附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法

摘要

本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。具体提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层，且将附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度设为D1，通过在压力20kgf/cm2、220℃下2小时的条件下将附载体铜箔从极薄铜层侧加热压制在双马来酰亚胺三嗪树脂基板而贴合后，将载体剥离，将树脂基板上残存的层的最大厚度设为D2，此时，D2－D1为0.30～3.83μm。

权利要求

1.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且

将所述附载体铜箔的不含所述载体及中间层的部分由重量法测得的厚度设为D1，通过在压力20kgf/cm2、220℃下2小时的条件下将所述附载体铜箔从极薄铜层侧加热压制在双马来酰亚胺三嗪树脂基板而贴合后，剥离所述载体，取长度100μm为样品時，将于残存在所述树脂基板上的层，在与板厚方向平行且与载体的宽度方向平行的剖面中从水平面观察时的最高点的高度与最低点的高度的差的最大值，也就是最大厚度设为D2，此时，D2－D1为0.30～3.83μm。

2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，所述D2－D1为3.50μm以下。

3.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，所述D2－D1为2.80μm以下。

4.根据权利要求3所述的附载体铜箔，其中，所述D2－D1为2.58μm以下。

5.根据权利要求4所述的附载体铜箔，其中，所述D2－D1为1.20μm以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，当权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔从载体观察时在载体的一面侧依序具有中间层及极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层，或者，当权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔从载体观察时在载体的两面侧依序具有中间层及极薄铜层的情况下，在该极薄铜层侧的一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

7.根据权利要求6所述的附载体铜箔，其中，所述粗化处理层是由下述的材料组成的层，所述材料为选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上所述单质的合金。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在所述极薄铜层上具备树脂层。

9.根据权利要求6所述的附载体铜箔，其中，在所述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。

10.一种积层体，是使用权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔而制造。

11.一种积层体，其含有权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔与树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

12.一种积层体，是将一个权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧，积层在另一个权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

13.一种印刷配线板的制造方法，其使用权利要求10至12中任一项所述的积层体。

14.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：

在权利要求10至12中任一项所述的积层体的任一面或两面进行至少1次设置树脂层与电路这2层的步骤；及在进行至少1次形成所述树脂层及电路这2层之后，将所述极薄铜层或所述载体从构成所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。

15.一种印刷配线板的制造方法，其使用权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔。

16.一种电子机器的制造方法，其使用利用权利要求15所述的方法而制造的印刷配线板。

17.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：

准备权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成电路的步骤。

18.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：

在权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；

以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；

将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及

在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此，使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的掩埋在所述树脂层的电路露出的步骤。

19.一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：

将权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层的步骤；

在所述附载体铜箔的与树脂基板积层的侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面进行至少1次设置树脂层与电路这2层的步骤；及在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。

说明书

附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制

造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。

背景技术

[0002] 印刷配线板通常是经过如下步骤制造，该步骤是在将绝缘基板接着于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻而在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，而对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频应对等。

[0003] 应对于微间距化，目前业界要求厚度9μm以下、进一步厚度为5μm以下的铜箔，但此种极薄铜箔由于机械强度低，而制造印刷配线板时容易发生破损或产生皱褶，所以利用具有厚度的金属箔作为载体，并于其上隔着剥离层电沉积极薄铜层而成的附载体铜箔问世。在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板并热压接后，载体经由剥离层而被剥离去除。在露出的极薄铜层上利用抗蚀剂形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除，通过所述方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process(改良型半加成法))形成微细电路。

[0004] 此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面，主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充足、并且该剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学药品处理等后也充足地保持。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法，通常具代表性的是使大量粗化粒子附着在增大了表面分布(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上的方法。

[0005] 然而，在印刷配线板中，如果尤其在必须形成微细电路图案的半导体封装基板中使用此种分布(凹凸、粗糙度)大的极薄铜层，则电路蚀刻时会残留不需要的铜粒子，产生电路图案间绝缘不良等问题。

[0006] 因此，在WO2004/005588号(专利文献1)中，作为以半导体封装基板为首的微细电路用途的附载体铜箔，业界尝试使用未对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体铜箔。未实施此种粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性(剥离强度)有因该低分布(凹凸、粗度、粗糙度)的影响而与一般的印刷配线板用铜箔相比密合性降低的倾向。因此，对附载体铜箔要求进一步的改善。

[0007] [现有技术文献]

[0008] [专利文献]

[0009] 专利文献1：W02004/005588号

发明内容

[0010] [发明欲解决的课题]

[0011] 在附载体铜箔的开发时，迄今为止重视确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度。因此关于能够良好用于适合印刷配线板的高密度安装化的微细电路形成用途的附载体铜箔尚未得到充足研究，仍残留改善的余地。

[0012] 因此，本发明的课题在于提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。

[0013] [解决课题的技术手段]

[0014] 关于适合微细电路形成用途的附载体铜箔，虽考虑到提高附载体铜箔的极薄铜层侧表面的平滑性或形成微细粗化粒子，但本发明者等人更深层地进行以下研究。即，为了进一步提高微细电路形成性，重要的是彻底研究电路形成时的快速蚀刻(フラッシュエッチング)的时间缩短，为此，发现有效的是使“进行电路形成的层厚范围”缩小。关于该“进行电路形成的层厚范围”，表示由载体及极薄铜层(主体)的起伏产生的主体最大厚度范围，或在极薄铜层形成有粗化粒子的情况下，表示该主体的起伏与形成在极薄铜层的粗化结核的径长相加后的最大厚度范围。

[0015] 为了使所述进行电路形成的层厚范围缩小，本发明者等人进行了诚恳地研究，结果发现：将附载体铜箔从极薄铜层侧贴合到树脂基板后将载体剥离，从树脂基板上残存的层的最大厚度，减去附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度，通过将相减所获得的值控制在规定范围，可以使进行电路形成层厚范围缩小，微细电路形成性变得良好。

[0016] 本发明是基于所述知识见解而完成，一形态是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，且将所述附载体铜箔的不含所述载体及中间层的部分由重量法测得的厚度设为D1，通过在压力20kgf/cm2、220℃下2小时的条件下将所述附载体铜箔从极薄铜层侧加热压制在双马来酰亚胺三嗪树脂基板而贴合后，将所述载体剥离，将所述树脂基板上残存的层的最大厚度设为D2，此时，D2－D1为0.30～3.83μm。

[0017] 本发明的附载体铜箔在一实施方式中，所述D2－D1为3.50μm以下。

[0018] 本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，所述D2－D1为2.80μm以下。另外，本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，所述D2－D1为2.58μm以下。

[0019] 本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述D2－D1为1.20μm以下。

[0020] 本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，当本发明的附载体铜箔从载体观察时在载体的一面侧依序具有中间层及极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层，或者，

[0021] 当本发明的附载体铜箔从载体观察时在载体的两面侧依序具有中间层及极薄铜层的情况下，在该极薄铜层侧的一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

[0022] 本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述粗化处理层是由下述的材料组成的层，所述材料为选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上所述单质的合金。

[0023] 本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。

[0024] 本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在选自由所述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。

[0025] 本发明在又一形态中是一种积层体，是使用本发明的附载体铜箔而制造。

[0026] 本发明在又一形态是一种积层体，其含有本发明的附载体铜箔与树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

[0027] 本发明在又一形态中是一种积层体，其是将本发明的一个附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧，积层在另一个本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

[0028] 本发明在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其使用本发明的积层体。

[0029] 本发明在又一形态是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：在本发明的积层体的任一面或两面进行至少1次设置树脂层与电路这2层的步骤；及在进行至少1次形成所述树脂层及电路这2层之后，将所述极薄铜层或所述载体从构成所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。

[0030] 本发明在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其使用本发明的附载体铜箔。

[0031] 本发明在又一形态中是一种电子机器的制造方法，其使用利用本发明的方法制造的印刷配线板。

[0032] 本发明在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0033] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及

[0034] 在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成电路的步骤。

[0035] 本发明在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；

[0036] 以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；

[0037] 将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及

[0038] 在将所述载体或所述极薄铜层剥离后去除所述极薄铜层或所述载体，由此，使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且掩埋在所述树脂层的电路露出的步骤。

[0039] 本发明在又一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层的步骤；

[0040] 在所述附载体铜箔的与树脂基板积层的侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面进行至少1次设置树脂层与电路这2层的步骤；及

[0041] 在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。

[0042] [发明的效果]

[0043] 根据本发明，能够提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。

附图说明

[0044] 图1A～C是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的到电路镀敷、抗蚀剂去除为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

[0045] 图2D～F是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从树脂及第2层附载体铜箔积层到激光打孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

[0046] 图3G～I是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从填孔形成到第1层的载体剥离为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

[0047] 图4J～K是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从快速蚀刻到凸块、铜柱形成为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

[0048] 图5是表示出实施例的裙状底部的电路的剖面示意图。

[0049] 图6是用以求出树脂基板上残存的层的最大厚度D2的SIM图像的例。

具体实施方式

[0050] ＜附载体铜箔＞

[0051] 本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层。附载体铜箔本身的使用方法可以使用公知的使用方法。例如将极薄铜层的表面贴合在纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板并进行热压接后，将载体剥离，将接着在绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案，最终可以制造印刷配线板。

