面板及其制备方法

摘要

一种面板及其制备方法，该面板包括：衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的黑矩阵层、第一有机绝缘层和第二有机绝缘层。所述黑矩阵层包括贯穿所述黑矩阵层的第一凹槽；所述第一有机绝缘层包括贯穿所述第一有机绝缘层的第二凹槽；所述第二有机绝缘层包括贯穿所述第二有机绝缘层的第三凹槽；所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽相互贯通。通过对面板的结构进行设计，然后将油墨印刷至待形成标志图案的区域，将油墨烘烤至固态，油墨在面板的膜层上具有很强的附着能力。

权利要求

1.一种触控面板，包括：

衬底基板，

依次设置在所述衬底基板上的黑矩阵层、触控用的第一导电层、第一有机绝缘层、触控用的第二导电层和第二有机绝缘层、油墨层，其中，所述第一有机绝缘层为用于绝缘所述第一导电层和第二导电层的绝缘层；所述第二有机绝缘层为绝缘保护层；

所述黑矩阵层包括贯穿所述黑矩阵层的第一凹槽；

所述第一有机绝缘层包括贯穿所述第一有机绝缘层的第二凹槽；

所述第二有机绝缘层包括贯穿所述第二有机绝缘层的第三凹槽；

所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽相互贯通；

在平行于所述衬底基板的平面上具有第一方向，在所述第一方向上所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽的开口尺寸依次增大，使得所述黑矩阵、所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的开口侧形成阶梯状；

所述油墨层填充于所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内，使得所述油墨层朝向所述第一凹槽的一侧形成与所述阶梯状开口相适应的形状。

2.根据权利要求1所述的触控面板，其中，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述黑矩阵层的形成有所述第一凹槽的边缘在所述第一方向上具有第一间距d1。

3.根据权利要求2所述的触控面板，其中，所述第一间距d1的范围为800μm-1200μm。

4.根据权利要求2所述的触控面板，其中，在平行于所述衬底基板的平面上还具有与所述第一方向垂直的第二方向，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述第二有机绝缘层的形成有所述第三凹槽的边缘在所述第一方向和所述第二方向上均具有第二间距d2。

5.根据权利要求4所述的触控面板，其中，所述第二间距d2的范围为800μm-1200μm。

6.根据权利要求1所述的触控面板，其中，所述第一有机绝缘层的厚度为0.5μm-3μm。

7.根据权利要求1所述的触控面板，其中，所述第二有机绝缘层的厚度为0.5μm-3μm。

8.根据权利要求1所述的触控面板，还包括设置在所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层之间的透明的无机绝缘层，其中，所述无机绝缘层覆盖所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽对应的区域。

9.根据权利要求8所述的触控面板，其中，所述无机绝缘层的厚度为0.08μm-0.12μm。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的触控面板，其中，所述黑矩阵层的材料包括树脂或金属。

11.根据权利要求10所述的触控面板，其中，所述黑矩阵层的厚度为0.5μm-3μm。

12.一种触控面板的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成黑矩阵层、触控用的第一导电层、第一有机绝缘层、触控用的第二导电层和第二有机绝缘层、油墨层，其中，所述第一有机绝缘层为用于绝缘所述第一导电层和第二导电层的绝缘层；所述第二有机绝缘层为绝缘保护层；

对所述黑矩阵层进行刻蚀形成贯穿所述黑矩阵层的第一凹槽；

对所述第一有机绝缘层进行刻蚀形成贯穿所述第一有机绝缘层的第二凹槽；

对所述第二有机绝缘层进行刻蚀形成贯穿所述第二有机绝缘层的第三凹槽；

所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽相互贯通；

在平行于所述衬底基板的平面上具有第一方向，在所述第一方向上所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽的开口尺寸依次增大，使得所述黑矩阵、所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的开口侧形成阶梯状；

所述油墨层填充于所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内，使得所述油墨层朝向所述第一凹槽的一侧形成与所述阶梯状开口相适应的形状。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述黑矩阵层的形成有所述第一凹槽的边缘在所述第一方向上具有第一间距d1。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其中，所述第一间距d1的范围为800μm-1200μm。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其中，在平行于所述衬底基板的平面上还具有与所述第一方向垂直的第二方向，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述第二有机绝缘层的形成有所述第三凹槽的边缘在所述第一方向和所述第二方向上均具有第二间距d2。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述第二间距d2的范围为800μm-1200μm。

