EUV光刻装置及其曝光方法

摘要

一种EUV光刻装置及其曝光方法。所述装置的掩模台(300)承载多个反射式掩模(400a，400b)，处于曝光位的反射式掩模(400a)在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模(400b)可同时进行面型和位置测量。多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，提高产率。掩模台(300)也可承载多个相同的反射式掩模，通过切换掩模的方式交替使用进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

权利要求

1.一种光刻装置，包括EUV光源、照明系统、投影系统和工件台，其特征在于，所述装置还包括：掩模台，可在投影系统上方运动，所述掩模台具有一第一载台和位于第一载台一侧的一第二载台；以及一第一测量系统，设置于投影系统的一侧，用于测量掩模台上反射式掩模的面型和位置，

其中，所述掩模台的第一载台用于承载一第一反射式掩模，并当所述掩模台移动至相对于所述投影系统的一第一位置时，使得所述EUV光源发出的EUV光线经过所述照明系统、第一反射式掩模和投影系统照射至工件台上；

其中，所述掩模台的第二载台用于承载一第二反射式掩模，且所述第一测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第一测量系统能够对所述第二反射式掩模的面型和位置进行测量。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一测量系统包括用于测量所述反射式掩模相对于掩模台的位置关系的第一和第二传感器，以及用于测量所述反射式掩模的面型的多个第三传感器。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述多个第三传感器位于第一传感器和第二传感器之间。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一和第二传感器以及所述多个第三传感器排成一线性阵列，该线性阵列的长度大于等于所述反射式掩模的长度。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第一测量系统与所述第二反射式掩模相对。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一和第二载台上均设有多个载台标记。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述掩模台还具有位于第一载台的另一侧的一第三载台，并且所述装置还包括一第二测量系统，设置于所述投影系统的另一侧，其中，所述第三载台用于承载一第三反射式掩模，且所述第二测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第二测量系统能够对所述第三反射式掩模的面型和位置进行测量。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第二测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第二测量系统与所述第三反射式掩模相对。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括一第二测量系统位于所述投影系统的另一侧；当所述掩模台移动至相对于投影系统的一第二位置时，使得所述EUV光源发出的EUV光线经过所述照明系统、所述第二载台承载的第二反射式掩模和投影系统照射至工件台上；所述第二测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第二位置时，该第二测量系统能够对所述第一载台承载的第一反射式掩模的面型和位置进行测量。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一反射式掩模和第二反射式掩模具有相同的掩模图形。

11.一种采用如权利要求1至6中任意一项所述的光刻装置的曝光方法，其特征在于，在使用第一载台承载的第一反射式掩模对工件台上的硅片进行曝光的同时，所述第一测量系统对第二载台承载的第二反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量。

12.一种采用如权利要求7至8中任意一项所述的光刻装置的曝光方法，其特征在于，在使用第一载台承载的第一反射式掩模对工件台上的硅片进行曝光的同时，所述第一测量系统对第二载台承载的第二反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量和/或所述第二测量系统对第三载台承载的第三反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量。

13.一种采用如权利要求9所述的光刻装置的曝光方法，其特征在于，在使用第一和第二载台其中一个承载的反射式掩模对工件台上的硅片进行曝光的同时，所述第一和第二测量系统中的相应一个对第一和第二载台其中另一个承载的反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量。

说明书

EUV光刻装置及其曝光方法

技术领域

[0001] 本发明涉及光刻领域，尤其涉及一种EUV光刻装置及其曝光方法。

背景技术

[0002] 投影曝光装置用于将掩模版上的电路图形经过投影光学系统做投影曝光的装置，能够将电路图形以一定放大或缩小的倍率投影于制造集成电路的硅片上。集成电路的发展遵循“Moore定律”，随着IC制造技术的飞速发展，IC集成度逐渐提高，投影曝光装置所用光波长也逐步下降，当前使用的主流光刻技术采用193nm(Deep UV；DUV)波长的激光。在浸没技术，双重曝光和多重曝光等围绕工艺创新技术的驱动下，逐渐逼近到DUV波长所能达到的光刻极限，预计在纳米节点，使用193nm曝光装置的用户拥有成本将大大提高，而采用波长13.5nm的极紫外线(Extreme UV，EUV)光曝光装置(EUVL)将体现出更大的竞争优势，并将无可争议地成为下一代光刻技术的首选。所述EUV曝光装置的典型配置如图1所示，包括：基础框架10、掩模台20、测量框架30、面型传感器31、EUV光源50、照明系统42、投影系统41以及硅片台60。