[0052] 另外，附载体铜箔在载体的一面依序具备中间层及极薄铜层，在载体的与极薄铜层侧的面为相反侧的面也可以设置有下述粗化处理层。另外，附载体铜箔也可以在载体的两面依序具备中间层及极薄铜层。

[0053] ＜进行电路形成层的厚度最大值＞

[0054] 为了使微细电路形成性进一步高于以往，重要的是彻底研究电路形成时的快速蚀刻的时间缩短，为此，有效的是缩小“进行电路形成层的厚度最大值”。关于该“进行电路形成层的厚度最大值”表示由载体及极薄铜层(主体)的起伏产生的主体的最大厚度，或在极薄铜层形成有粗化粒子的情况下，表示该主体的起伏与形成在极薄铜层的粗化结核的径长相加后的最大厚度。

[0055] 本发明涉及如下附载体铜箔：将附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度设为D1(μm)，通过在压力20kgf/cm2、220℃下2小时的条件下将附载体铜箔从极薄铜层侧加热压制在双马来酰亚胺三嗪树脂基板而贴合后，将载体剥离，将树脂基板上残存的层的最大厚度设为D2，此时，D2－D1为0.30～3.83μm。通过此种构成，可以将进行电路形成层厚范围控制得较小，微细电路形成性变得良好。如果所述D2－D1小于0.30μm，则成为引起如下问题的原因：与树脂的接着性变差，导致所形成的配线发生剥离。另外，如果所述D2－D1超过3.83μm，则厚度范围变大，因此造成快速蚀刻所需的时间延长。此处，如果想要保持电路的配线宽度，则在形成有粗化粒子的情况下该粗化粒子的径较长的部分会以残渣的形式残留，或者电路的裙状底部变大。另外，如果延长蚀刻时间直至铜残渣完全消失，则产生如下问题：配线宽度会变细，无法获得所需的线/间隙的配线，导致微细电路形成性变差。所述D2－D1优选设为0.4μm以上、0.5μm以上、0.6μm以上、0.7μm以上，且设为3.8μm以下、3.5μm以下、3.0μm以下、2.8μm以下、2.58μm以下、2.5μm以下、1.2μm以下。

[0056] 此外，关于所述附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度(D1)，例如在极薄铜层上形成有粗化处理层、耐热层等表面处理层的情况下，表示极薄铜层及表面处理层的由重量法测得的合计厚度。另外，树脂基板上残存的层的最大厚度(D2)表示在将载体剥离后对树脂基板上残存的层从水平面观察时最高点与最低点的差的最大值(最厚部分的该厚度)。另外，该树脂基板上残存的层例如在附载体铜箔的极薄铜层上形成有粗化处理层、耐热层等表面处理层的情况下，表示由树脂基板上残存的极薄铜层及表面处理层所构成的层。

[0057] ＜载体＞

[0058] 典型而言，本发明可以使用的载体是金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟树脂膜、聚酰胺膜、PET膜的形态提供。

[0059] 典型而言，本发明可以使用的载体是以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般而言，电解铜箔是使铜从硫酸铜镀浴中电解析出在钛或不锈钢的转筒上而制造，压延铜箔是重复进行利用压延辊的塑性加工及热处理而制造。作为铜箔的材料，可以使用精铜(JIS H3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)等高纯度的铜，此外，也可以使用例如掺Sn的铜、掺Ag的铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的科森(コルソン)系铜合金之类的铜合金。此外，在本说明书中单独使用用语“铜箔”时，也包含铜合金箔。

[0060] 关于本发明可以使用的载体的厚度，也没有特别限制，只要在发挥作为载体的作用的基础上适当调节为合适的厚度即可，例如可以设为5μm以上。但是，如果过厚则生产成本变高，所以通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型而言为8～70μm，更典型而言为12～70μm，更典型而言为18～35μm。另外，就降低原料成本的观点而言，优选载体的厚度小。
因此，载体的厚度典型而言为5μm以上且35μm以下，优选5μm以上且18μm以下，优选5μm以上且12μm以下，优选5μm以上且11μm以下，优选5μm以上且10μm以下。此外，在载体的厚度小的情况下，容易在载体的通箔时产生弯折皱褶。为了防止产生弯折皱褶，例如有效的是使附载体铜箔制造装置的搬送辊平滑、或缩短搬送辊与下一个搬送辊的距离。此外，在印刷配线板的一制造方法的埋入法(内嵌法(Enbedded Process))使用附载体铜箔的情况下，载体的刚性必须高。因此，在用于埋入法的情况下，载体的厚度优选18μm以上且300μm以下，优选25μm以上且150μm以下，优选35μm以上且100μm以下，更优选35μm以上且70μm以下。

[0061] 此外，也可以在载体的与设置极薄铜层侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层。可以使用公知的方法设置该粗化处理层，也可以通过下述粗化处理来设置。在载体的与设置极薄铜层侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层具有如下优点：在将载体从具有该粗化处理层的表面侧积层在树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板不易发生剥离。

[0062] 本发明的上述附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度、与将附载体铜箔贴合在树脂基板后将载体剥离而在树脂基板上残存的层的最大厚度的差：D2－D1可以通过调整载体的极薄铜层侧表面形态来控制。本发明的载体可以通过以下的制作方法A～K中的任一方法来制作。

[0063] ·载体的制作方法A

[0064] 准备平滑聚酰亚胺膜。作为该平滑聚酰亚胺膜，例如可以使用宇部兴产制造的Upilex、DuPont/东丽杜邦制造的Kapton、钟化(Kaneka)制造的Apical等。另外，作为平滑聚酰亚胺膜，优选使用BPDA系或BPDA-PPD系聚酰亚胺膜、PMDA系或PMDA-ODA系聚酰亚胺膜。此处，BPDA是指联苯四羧酸二酐，PPD是指对苯二胺，PMDA是指均苯四甲酸二酐，ODA是指4,4'-二氨基二苯醚。而且，为了对平滑聚酰亚胺膜去除表面的污染物质及进行表面改质，而实施等离子体处理。通过预先获取等离子体处理条件与表面形状的关系，可以在规定条件下进行等离子体处理而获得具有所需表面形状的聚酰亚胺膜。

[0065] 此处，将等离子体处理前的平滑聚酰亚胺膜的预定设置极薄铜层的侧的表面的十点平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)设为0.5～18nm，将等离子体处理后的十点平均粗糙度Rz(JIS B06011994)设为2.5～20nm。

[0066] 例如在等离子体处理的情况下，等离子体功率越高则表面粗糙度Rz变得越大。此外，等离子体处理是以如下方式进行。即，将聚酰亚胺膜放置在真空装置内并进行真空排气后，向腔室内导入氧气，从而将腔室压力调整为5～12Pa。其后将等离子体处理的功率设为100～200W，进行20～40秒的等离子体处理。

[0067] 等离子体处理前后的表面粗糙度的测定可以使用以下的装置，在下述测定条件下进行。

[0068] 装置：岛津制作所制造的扫描式探针显微镜SPM-9600

[0069] 条件：动态模式

[0070] 扫描范围：1μm×1μm

[0071] 像素数：512×512

[0072] ·载体的制作方法B

[0073] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#3000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0074] ＜电解液组成＞

[0075] 铜：80～110g/L

[0076] 硫酸：70～110g/L

[0077] 氯：10～100质量ppm

[0078] ＜制造条件＞

[0079] 电流密度：50～200A/dm2

[0080] 电解液温度：40～70℃

[0081] 电解液线速度：3～5m/sec

[0082] 电解时间：0.5～10分钟

[0083] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的转筒面侧(与析出面侧为相反侧的面、光泽面侧)。

[0084] ·载体的制作方法C

[0085] 使用以下的电解液制作电解铜箔。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的析出面侧(与转筒侧为相反侧的面，具有光泽)。

[0086] ＜电解液组成＞

[0087] 铜：90～110g/L

[0088] 硫酸：90～110g/L

[0089] 氯：50～100ppm

[0090] 整平剂1(双(3-磺丙基)二硫醚)：10～30ppm

[0091] 整平剂2(胺化合物)：10～30ppm

[0092] 所述胺化合物可以使用以下的化学式的胺化合物。

[0093] 此外，本发明所使用的电解、表面处理或镀敷等使用的处理液的剩余部分只要没有特别记载，则为水。

[0094] [化学式1]

[0095]

[0096] (所述化学式中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基)

[0097] ＜制造条件＞

[0098] 电流密度：70～100A/dm2

[0099] 电解液温度：50～60℃

[0100] 电解液线速度：3～5m/sec

[0101] 电解时间：0.5～10分钟

[0102] ·载体的制作方法D

[0103] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0104] ＜电解液组成＞

[0105] 铜：80～110g/L

[0106] 硫酸：70～110g/L

[0107] 氯：10～100质量ppm

[0108] ＜制造条件＞

[0109] 电流密度：50～200A/dm2

[0110] 电解液温度：40～70℃

[0111] 电解液线速度：3～5m/sec

[0112] 电解时间：0.5～10分钟

[0113] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，并对光泽面侧利用具有所述载体的制作方法C中记载的液体组成的镀敷液进行镀敷。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0114] ·载体的制作方法E

