医学成像设备的晶体条位置校正方法

摘要

本发明提供了一种医学成像设备的晶体条位置校正方法，包括：分别获得相对设置的两个探测块中每对正对晶体条所接收的采样数据；根据每对正对晶体条所接收的采样数据，得到每对正对晶体条的实际符合孔径响应曲线及其峰值位置；根据晶体条位置得到每对正对晶体条的解析符合孔径响应曲线及其峰值位置；分别获得每对正对晶体条的实际符合孔径响应曲线与理论符合孔径响应曲线的峰值位置的误差，并根据该误差更新每对正对晶体条的位置。本发明解决了探测器模块因受机架阻隔且两两之间紧密接合，难以利用直接方法测量其实际空间位置及安装误差的问题，有效提高了系统矩阵精确度。

权利要求

1.一种医学成像设备的晶体条位置校正方法，所述医学成像设备包括多个探测块，每个所述探测块由多个晶体条组成，其特征在于，所述方法包括：S1.分别获得相对设置的两个所述探测块中每对正对晶体条所接收的采样数据；

S2.根据每对所述正对晶体条所接收的采样数据，得到每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线，并计算每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置；

S3.根据晶体条位置得到每对所述正对晶体条的解析符合孔径响应曲线，并计算每对所述正对晶体条的解析符合孔径响应曲线的峰值位置；

S4.分别获得每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差；

S5.根据每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差更新每对所述正对晶体条的位置；获取所述探测块中正对的相应晶体条之间的缝隙宽度；根据每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差校正所述探测块中正对的相应各晶体条之间的缝隙宽度；根据校正后的探测块中正对的相应各晶体条之间的缝隙宽度，得到更新后的晶体条位置；

S6.重复S3至S5直到满足迭代终止条件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S5包括：

根据相对设置的两个所述探测块中每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差，得到误差曲线；

对所述误差曲线进行直线拟合，得到拟合直线，所述拟合直线的斜率为相对设置的两个所述探测块中每对所述正对晶体条位置的校正值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S2和S3中，通过高斯拟合得到每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置和解析符合孔径响应曲线的峰值位置。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1包括：

将点源放入多个所述探测块围绕的成像空间中；

分别获得每对正对晶体条所接收的来自点源位于多个采样点的符合数据。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多个采样点沿同一条直线间隔分布，所述直线垂直于所述正对晶体对的探测表面的中心连线。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S6包括：判断每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差是否小于阈值，若是，结束校正，若否，继续执行S5和S6。

说明书

医学成像设备的晶体条位置校正方法

技术领域

[0001] 本申请涉及医学成像技术领域，特别是涉及一种医学成像设备的晶体条位置校正方法。

背景技术

[0002] 近年来利用医学成像设备辅助医生对患者进行诊断，已经成为现代医学诊断的发展趋势。常用的医学成像设备包括正电子发射断层成像(Positron Emission Tomography,PET)设备、计算机断层成像(Computed tomography,CT)设备、单光子发射断层成像(Single positron emission computed tomography,SPECT)设备、磁共振成像(Magnetic resonance，MR)设备、PET-CT、PET-MR等。以PET、CT等辐射探测器为例，系统的核心结构是探头，探头由密集的探测器按一定方式排列而成，其次是与符合运算相关的电子学线路及数据处理装置。探测器是决定系统好坏的关键，一般由晶体条、光电倍增管和高压电源组成。探测器一般基于模块化组装及安装，在小阵列单位组装过程中，单个探测器位置的安装误差较容易以直接的物理方式控制及测量；整体机架的形变及位置误差也可以用直接的物理方法测定，而在大阵列单位安装至机架过程中和整机安装完毕之后，探测器模块受机架阻隔且两两之间紧密接合，难以利用直接方法测量其实际空间位置及安装误差。

发明内容

[0003] 本发明要解决的问题是在大阵列单位安装至机架过程中和整机安装完毕之后，探测器模块受机架阻隔且两两之间紧密接合，难以利用直接方法测量其实际空间位置及安装误差的问题。