[0003] 由于现有物质对紫外波段(13.5nm)光能有很强的吸收性，所以EUVL照明和投影系统除需很高的真空度外，所有镜片都采用了反射方式，其中包括反射式掩模。因此，照明光束不与掩模基底垂直，一般入射角为6度，由此掩模局部面型，倾斜以及材料性质会对成像质量产生很大影响。另外，根据反射光学系统的性质，为兼顾大的曝光视场和成像质量，系统更倾向于设计成环形视场(参照2001年美国专利US6225027B1 EUVL system)。倾斜的主光线角加上环形视场导致成像系统的非远心性，所谓非远心性意味着，掩模与最佳物面的垂向偏差会导致成像系统的套刻误差，这一套刻误差将超过用户允许的范围(因193nm光刻设备通常采用双远心设计而不存在这类问题)。为控制这一误差，掩模高度的控制精度需保持在10到20nm左右(与常规的193nm光刻设备硅片高度控制精度相当)，所以为解决EUV光刻系统物方非远心导致的套刻误差问题，需要增加掩模面型传感器31，所述面型传感器31测量掩模面上吸收层在整个掩模面上的相对高度分布。

[0004] 由于掩模台本身或掩模背面不可避免地存在颗粒污染，导致上载到掩模台后的掩模局部面型会发生变化，所以需要测量掩模面各点位置及其对应的形貌，在系统运行过程中，通过“获取校正量——计算调整量——执行可调元件”进行套刻误差控制。测量的时机选择在掩模版加载到掩模台后，在正式进行硅片曝光前进行。测得的数据传输到由控制模块处理，调节掩模磁浮台调整高度。掩模高度的调节精度主要依赖于倍率的测量精度和激光干涉仪的精度。这需要实时协调多个耦合系统，并要有精确而快速的反馈处理时间。

[0005] 当今曝光装置为提高产率均需要进行多批次曝光连续工作，对加载后的掩模事先进行全面的局部面型测量不可避免地影响产率，同时如何解决EUV光刻环境下，掩模面型测校，高真空环境下的掩模热效应变形，双重或多重曝光等问题，这些问题都会不同程度地对光刻产率造成影响。

[0006] 因此，现有技术中均存在以下几点技术问题：

[0007] 1、EUV光刻多批次连续曝光时，在每批次第一片硅片曝光前，都需要在交换位对掩模进行交换，在测量位对掩模面型进行测量，而后在曝光位进行曝光，特别是在执行双曝光或多重曝光工艺时，每一片掩模的切换和后续操作测量都需串行进行，产率因此受到影响。

[0008] 2、在EUV高真空环境中，掩模散热更为困难，当一片掩模连续曝光后掩模吸收层因受热形变，影响成像质量，需等待进行降温处理而影响产率。

[0009] 3、EUV光刻系统对环境特别敏感，需要使用测校掩模对系统进行校准时，掩模更换和面型测量耗费时间，影响产率。

发明内容

[0010] 本发明的一个目的在于提供一种EUV光刻装置及其曝光方法，以提高EUV光刻装置的产率。

[0011] 本发明的另一个目的在于提供一种EUV光刻装置及其曝光方法，以解决一块掩模长时间工作受热变形的问题。

[0012] 为了实现上述目的，本发明的第一方面提出了一种光刻装置及其曝光方法，所述装置包括EUV光源、照明系统、投影系统和工件台，所述装置还包括：掩模台，可在投影系统上方运动，所述掩模台具有一第一载台和位于第一载台一侧的一第二载台；以及一第一测量系统，设置于投影系统的一侧，其中，所述掩模台的第一载台用于承载一第一反射式掩模，并当所述掩模台移动至相对于所述投影系统的一第一位置时，使得所述EUV光源发出的EUV光线经过所述照明系统、第一反射式掩模和投影系统照射至工件台上；其中，所述掩模台的第二载台用于承载一第二反射式掩模，且所述第一测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第一测量系统能够对所述第二反射式掩模的面型和位置进行测量。

[0013] 进一步的，所述第一测量系统包括用于测量所述反射式掩模相对于掩模台的位置关系的第一和第二传感器，以及用于测量所述反射式掩模的面型的多个第三传感器。

[0014] 进一步的，所述多个第三传感器位于第一传感器和第二传感器之间。

[0015] 进一步的，所述第一和第二传感器以及所述多个第三传感器排成一线性阵列，该线性阵列的长度大于等于所述反射式掩模的长度。

[0016] 进一步的，所述第一测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第一测量系统与所述第二反射式掩模相对。