[0115] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0116] ＜电解液组成＞

[0117] 铜：80～110g/L

[0118] 硫酸：70～110g/L

[0119] 氯：10～100质量ppm

[0120] ＜制造条件＞

[0121] 电流密度：50～200A/dm2

[0122] 电解液温度：40～70℃

[0123] 电解液线速度：3～5m/sec

[0124] 电解时间：0.5～10分钟

[0125] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，并对光泽面侧利用过氧化氢/硫酸系蚀刻液进行表面处理，将经表面处理的铜作为载体。作为该表面处理，例如可以在以下的条件下进行喷雾蚀刻处理。

[0126] (喷雾蚀刻处理条件)

[0127] ·蚀刻形式：喷雾蚀刻

[0128] ·喷雾嘴：实心锥型

[0129] ·喷雾压力：0.10MPa

[0130] ·蚀刻液温度：30℃

[0131] ·蚀刻液组成：

[0132] 添加剂：将三菱瓦斯化学制造的CPB-38(过氧化氢35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀释了4倍后，添加规定量的硫酸，在组成：过氧化氢10w/v％、硫酸
2w/v％下使用。

[0133] 此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0134] ·载体的制作方法F

[0135] 制造在JIS-H3100标准的无氧铜中添加有1200wtppmSn的组成的铜锭，在800～900℃下进行热轧后，利用300～700℃的连续退火线重复进行1次退火及冷轧，从而获得1～2mm厚的压延板。利用600～800℃的连续退火线对该压延板进行退火使其再结晶，将压下率设为95～99.7％直至厚度成为7～50μm而进行最终冷轧，从而制作压延铜箔，将其作为载体。

[0136] 此处，将最终冷轧的最终道次与在最终冷轧的最终道次之前的1个道次的两者油膜当量均调整为23000。油膜当量是以下述式表示。

[0137] (油膜当量)＝{(压延油粘度、40℃的运动粘度；cSt)×(压延速度；m/分钟)}/{(材料的屈服应力；kg/mm2)×(辊啮入角；rad)}

[0138] ·载体的制作方法G

[0139] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1500、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0140] ＜电解液组成＞

[0141] 铜：80～110g/L

[0142] 硫酸：70～110g/L

[0143] 氯：10～100质量ppm

[0144] ＜制造条件＞

[0145] 电流密度：50～200A/dm2

[0146] 电解液温度：40～70℃

[0147] 电解液线速度：3～5m/sec

[0148] 电解时间：0.5～10分钟

[0149] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0150] ·载体的制作方法H

[0151] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0152] ＜电解液组成＞

[0153] 铜：80～110g/L

[0154] 硫酸：70～110g/L

[0155] 氯：10～100质量ppm

[0156] ＜制造条件＞

[0157] 电流密度：50～200A/dm2

[0158] 电解液温度：40～70℃

[0159] 电解液线速度：3～5m/sec

[0160] 电解时间：0.5～10分钟

[0161] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0162] ·载体的制作方法I

[0163] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：F500、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0164] ＜电解液组成＞

[0165] 铜：80～110g/L

[0166] 硫酸：70～110g/L

[0167] 氯：10～100质量ppm

[0168] ＜制造条件＞

[0169] 电流密度：50～200A/dm2

[0170] 电解液温度：40～70℃

[0171] 电解液线速度：3～5m/sec

[0172] 电解时间：0.5～10分钟

[0173] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0174] ·载体的制作方法J

[0175] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：F320、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0176] ＜电解液组成＞

[0177] 铜：80～110g/L

[0178] 硫酸：70～110g/L

[0179] 氯：10～100质量ppm

[0180] ＜制造条件＞

[0181] 电流密度：50～200A/dm2

[0182] 电解液温度：40～70℃

[0183] 电解液线速度：3～5m/sec

[0184] 电解时间：0.5～10分钟

[0185] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0186] ·载体的制作方法K

[0187] 使用以下的电解液制作电解铜箔。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的无光泽面侧(析出面侧，与转筒侧为相反侧的面)。

[0188] ＜电解液组成＞

[0189] 铜：70～130g/L

[0190] 硫酸：70～130g/L

[0191] 氯：30～100ppm

[0192] 动物胶：0.05～3ppm

[0193] ＜制造条件＞

[0194] 电流密度：70～100A/dm2

[0195] 电解液温度：50～60℃

[0196] 电解液线速度：3～5m/sec

[0197] 电解时间：0.5～10分钟

[0198] ＜中间层＞

[0199] 在载体的单面或两面上设置中间层。在载体与中间层之间也可以设置其他层。本发明所使用的中间层只要为如下构成，则没有特别限定，即，在将附载体铜箔积层在绝缘基板的积层步骤前，极薄铜层不易从载体剥离，但另一方面，在对绝缘基板的积层步骤后，极薄铜层能够从载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层可以包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。另外，中间层也可以为多层。

[0200] 另外，例如中间层可以通过如下方式构成：从载体侧，形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种元素所组成的单一金属层、或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种或两种以上的元素所组成的合金层，或形成有机物层并于其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物或氧化物所组成的层、或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种元素所组成的单一金属层、或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种或两种以上的元素所组成的合金层、或者有机物层。

[0201] 在将中间层仅设置在单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。此外，在通过铬酸盐处理或铬酸锌处理或镀敷处理设置中间层的情况下，认为存在铬或锌等所附着的金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。

[0202] 另外，例如中间层可以在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金、及铬而构成。由于镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力，所以在剥离极薄铜层时，在极薄铜层与铬的界面会发生剥离。另外，期待中间层的镍发挥防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中间层的镍附着量优选100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且小于
1000μg/dm2，中间层的铬附着量优选5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在将中间层仅设置在单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。

[0203] 另外，中间层所含有的有机物优选为选自由含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸所组成的群中一种以上的有机物。作为具体的含氮有机化合物，优选使用作为具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。

[0204] 作为含硫有机化合物，优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。

[0205] 作为羧酸，特别优选使用一元羧酸，其中，优选使用油酸、亚油酸及次亚油酸(リノレイン酸)等。

[0206] ＜极薄铜层＞

[0207] 在中间层上设置极薄铜层。也可以在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可以通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀而形成，就能够使用通常的电解铜箔且以高电流密度形成铜箔的方面而言，优选硫酸铜浴。另外，在用以形成极薄铜层的电解浴中，优选使用具有提高极薄铜层的表面平滑性或增加光泽的效果的添加剂及/或光泽剂。作为具有提高该极薄铜层的表面平滑性或增加光泽的效果的添加剂及/或光泽剂，可以使用公知的添加剂及/或光泽剂。极薄铜层的厚度没有特别限制，一般而言比载体薄，例如为12μm以下。典型而言为0.01～12μm，更典型而言为0.1～10μm，更典型而言为0.2～9μm，更典型而言为0.3～8μm，更典型而言为0.5～7μm，更典型而言为1～5μm，进一步典型而言为1.5～5μm，进一步典型而言为2～5μm。此外，也可以在载体的两面设置极薄铜层。

[0208] 可以使用本发明的附载体铜箔制作积层体(覆铜积层板等)。作为该积层体，例如可以为依序积层有“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料”的构成，可以为依序积层有“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料”的构成，可以为依序积层有“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料/载体/中间层/极薄铜层”的构成，可以为依序积层有“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料/极薄铜层/中间层/载体”的构成。所述树脂或预浸料可以为下述树脂层，也可以包含下述树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，附载体铜箔在俯视时也可以小于树脂或预浸料。

[0209] ＜粗化处理及其他表面处理＞

[0210] 在极薄铜层的表面或载体的表面的任一面或两面，例如也可以通过实施粗化处理而设置粗化处理层以使绝缘基板的密合性良好。粗化处理例如可以通过由铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理可以是微细的处理。粗化处理层也可以是由下述的材料组成的层等，所述材料为选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上所述单质的合金。另外，在由铜或铜合金形成粗化粒子后，也可以进一步进行由镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，可以由镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，也可以进一步对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联剂处理等处理。或者也可以不进行粗化处理，而由镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进一步对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联剂处理等处理。即，可以在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层，也可以在极薄铜层的表面或载体的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。此外，上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联剂处理层也可以分别形成为多层(例如2层以上、3层以上等)。

[0211] 本发明的粗化处理可以根据以下的a～g中的任一条件来进行。

[0212] ·粗化条件a

[0213] 液体组成

[0214] Cu：10～20g/L

[0215] Co：1～10g/L

[0216] Ni：1～10g/L

[0217] pH值：1～4

[0218] 液温：50～60℃

[0219] 电流密度Dk：30～40A/dm2

[0220] 时间：0.2～1秒

[0221] 将粗化处理层的由重量法测得的厚度调整为0.05μm±0.02μm的范围。

[0222] 此外，粗化处理的由重量法测得的厚度是以如下方式算出。

[0223] 粗化处理的由重量法测得的厚度(μm)＝((粗化处理后的样品重量(g))－(粗化处理前的样品重量(g))/(铜的密度8.94(g/cm3)×(样品的具有粗化处理的平面的面积)(cm2))×10000(μm/cm)