说明书

面板及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明的实施例涉及一种面板及其制备方法。

背景技术

[0002] 随着通信技术的快速发展，智能手机、平板电脑等电子设备已经广泛地应用于工作、生活的各个领域。在竞争日逾激烈的全球市场上，电子设备厂商越来越倾向于严格管理和使用统一标准的标志(logo)为自身建立一个更有效、更清晰的市场形象。

[0003] 通常制作含有logo图案的面板包含多个工序，且各个工序可能在不同的车间操作，进行完一个工序之后进入下一个工序之前的等待的时间也可能较长。所以在形成logo图案的过程中，在形成油墨层后，进行下一个工序之前需要在油墨上覆盖一层保护膜，防止外界的杂质给油墨层带来污染，或者进行下一个工序时要用毛刷等对油墨的表面进行清扫。如果油墨的附着力不强，在移除保护膜的过程中可能将油墨也移除，或者用毛刷对油墨的表面进行清扫时会将油墨带走。除此之外，产品在进行返修时，如果油墨层的附着力不强，油墨层也会脱落，从而造成logo图案不能被人们接受。所以如何改善油墨的附着力是一个亟待解决的技术问题。

发明内容

[0004] 本发明至少一实施例提供一种面板及其制备方法。本发明通过对面板的结构进行设计，然后将油墨印刷至待形成logo图案的区域，将油墨烘烤至固态，然后对油墨进行附着能力测试，表明油墨在面板的膜层上具有很强的附着能力。

[0005] 本发明至少一实施例提供一种面板，包括：衬底基板，依次设置在所述衬底基板上的黑矩阵层、第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，其中，所述黑矩阵层包括贯穿所述黑矩阵层的第一凹槽；所述第一有机绝缘层包括贯穿所述第一有机绝缘层的第二凹槽；所述第二有机绝缘层包括贯穿所述第二有机绝缘层的第三凹槽；所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽相互贯通。

[0006] 例如，在本发明实施例提供的面板中，在平行于所述衬底基板的平面上具有第一方向，在所述第一方向上所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽的尺寸依次增大。

[0007] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述黑矩阵层的形成有所述第一凹槽的边缘在所述第一方向上具有第一间距d1。

[0008] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述第一间距d1的范围为800μm-1200μm。

[0009] 例如，在本发明实施例提供的面板中，在平行于所述衬底基板的平面上还具有与所述第一方向垂直的第二方向，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述第二有机绝缘层的形成有所述第三凹槽的边缘在所述第一方向和所述第二方向上均具有第二间距d2。

[0010] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述第二间距d2的范围为800μm-1200μm。

[0011] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述第一有机绝缘层的厚度为0.5μm-3μm。

[0012] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述第二有机绝缘层的厚度为0.5μm-3μm。

[0013] 例如，本发明实施例提供的面板还包括设置在所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层之间的透明的无机绝缘层，所述无机绝缘层覆盖所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽对应的区域。

[0014] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述无机绝缘层的厚度为0.08μm-0.12μm。

[0015] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽内和所述无机绝缘层上填充有油墨。

[0016] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述黑矩阵层的材料包括树脂或金属。

[0017] 例如，在本发明实施例提供的面板中，所述黑矩阵层的厚度为0.5μm-3μm。

[0018] 本发明至少一实施例还提供一种面板的制备方法，包括：在衬底基板上形成黑矩阵层，对所述黑矩阵层进行刻蚀形成贯穿所述黑矩阵层的第一凹槽；在所述黑矩阵层上依次形成第一有机绝缘层和第二有机绝缘层；对所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层分别进行刻蚀形成与所述第一凹槽对应的第二凹槽和第三凹槽，且所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽相互贯通。

[0019] 例如，在本发明实施例提供的面板的制备方法中，在平行于所述衬底基板的平面上具有第一方向，在所述第一方向上所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽的尺寸依次增大。

[0020] 例如，在本发明实施例提供的面板的制备方法中，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述黑矩阵层的形成有所述第一凹槽的边缘在所述第一方向上具有第一间距d1。

[0021] 例如，在本发明实施例提供的面板的制备方法中，所述第一间距d1的范围为800μm-1200μm。

[0022] 例如，在本发明实施例提供的面板的制备方法中，在平行于所述衬底基板的平面上还具有与所述第一方向垂直的第二方向，所述第一有机绝缘层的形成有所述第二凹槽的边缘与位于同一侧的所述第二有机绝缘层的形成有所述第三凹槽的边缘在所述第一方向和所述第二方向上均具有第二间距d2。