[0017] 进一步的，所述第一和第二载台上均设有多个载台标记。

[0018] 根据本发明第一方面的曝光方法采用上述光刻装置进行，且在使用第一载台承载的第一反射式掩模对工件台上的硅片进行曝光的同时，所述第一测量系统对第二载台承载的第二反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量。

[0019] 本发明的第二方面提出了另一种光刻装置及其曝光方法，所述装置在根据本发明第一方面的装置基础上，在掩模台上增加了位于第一载台的另一侧的一第三载台，并且所述装置还包括一第二测量系统，设置于所述投影系统的另一侧，其中，所述第三载台用于承载一第三反射式掩模，且所述第二测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第二测量系统能够对所述第三反射式掩模的面型和位置进行测量。

[0020] 进一步的，所述第二测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第二测量系统与所述第三反射式掩模相对。

[0021] 根据本发明第二方面的曝光方法采用上述光刻装置进行，且在使用第一载台承载的第一反射式掩模对工件台上的硅片进行曝光的同时，所述第一测量系统对第二载台承载的第二反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量和/或所述第二测量系统对第三载台承载的第三反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量。

[0022] 本发明的第三方面提出了又一种光刻装置及其曝光方法，所述装置在根据本发明第一方面的装置基础上增加了一第二测量系统，位于所述投影系统的另一侧；当所述掩模台移动至相对于投影系统的一第二位置时，使得所述EUV光源发出的EUV光线经过所述照明系统、所述第二载台承载的第二反射式掩模和投影系统照射至工件台上；所述第二测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第二位置时，该第二测量系统能够对所述第一载台承载的第一反射式掩模的面型和位置进行测量。

[0023] 根据本发明第三方面的曝光方法采用上述光刻装置进行，且在使用第一和第二载台其中一个承载的反射式掩模对工件台上的硅片进行曝光的同时，所述第一和第二测量系统中的相应一个对第一和第二载台其中另一个承载的反射式掩模的面型和位置中的至少一个进行测量。

[0024] 与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率。

[0025] 此外，掩模台还可承载多块相同的反射式掩模，通过切换掩模的方式交替使用这些掩模来进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

[0026] 进一步的，由于在某些工艺条件下，需要对曝光硅片采用双重曝光或多重曝光方式，多载的掩模台也可以方便地在EUV光刻装置中满足这种需求。由于一次可以交换多个反射式掩模，对多批次连续曝光来说可节省反射式掩模交换时间；由于采用单个掩模台承载多个反射式掩模，可共用一套掩模台定位测量系统，因此多载掩模台可省去了重复测量过程，同时也可以节省空间和成本。

附图说明

[0027] 图1为现有技术中EUV装置的结构示意图；

[0028] 图2为本发明实施例一中EUV装置的结构示意图；

[0029] 图3为本发明实施例一中反射式掩模和掩模载台的结构示意图；

[0030] 图4为本发明实施例一中组合面型传感器的剖面示意图；

[0031] 图5为本发明实施例二中EUV装置的结构示意图；

[0032] 图6为本发明实施例三中EUV装置的结构示意图。

具体实施方式

[0033] 下面将结合示意图对本发明的EUV光刻装置及其曝光方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

[0034] 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

[0035] 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

[0036] 实施例一

[0037] 请参考图2，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，包括：EUV光源100、照明系统210、投影系统220、工件台700、掩模台300和测量系统510；其中，所述EUV光刻装置具有曝光位和测量位，所述投影系统220和工件台700位于曝光位，所述测量系统510位于测量位；所述曝光位和测量位分别指光刻装置的一种工位，即完成指定工序所要占用的空间位置，在本实施例中，位于曝光位的各部件用于协同工作以完成对硅片的曝光工序，位于测量位的各部件用于协同工作以完成对掩模的测量工序。需要说明的是，说明书附图中仅仅示意性地表示出了曝光位和测量位，其工位的划分根据不同的光刻装置可有所不同，因而不应理解为限制本发明。此外，虽然图中所示的曝光位和测量位是相邻的，然而它们两者在空间位置上也可以是相互交叠的，换言之，曝光位的部件可以与测量位的部件在空间位置上存在一定的交叠，只要不影响相应工序的实施即可。所述掩模台300承载多个反射式掩模，统一由标号400表示。图2中画出两个反射式掩模，分别为400a和400b，所述EUV光源100发出的光线经过所述照明系统210、掩模台上的反射式掩模400a和投影系统220照射至工件台700上(如图中箭头所示)，所述测量系统510在测量位对所述反射式掩模400b进行面型和位置测量。

