以具有一个闸室，或者可以具有三个以上的闸室。

[0124] 此外，在将基板位置修正机构设置在处理室中的情况下，除了设置在支架和转动机构之间的情况以外，也可以设置在支架自身上，或者可以设置在转动机构自身上。此外，还可以设置在线性运动机构自身上。在此，在使两个支架分别移动的线性运动机构分别设置在各个支架的每一个上并且在各导轨由不同的构件构成的情况下，可以通过使所述的导轨相对移动来修正基板位置。

[0125] 此外，本发明不限于所述实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围可以进行各种变形。

[0126] 可以相互组合本发明的各个实施方式中所记载的技术特征形成新的技术方案。