[0023] 例如，在本发明实施例提供的面板的制备方法中，所述第二间距d2的范围为800μm-1200μm。

附图说明

[0024] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

[0025] 图1为本发明一实施例提供的一种面板的平面结构示意图；

[0026] 图2为图1中的面板沿A-B切割形成的截面结构示意图；

[0027] 图3为面板的logo图案处另一截面结构的示意图；

[0028] 图4为面板的logo图案以外边缘区域膜层结构的示意图；

[0029] 图5为面板的logo图案以外中间区域膜层结构的示意图；

[0030] 图6为本发明一实施例提供的一种面板的制备方法的流程图。

[0031] 附图标记：

[0032] 100-面板；101-衬底基板；102-黑矩阵层；103-第一有机绝缘层；104-第二有机绝缘层；105-第一凹槽；106-第二凹槽；107-第三凹槽；108-无机绝缘层；111-第一导电层；112-第二导电层；113-金属层。

具体实施方式

[0033] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0034] 除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

[0035] 本公开的发明人发现在制作具有logo图案的面板的过程中，各个膜层的尺寸、厚度、与相邻膜层之间的间距等，决定着后续油墨的附着力的强弱。发明人设计了一种面板，该面板可适用于常用的油墨和常用的衬底基板，通过附着力实验测试，表明在该面板结构上形成的油墨层的附着力很强，适于制备logo图案。

[0036] 本发明至少一实施例提供一种面板，包括：衬底基板，依次设置在衬底基板上的黑矩阵层、第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，其中，黑矩阵层包括贯穿黑矩阵层的第一凹槽；第一有机绝缘层包括贯穿第一有机绝缘层的第二凹槽；第二有机绝缘层包括贯穿第二有机绝缘层的第三凹槽；第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽相互贯通。

[0037] 下面通过几个实施例进行说明。

[0038] 实施例一

[0039] 本实施例提供一种面板，图1为本发明实施例提供的一种面板的平面结构示意图，图2为图1中的面板沿线A-B切割形成的截面结构示意图。结合图1和图2进行说明，以logo图案附近的结构为例，该面板100包括衬底基板101，以及包括依次设置在衬底基板101上的黑矩阵层102、第一有机绝缘层103和第二有机绝缘层104，其中，黑矩阵层102包括贯穿黑矩阵层102的第一凹槽105；第一有机绝缘层103包括贯穿第一有机绝缘层103的第二凹槽106；第二有机绝缘层104包括贯穿第二有机绝缘层104的第三凹槽107；第一凹槽105、第二凹槽106和第三凹槽107相互贯通。由此形成可容纳油墨的区域。

[0040] 例如，如图1和图2所示，在平行于衬底基板101的平面上具有第一方向，在第一方向上该第一凹槽105、第二凹槽106、第三凹槽107的尺寸依次增大，从而第二凹槽106可以露出完整的第一凹槽105，第三凹槽107可以露出完整的第二凹槽106。这样形成的logo图案在第一方向上的长度为黑矩阵层102形成的第一凹槽105在衬底基板101上的正投影在第一方向上的长度。

[0041] 例如，如图2所示，第一有机绝缘层103的形成有第二凹槽106的边缘与位于同一侧的黑矩阵层102的形成有第一凹槽105的边缘在第一方向上具有第一间距d1。

[0042] 例如，第一间距d1的范围可以为800μm-1200μm，例如，第一间距d1可以为800μm、1000μm或者1200μm。

[0043] 例如，如图1和图2所示，在平行于衬底基板101的平面上还具有与第一方向垂直的第二方向，第一有机绝缘层103的形成有第二凹槽106的边缘与位于同一侧的第二有机绝缘层104的形成有第三凹槽107的边缘在第一方向和第二方向上均具有第二间距d2。