[0224] ·粗化条件b

[0225] 液体组成

[0226] Cu：10～20g/L

[0227] Co：1～10g/L

[0228] Ni：1～10g/L

[0229] pH值：1～4

[0230] 液温：50～60℃

[0231] 电流密度Dk：20～30A/dm2

[0232] 时间：1～3秒

[0233] 将粗化处理层的由重量法测得的厚度调整为0.15μm±0.04μm的范围。

[0234] ·粗化条件c

[0235] 液体组成

[0236] Cu：10～20g/L

[0237] Co：1～10g/L

[0238] Ni：1～10g/L

[0239] pH值：1～4

[0240] 液温：40～50℃

[0241] 电流密度Dk：20～30A/dm2

[0242] 时间：5～8秒

[0243] 将粗化处理层的由重量法测得的厚度调整为0.25μm±0.05μm的范围。

[0244] ·粗化条件d

[0245] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0246] (1)粗化处理1

[0247] 液体组成：Cu：10～20g/L、H2SO4：50～100g/L

[0248] 液温：25～50℃

[0249] 电流密度：0.5～54A/dm2

[0250] 库仑量：2～67As/dm2

[0251] (2)粗化处理2

[0252] 液体组成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L

[0253] pH值：2～3

[0254] 液温：30～50℃

[0255] 电流密度：20～46A/dm2

[0256] 库仑量：31～45As/dm2

[0257] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.35μm±0.05μm的范围。

[0258] ·粗化条件e

[0259] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0260] (1)粗化处理1

[0261] (液体组成1)

[0262] Cu：15～35g/L

[0263] H2SO4：10～150g/L

[0264] W：10～50mg/L

[0265] 十二烷基硫酸钠：10～50mg/L

[0266] As：50～200mg/L

[0267] (电镀条件1)

[0268] 温度：30～70℃

[0269] 电流密度：30～115A/dm2

[0270] 粗化库仑量：20～450As/dm2

[0271] 镀敷时间：0.5～15秒

[0272] (2)粗化处理2

[0273] (液体组成2)

[0274] Cu：20～80g/L

[0275] H2SO4：50～200g/L

[0276] (电镀条件2)

[0277] 温度：30～70℃

[0278] 电流密度：3～48A/dm2

[0279] 粗化库仑量：20～250As/dm2

[0280] 镀敷时间：1～50秒

[0281] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.40μm±0.05μm的范围。

[0282] ·粗化条件f

[0283] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0284] (1)粗化处理1

[0285] (液体组成1)

[0286] Cu：15～35g/L

[0287] H2SO4：10～150g/L

[0288] W：1～50mg/L

[0289] 十二烷基硫酸钠：1～50mg/L

[0290] As：1～200mg/L

[0291] (电镀条件1)

[0292] 温度：30～70℃

[0293] 电流密度：20～105A/dm2

[0294] 粗化库仑量：50～500As/dm2

[0295] 镀敷时间：0.5～20秒

[0296] (2)粗化处理2

[0297] (液体组成2)

[0298] Cu：20～80g/L

[0299] H2SO4：50～200g/L

[0300] (电镀条件2)

[0301] 温度：30～70℃

[0302] 电流密度：3～48A/dm2

[0303] 粗化库仑量：50～300As/dm2

[0304] 镀敷时间：1～60秒

[0305] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.50μm±0.05μm的范围。

[0306] ·粗化条件g

[0307] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0308] (1)粗化处理1

[0309] (液体组成1)

[0310] Cu：10～40g/L

[0311] H2SO4：10～150g/L

[0312] (电镀条件1)

[0313] 温度：30～70℃

[0314] 电流密度：24～112A/dm2

[0315] 粗化库仑量：70～600As/dm2

[0316] 镀敷时间：5～30秒

[0317] (2)粗化处理2

[0318] (液体组成2)

[0319] Cu：30～90g/L

[0320] H2SO4：50～200g/L

[0321] (电镀条件2)

[0322] 温度：30～70℃

[0323] 电流密度：4～49A/dm2

[0324] 粗化库仑量：70～400As/dm2

[0325] 镀敷时间：5～65秒

[0326] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.60μm±0.05μm的范围。

[0327] 作为耐热层、防锈层，可以使用公知的耐热层、防锈层。例如耐热层及/或防锈层可以是包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的层，也可以是由所述元素组成的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层可以包含所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层可以是含有镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可以是镍-锌合金层。所述镍-锌合金层也可以除不可避免的杂质以外，含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量为5～1000mg/m2，优选10～500mg/m2，优选20～100mg/m2。另外，所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍附着量与锌附着量的比(＝镍附着量/锌附着量)优选1.5～10。另外，所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍附着量优选0.5mg/m2～500mg/m2，更优选1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层是含有镍-锌合金的层的情况下，铜箔与树脂基板的密合性提高。

[0328] 例如耐热层及/或防锈层可以是依序积层有附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层、及附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选5mg/m2～40mg/m2的锡层的层，所述镍合金层也可以由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴、镍-锡合金中的任一种所构成。另外，所述耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。如果使用该耐热层及/或防锈层，则在将附载体铜箔加工成印刷配线板之后的电路剥离强度、该剥离强度的耐化学药品性劣化率等变得良好。

[0329] 所谓铬酸盐处理层是指通过利用包含铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体进行处理而形成的层。铬酸盐处理层也可以含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可以是金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可以列举经铬酸酐或二铬酸钾水溶液处理过的铬酸盐处理层、或经含有铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液处理过的铬酸盐处理层等。

[0330] 所述硅烷偶联剂处理层可以使用公知的硅烷偶联剂而形成，也可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等而形成。此外，此种硅烷偶联剂也可以混合2种以上使用。其中，优选为使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂所形成的处理层。

[0331] 硅烷偶联剂处理层理想为在以硅原子换算计为0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围设置。在所述范围的情况下，能够使基材与表面处理铜箔的密合性进一步提高。

[0332] 另外，可以对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联剂处理层或铬酸盐处理层的表面进行国际公开编号WO2008/053878、日本专利特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本专利特开2013-19056号中记载的表面处理。

[0333] 另外，具备载体、积层在载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层的附载体铜箔可以在所述极薄铜层上具备粗化处理层，在所述粗化处理层上也可以具备一层以上的选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的层。

[0334] 另外，在所述极薄铜层上可以具备粗化处理层，在所述粗化处理层上可以具备耐热层、防锈层，在所述耐热层、防锈层上可以具备铬酸盐处理层，在所述铬酸盐处理层上也可以具备硅烷偶联剂处理层。

[0335] 另外，所述附载体铜箔也可以在所述极薄铜层上、或所述粗化处理层上、或所述耐热层、防锈层、或铬酸盐处理层、或者硅烷偶联剂处理层上具备树脂层。所述树脂层可以是绝缘树脂层。

[0336] 所述树脂层可以是接着剂，也可以是接着用半硬化状态(B阶段)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包含如下状态：即使用手指触摸其表面也没有粘附感，可以将该绝缘树脂层重叠来进行保管，进而当受到加热处理时会产生硬化反应的状态。

[0337] 另外，所述树脂层可以含有热硬化性树脂，也可以是热塑性树脂。另外，所述树脂层也可以含有热塑性树脂。其种类没有特别限定，例如作为优选的树脂，可以列举含有选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩醛树脂、氨酯树脂、聚醚砜(ポリエーテルサルホン)、聚醚砜(ポリエーテルスルホ)树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸的酐、具有能够交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷苯酚化合物、环烷酸锰(ナフテン酸マンガン)、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基、高分子环氧基、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的一种以上等的树脂。

[0338] 另外，所述环氧树脂只要是在分子内具有2个以上的环氧基且可以用于电气-电子材料用途的环氧树脂，则可以无特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选为使用在分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而得的环氧树脂。另外，所述环氧树脂可以将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(臭素化)环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或2种以上混合使用，或者可以使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。

[0339] 作为所述含磷环氧树脂，可以使用公知的含有磷的环氧树脂。另外，所述含磷环氧树脂例如优选作为来自分子内具备2个以上环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物获得的环氧树脂。

[0340] 所述树脂层也可以含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质(可以使用含有无机化合物及/或有机化合物的电介质、含有金属氧化物的电介质等任意电介质)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料、所述树脂、所述化合物等。另外，所述树脂层也可以使用例如国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本专利特开平11-5828号、日本专利特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本专利特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本专利特开2002-179772号、日本专利特开2002-
359444号、日本专利特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本专利特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本专利特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本专利特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本专利特开2005-262506号、日本专利第
4570070号、日本专利特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本专利特开2006-257153号、日本专利特开2007-326923号、日本专利特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本专利特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第
5046927号、日本专利特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第
5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本专利特开
2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本专利特开2013-19056号中记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。

[0341] (树脂层含有电介质(电介质填料)的情况)

[0342] 所述树脂层也可以含有电介质(电介质填料)。

[0343] 在所述任一树脂层或树脂组成物含有电介质(电介质填料)的情况下，可以用于形成电容器层的用途，而使电容器电路的电容增大。该电介质(电介质填料)是使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通称为PZT)、PbLaTiO3-PbLaZrO(通称为PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称为SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的电介质粉。

