本发明提供一种应用于雷达技术和微波通信技术领域的同轴介质振荡源加工方法，同轴介质振荡源加工方法的步骤为：1)在振荡电路板本体上焊接振荡电器元件(3)，将振荡电路板组件(1)与腔体(4)连接，再将振荡电路板组件(1)与腔体(4)放在加热平台进行烧结；2)在谐波混频锁相电路板本体的焊盘处点上焊膏，将谐波电器元件(5)放在焊膏处，将谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件(5)放在加热平台进行烧结；3)通过连接导线连接振荡电路板组件(1)和谐波混频锁相电路板组件(2)，本发明所述的同轴介质振荡源加工方法，步骤简单，能够方便快捷完成同轴介质振荡源加工，提高同轴介质振荡源产品合格率，适用于批量化生产。
1.一种同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：所述的同轴介质振荡源包括振荡电路板组件(1)、谐波混频锁相电路板组件(2)、腔体(4)，振荡电路板组件(1)包括振荡电路板本体，谐波混频锁相电路板组件(2)包括谐波混频锁相电路板本体，所述的同轴介质振荡源加工方法的具体加工步骤为：
1)在振荡电路板本体上焊接振荡电器元件(3)，振荡电路板本体和振荡电器元件(3)形成振荡电路板组件(1)，将振荡电路板组件(1)与腔体(4)连接，再将振荡电路板组件(1)与腔体(4)放在加热平台进行烧结；
2)在谐波混频锁相电路板本体的焊盘处点上焊膏，将谐波电器元件(5)放在焊膏处，将谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件(5)放在加热平台进行烧结，谐波混频锁相电路板本体和谐波电器元件(5)形成谐波混频锁相电路板组件(2)，将谐波混频锁相电路板组件(2)安装在腔体(4)上；
3)通过连接导线连接振荡电路板组件(1)和谐波混频锁相电路板组件(2)，完成同轴介质振荡源的加工；
所述的振荡电路板组件(1)包括振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ，振荡电路板组件(1)与腔体(4)连接时，将焊膏漏印在振荡电路板本体Ⅰ背面和振荡电路板本体Ⅱ背面，将振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ放置在腔体(4)内，将振荡电路板组件(1)与腔体(4)放在220℃-280℃的加热平台上烧结。
2.根据权利要求1所述的同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：所述的振荡电路板组件(1)的振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ上各焊接振荡电器元件(3)，连接导线包括多个射频绝缘子(6)和多个加电针(7)，将振荡电路板组件(1)与腔体(4)连接时，先在振荡电路板组件(1)上设置多个射频绝缘子(6)、多个加电针(7)，然后再将振荡电路板组件(1)与腔体(4)一起放在220℃-280℃的加热平台上烧结。
3.根据权利要求1所述的同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：将所述的谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件(5)放在加热平台进行烧结时，将谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件(5)放在220℃-280℃的加热平台上烧结，然后再将谐波混频锁相电路板组件(2)安装在腔体(4)上。
4.根据权利要求1所述的同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：所述的振荡电路板组件(1)与腔体(4)放在加热平台进行烧结后，将振荡电路板组件(1)与腔体(4)放在40℃-80℃的ABZOL CEG CLEANER清洗剂中煮泡5min—15min，再将煮泡过的振荡电路板组件(1)与腔体(4)放在无水乙醇中刷洗，然后自然晾干。
5.根据权利要求1所述的同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：将谐波混频锁相电路板本体和谐波电器元件(5)形成谐波混频锁相电路板组件(2)放在加热平台进行烧结后，将谐波混频锁相电路板组件(2)放在无水乙醇中刷洗，然后自然晾干。