[0004] 为解决上述问题，本发明提供了一种医学成像设备的晶体条位置校正方法，所述医学成像设备包括多个探测块，每个所述探测块由多个晶体条组成，所述方法包括：

[0005] S1.分别获得相对设置的两个所述探测块中每对正对晶体条所接收的采样数据；

[0006] S2.根据每对所述正对晶体条所接收的采样数据，得到每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线，并计算每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置；

[0007] S3.根据晶体条位置得到每对所述正对晶体条的解析符合孔径响应曲线，并计算每对所述正对晶体条的解析符合孔径响应曲线的峰值位置；

[0008] S4.分别获得每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与理论符合孔径响应曲线的峰值位置的误差；

[0009] S5.根据每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差更新每对所述正对晶体条的位置；

[0010] S6.重复S3至S5直至满足迭代终止条件。

[0011] 本发明的一种实施方式中，所述S5还包括：

[0012] 获取所述探测块中各晶体条的缝隙宽度；

[0013] 根据每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差校正所述探测块中各晶体条之间的缝隙宽度；

[0014] 根据校正后的各晶体条的缝隙宽度，得到更新后的晶体条位置。

[0015] 本发明的一种实施方式中，所述S5包括：

[0016] 根据相对设置的两个所述探测块中每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差，得到误差曲线；

[0017] 对所述误差曲线进行直线拟合，得到拟合直线，所述拟合直线的斜率为相对设置的两个所述探测块中每对所述正对晶体条位置的校正值。

[0018] 本发明的一种实施方式中，所述医学成像设备的晶体条位置校正方法还包括：

[0019] 所述S4中，根据相对设置的两个所述探测块中每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差，得到误差曲线；对所述误差曲线中的跳变点进行校正；

[0020] 所述S5中，根据校正后的每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差更新晶体条位置。

[0021] 本发明的一种实施方式中，对所述误差曲线中的跳变点进行校正包括：

[0022] 对所述误差曲线中，除跳变点外的误差进行线性拟合，得到拟合直线；

[0023] 获取所述拟合直线的均值；

[0024] 使每个所述跳变点的误差与所述拟合直线的均值相减，得到校正后的每个所述跳变点的误差。

[0025] 本发明的一种实施方式中，对所述误差曲线中的跳变点进行校正包括：

[0026] 对所述误差曲线中的所有误差求均值；

[0027] 使每个所述跳变点的误差与所述拟合直线的均值相减，得到校正后的每个所述跳变点的误差。

[0028] 本发明的一种实施方式中，所述S2和S3中，通过高斯拟合得到每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置和解析符合孔径响应曲线的峰值位置。

[0029] 本发明的一种实施方式中，所述S1包括：

[0030] 将点源放入多个所述探测块围绕的成像空间中；

[0031] 分别获得每对正对晶体条所接收的来自点源位于多个采样点的符合数据。

[0032] 本发明的一种实施方式中，所述多个采样点沿同一条直线间隔分布，所述直线垂直于所述正对晶体对的探测表面的中心连线。

[0033] 本发明的一种实施方式中，所述S6包括：判断每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差是否小于阈值，若是，结束校正，若否，继续执行S5和S6。

[0034] 本发明采用迭代法校正解析生成的符合孔径响应函数与探测器实际工装位置的误差，解决了探测器模块因受机架阻隔且两两之间紧密接合，难以利用直接方法测量其实际空间位置及安装误差的问题，有效提高了系统矩阵精确度。

附图说明

[0035] 图1是本发明一实施例中医学成像设备的结构示意图；

[0036] 图2是配置在图1的机架上的探测器环的示意性的横断面图；

[0037] 图3是本发明一实施例中晶体条位置校正方法的流程图；

[0038] 图4是本发明一实施例中位于探测器环环向上的一列正对晶体条对的采样测量示意图；

[0039] 图5是本发明一实施例中位于探测器环轴向的正对晶体条对的采样测量示意图；

[0040] 图6是本发明一实施例中一个正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线对应的高斯拟合曲线的示意图；

