QLED器件发光层的制备方法

摘要

本发明提供了一种QLED器件发光层的制备方法，包括：步骤A，用油溶性量子点溶液在正交溶剂的液面上形成薄膜；步骤B，将所述薄膜转移到所述基板的表面上；步骤C，将转移后的薄膜进行高温处理，从而得到所述QLED器件发光层。本发明提供的制备方法具有工艺简单，可以实现大面积显示的优点。

权利要求

1.一种QLED器件发光层的制备方法，包括：

步骤A，用油溶性量子点溶液在正交溶剂的液面上形成薄膜；

步骤B，将所述薄膜转移到基板的表面上；

步骤C，将转移后的薄膜进行高温处理，从而得到所述QLED器件发光层，其中通过在步骤A之前将基板浸渍于所述正交溶剂中，以及在步骤A之后将所述正交溶剂的液面降低至所述基板的表面以下，从而将所述薄膜转移到所述基板的表面上，或者通过在步骤A之前将基板浸渍于所述正交溶剂中，以及在步骤A之后将基板提高至所述正交溶剂的液面之上，从而将所述薄膜转移到所述基板的表面上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述油溶性量子点溶液通过将量子点材料溶解于油溶性有机溶剂制备而成。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述量子点材料由发光壳、壳层结构和有机配体构成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述油溶性有机溶剂为甲苯、氯苯或氯仿。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述正交溶剂选自水、乙醇和甲醇中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温处理的温度为50-200℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述油溶性溶剂的密度小于所述正交溶剂的密度。

说明书

QLED器件发光层的制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种QLED器件发光层的制备方法。

背景技术

[0002] 量子点(Quantum Dot,QD)也就是纳米晶体，是一种准零维的纳米材料。量子点三个维度的尺寸都在1-100nm之间，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子限域效应特别显著，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构。不同尺寸的量子点、电子和空穴被量子限域的程度不一样，分子特性的分立能级结构也因量子点的尺寸不同而不同。因此，在受到外来能量激发后，不同尺寸的量子点将发出不同波长的荧光，也就是各种颜色的光。另外，由于量子点受激发射的波长只与量子点的能级结构有关，因此，发射的波长半高宽很窄，发光纯度很高。

[0003] 量子点发光二极管(QLED)采用量子点作为发光材料，具有色域广、色纯度高、低功耗、低成本、稳定性好，被誉为继OLED之后新一代照明显示技术。

[0004] 目前制备QLED器件的量子点发光层都是采用溶液法成膜。溶液法成膜主要包括两种：一种是采用旋涂法，第二种是喷墨打印。虽然旋涂法制备工艺简单，但是无法实现大面积均匀成膜。喷墨打印虽然可以实现全彩显示，但是受量子点墨水的制约，该方法一直发展缓慢。

发明内容

[0005] 针对现有技术存在的上述问题，本发明提供一种制备QLED器件发光层的方法。该方法具有工艺简单，可以实现大面积显示的优点。

[0006] 本发明提供的QLED器件发光层的制备方法包括：

[0007] 步骤A，用油溶性量子点溶液在正交溶剂的液面上形成薄膜；

[0008] 步骤B，将所述薄膜转移到所述基板的表面上；

[0009] 步骤C，将转移后的薄膜进行高温处理，从而得到所述QLED器件发光层。

[0010] 在一个实施方式中，通过将基板插入到正交溶剂中，然后沿顺时针方向或逆时针方向从所述正交溶剂中提起，从而将所述薄膜转移到所述基板的表面上。

[0011] 在另一个实施方式中，通过在步骤A之前将基板浸渍于所述正交溶剂中，优选使所述基板与所述正交溶剂的液面保持平行，以及在步骤A之后将所述正交溶剂的液面降低(例如通过出液口)至所述基板的表面以下，从而将所述薄膜转移到所述基板的表面上。

[0012] 在又一个实施方式中，通过在步骤A之前将基板浸渍于所述正交溶剂中，优选使所述基板与所述正交溶剂的液面保持平行，以及在步骤A之后将基板提高(例如通过升降装置)至所述正交溶剂的液面之上，从而将所述薄膜转移到所述基板的表面上。

[0013] 根据本发明的制备方法，所述油溶性量子点溶液由量子点材料溶于油溶性有机溶剂制备而成。例如，将量子点材料加入到盛有油溶性有机溶剂的瓶子中，把瓶子放在加热台上搅拌，形成均匀溶液，即为所述油溶性量子点溶液。

[0014] 根据一个实施方式，所述量子点材料由发光壳、壳层结构和有机配体构成。

[0015] 根据一个实施方式，所述正交溶剂的密度大于所述油溶性有机溶剂的密度。根据一个实施方式，所述正交溶剂与所述油溶性有机溶剂的极性不同，并且二者在同一容器中能够上下分层。

[0016] 优选地，所述油溶性有机溶剂为甲苯、氯苯或氯仿。

[0017] 优选地，所述正交溶剂选自水、乙醇或甲醇中的至少一种。

[0018] 本发明可通过量子点溶液的浓度和滴入量来控制薄膜的厚度。

[0019] 根据一个实施方式，所述高温处理的温度为50-200℃，优选80-150℃。通过高温处理可以使得膜成黏附性更加牢固。

[0020] 通过本发明的制备方法，不仅可以实现溶液法在基板上制备大面积量子点发光层薄膜，而且成膜均匀，膜厚可调，制备工艺简单。

附图说明

[0021] 图1是根据本发明实施例1的示意图。

[0022] 图2是根据本发明实施例2的示意图。

[0023] 图3是根据本发明实施例3的示意图。

具体实施方式

[0024] 以下结合附图和实施例对本发明进行详细说明，但本发明并不受下述实施例的限制。

[0025] 实施例1

[0026] 如图1所示，将基板放置在容器侧壁，容器中盛入适量的氯仿。将量子点溶液(以甲醇为溶剂)滴入到该容器中，在氯仿液面上形成均匀薄膜。然后，倾斜提拉玻璃基板。基板形成薄膜。在100℃左右下进行高温烘烤，固化薄膜，以增强薄膜的粘附性。得到QLED器件发光层。

[0027] 实施例2

[0028] 如图2所示，把基板浸入到容器底部，其中所述容器底部设置有出液口，容器中盛有适量的氯仿。将量子点溶液(以乙醇为溶剂)滴入到该容器中，在甲苯液面上形成均匀薄膜。然后，将容器中的溶液缓慢释放，随着液面下移，最终在基板表面形成薄膜。在110℃左右下进行高温烘烤，固化薄膜，以增强薄膜的粘附性。得到QLED器件发光层。

[0029] 实施例3

[0030] 如图3所示，把基板浸入到容器中，其中所述容器设置有可上下移动的升降平台。所述基板平置在可上下移动的升降平台上。容器中盛有适量的氯仿。将量子点溶液(以乙醇为溶剂)滴入到该容器中，在甲苯液面上形成均匀薄膜。通过将升降台缓慢升起，直至基板露出液面，从而在基板表面形成均匀薄膜。在110℃左右下进行高温烘烤，固化薄膜，以增强薄膜的粘附性。得到QLED器件发光层。

[0031] 虽然在上文中已经参考了一些实施例对本发明进行了描述，然而在不脱离本发范围的情况下，可以对其进行各种改进，并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，本发明所披露的各个实施例中的各项特征均可通过任意方式相互结合起来使用，在本说明书中未对这些组合的情况进行穷举性的描述仅仅是出于省略篇幅和节约资源的考虑。因此，本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是落入权利要求的范围的所有技术方案。