6.根据权利要求2所述的同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：设置多个加电针(7)的振荡电路板组件(1)与腔体(4)一起放在220℃-280℃的加热平台上烧结后，在每个加电针(7)外侧点涂焊膏，将加电针(7)放置到腔体(4)上的固定位置，将设置加电针(7)的振荡电路板组件(1)放到温度为130℃-180℃的加热平台上预热3-15分钟，用温度为350℃-450℃的热气枪对着加电针(7)的焊锡膏处，直至焊锡熔化，完成加电针(7)固定安装。
7.根据权利要求2所述的同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：所述的振荡电路板组件(1)的荡电路板本体Ⅰ通过导线与多个加电针(7)连接，振荡电路板组件(1)的荡电路板本体Ⅱ通过导线与多个加电针(7)连接，荡电路板本体Ⅰ的加电针(7)与谐波混频锁相电路板组件(2)连通，荡电路板本体Ⅱ的加电针(7)与谐波混频锁相电路板组件(2)连通，多个射频绝缘子(6)与振荡电路板组件(1)的荡电路板本体Ⅱ连接，荡电路板本体Ⅱ上的多个射频绝缘子(6)与谐波混频锁相电路板组件(2)连接。
8.根据权利要求1所述的同轴介质振荡源加工方法，其特征在于：所述的同轴介质振荡源的腔体(4)上还设置上封盖(8)和下封盖(9)，将上封盖(8)与腔体(4)进行激光封盖，将下封盖(9)与腔体(4)进行激光封盖。
一种同轴介质振荡源加工方法
技术领域
[0001] 本发明属于雷达技术和微波通信技术领域，更具体地说，是涉及一种同轴介质振荡源加工方法。
背景技术
[0002] 随着现代电信系统和现代雷达系统的出现，在雷达技术和微波通信技术中，要求信号源及本振源具有频率稳定度和优良的频率捷变性能，由于同轴介质振荡源具备小型化、高抗振、稳频等特点，可在雷达等通信系统做本振使用，是某型号卫星通信系统的重要部件。现有技术中的同轴介质振荡源产品加工方法：各电路功能集成在整个电路板上，电路板面积大，电路板与腔体烧结时，焊透率不合格，各电路之间还有电磁干扰，频率稳定度差，无法满足需求。
发明内容
[0003] 本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，成本低，能够方便快捷完成同轴介质振荡源加工，提高同轴介质振荡源产品合格率，同时适用于批量化生产同轴介质振荡源的同轴介质振荡源加工方法。
[0004] 要解决以上所述的技术问题，本发明采取的技术方案为：
[0005] 本发明为一种同轴介质振荡源加工方法，所述的同轴介质振荡源包括振荡电路板组件、谐波混频锁相电路板组件、腔体，振荡电路板组件包括振荡电路板本体，谐波混频锁相电路板组件包括谐波混频锁相电路板本体，所述的同轴介质振荡源加工方法的具体加工步骤为：
[0006] 1)在振荡电路板本体上焊接振荡电器元件，振荡电路板本体和振荡电器元件形成振荡电路板组件，将振荡电路板组件与腔体连接，再将振荡电路板组件与腔体放在加热平台进行烧结；
[0007] 2)在谐波混频锁相电路板本体的焊盘处点上焊膏，将谐波电器元件(放在焊膏处，将谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件放在加热平台进行烧结，谐波混频锁相电路板本体和谐波电器元件形成谐波混频锁相电路板组件，将谐波混频锁相电路板组件安装在腔体上；
[0008] 3)通过连接导线连接振荡电路板组件和谐波混频锁相电路板组件，完成同轴介质振荡源的加工。
[0009] 所述的振荡电路板组件包括振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ，振荡电路板组件与腔体连接时，将焊膏漏印在振荡电路板本体Ⅰ背面和振荡电路板本体Ⅱ背面，将振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ放置在腔体内，将振荡电路板组件与腔体放在温度220℃-280℃之间的加热平台上烧结。
[0010] 所述的振荡电路板组件的振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ上各焊接振荡电器元件，连接导线包括多个射频绝缘子和多个加电针，将振荡电路板组件与腔体连接时，先在振荡电路板组件上设置多个射频绝缘子、多个加电针，然后再将振荡电路板组件与腔体一起放在温度在220℃-280℃之间的加热平台上烧结。