[0344] 将所述的树脂层中所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂中而制成树脂液，并将其通过例如辊式涂布法等涂布在所述极薄铜层上、或所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐皮膜层、或者所述硅烷偶联剂层上，接着根据需要进行加热干燥而去除溶剂，成为B阶段状态。干燥例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度为100～250℃、优选为130～200℃即可。

[0345] 具备所述树脂层的附载体铜箔(附有树脂的附载体铜箔)可以如下形态使用：将该树脂层重叠于基材后对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，接着将载体剥离而使极薄铜层露出(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，并在该极薄铜层上形成规定的配线图案。

[0346] 如果使用该附有树脂的附载体铜箔，则能够减少在制造多层印刷配线基板时的预浸料材料的使用片数。并且，即使将树脂层的厚度设为如能够确保层间绝缘般的厚度、或完全不使用预浸料材料，也可以制造覆铜积层板。另外，此时也可以在基材的表面底漆涂布绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。

[0347] 此外，在不使用预浸料材料的情况下，具有如下优点：节约预浸料材料的材料成本，另外，积层步骤也变得简单，因此经济上有利，并且对应于预浸料材料的厚度而制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可以制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

[0348] 该树脂层的厚度优选0.1～80μm。如果树脂层的厚度比0.1μm薄，则有接着力降低，在不介隔预浸料材料的情况下将该附有树脂的附载体铜箔积层在具备内层材的基材时，难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。

[0349] 另一方面，如果使树脂层的厚度比80μm厚，则难以通过1次涂布步骤便形成目标厚度的树脂层，耗费多余的材料费与工时，因此经济上变得不利。此外存在如下情况：所形成的树脂层由于其柔性较差，所以操作时容易产生裂纹等，另外，在内层材的热压接时发生树脂过度流动，而难以顺利地积层。

[0350] 此外，作为该附有树脂的附载体铜箔的另一制品形态，能够在所述极薄铜层上、或所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐处理层、或者所述硅烷偶联剂处理层上由树脂层被覆而制成半硬化状态后，接着将载体剥离，而以不存在载体的树脂付铜箔的形式制造。

[0351] 此外，通过在印刷配线板搭载电子零件类，而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”也包含如此搭载有电子零件类的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。

[0352] 另外，可以使用该印刷配线板制作电子机器，可以使用该搭载有电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可以使用该搭载有电子零件类的印刷基板制作电子机器。以下，示出几个使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例子。

[0353] 在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及以使极薄铜层侧与绝缘基板相对向的方式将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、改良型半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法而形成电路的步骤。绝缘基板可以设为内置内层电路的绝缘基板。

[0354] 在本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行薄的无电镀敷，形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

[0355] 因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0356] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0357] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0358] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；

[0359] 通过蚀刻等而去除所述极薄铜层，在由此露出的所述树脂上设置通孔或/及盲孔的步骤；

[0360] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；

[0361] 对包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；

[0362] 在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；

[0363] 对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将电路形成区域的镀敷阻剂去除的步骤；

[0364] 在所述镀敷阻剂已被去除的所述电路形成区域设置电镀层的步骤；

[0365] 去除所述镀敷阻剂的步骤；

[0366] 将位于所述电路形成区域以外的区域的无电镀层通过快速蚀刻等去除的步骤。

[0367] 在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0368] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0369] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0370] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

[0371] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；

[0372] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；

[0373] 通过蚀刻等而去除所述极薄铜层，对包含由此露出的所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；

[0374] 在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；

[0375] 对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将电路形成区域的镀敷阻剂去除的步骤；

[0376] 在所述镀敷阻剂已被去除的所述电路形成区域设置电镀层的步骤；

[0377] 去除所述镀敷阻剂的步骤；及

[0378] 将位于所述电路形成区域以外的区域的无电镀层通过快速蚀刻等去除的步骤。

[0379] 在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0380] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0381] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0382] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

[0383] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；

[0384] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；

[0385] 通过蚀刻等而去除所述极薄铜层，对包含由此露出的所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；

[0386] 在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；

[0387] 对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将电路形成区域的镀敷阻剂去除的步骤；

[0388] 在所述镀敷阻剂已被去除的所述电路形成区域设置电镀层的步骤；

[0389] 去除所述镀敷阻剂的步骤；及

[0390] 将位于所述电路形成区域以外的区域的无电镀层通过快速蚀刻等去除的步骤。

[0391] 在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0392] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0393] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0394] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；

[0395] 通过蚀刻等而去除所述极薄铜层，对由此露出的所述树脂的表面设置无电镀层的步骤；

[0396] 在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；

[0397] 对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将电路形成区域的镀敷阻剂去除的步骤；

[0398] 在所述镀敷阻剂已被去除的所述电路形成区域设置电镀层的步骤；

[0399] 去除所述镀敷阻剂的步骤；及

[0400] 将位于所述电路形成区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层通过快速蚀刻等去除的步骤。

[0401] 在本发明中，所谓改良型半加成法是指如下方法：在绝缘层上积层金属箔，通过镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电镀进行电路形成部的铜层加厚后，去除阻剂，并通过(快速)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路。

[0402] 因此，在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0403] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0404] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0405] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

[0406] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；

[0407] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；

[0408] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤；

[0409] 在设置所述镀敷阻剂后，通过电镀形成电路的步骤；

[0410] 去除所述镀敷阻剂的步骤；及

[0411] 将通过去除所述镀敷阻剂而露出的极薄铜层通过快速蚀刻而去除的步骤。

[0412] 在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0413] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0414] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0415] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂的步骤；

[0416] 对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将电路形成区域的镀敷阻剂去除的步骤；

[0417] 在所述镀敷阻剂已被去除的所述电路形成区域设置电镀层的步骤；

[0418] 去除所述镀敷阻剂的步骤；及

[0419] 将位于所述电路形成区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层通过快速蚀刻等去除的步骤。

[0420] 在本发明中，所谓部分加成法，是指如下方法：对设置导体层而成的基板、根据需要贯穿通孔或导通孔用孔而成的基板上赋予催化核，进行蚀刻而形成导体电路，根据需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，通过无电镀敷处理对所述导体电路上、通孔或导通孔等进行加厚，由此制造印刷配线板。

[0421] 因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0422] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0423] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0424] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

[0425] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；

[0426] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化核的步骤；

[0427] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置抗蚀阻剂的步骤；

[0428] 对所述抗蚀阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；

[0429] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化核去除，而形成电路的步骤；

[0430] 去除所述抗蚀阻剂的步骤；

[0431] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化核去除，对所露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或镀敷阻剂的步骤；及

[0432] 在未设置所述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电镀层的步骤。

[0433] 在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等将覆铜积层板上的铜箔的无用部分选择性地去除而形成导体图案的方法。

[0434] 因此，在使用减成法的在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0435] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0436] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0437] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

[0438] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；

[0439] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；

[0440] 在所述无电镀层的表面设置电镀层的步骤；

[0441] 在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀阻剂的步骤；

[0442] 对所述抗蚀阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；

[0443] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电镀层及所述电镀层去除，而形成电路的步骤；及

[0444] 将所述抗蚀阻剂去除的步骤。

[0445] 在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

[0446] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；

[0447] 将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

[0448] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

[0449] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；

[0450] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；

[0451] 在所述无电镀层的表面形成掩模的步骤；

[0452] 在未形成掩模的所述无电镀层的表面设置电镀层的步骤；

[0453] 在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀阻剂的步骤；

[0454] 对所述抗蚀阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；

[0455] 通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电镀层去除，而形成电路的步骤；及

[0456] 去除所述抗蚀阻剂的步骤。

[0457] 设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的去污步骤也可以不进行。

[0458] 此处，使用附图，对使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。此外，此处以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限定于此，也可以使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，同样地进行下述印刷配线板的制造方法。

[0459] 首先，如图1-A所示，准备具有表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。

[0460] 接着，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，并进行曝光、显影，而将抗蚀剂蚀刻成规定的形状。

[0461] 接着，如图1-C所示，形成电路用镀敷后将抗蚀剂去除，由此形成规定形状的电路镀敷。

[0462] 接着，如图2-D所示，以覆盖电路镀敷的方式(以掩埋电路镀敷的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，然后从极薄铜层侧接着另一个附载体铜箔(第2层)。

[0463] 接着，如图2-E所示，将载体从第2层的附载体铜箔剥离。

[0464] 接着，如图2-F所示，对树脂层的规定位置进行激光打孔，使电路镀敷露出而形成盲孔。

[0465] 接着，如图3-G所示，在盲孔埋入铜而形成填孔。

[0466] 接着，如图3-H所示，在填孔上以所述图1-B及图1-C的方式形成电路镀敷。

[0467] 接着，如图3-I所示，将载体从第1层的附载体铜箔剥离。

[0468] 接着，如图4-J所示，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层去除，而使树脂层内的电路镀敷的表面露出。

[0469] 接着，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀敷上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。以此方式制作使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

[0470] 此外，在上述印刷配线板的制造方法中，也可以将“极薄铜层”替换成载体，将“载体”替换成极薄铜层，在附载体铜箔的载体侧的表面形成电路，并利用树脂埋入电路，从而制造印刷配线板。