[0041] 图7是本发明一实施例中由多个正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线的峰值位置和解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差得到的误差曲线；

[0042] 图8是本发明一实施例中相对的晶体条之间的缝隙相同的两个探测块的结构示意图；

[0043] 图9是本发明一实施例中对误差曲线进行直线拟合的示意图；

[0044] 图10是本发明一实施例中迭代误差校正后的误差曲线的示意图；

[0045] 图11是本发明一实施例中对跳变点进行校正后得到的误差曲线的示意图；

[0046] 图12是本发明一实施例中相对的晶体条之间的缝隙不同的两个探测块的结构示意图。

具体实施方式

[0047] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

[0048] 图1为本发明一实施例中医学设备的结构示意图。在本实施例中，以PET设备为例，进行说明。如图1所示，PET设备1以控制部10为中枢，具有机架20、信号处理部30、同时计数部40、存储部50、重建部60、显示部70以及操作部80。

[0049] 图2为配置在机架20上的探测器环100的示意性横断面图。如图2所示，机架20具有沿圆周的中心轴Z排列的多个探测器环100。探测器环100具有排列在中心轴Z周围的圆周上的多个探测块200。探测器环100的开口部上形成有扫描视野(Field Of View,FOV)。将载有被检体P的床板500插入探测器环100的开口部，以使得被检体P的摄像部位进入FOV。被检体P以使体轴与中心轴Z一致的方式被载置在床板500上。在被检体P内，为了PET摄影而注入利用放射性同位素标识的药剂。探测块200检测从被检体P内部放出的成对湮没γ射线，生成与检测出的成对湮没γ射线的光量相应的脉冲状电信号。

[0050] 具体情况可以是，探测块200具有多个晶体条300与多个光传感器400。晶体条300接收来自被检体P内的放射性同位素的成对湮没γ射线，产生闪烁光。各晶体条被配置为各晶体条的长轴方向与探测器环100的径向大致一致。光传感器400被设置在与正交于中心轴Z的径向有关的、晶体条300的一端部上。典型情况是，探测器环100中所包含的多个晶体条300与多个光传感器400被排列成同心圆筒状。在晶体条300中所产生的闪烁光在晶体条300内传播，并朝向光传感器400。光传感器400产生与闪烁光的光量相应的脉冲状电信号。所产生的电信号，如图1所示，被供给信号处理部30。

[0051] 信号处理部30根据来自光传感器400的电信号生成单事件数据(Single Event Data)。具体情况可以是，信号处理部30实施检测时刻测量处理、位置计算处理以及能量计算处理。在检测时刻测量处理中，信号处理部30测量探测块200的γ射线的检测时刻。具体情况可以是，信号处理部30监视来自光电倍增管400的电信号的峰值。然后，信号处理部30测量电信号的峰值超过预先设定的阈值的时刻作为检测时刻。即，信号处理部30通过检出电信号的强度超过阈值这一情况，从而电检测湮没γ射线。在位置计算处理中，信号处理部30根据来自光传感器400的电信号，计算湮没γ射线的入射位置。湮没γ射线的入射位置与湮没γ射线入射到的闪烁元件300的位置坐标对应。在能量计算处理中，信号处理部30根据来自光传感器400的电信号，计算入射至晶体条300的湮没γ射线的能量值。所生成的单事件数据被供给至同时计数部40。

[0052] 同时，同时计数部40可以对与多个单事件有关的单事件数据实施同时计数处理。具体情况可以是，同时计数部40从重复供给的单事件数据中重复确定容纳在与预先设定的时间范围内的2个单事件有关的事件数据。时间范围被设定为例如6ns～18ns左右。该成对的单事件被推测为由来于从同一成对湮没点产生的成对湮没γ射线。成对的单事件概括地被称为符合事件。连结检测出该成对湮没γ射线的成对的探测器200(更详细说是晶体条
300)的线被称为响应线(Line Of Response,LOR)。这样，同时计数部40针对每一LOR计数符合事件。与构成LOR的成对的事件有关的事件数据(以下，称为符合事件数据)被存储至存储部50。