[0011] 将所述的谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件放在加热平台进行烧结时，将谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件放在温度在220℃-280℃之间的加热平台上烧结，然后再将谐波混频锁相电路板组件安装在腔体上。
[0012] 所述的振荡电路板组件与腔体放在加热平台进行烧结后，将振荡电路板组件与腔体放在温度在40℃-80℃之间的ABZOL CEG CLEANER清洗剂中煮泡5min—15min，再将煮泡过的振荡电路板组件与腔体放在无水乙醇中刷洗，然后自然晾干。
[0013] 将谐波混频锁相电路板本体和谐波电器元件形成谐波混频锁相电路板组件放在加热平台进行烧结后，将谐波混频锁相电路板组件放在无水乙醇中刷洗，然后自然晾干。
[0014] 设置多个加电针的振荡电路板组件与腔体一起放在温度在220℃-280℃之间的加热平台上烧结后，在每个加电针外侧点涂焊膏，将加电针放置到腔体上的固定位置，将设置加电针的振荡电路板组件放到温度在130℃-180℃之间的加热平台上预热3-15分钟，用温度在350℃-450℃之间的热气枪对着加电针的焊锡膏处，直至焊锡熔化，完成加电针固定安装。
[0015] 所述的振荡电路板组件的荡电路板本体Ⅰ通过导线与多个加电针连接，振荡电路板组件的荡电路板本体Ⅱ通过导线与多个加电针连接，荡电路板本体Ⅰ的加电针与谐波混频锁相电路板组件连通，荡电路板本体Ⅱ的加电针与谐波混频锁相电路板组件连通，多个射频绝缘子与振荡电路板组件的荡电路板本体Ⅱ连接，荡电路板本体Ⅱ上的多个射频绝缘子与谐波混频锁相电路板组件连接。
[0016] 所述的同轴介质振荡源的腔体上还设置上封盖和下封盖，将上封盖与腔体进行激光封盖，将下封盖与腔体进行激光封盖。
[0017] 采用本发明的技术方案，能得到以下的有益效果：
[0018] 本发明所述的同轴介质振荡源加工方法，通过简单的步骤，就能够方便快捷地完成同轴介质振荡源产品的加工，而在同轴介质振荡源加工过程中需要的辅助部件和辅助材料减少，通过上述方法，在提高加工质量的同时，有效降低了加工成本。与此同时，本发明的同轴介质振荡源加工方法的最大优点，在于能够提高同轴介质振荡源产品合格率，适用于批量化生产同轴介质振荡源。
附图说明
[0019] 下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
[0020] 图1为本发明所述的同轴介质振荡源的正面结构示意图；
[0021] 图2为本发明所述的同轴介质振荡源的背面结构示意图；
[0022] 附图中标记分别为：1、振荡电路板组件；2、谐波混频锁相电路板组件；3、振荡电器元件；4、腔体；5、谐波电器元件；6、射频绝缘子；7、加电针；8、上封盖；9、下封盖。
具体实施方式
[0023] 下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：
[0024] 如附图1、附图2所示，本发明为一种同轴介质振荡源加工方法，所述的同轴介质振荡源包括振荡电路板组件1、谐波混频锁相电路板组件2、腔体4，振荡电路板组件1包括振荡电路板本体，谐波混频锁相电路板组件2包括谐波混频锁相电路板本体，所述的同轴介质振荡源加工方法的具体加工步骤为：
[0025] 1)在振荡电路板本体上焊接振荡电器元件3，振荡电路板本体和振荡电器元件3形成振荡电路板组件1，将振荡电路板组件1与腔体4连接，再将振荡电路板组件1与腔体4放在加热平台进行烧结；
[0026] 2)在谐波混频锁相电路板本体的焊盘处点上焊膏，将谐波电器元件5放在焊膏处，将谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件5放在加热平台进行烧结，谐波混频锁相电路板本体和谐波电器元件5形成谐波混频锁相电路板组件2，将谐波混频锁相电路板组件2安装在腔体4上；
[0027] 3)通过连接导线连接振荡电路板组件1和谐波混频锁相电路板组件2，完成同轴介质振荡源的加工。
[0028] 本发明所述的同轴介质振荡源加工方法，通过简单的步骤，就能够方便快捷地完成同轴介质振荡源产品的加工，而在同轴介质振荡源加工过程中需要的辅助部件和辅助材料减少，通过上述方法，在提高加工质量的同时，有效降低了加工成本。与此同时，本发明的同轴介质振荡源加工方法的最大优点，在于能够提高同轴介质振荡源产品合格率，适用于批量化生产同轴介质振荡源。