[0471] 所述另一个附载体铜箔(第2层)可以使用本发明的附载体铜箔，也可以使用以往的附载体铜箔，此外也可以使用通常的铜箔。另外，在图3-H所示的第2层的电路上进一步形成1层或多层的电路，这些电路的形成也可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来进行。

[0472] 根据如上述的印刷配线板的制造方法，成为电路镀敷埋入树脂层中的构成，因此，例如图4-J所示的通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀敷被树脂层保护，而其形状得以保持，由此，容易形成微细电路。另外，由于电路镀敷被树脂层保护，所以耐迁移性提高，良好地抑制电路的配线导通。因此，容易形成微细电路。另外，如图4-J及图4-K所示般通过快速蚀刻来去除极薄铜层时，电路镀敷的露出面成为凹进树脂层的形状，所以在该电路镀敷上容易形成凸块、进而容易在凸块上形成铜柱，制造效率提高。

[0473] 此外，埋入树脂(レジン)可以使用公知的树脂、预浸料。例如可以使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或含浸有BT树脂的玻璃布即预浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入树脂(resin)可以使用本说明书中记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料及/或膜。

[0474] 另外，所述第一层所使用的附载体铜箔也可以在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层所使用的附载体铜箔得到支撑，不易产生皱褶，因此具有生产性提高的优点。此外，所述基板或树脂层只要具有支撑所述第一层所使用的附载体铜箔的效果，则可以使用所有的基板或树脂层。例如作为所述基板或树脂层，可以使用本申请说明书中记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔、树脂基板。

[0475] 另外，本发明的印刷配线板的制造方法也可以是包括如下步骤的印刷配线板的制造方法(无芯法)：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层的步骤；在与积层有所述树脂基板的“极薄铜层侧表面或所述载体侧表面”为相反侧的附载体铜箔的表面进行至少1次设置树脂层与电路这2层的步骤；及在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。此外，树脂层及电路这2层可以树脂层、电路的顺序设置，也可以电路、树脂层的顺序设置。关于该无芯法，作为具体例，首先，将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层而制造积层体(也称作覆铜积层板、覆铜积层体)。其后，在与树脂基板积层的“极薄铜层侧表面或所述载体侧表面”为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。也可以在载体侧表面或极薄铜层侧表面所形成的树脂层上，从载体侧或极薄铜层侧进而积层另一个附载体铜箔。在该情况下，也可以将如下积层体使用在上述印刷配线板的制造方法(无芯法)中，所述积层体具有以树脂基板为中心，在该树脂基板的两表面侧以载体/中间层/极薄铜层的顺序或以极薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔的构成；或具有依序积层有“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/极薄铜层/中间层/载体”的构成；或具有依序积层有“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的构成；或者具有依序积层有“极薄铜层/中间层/载体/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的构成。也可以在两端的极薄铜层或载体露出的表面设置另一树脂层且进而设置铜层或金属层后，对该铜层或金属层进行加工，由此形成电路。此外也可以在该电路上以埋入该电路的方式设置另一树脂层。另外，此种电路及树脂层的形成可以进行1次以上(增层法)。而且，关于以此种方式形成的积层体(以下也称为积层体B)，可以将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。此外，所述无芯基板的制作时，也可以使用2个附载体铜箔，制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并将该积层体用于中心。可以在这些积层体(以下也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面，进行1次以上设置树脂层及电路这2层，将树脂层及电路这2层设置1次以上后，在将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离，从而制作无芯基板。所述积层体也可以在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。其他层也可以是树脂层或树脂基板。此外，在本说明书中，关于“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”，在极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层的情况下，是指包含该其他层的表面(最表面)的概念。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于：当使用该积层体制作无芯基板时，由于在无芯基板侧配置极薄铜层，所以使用改良型半加成法容易在无芯基板上形成电路。另一原因在于：由于极薄铜层的厚度薄，所以容易去除该极薄铜层，在极薄铜层的去除后使用半加成法，容易在无芯基板上形成电路。

[0476] 此外，在本说明书中，“积层体A”或“积层体B”与没有特别记载的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。

[0477] 此外，在上述无芯基板的制造方法中，通过将附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部由树脂覆盖，而在利用增层法制造印刷配线板时，可以防止化学药液渗入到中间层或构成积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，可以防止因化学药液的渗入导致的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，从而可以提高产率。作为此处使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可以使用能够用于树脂层的树脂。另外，在上述无芯基板的制造方法中，也可以在附载体铜箔或积层体中将俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分由树脂或预浸料覆盖。另外，利用上述无芯基板的制造方法所形成的积层体(积层体A)也可以构成为使一对附载体铜箔能够相互分离地进行接触。另外，也可以在该附载体铜箔中，俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的整个外周均由树脂或预浸料覆盖而成。另外，优选制成具有如下构成的积层体：当俯视时，树脂或预浸料优选大于附载体铜箔或积层体或积层体的积层部分，将该树脂或预浸料积层在附载体铜箔或积层体的两面，由树脂或预浸料将附载体铜箔或积层体折封(包裹)。通过设为此种构成，在俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料覆盖，可以防止其他部件从该部分的侧方向、即相对于积层方向来自侧面的方向发生碰撞，结果可以减少操作中的载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不使附载体铜箔或积层体的积层部分的外周露出的方式利用树脂或预浸料进行覆盖，可以防止如上所述的在化学药液处理步骤中化学药液渗入至该积层部分的界面，可以防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，从积层体的一对附载体铜箔分离一个附载体铜箔时、或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，当被树脂或预浸料覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)经树脂或预浸料等牢固密合时，存在必须通过切断等将该积层部分等去除的情况。

[0478] 也可以将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层在另一本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可以是将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面根据需要经由接着剂直接积层而获得的积层体。另外，也可以将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。此处，在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，该“接合”也包含隔着该表面处理层而相互接合的形态。另外，该积层体的端面的一部分或全部也可以被树脂覆盖。

[0479] 载体彼此、极薄铜层彼此、载体与极薄铜层、附载体铜箔彼此的积层除了单纯地重叠以外，例如可以通过以下方法进行。

[0480] (a)冶金的接合方法：熔接(电弧焊接、TIG(钨-惰性气体)焊接、MIG(金属-惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；

[0481] (b)机械接合方法：嵌缝(かしめ)、利用铆钉(リベット)的接合(利用自冲铆接机的接合、利用铆钉的接合)、缝合机；

[0482] (c)物理接合方法：接着剂、(两面)粘附带

[0483] 通过使用所述接合方法将一载体的一部分或全部与另一载体的一部分或全部或者极薄铜层的一部分或全部进行接合，可以制造将一载体与另一载体或极薄铜层积层且使载体彼此或载体与极薄铜层可分离地接触而构成的积层体。在将一载体与另一载体或极薄铜层较弱地接合而积层一载体与另一载体或极薄铜层的情况下，即使不去除一载体与另一载体或极薄铜层的接合部，也能够将一载体与另一载体或极薄铜层分离。另外，在将一载体与另一载体或极薄铜层较强地接合的情况下，通过利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等将一载体与另一载体接合的部位去除，从而可以将一载体与另一载体或极薄铜层分离。

[0484] 另外，可以通过实施以下步骤而制作印刷配线板：在如此构成的积层体进行至少1次设置树脂层与电路这2层的步骤；及在进行至少1次形成所述树脂层及电路这2层后，将所述极薄铜层或载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。此外，也可以在该积层体的一表面或两表面设置树脂层与电路这2层。

[0485] 所述积层体所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料可以是本说明书中记载的树脂层，也可以包含本说明书中记载的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，附载体铜箔可以在俯视时小于树脂或预浸料。

[0486] [实施例]

[0487] 以下，通过本发明的实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例任何限定。

[0488] (1)载体的制作

[0489] 首先，以如下方式制作载体。

[0490] ·载体的制作方法A(实施例1～3、比较例1、5)

[0491] 作为平滑聚酰亚胺膜，使用厚度25μm的宇部兴产制造的Upilex SGA(BPDA-PPD系聚酰亚胺膜)，将其作为载体。然后，以如下方式对平滑聚酰亚胺膜的预定设置极薄铜层的侧的表面进行等离子体处理。将平滑聚酰亚胺膜放置在真空装置内并进行真空排气后，向腔室内导入氧气，而将腔室压力调整为5～12Pa。其后，将等离子体处理的功率设为100～200W，进行20～40秒的等离子体处理。

[0492] 此外，等离子体处理前的平滑聚酰亚胺膜的预定设置极薄铜层的侧的表面的十点平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)为0.5～18nm，等离子体处理后的十点平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)为2.5～20nm。

[0493] 所述等离子体处理前后的平滑聚酰亚胺膜的预定设置极薄铜层的侧的表面的十点平均粗糙度Rz的测定是使用了以下装置，在下述测定条件下进行。

[0494] 装置：岛津制作所制造的扫描式探针显微镜SPM-9600

[0495] 条件：动态模式

[0496] 扫描范围：1μm×1μm

[0497] 像素数：512×512

[0498] ·载体的制作方法B(实施例4、实施例11)

[0499] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#3000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0500] ＜电解液组成＞