[0038] 在本实施例中，所述EUV光刻装置还包括基础框架600并且还具有一交换位，同样地，说明书附图中也仅仅是示意性地表示出交换位，而并不用于限制本发明。所述EUV光源100、照明系统210、投影系统220、工件台700、掩模台300和测量系统510均设置于所述基础框架600内，所述交换位处能够更换反射式掩模400。

[0039] 在本实施例中，所述测量系统510包括至少一个传感器(RLS，Reticle Location-Leveling Sensor)且通过一测量框架520固定在基础框架600上，并位于测量位。请参考图4，所述测量系统510包括第一位置传感器511、第二位置传感器512以及多个面型传感器
513，例如为8个面型传感器513，所述面型传感器513位于第一位置传感器511和第二位置传感器512之间。测量系统510处于测量位，兼有掩模位置测量和掩模面型测量功能，测量系统
510中的各传感器按直线布置，第一位置传感器511、第二位置传感器512构成的位置测量系统位于直线两边并能捕获到掩模载台标记和掩模标记，面型传感器513位于测量系统中央并能捕获到整个被测量的反射式掩模400b的掩模面。

[0040] 在本实施例中，仅包括一个测量系统510，并位于测量位，所述掩模台300承载2个反射式掩模400a、400b，所述反射式掩模400a、400b分别由掩模载台410a、410b承载与所述掩模台300相连，一块反射式掩模400a位于曝光位，另一块反射式掩模400b位于测量位，并与所述测量系统510相对。

[0041] 在本实施例中，还提出了一种EUV光刻曝光方法，采用上文所述的EUV光刻装置，所述方法包括步骤：

[0042] S100：在位于交换位的掩模台300上加载反射式掩模400a和400b，并在工件台700上加载硅片800；

[0043] S200：掩模台300运动，将反射式掩模400a移动至测量位，使用测量系统510对所述反射式掩模400a进行面型和位置测量；

[0044] S300：移动掩模台300，将反射式掩模400a移动至曝光位(此时反射式掩模400b位于测量位)，并建立起反射式掩模400a与硅片800的位置关系；

[0045] S400：对硅片800进行曝光处理，同时使用测量系统510对反射式掩模400b进行面型和位置测量；

[0046] S500：待曝光完毕更换硅片800时，掩模台300运动，将反射式掩模400b移动至曝光位，并建立起反射式掩模400b与更换后的硅片800的位置关系；

[0047] S600：对更换后的硅片800进行曝光处理，循环上述步骤直至将所有硅片800曝光完毕。

[0048] 具体的，在交换位可通过EUV光刻装置的掩模传输系统进行反射式掩模400交换；可同时加载和卸载两块反射式掩模400a、400b；即第一块反射式掩模400a首先进入测量位；
位于测量位且处于第一块反射式掩模400a下方的测量系统(RLS)510开始对第一块反射式掩模400a进行水平位置和面型高度测量。

[0049] 如图3和图4所示，所述反射式掩模400设有掩模标记R1、R2、R3和R4；所述掩模载台410设有掩模载台标记RM1、RM2、RM3和RM4；所述测量系统对所述掩模标记R1、R2、R3和R4和掩模载台标记RM1、RM2、RM3和RM4进行识别，建立反射式掩模的水平位置关系，具体的，掩模台300沿水平方向往返扫描，测量系统510中的第一位置传感器511和第二位置传感器512可对两者的标记进行识别，并建立水平位置关系。所述测量系统510中的面型传感器513可以对反射式掩模400的表面对应位置的掩模高度进行测量，即得到反射式掩模400的形貌关系，扫描的次数由面型测量精度决定，同时所述第一位置传感器511、第二位置传感器512用于确定反射式掩模400和掩模载台410的水平位置。

[0050] 采用上述方法在测量位对第一反射式掩模400a扫描完毕后将所述反射式掩模400a载入曝光位，如图2所示。接着将反射式掩模400a进行对准，该步骤通过工件台700上的图像传感器(图未示出)测量掩模载台410a上的掩模载台标记RM1、RM2、RM3和RM4，由此推算出反射式掩模400a空间像的位置参数，建立起反射式掩模400a与硅片800曝光场的空间位置关系，倍率调整量等多种参数(即得出反射式掩模400a高度变化所导致的套刻误差变化量)。