[0029] 所述的振荡电路板组件1包括振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ，振荡电路板组件1与腔体4连接时，将焊膏漏印在振荡电路板本体Ⅰ背面和振荡电路板本体Ⅱ背面，将振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ放置在腔体4内，将振荡电路板组件1与腔体4放在温度在220℃-280℃之间的加热平台上烧结。这样，就简单可靠地完成了振荡电路板组件1与腔体的连接组装。
[0030] 所述的振荡电路板组件的振荡电路板本体Ⅰ和振荡电路板本体Ⅱ上各焊接振荡电器元件，连接导线包括多个射频绝缘子6和多个加电针7，将振荡电路板组件与腔体连接时，先在振荡电路板组1上设置多个射频绝缘子6、多个加电针，然后再将振荡电路板组件1与腔体4一起放在温度在220℃-280℃之间的加热平台上烧结。
[0031] 将所述的谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件5放在加热平台进行烧结时，将谐波混频锁相电路板本体与谐波电器元件5放在温度在220℃-280℃之间的加热平台上烧结，然后再将谐波混频锁相电路板组件2安装在腔体4上。这样，就完成了谐波混频锁相电路板组件2与腔体的连接组装。
[0032] 所述的振荡电路板组件1与腔体4放在加热平台进行烧结后，将振荡电路板组件1与腔体4放在温度在40℃-80℃之间的ABZOL CEG CLEANER((正溴丙烷工业级清洗剂))清洗剂中煮泡5min—15min，再将煮泡过的振荡电路板组件1与腔体4放在无水乙醇中刷洗，然后自然晾干。通过清洗及煮泡，可以将加工时沾在振荡电路板组件1与腔体4上的松香清洗干净，保证产品的质量。
[0033] 将谐波混频锁相电路板本体和谐波电器元件5形成谐波混频锁相电路板组件2放在加热平台进行烧结后，将谐波混频锁相电路板组件2放在无水乙醇中刷洗，然后自然晾干。
[0034] 设置多个加电针7的振荡电路板组件1与腔体4一起放在温度在220℃-280℃之间的加热平台上烧结后，在每个加电针7外侧点涂焊膏，将加电针7放置到腔体4上的固定位置，将设置加电针7的振荡电路板组件1放到温度在130℃-180℃之间的加热平台上预热3-15分钟，用温度在350℃-450℃之间的热气枪对着加电针7的焊锡膏处，直至焊锡熔化，完成加电针7固定安装。
[0035] 所述的振荡电路板组件1的荡电路板本体Ⅰ通过导线与多个加电针7连接，振荡电路板组件1的荡电路板本体Ⅱ通过导线与多个加电针7连接，荡电路板本体Ⅰ的加电针7与谐波混频锁相电路板组件2连通，荡电路板本体Ⅱ的加电针7与谐波混频锁相电路板组件2连通，多个射频绝缘子6与振荡电路板组件1的荡电路板本体Ⅱ连接，荡电路板本体Ⅱ上的多个射频绝缘子6与谐波混频锁相电路板组件2连接。
[0036] 所述的同轴介质振荡源的腔体4上还设置上封盖8和下封盖9，将上封盖8与腔体4进行激光封盖，将下封盖9与腔体4进行激光封盖。上封盖8和下封盖9的设置，实现了同轴介质振荡源的可靠密封，确保腔体内部件受到保护。
[0037] 本发明所述的同轴介质振荡源加工方法，通过简单的步骤，就能够方便快捷地完成同轴介质振荡源产品的加工，而在同轴介质振荡源加工过程中需要的辅助部件和辅助材料减少，通过上述方法，在提高加工质量的同时，有效降低了加工成本。与此同时，本发明的同轴介质振荡源加工方法的最大优点，在于能够提高同轴介质振荡源产品合格率，适用于批量化生产同轴介质振荡源。
[0038] 本发明所述的同轴介质振荡源加工方法，生产出的同轴介质振荡源产品，各项技术性能指标均满足整机要求，且此制作工艺流程简单，设备投资小，适用大批量生产。与此同时，本发明所述的同轴介质振荡源加工方法的产品制作工艺更加科学实用，产品合格率提高，为批量化生产提供了有力保障。
[0039] 本发明的同轴介质振荡源加工方法加工出的同轴介质振荡源，各功能电路分开化，可使得各电路之间电磁干扰减少，频率稳定度提高。
[0040] 上面结合附图对本发明进行了示例性的描述，显然本发明具体的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其他场合的，均在本发明的保护范围内。