[0501] 铜：80～110g/L

[0502] 硫酸：70～110g/L

[0503] 氯：10～100质量ppm

[0504] ＜制造条件＞

[0505] 电流密度：50～200A/dm2

[0506] 电解液温度：40～70℃

[0507] 电解液线速度：3～5m/sec

[0508] 电解时间：0.5～10分钟

[0509] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0510] ·载体的制作方法C(实施例5～7)

[0511] 使用以下的电解液制作厚度18μm的电解铜箔。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0512] ＜电解液组成＞

[0513] 铜：90～110g/L

[0514] 硫酸：90～110g/L

[0515] 氯：50～100ppm

[0516] 整平剂1(双(3-磺丙基)二硫醚)：10～30ppm

[0517] 整平剂2(胺化合物)：10～30ppm

[0518] 所述的胺化合物使用的是以下的化学式的胺化合物。

[0519] [化学式2]

[0520]

[0521] (所述化学式中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基)

[0522] ＜制造条件＞

[0523] 电流密度：70～100A/dm2

[0524] 电解液温度：50～60℃

[0525] 电解液线速度：3～5m/sec

[0526] 电解时间：0.5～10分钟

[0527] ·载体的制作方法D(实施例8)

[0528] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0529] ＜电解液组成＞

[0530] 铜：80～110g/L

[0531] 硫酸：70～110g/L

[0532] 氯：10～100质量ppm

[0533] ＜制造条件＞

[0534] 电流密度：50～200A/dm2

[0535] 电解液温度：40～70℃

[0536] 电解液线速度：3～5m/sec

[0537] 电解时间：0.5～10分钟

[0538] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，对光泽面侧利用具有所述载体的制作方法C中记载的液体组成的镀敷液对光泽面侧镀敷3μm。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0539] ·载体的制作方法E(实施例9)

[0540] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0541] ＜电解液组成＞

[0542] 铜：80～110g/L

[0543] 硫酸：70～110g/L

[0544] 氯：10～100质量ppm

[0545] ＜制造条件＞

[0546] 电流密度：50～200A/dm2

[0547] 电解液温度：40～70℃

[0548] 电解液线速度：3～5m/sec

[0549] 电解时间：0.5～10分钟

[0550] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，并对光泽面侧利用过氧化氢/硫酸系蚀刻液进行表面处理，将经表面处理的铜作为载体。作为该表面处理，例如可以在以下的条件下进行喷雾蚀刻处理。

[0551] (喷雾蚀刻处理条件)

[0552] ·蚀刻形式：喷雾蚀刻

[0553] ·喷雾嘴：实心锥型

[0554] ·喷雾压力：0.10MPa

[0555] ·蚀刻液温度：30℃

[0556] ·蚀刻液组成：

[0557] 添加剂：将三菱瓦斯化学制造的CPB-38(过氧化氢35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀释了4倍后，添加规定量的硫酸，在组成：过氧化氢10w/v％、硫酸
2w/v％下使用。

[0558] 此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0559] ·载体的制作方法F(实施例10)

[0560] 制造在JIS-H3100标准的无氧铜中添加有1200wtppm的Sn的组成的铜锭，在800～900℃下进行热轧后，利用300～700℃的连续退火线重复进行1次退火及冷轧，从而获得了1～2mm厚的压延板。利用600～800℃的连续退火线对该压延板进行退火使其再结晶，将压下率设为95～99.7％直至厚度成为7～50μm而进行最终冷轧，从而制作了压延铜箔，将其作为载体。

[0561] 此处，将最终冷轧的最终道次与在最终冷轧的最终道次之前的1个道次的两者油膜当量均调整为23000。油膜当量是以下述式表示。

[0562] (油膜当量)＝{(压延油粘度、40℃的运动粘度；cSt)×(压延速度；m/分钟)}/{(材料的屈服应力；kg/mm2)×(辊啮入角；rad)}

[0563] ·载体的制作方法G(实施例12)

[0564] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1500、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0565] ＜电解液组成＞

[0566] 铜：80～110g/L

[0567] 硫酸：70～110g/L

[0568] 氯：10～100质量ppm

[0569] ＜制造条件＞

[0570] 电流密度：50～200A/dm2

[0571] 电解液温度：40～70℃

[0572] 电解液线速度：3～5m/sec

[0573] 电解时间：0.5～10分钟

[0574] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0575] ·载体的制作方法H(实施例13～24)

[0576] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：#1000、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0577] ＜电解液组成＞

[0578] 铜：80～110g/L

[0579] 硫酸：70～110g/L

[0580] 氯：10～100质量ppm

[0581] ＜制造条件＞

[0582] 电流密度：50～200A/dm2

[0583] 电解液温度：40～70℃

[0584] 电解液线速度：3～5m/sec

[0585] 电解时间：0.5～10分钟

[0586] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0587] ·载体的制作方法I(比较例2)

[0588] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：F500、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0589] ＜电解液组成＞

[0590] 铜：80～110g/L

[0591] 硫酸：70～110g/L

[0592] 氯：10～100质量ppm

[0593] ＜制造条件＞

[0594] 电流密度：50～200A/dm2

[0595] 电解液温度：40～70℃

[0596] 电解液线速度：3～5m/sec

[0597] 电解时间：0.5～10分钟

[0598] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0599] ·载体的制作方法J(比较例3)

[0600] 准备钛制转筒(电解转筒)，作为电解转筒表面控制条件，在磨削砂轮研磨材粒度：F320、砂轮旋转速度：500rpm下对该电解转筒的表面进行磨削。接着，在电解槽中配置所述电解转筒、及在转筒的周围隔着规定的极间距离配置电极。接着，在下述条件下，在电解槽中进行电解，一边使电解转筒旋转一边使铜析出至该电解转筒的表面。

[0601] ＜电解液组成＞

[0602] 铜：80～110g/L

[0603] 硫酸：70～110g/L

[0604] 氯：10～100质量ppm

[0605] ＜制造条件＞

[0606] 电流密度：50～200A/dm2

[0607] 电解液温度：40～70℃

[0608] 电解液线速度：3～5m/sec

[0609] 电解时间：0.5～10分钟

[0610] 接着，剥下在旋转着的电解转筒的表面所析出的铜，将其作为载体。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的光泽面侧。

[0611] ·载体的制作方法K(比较例4)

[0612] 使用以下的电解液制作电解铜箔。此外，中间层在电解铜箔上的形成是形成在电解铜箔的无光泽面侧(析出面侧，与转筒侧为相反侧的面)。

[0613] ＜电解液组成＞

[0614] 铜：70～130g/L

[0615] 硫酸：70～130g/L

[0616] 氯：30～100ppm

[0617] 动物胶：0.05～3ppm

[0618] ＜制造条件＞

[0619] 电流密度：70～100A/dm2

[0620] 电解液温度：50～60℃

[0621] 电解液线速度：3～5m/sec

[0622] 电解时间：0.5～10分钟

[0623] (2)中间层的形成

[0624] 然后，针对于实施例1～3、比较例1及5，在形成厚度50nm的溅镀镍膜后，利用辊对辊型连续镀敷线进行电镀，由此，通过在以下的条件下进行电解铬酸盐处理而在溅镀镍膜上附着了11μg/dm2附着量的Cr层。

[0625] ·电解铬酸盐处理

[0626] 液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

[0627] pH值：3～4

[0628] 液温：50～60℃

[0629] 电流密度：0.1～2.6A/dm2

[0630] 库仑量：0.5～30As/dm2

[0631] 针对于实施例4，在形成厚度3μm的超光泽镀镍(奥野制药股份有限公司制造，添加剂：SUPER NEOLIGHT)后，利用辊对辊型连续镀敷线进行电镀，由此，通过在以下的条件下进行电解铬酸盐处理而在镀镍膜上附着了11μg/dm2附着量的Cr层。

[0632] ·电解铬酸盐处理

[0633] 液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

[0634] pH值：3～4

[0635] 液温：50～60℃

[0636] 电流密度：0.1～2.6A/dm2

[0637] 库仑量：0.5～30As/dm2

[0638] 针对于实施例5～14、17～24、比较例2～4，在以下的条件下形成了中间层。

[0639] 通过在以下的条件下利用辊对辊型连续镀敷线进行电镀，而形成了4000μg/dm2附着量的Ni层。

[0640] ·Ni层

[0641] 硫酸镍：250～300g/L

[0642] 氯化镍：35～45g/L

[0643] 乙酸镍：10～20g/L

[0644] 柠檬酸三钠：15～30g/L

[0645] 光泽剂：糖精、丁炔二醇等

[0646] 十二烷基硫酸钠：30～100ppm

[0647] pH值：4～6

[0648] 浴温：50～70℃

[0649] 电流密度：3～15A/dm2

[0650] 在水洗及酸洗后，接着在辊对辊型连续镀敷线上，在以下的条件下进行电解铬酸盐处理，由此在Ni层上附着了11μg/dm2附着量的Cr层。

[0651] ·电解铬酸盐处理

[0652] 液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

[0653] pH值：3～4

[0654] 液温：50～60℃

[0655] 电流密度：0.1～2.6A/dm2

[0656] 库仑量：0.5～30As/dm2

[0657] 另外，针对于实施例15，在以下的条件下形成了中间层。

[0658] 通过在以下的条件下利用辊对辊型连续镀敷线进行电镀，而形成了3000μg/dm2附着量的Ni-Mo层。

[0659] ·Ni-Mo层(镍钼合金镀敷)