[0053] 重建部60根据与多个符合事件有关的符合事件数据，重建表现被检体内的放射性同位素的浓度的空间分布的图像数据。

[0054] 本发明通过测量正对晶体条对正中间一列点源来校正解析生成的符合孔径响应曲线(Coincidence Aperture Function，CAF)与实际探测器位置的误差。在本发明一实施例中，对晶体条在PET探测器环的切向和/或轴向的位置误差进行校正。

[0055] 图3是本发明一实施例中晶体条位置校正方法的流程图。如图3所示，步骤S1，分别获得相对设置的两个探测块中每对正对晶体条所接收的采样数据。使用医学成像设备对相对设置的两个探测块中的一列正对晶体条对进行一系列点源的采样测量。在本发明一实施例中，可以根据系统本征分辨率确定采样密度。在本发明另一实施例中，可以根据对解析生成的正对晶体条对的符合孔径响应曲线进行高斯拟合，根据高斯拟合曲线的高宽确定采样密度。例如，测量其十分之一高宽(FWTM)为W，为保证半边高斯至少有10个采样点，即整个高斯曲线至少20个采样点，于是可以估算采样点的宽度大致为：W/20。

[0056] 在本发明一实施例中，对位于探测器环环向上的一列正对晶体条对进行采样测量。如图4所示，探测块201和探测块202是位于PET探测器环内的两个相对设置的探测块。探测块201和探测块202中包括一列正对晶体条。将点源M放入探测块201和探测块202之间的成像空间中，分别获得每对正对晶体条所接收的来自点源位于多个采样点的符合数据。在本发明一实施例中，点源的多个采样点可以位于同一条直线上，且该直线与探测块201或探测块202的探测面平行。该多个采样点可以沿直线等间隔排列，也可以非等间隔排列。

[0057] 在本发明一实施例中，对位于探测器环轴向上的一列正对晶体条对进行采样测量。如图5所示，晶体条301和晶体条302是位于PET探测器环轴向的两个相对设置的晶体条。将点源M放入晶体条301和晶体条302之间的成像空间中，分别获得该正对晶体条对所接收的来自点源位于多个采样点的符合数据。在本发明一实施例中，点源的多个采样点可以位于同一条直线上，且该直线与晶体条301和晶体条302的探测面平行。该多个采样点可以沿直线等间隔排列，也可以非等间隔排列。

[0058] 步骤S2和S3，根据每对正对晶体条所接收的采样数据，得到每对正对晶体条的实际符合孔径响应曲线，并计算每对正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置；根据晶体条位置得到每对所述正对晶体条的解析符合孔径响应曲线，并计算每对所述正对晶体条的解析符合孔径响应曲线的峰值位置。根据测量的多个采样点的数据生成PET系统中每对正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线。本发明一实施例中，可以对获取的每个正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线进行高斯拟合，获取其高斯拟合曲线的峰值位置，将该峰值位置作为实际符合孔径响应曲线的峰值位置，实际符合孔径响应曲线的峰值位置为该实际符合孔径响应曲线的系统响应位置。同理，对获取的每个正对晶体条对的解析符合孔径响应曲线进行高斯拟合，获取解析符合孔径响应曲线的峰值位置。如图6所示，图中横坐标为系统空间位置，纵坐标为计数率，对获取的一正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线进行高斯拟合，获取拟合曲线的峰值位置，即图中虚线对应的位置，将该峰值位置作为实际符合孔径响应曲线的峰值位置。在本发明一实施例中，若探测器环内一共有N个正对晶体条对，则可以找到N个这样的实际符合响应曲线的峰值位置和N个解析符合响应曲线的峰值位置。