[0044] 例如，如图2所示，第二间距d2的范围可以为800μm-1200μm，例如，第二间距d2可以为800μm、1000μm或者1200μm。

[0045] 例如，如图2所示，第一有机绝缘层103的厚度可以为0.5μm-3μm，例如，第一有机绝缘层103的厚度可以为1μm、1.5μm或者2μm。

[0046] 例如，如图2所示，第二有机绝缘层104的厚度可以为0.5μm-3μm，例如，第二有机绝缘层104的厚度可以为1μm、1.5μm或者2μm。

[0047] 例如，第一有机绝缘层和第二有机绝缘层的材料可以包括苯并环丁烯(BCB)。

[0048] 例如，图3为面板的logo图案处另一截面结构示意图，与图2中所示的截面结构的区别在于，该面板还包括设置在第一有机绝缘层103和第二有机绝缘层104之间的透明的无机绝缘层108，该无机绝缘层108覆盖第一凹槽105、第二凹槽106和第三凹槽107对应的暴露区域。例如，该面板可以为触控面板或者显示面板。例如，如果该面板为触控面板，则在该触控面板的触控区域或者显示区域会有氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓锌(IGZO)形成的透明导电薄膜层，该透明导电薄膜层需要光学消影，该无机绝缘层108可以形成在该透明导电薄膜层上起到光学消影的作用，此时在图3所示出的区域中没有该透明导电薄膜层。

[0049] 例如，如图3所示，该无机绝缘层的厚度为0.08μm-0.12μm，例如，该无机绝缘层的厚度可以为0.08μm，0.1μm或者0.12μm。该无机绝缘层的材料包括硅的氧化物、硅的氮化物和硅的氮氧化物，该无机绝缘层可以通过溅射的方式沉积。

[0050] 例如，如图2或图3所示，该第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽内和无机绝缘层上填充有油墨，由此可形成例如光亮的logo图案，可以让logo图案更美观。

[0051] 例如，常用的油墨的种类可以包括镜面银、Pantone8403C、Pantone8001C和PMS 877C。

[0052] 例如，常用的衬底基板包括苏打强化玻璃或者CT40的强化玻璃。

[0053] 例如，黑矩阵层的材料包括树脂、金属、金属氧化物或金属氮化物等。例如，黑矩阵的材料包括钼、铬、铝、钛和铜中的至少一种，或者钼、铬、铝、钛、铜对应的金属氧化物或金属氮化物中的至少一种，或者钼钽氧化物、钼钛氧化物、钼钽氮化物、钼钛氮化物中的至少一种，或者环氧树脂、丙烯酸树脂、硅氧烷聚合物类树脂以及聚酰亚胺树脂等。

[0054] 例如，黑矩阵层的厚度可以为0.5μm-3μm，例如，1μm、1.5μm或者2μm。

[0055] 将本实施例的面板中第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽内和无机绝缘层上填充的油墨层用百格刀测试法进行附着力测试，该测试过程为：将油墨层分割成面积大小、形状一致的小方格。分割之后，再使用具有一定粘附能力的胶带粘贴该油墨层，再将该胶带移除，最后确认被剥离掉的油墨层小方格的个数，将被剥离掉的小方格占小方格总数的百分比与标准值比对，即可获得该油墨层附着力的大小。

[0056] 例如，图4为面板的logo图案以外的边缘区域膜层的结构示意图。如图4所示，以触控面板为例加以说明，在衬底基板101上依次设置有黑矩阵102、第一导电层111、第一有机绝缘层103、第二导电层112、金属层113、无机绝缘层108和第二有机绝缘层104。例如，该第一导电层111和第二导电层112的材料可以为透明的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓锌(IGZO)。在第一导电层111和第二导电层112之间需要设置第一有机绝缘层103来确保在第一导电层111和第二导电层112之间能形成电容。不可避免的在触控面板上还需要设置一些金属走线，例如触控驱动线、触控感应线或栅线、数据线等，则需要在第二导电层112上设置金属层113，该金属层113的材料可以是钼、铜、铬、铝等，这些金属走线设置在面板的边缘区域。为了让中间可视区域的透明导电层消影，则可以在其上设置一层较薄的无机绝缘层108，但同时又为了确保第二导电层112与金属层113电连接，综合以上需求，则可在金属层113上设置无机绝缘层108。无机绝缘层通过溅射(例如磁控溅射)的方式沉积到金属层113和第二导电层112上，形成无机绝缘层的成本高，且无机绝缘层不易做厚，太薄的无机绝缘层起不到很好的绝缘保护作用，则还需要在该无机绝缘层上形成第二有机绝缘层104。

[0057] 图5为面板的logo图案以外中间区域膜层结构的示意图。如图5所示，以触控面板为例加以说明，在衬底基板101上依次设置有第一导电层111、第一有机绝缘层103、第二导电层112、无机绝缘层108和第二有机绝缘层104。无机绝缘层108设置在第二导电层112上，起到了让中间可视区域的透明导电薄膜(第二导电层)消影的作用。