[0051] 进行硅片800曝光时，此时处于曝光位的反射式掩模400a在建立了与硅片800的位置关系后，开始对硅片800曝光场进行连续曝光，通过调用之前在测量位测得的反射式掩模400a的面型数据结合扫描位置和最优调整策略，对掩模台300的姿态进行前馈调整，从而实时校准曝光场的套刻误差。此时，另一反射式掩模400b正处于测量位，测量系统510可对该另一反射式掩模400b进行对准和全局格点面型粗测量(Global Coarse Grid Measure)，所述面型粗测量用于获取该另一反射式掩模400b的标记位置信息和初步面型信息，并将所测得的该另一反射式掩模400b的面型数据传至服务器端，作为该另一反射式掩模400b前馈扫描曝光时像差校准的依据。

[0052] 等一个硅片800扫描曝光完毕后，该硅片800进入交换状态，此时处于曝光位的反射式掩模400a处于闲置状态，处于测量位的另一反射式掩模400b此时进行局部格点面型精测量(Local Fine Grid Measure)，并将所测得的该另一反射式掩模400b的面型数据传至所述一服务器，作为该另一反射式掩模400b前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。因此，对400b另一反射式掩模400b进行面型和位置测量的时间与对硅片800进行曝光以及更换硅片
800的时间共用。等到该批次硅片800曝光完毕后，需要更换掩模继续曝光下一批次硅片800时，则该另一反射式掩模400b进入曝光位，开始后续曝光。等待第二批次硅片800曝光完毕，掩模台300进入交换位采用第三和第四反射式掩模与已使用的反射式掩模400a、400b进行交换。如此循环直至将所有硅片800曝光完毕。

[0053] 需要说明的是，上述另一反射式掩模400b与反射式掩模400a可以具有相同或不同的掩模图形。如背景技术中提到的，在EUV高真空环境中，掩模散热更为困难，当一片掩模连续曝光后掩模吸收层因受热形变，影响成像质量，需等待进行降温处理而影响产率。而采用本实施例的光刻装置，可以加载两片具有相同图形的掩模，交替进行曝光，则可有效避免采用同一片掩模连续曝光所产生的受热形变问题。既可节省降温处理所需的时间，又能有效提高成像质量。

[0054] 实施例二

[0055] 请参考图5，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，是在实施例一的基础上设置了2个测量系统510a和510b，分别位于第一测量位和第二测量位，所述第一测量位和第二测量位分别位于曝光位的两侧，所述掩模台300承载3个反射式掩模，分别为400a、400b、400c，各所述反射式掩模400a、400b、400c由相应的掩模载台410a、410b、410c承载与所述掩模台300相连，一块反射式掩模400a位于曝光位，另两块反射式掩模400b、400c分别位于第一测量位和第二测量位，并与所述第一测量位和第二测量位的2个测量系统510a、510b相对。

[0056] 本实施例提出的EUV光刻装置以及EUV光刻曝光方法均与实施例一相一致，具体请参考实施例一，在此不再赘述。

[0057] 不同于实施例一中的是，等到第一批次硅片800曝光完毕后，需要继续曝光下一批次硅片800，则可以由位于第一测量位或位于第二测量位的反射式掩模400b(或400c)进入曝光位，开始后续曝光。等待第二批次硅片800曝光完毕，需要继续曝光则可以将剩下的一个测量位的反射式掩模400c(或400b)进入曝光位，开始后续曝光。因此，本实施例提出的EUV光刻装置可以实现三个反射式掩模400的交换。

[0058] 实施例三

[0059] 请参考图6，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，其包括2个测量系统510a和510b以及两个测量位，两个测量位分别是第一测量位和第二测量位，分别位于曝光位的两侧。

[0060] 但是在本实施例中，所述掩模台300仅仅承载2个反射式掩模400a、400b，掩模台300能够按照图6中的箭头方向水平移动，从而可以使两块反射式掩模400a、400b在第一测量位、曝光位以及第二测量位之间切换。

[0061] 其余装置和曝光方法均与实施例一相同，在此不再赘述，具体请参考实施例一。

[0062] 综上，在本发明实施例提供的EUV光刻装置及其曝光方法中，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约掩模的面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

[0063] 进一步的，多载台掩模可以通过切换反射式掩模的方式，相对快速地在另一块同样的反射式掩模上继续硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可使EUV光刻装置利用效率提高，从而降低用户对EUV光刻装置的总拥有成本；由于在某些工艺条件下，需要对曝光硅片采用双重曝光或多重曝光方式，多载的掩模台也可以方便地在EUV光刻装置中满足这种需求。由于一次可以交换多个反射式掩模，对多批次连续曝光来说可节省反射式掩模交换时间；由于采用单个掩模台承载多个反射式掩模，可共用一套掩模台定位测量系统，因此多载掩模台可省去了重复测量过程，同时也可以节省空间和成本。

[0064] 上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。