[0059] 步骤S4，分别获得每对正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与理论符合孔径响应曲线的峰值位置的误差。探测器安装通常存在一定的位置误差，对同一个正对晶体条对来说，步骤S2中得到的实际符合响应曲线的峰值位置与步骤S3中得到的解析符合响应曲线的峰值位置具有误差。每个正对晶体条对对应一个实际符合孔径响应曲线的峰值位置与理论符合孔径响应曲线的峰值位置的误差。每个探测块对内包含多个正对晶体条对，根据获取的一个或多个探测块对内的正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与理论符合孔径响应曲线的峰值位置的误差可以得到一误差曲线。如图7所示，图中横坐标表示正对晶体条对的编号，共有74个正对晶体条对，纵坐标表示每个正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线与理论符合孔径响应曲线的峰值位置的误差，图中误差曲线呈现V字形。

[0060] 步骤S5和S6,根据每对所述正对晶体条的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差更新每对所述正对晶体条的位置；重复S3至S5直到满足迭代终止条件。在本发明一实施例中，以探测块(block)为单位，对探测块的误差逐一进行迭代校正，获取误差校正后对应的晶体条位置。可以采用斜率校正和/或均值校正方法，对探测块的误差逐一进行迭代校正。

[0061] 在本发明一实施例中，可以对所有探测块逐一进行斜率校正过程。首先，获取每个正对晶体条对的解析符合孔径响应曲线，根据解析符合孔径响应曲线使用的初始参数，对各晶体条之间的缝隙进行初始化。如图8所示，以两对相对设置的探测块block a和block b为例，对探测块内的缝隙gap(1)………gap(14)分配初始值，此时设定相对的晶体条之间的缝隙是相同的。然后，获取由正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差得到的误差曲线。在所述误差曲线中，以探测块为单位进行直线拟合。如图9所示，图中横坐标为正对晶体条对编号，共有74个正对晶体条对，纵坐标为每个正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的差值。对block a和block b对应的误差曲线进行直线拟合，获取图中虚线所示的两条拟合直线。设block a的拟合直线为L1＝k1*x+b1；block b的拟合曲线为L2＝k2*x+b2。选取k1和k2作为block a和block b中的校正因子，将其加在相应的晶体条缝隙上，作为校正，即校正之后的晶体条缝隙：

[0062] {gap(2)(1)＝gap(1)(1)+k1,gap(2)(2)＝gap(1)(2)+k1,………….gap(2)(7)＝gap(1)(7)+k1}

[0063] {gap(2)(7)＝gap(1)(7)+k2,gap(2)(8)＝gap(1)(8)+k2,………….gap(2)(14)＝gap(1)(14)+k2}

[0064] 根据校正后的各缝隙值可以重新确定各晶体条的位置，并利用这些新的位置重新获得解析符合孔径响应曲线的峰值位置，继而重新获得新的与真实符合孔径响应曲线的误差曲线。图10所示为经过此次校正后的误差曲线，可以看出V字形的非一致偏差基本已经校正。

[0065] 在本发明另一实施例中，可以对所有探测块逐一进行均值校正过程。进行均值校正过程与上述斜率校正过程类似，只是将校正因子替换为各探测块中所有正对晶体条对的实际符合孔径响应曲线的峰值位置与解析符合孔径响应曲线的峰值位置的误差的均值。在本发明一实施例中，设置迭代的终止条件为求两次误差曲线的均方差，如果迭代前后两次曲线的均方差相差小于某个阈值L，如L＝0.001，认为迭代已经收敛，可以停止迭代过程。在本发明另一实施例中，可以预设迭代次数，例如迭代10次，20次等，达到预设迭代次数后，终止迭代过程，输出更新后的晶体条位置。在本发明的其他实施例中，还可以根据用户需求，设置迭代的终止条件，并不局限于上述实施例中的迭代终止条件。

[0066] 由于电子学耦合等各种因素的影响，得到的上述误差曲线中，会出现一些跳变的特殊点。如图10所示的经迭代校正之后得到的误差曲线，图中每个探测块两端都会出现跳变点，在本发明一实施例中，可以对误差曲线中的跳变点进行处理。在本发明一实施例中，对除去跳变点的剩余点进行线性拟合，得到方程：L＝k*x+b，则b近似为整个直线的均值，用跳变点的误差值直接减去b，加在相应的晶体条对之间的缝隙处，即可进行校正。在本发明另一实施例中，获取各探测块的均值m，用跳变点的误差值直接减去m，加在相应的晶体条对之间的的缝隙处，即可进行校正。图11为对跳变进行校正后得到的误差曲线。经过上述一系列校正之后，从图11可以看出误差曲线接近平直，此时得到最终的各晶体条之间的缝隙，继而得到最终校正后的各晶体条的位置，将其代入解析符合孔径响应函数的生成算法，生成校正后的解析符合孔径响应函数。

