阵列基板制造方法

摘要

本发明提供阵列基板制造方法，其包括在基础膜层表面依次形成第一光阻层及第二光阻层；在所述第二光阻层上方形成第一光罩并曝光以对第二光阻层图案化形成图案化的第二光阻层；其中，所述图案化的第二光阻层中每一图案的轮廓大于预设图案的轮廓，对图案化的第二光阻层进行显影，并通过显影过程调整所述图案化的第二光阻层上每一图案的轮廓，以使图案的尺寸与预设图案的轮廓相同；在所述第一光阻层上方形成第二光罩并曝光以图案化的第一光阻层，去除未被所述图案化的第二光阻层遮挡的部分并露出部分基础膜层；根据图案化的第一光阻层图案化所述基础摸层；去除图案化的第一光阻层及图案化的第二光阻层。

权利要求

1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，

在基础膜层表面依次形成第一光阻层及第二光阻层；

在所述第二光阻层上方形成第一光罩并曝光以对第二光阻层图案化形成图案化的第二光阻层；其中，所述图案化的第二光阻层中每一图案的轮廓大于预设图案的轮廓，对图案化的第二光阻层进行显影，并通过显影过程调整所述图案化的第二光阻层上每一图案的轮廓，以使图案的尺寸与预设图案的轮廓相同；

在所述第一光阻层上方形成第二光罩并曝光以图案化的第一光阻层，所述图案化的第一光阻层中每一图案的轮廓等于显影后图案化的第二光阻层中图案的轮廓，去除未被所述图案化的第二光阻层遮挡的部分并露出部分基础膜层；

根据图案化的第一光阻层图案化所述基础膜层；

去除图案化的第一光阻层及图案化的第二光阻层。

2.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第二光阻层厚度小于第一光阻层厚度。

3.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一光阻层厚度为0.75-

1.4微米。

4.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第二光阻层厚度为1.5-2微米。

5.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述基础膜层图案化后为栅极、源漏极、数据线、公共电极中之一。

6.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一光罩包括透光区及遮蔽区，图案化的第二光阻层中，与透光区相对应图案的轮廓大于所述透光区。

7.如权利要求6所述的阵列基板制造方法，其特征在于，通过设置显影的时间及浓度以调整所述图案的轮廓。

8.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一光阻层与第二光阻层的材料为光刻胶。

9.如权利要求6所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述第二光罩包括透光区及遮蔽区，所述第二光罩的透光区在基础膜层的正投影与第一光罩的透光区在基础膜层的正投影完全重合。

10.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，步骤根据图案化的第一光阻层图案化所述基础膜层是通过蚀刻工艺蚀刻未被所述图案化的第一光阻层遮挡的基础膜层。

说明书

阵列基板制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板制造方法。

背景技术

[0002] 现有阵列基板在制造过程中会用到光刻、显影等工艺进行图案化形成需要的图案。其中光刻工艺通过光掩模进行光照实现在膜层上或者在形成图案，但是由于当光穿过小孔和轮廓分明的边缘时，光偏离了直线传播方向绕到障碍物的阴影区，沿边缘产生了干涉图形，结果得到了一个模糊的图象，这种现象被称为衍射。光的衍射和光刻密切相关，因为光掩模上有小的清晰图形并且间距很窄，衍射图样会带走曝光能量，并使光发散，导致膜层上不需要曝光的区域被曝光，影响膜层图案的形成。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于提供一种阵列基板制造方法。

[0004] 为了实现上述目的，本发明实施方式提供如下技术方案：

[0005] 所述阵列基板制造方法，包括在基础膜层表面依次形成第一光阻层及第二光阻层；

[0006] 在所述第二光阻层上方形成第一光罩并曝光以对第二光阻层图案化形成图案化的第二光阻层；其中，所述图案化的第二光阻层中每一图案的轮廓大于预设图案的轮廓，[0007] 对图案化的第二光阻层进行显影，并通过显影过程调整所述图案化的第二光阻层上每一图案的轮廓，以使图案的尺寸与预设的相同；