[0058] 实施例二

[0059] 本发明至少一实施例还提供一种面板的制备方法，例如，图6为一种面板的制备方法的流程图。该制备方法包括：在衬底基板上形成黑矩阵层，对黑矩阵层进行刻蚀形成贯穿黑矩阵层的第一凹槽；在黑矩阵层上依次形成第一有机绝缘层和第二有机绝缘层；对第一有机绝缘层和第二有机绝缘层分别进行刻蚀形成与第一凹槽对应的第二凹槽和第三凹槽，且第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽相互贯通。

[0060] 例如，常用的油墨的种类可以包括镜面银、Pantone8403C、Pantone8001C或PMS 877C。

[0061] 例如，常用的衬底基板包括苏打强化玻璃或者CT40的强化玻璃。

[0062] 例如，在平行于衬底基板的平面上具有第一方向，在第一方向上第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽的尺寸依次增大。

[0063] 例如，第一有机绝缘层的形成有第二凹槽的边缘与位于同一侧的黑矩阵层的形成有第一凹槽的边缘在第一方向上具有第一间距d1。

[0064] 例如，第一间距d1的范围为800μm-1200μm，例如，第一间距d1为800μm、1000μm或者1200μm。

[0065] 例如，在平行于衬底基板的平面上还具有与第一方向垂直的第二方向，第一有机绝缘层的形成有第二凹槽的边缘与位于同一侧的第二有机绝缘层的形成有第三凹槽的边缘在第一方向和第二方向上均具有第二间距d2。

[0066] 例如，第二间距d2的范围为800μm-1200μm，例如，第二间距d2为800μm、1000μm或者1200μm。

[0067] 例如，在面板的制作过程中，还形成第一导电层、第二导电层、无机绝缘层、金属层，以下是针对面板上各膜层形成过程的描述：

[0068] 在玻璃基板上制作黑矩阵层的主要工序包括：在形成的黑矩阵薄膜上涂覆光刻胶，然后通过曝光，显影，剥离光刻胶等步骤形成所需要黑矩阵层的图案。

[0069] 在黑矩阵层上形成第一导电层的过程包括：通过磁控溅射的方式形成氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓锌(IGZO)薄膜，然后在透明导电薄膜上涂光刻胶，经过曝光，显影，刻蚀等步骤形成所需要的透明导电层。

[0070] 在第一导电层上形成第一有机绝缘层的主要步骤包括：形成第一有机绝缘层薄膜，在第一有机绝缘层薄膜上涂覆光刻胶，然后通过曝光，显影，剥离光刻胶等步骤形成所需要的第一有机绝缘层的图案。

[0071] 在第一有机绝缘层上形成第二导电层的过程包括：通过磁控溅射的方式形成氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓锌(IGZO)薄膜，然后在该透明导电薄膜上涂光刻胶，经过曝光，显影，刻蚀等步骤形成所需要的透明导电图案层，同时形成相应的压力感应的通道。

[0072] 在第二导电层上制作金属层的过程包括：通过磁控溅射的方式形成金属薄膜，然后在金属薄膜上涂覆光刻胶，然后通过曝光，显影，刻蚀等步骤形成所需要的金属层。例如，所用的金属材料包括铜、铝、铬等导电金属。

[0073] 在金属层上形成无机绝缘层的过程包括：通过磁控溅射的方式形成无机绝缘层薄膜，然后在无机绝缘层薄膜上涂覆光刻胶，然后通过曝光，显影等步骤形成所需要的无机绝缘层图案。例如，形成该无机绝缘层的材料包括硅的氧化物、硅的氮化物和硅的氮氧化物。

[0074] 在金属层上形成第二有机绝缘层的步骤包括：形成第二有机绝缘层薄膜，在第二有机绝缘层薄膜上涂覆光刻胶，然后通过曝光，显影，剥离光刻胶等步骤形成所需要的第二有机绝缘层的图案。

[0075] 例如，第一有机绝缘层和第二有机绝缘层的材料可以包括苯并环丁烯(BCB)。

[0076] 本发明的实施例提供的一种面板及其制备方法具有以下有益效果：通过对面板的各膜层的尺寸、厚度、与相邻膜层之间的间距进行精确的设计，然后将油墨印刷至待形成logo图案的区域，将油墨烘烤至固态，最后对油墨进行附着能力测试，发现采用本发明实施例中的面板进行logo图案设计时，油墨在面板的各膜层上具有很好的附着能力。

[0077] 有以下几点需要说明：

[0078] (1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

[0079] (2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

[0080] (3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

[0081] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。