[0067] 在本发明另一实施例中，正对的晶体条的缝隙不一样，请参考图12，例如，gap(1)与gap(28)的缝隙宽度不相等，此时分别将获得的校正因子加在相应的缝隙即可。图12中，上方晶体条的缝隙为gap(1)……gap(14)，而另一侧晶体条之间的缝隙为gap(15)……gap(28)。设block a的拟合曲线分别为L1＝k1*x+b1；block b的拟合曲线为L2＝k2*x+b2；选取k1和k2作为block a和block b中的校正因子，将其加在相应的缝隙上，作为校正，即校正之后的gap为：

[0068] {gap(2)(1)＝gap(1)(1)+k1,gap(2)(2)＝gap(1)(2)+k1,………….gap(2)(7)＝gap(1)(7)+k1}；

[0069] {gap(2)(7)＝gap(1)(7)+k2,gap(2)(8)＝gap(1)(8)+k2,………….gap(2)(14)＝gap(1)(14)+k2}；

[0070] {gap(2)(15)＝gap(1)(15)+k2,gap(2)(16)＝gap(1)(16)+k2,………….gap(2)(21)＝gap(1)(21)+k2}；

[0071] {gap(2)(22)＝gap(1)(22)+k1,gap(2)(23)＝gap(1)(23)+k1,………….gap(2)(28)＝gap(1)(28)+k1}。

[0072] 在本申请中，医学成像设备包括但不限于，正电子发射断层成像(Positron Emission Tomography,PET)系统，但不局限于PET系统，还包括单光子发射计算机断层扫描成像(Single Positron Emission Computed Tomography,SPECT)系统等核医学成像系统，以及多模态成像系统，例如正电子发射断层成像-磁共振成像系统(Positron Emission Tomography–Magnetic Resonance Imaging,PET-MRI)，正电子发射断层成像-计算机断层成像系统(Positron Emission Tomography–Computed Tomography,PET-CT)，单光子发射计算机断层扫描成像–计算机断层扫描成像系统(Computed Tomography,CT)等。

[0073] 需要说明的是，通过以上的实施例的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到本申请的部分或全部可借助软件并结合必需的通用硬件平台来实现。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可包括其上存储有机器可执行指令的一个或多个机器可读介质，这些指令在由诸如计算机、计算机网络或其他电子设备等一个或多个机器执行时可使得该一个或多个机器根据本发明的实施例来执行操作。机器可读介质可包括，但不限于，软盘、光盘、CD-ROM(紧致盘-只读存储器)、磁光盘、ROM(只读存储器)、RAM(随机存取存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)、磁卡或光卡、闪存、或适于存储机器可执行指令的其他类型的介质/机器可读介质。

[0074] 本申请可用于众多通用或专用的计算系统环境或配置中。例如：个人计算机、服务器计算机、手持设备或便携式设备、平板型设备、多处理器系统、基于微处理器的系统、置顶盒、可编程的消费电子设备、网络PC、小型计算机、大型计算机、包括以上任何系统或设备的分布式计算环境等。

[0075] 本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。

[0076] 需要说明的是，本领域技术人员可以理解，上述部分组件可以是诸如：可编程阵列逻辑(Programmable Array Logic，PAL)、通用阵列逻辑(Generic Array Logic,GAL)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)、复杂可编程逻辑器件(Complex Programmable Logic Device)，CPLD)等可编程逻辑器件中的一种或多种，但是本发明对此不做具体限制。

[0077] 虽然本发明已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，在没有脱离本发明精神的情况下还可作出各种等效的变化或替换，因此，只要在本发明的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。