[0008] 在所述第一光阻层上方形成第二光罩并曝光以图案化的第一光阻层，去除未被所述图案化的第二光阻层遮挡的部分并露出部分基础膜层；

[0009] 通过蚀刻工艺蚀刻未被所述图案化的第一光阻层遮挡的基础膜层，以图案化基础摸层；

[0010] 去除图案化的第一光阻层及图案化的第二光阻层。

[0011] 其中，所述第二光阻层厚度小于第一光阻层厚度。

[0012] 其中，所述第一光阻层厚度为0.75-1.4微米。

[0013] 其中，所述第二光阻层厚度为1.5-2微米。

[0014] 其中，所述基础膜层图案化后为栅极、源漏极、数据线、公共电极中之一。

[0015] 其中，所述第一光罩包括透光区及遮蔽区，图案化的第二光阻层中，与透光区相对应图案的轮廓大于所述透光区。

[0016] 其中，通过设置显影的时间及浓度以调整所述图案的轮廓。

[0017] 其中，所述第一光阻层与第二光阻层的材料为光刻胶。

[0018] 其中，所述第二光罩包括透光区及遮蔽区，所述第二光罩的透光区在基础膜层的正投影与第一光罩的透光区在基础膜层的正投影完全重合。

[0019] 本发明实施例具有如下优点或有益效果：

[0020] 本申请所述的阵列基板制造方法采用两个光阻层，先对第一光阻层进行曝光图案工艺最后将图案复制到第二光阻层，通过对第二光阻层曝光对基础膜层进行加工形成需要的图案，一次形成需要的图层，可以避免光衍射造成的图案轮廓不清楚偏大等问题，避免造成分辨力下降。

附图说明

[0021] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0022] 图1是本发明阵列基板制造方法的流程图；

[0023] 图2-7是所示阵列基板制造方法的步骤示意图。

具体实施方式

[0024] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

[0025] 请参阅图1，本发明所述的阵列基板制造方法用于阵列基板的制造，包括如下步骤：

[0026] 一并参阅图2，S1，在基础膜层10表面依次形成第一光阻层12及第二光阻层14。本实施例中，所述第一光阻层12与第二光阻层14的材料为光刻胶。所述基础膜层10的有益基板1支撑，其中，基板为透明玻璃板，基础膜层10可以直接设于基板表面，也可以间接的有基板1支撑，如在基础膜层10与基板1之间设置其他层结构。

[0027] 一并参阅图3，S2，在所述第二光阻层14上方形成第一光罩15并曝光以对第二光阻层14图案化形成图案化的第二光阻层141；其中，所述图案化的第二光阻层141中每一图案142的轮廓大于预设图案的轮廓。所述第一光罩15包括透光区151及遮蔽区152，图案化的第二光阻层141中，与透光区151相对应图案142的轮廓大于所述透光区151，即图案142边缘大于透光区151边缘。提供一光阻涂布设备(图未示)，所述光阻涂布设备用于涂布光阻层。当光照射所述光罩15时，光线从透光区151穿过照到第二光阻层14上，被光线照射到的第二光阻层14部分不溶解，没有被光线照射到的第二光阻层14溶解。因此，所述光罩15放置于所述第二光阻层14的上方时，位于所述光罩15的透光部151下方的第二光阻层14不溶解；位于所述光罩15的遮光区152下方的第二光阻层14溶解。经过所述光罩15后，所述第二光阻层14被图案化成如图4所示的图案化的第二光阻层141的图案。需要说明的是所述预设图案的轮廓是指要在所述基础膜层10上形成的图案的轮廓。对第一次光罩进行曝光对第一光阻层不产生影响。

[0028] S3，对图案化的第二光阻层141进行显影，并通过显影过程调整所述图案化的第二光阻层141上每一图案142的轮廓，以使图案142的尺寸与预设的相同。本实施例中通过设置显影的时间及浓度以调整所述图案142的轮廓，去除图案142的部分边缘，使其与预设图案尺寸相同。

[0029] 一并参阅图5，S4，在所述第一光阻层12上方形成第二光罩13并曝光以形成图案化的第一光阻层121，去除未被图案化的第二光阻层141遮挡的部分并露出部分基础膜层10。曝光过程与上一步过程相同，再次不做赘述。本实施例中，所述第二光罩13包括透光区131及遮蔽区132，所述第二光罩13的透光区131在基础膜层10的正投影与第一光罩15的透光区
151在基础膜层10的正投影完全重合。在曝光以形成图案化的第一光阻层121时，保证在图案化的第一光阻层12上形成的图案与显影后的图案化的第二光阻层141的图案尺寸相同。

[0030] 一并参阅图6，S5，根据图案化的第一光阻层图案化所述基础摸层。通过蚀刻工艺蚀刻未被所述图案化的第一光阻层121遮挡的基础膜层10，以形成图案化的基础摸层11。所述基础膜层10图案化后为栅极、源漏极、数据线、公共电极中之一。本实施例中，图案化的基础摸层11为栅极，其直接形成于基板1上。

[0031] 一并参阅图7，S6，去除图案化的第一光阻层121及图案化的第二光阻层141。

[0032] 本实施例中，所述第二光阻层14厚度小于第一光阻层12厚度，只要在第一次曝光后形成图案即可，也可以节省加工时间。具体的，所述第一光阻层厚度为0.75-1.4微米。所述第二光阻层厚度为1.5-2微米。

[0033] 本申请所述的阵列基板制造方法采用两个光阻层，先对第一光阻层进行曝光图案工艺最后将图案复制到第二光阻层，通过对第二光阻层曝光对基础膜层进行加工形成需要的图案，一次形成需要的图层，可以避免光衍射造成的图案轮廓不清楚偏大等问题，避免造成分辨力下降。

[0034] 以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。