[0660] 液体组成：硫酸镍六水合物：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/3
dm

[0661] 液温：30℃

[0662] 电流密度：1～4A/dm2

[0663] 通电时间：3～25秒

[0664] 另外，针对于实施例16，在以下的条件下形成了中间层。

[0665] ·Ni层

[0666] 以与实施例1相同的条件形成了Ni层。

[0667] ·有机物层(有机物层形成处理)

[0668] 接着，对形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，接着在下述条件下对Ni层表面雾状喷淋包含浓度1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)且液温40℃、pH值为5的水溶液20～120秒，由此形成了有机物层。

[0669] (3)极薄铜层的形成

[0670] 在中间层的形成后，通过在以下的条件下进行电镀，而在中间层上形成了厚度1、2、3、5μm的极薄铜层，设为附载体铜箔。

[0671] ·极薄铜层

[0672] 铜浓度：30～120g/L

[0673] H2SO4浓度：20～120g/L

[0674] 氯：50～100ppm

[0675] 整平剂1(双(3-磺丙基)二硫醚)：10～30ppm

[0676] 整平剂2(胺化合物)：10～30ppm

[0677] 胺化合物使用的是以下的化学式的胺化合物。

[0678] [化学式3]

[0679]

[0680] (所述化学式中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基)

[0681] 电解液温度：20～80℃

[0682] 电流密度：10～100A/dm2

[0683] (4)表面处理层的形成

[0684] 接着，进而在极薄铜层上如表1所示般在以下的任一条件下设置了粗化处理层。

[0685] ·粗化条件a

[0686] 液体组成

[0687] Cu：10～20g/L

[0688] Co：1～10g/L

[0689] Ni：1～10g/L

[0690] pH值：1～4

[0691] 液温：50～60℃

[0692] 电流密度Dk：30～40A/dm2

[0693] 时间：0.2～1秒

[0694] 将粗化处理层的由重量法测得的厚度调整为0.05μm±0.02μm的范围。

[0695] 此外，粗化处理的由重量法测得的厚度是以如下方式算出。

[0696] 粗化处理的由重量法测得的厚度(μm)＝((粗化处理后的样品重量(g))－(粗化处理前的样品重量(g))/(铜的密度8.94(g/cm3)×(样品的具有粗化处理的平面的面积)(cm2))×10000(μm/cm)

[0697] ·粗化条件b

[0698] 液体组成

[0699] Cu：10～20g/L

[0700] Co：1～10g/L

[0701] Ni：1～10g/L

[0702] pH值：1～4

[0703] 液温：50～60℃

[0704] 电流密度Dk：20～30A/dm2

[0705] 时间：1～3秒

[0706] 将粗化处理层的由重量法测得的厚度调整为0.15μm±0.04μm的范围。

[0707] ·粗化条件c

[0708] 液体组成

[0709] Cu：10～20g/L

[0710] Co：1～10g/L

[0711] Ni：1～10g/L

[0712] pH值：1～4

[0713] 液温：40～50℃

[0714] 电流密度Dk：20～30A/dm2

[0715] 时间：5～8秒

[0716] 将粗化处理层的由重量法测得的厚度调整为0.25μm±0.05μm的范围。

[0717] ·粗化条件d

[0718] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0719] (1)粗化处理1

[0720] 液体组成：Cu：10～20g/L、H2SO4：50～100g/L

[0721] 液温：25～50℃

[0722] 电流密度：0.5～54A/dm2

[0723] 库仑量：2～67As/dm2

[0724] (2)粗化处理2

[0725] 液体组成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L

[0726] pH值：2～3

[0727] 液温：30～50℃

[0728] 电流密度：20～46A/dm2

[0729] 库仑量：31～45As/dm2

[0730] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.35μm±0.05μm的范围。

[0731] ·粗化条件e

[0732] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0733] (1)粗化处理1

[0734] (液体组成1)

[0735] Cu：15～35g/L

[0736] H2SO4：10～150g/L

[0737] W：10～50mg/L

[0738] 十二烷基硫酸钠：10～50mg/L

[0739] As：50～200mg/L

[0740] (电镀条件1)

[0741] 温度：30～70℃

[0742] 电流密度：30～115A/dm2

[0743] 粗化库仑量：20～450As/dm2

[0744] 镀敷时间：0.5～15秒

[0745] (2)粗化处理2

[0746] (液体组成2)

[0747] Cu：20～80g/L

[0748] H2SO4：50～200g/L

[0749] (电镀条件2)

[0750] 温度：30～70℃

[0751] 电流密度：3～48A/dm2

[0752] 粗化库仑量：20～250As/dm2

[0753] 镀敷时间：1～50秒

[0754] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.40μm±0.05μm的范围。

[0755] ·粗化条件f

[0756] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0757] (1)粗化处理1

[0758] (液体组成1)

[0759] Cu：15～35g/L

[0760] H2SO4：10～150g/L

[0761] W：1～50mg/L

[0762] 十二烷基硫酸钠：1～50mg/L

[0763] As：1～200mg/L

[0764] (电镀条件1)

[0765] 温度：30～70℃

[0766] 电流密度：20～105A/dm2

[0767] 粗化库仑量：50～500As/dm2

[0768] 镀敷时间：0.5～20秒

[0769] (2)粗化处理2

[0770] (液体组成2)

[0771] Cu：20～80g/L

[0772] H2SO4：50～200g/L

[0773] (电镀条件2)

[0774] 温度：30～70℃

[0775] 电流密度：3～48A/dm2

[0776] 粗化库仑量：50～300As/dm2

[0777] 镀敷时间：1～60秒

[0778] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.50μm±0.05μm的范围。

[0779] ·粗化条件g

[0780] 依序进行粗化处理1→粗化处理2。

[0781] (1)粗化处理1

[0782] (液体组成1)

[0783] Cu：10～40g/L

[0784] H2SO4：10～150g/L

[0785] (电镀条件1)

[0786] 温度：30～70℃

[0787] 电流密度：24～112A/dm2

[0788] 粗化库仑量：70～600As/dm2

[0789] 镀敷时间：5～30秒

[0790] (2)粗化处理2

[0791] (液体组成2)

[0792] Cu：30～90g/L

[0793] H2SO4：50～200g/L

[0794] (电镀条件2)

[0795] 温度：30～70℃

[0796] 电流密度：4～49A/dm2

[0797] 粗化库仑量：70～400As/dm2

[0798] 镀敷时间：5～65秒

[0799] 将粗化处理1、粗化处理2的粗化处理层的由重量法测得的合计厚度调整为0.60μm±0.05μm的范围。

[0800] ·粗化条件h

[0801] 液体组成

[0802] Cu：10～20g/L

[0803] Co：5～20g/L

[0804] Ni：5～20g/L

[0805] pH值：1～4

[0806] 液温：50～60℃

[0807] 电流密度Dk：30～40A/dm2

[0808] 时间：0.05～0.2秒

[0809] 将粗化处理层的由重量法测得的厚度调整为0.02μm±0.02μm的范围。

[0810] 此外，粗化处理的由重量法测得的厚度是以如下方式算出。

[0811] 粗化处理的由重量法测得的厚度(μm)＝((粗化处理后的样品重量(g))－(粗化处理前的样品重量(g))/(铜的密度8.94(g/cm3)×(样品的具有粗化处理的平面的面积)2
(cm))×10000(μm/cm)

[0812] 针对于实施例2、4、6、10、13、20，在以下的条件下在粗化处理层上设置了耐热处理层、铬酸盐层、硅烷偶联剂处理层。

[0813] ·耐热处理

[0814] Zn：0～20g/L

[0815] Ni：0～5g/L

[0816] pH值：3.5

[0817] 温度：40℃

[0818] 电流密度Dk：0～1.7A/dm2

[0819] 时间：1秒

[0820] Zn附着量：5～250μg/dm2

[0821] Ni附着量：5～300μg/dm2

[0822] ·铬酸盐处理

[0823] K2Cr2O7

[0824] (Na2Cr2O7或CrO3)：2～10g/L

[0825] NaOH或KOH：10～50g/L

[0826] ZnO或ZnSO47H2O：0.05～10g/L

[0827] pH值：7～13

[0828] 浴温：20～80℃

[0829] 电流密度：0.05～5A/dm2

[0830] 时间：5～30秒

[0831] Cr附着量：10～150μg/dm2

[0832] ·硅烷偶联剂处理

[0833] 乙烯基三乙氧基硅烷水溶液

[0834] (乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)

[0835] pH值：4～5

[0836] 时间：5～30秒

[0837] 针对以所述方式获得的实施例1～24、比较例1～5的附载体铜箔，利用以下的方法实施了各评价。

[0838] ＜极薄铜层的厚度＞

[0839] 极薄铜层的厚度是根据以下的重量法测出。

[0840] 对在极薄铜层设置表面处理层前的附载体铜箔测定附载体铜箔的重量后，将极薄铜层剥离，测定载体的重量，将前者与后者的差定义为极薄铜层的重量。

[0841] ·样品的大小：10cm见方薄片(经压制机冲压的10cm见方薄片)

[0842] ·样品的采集：任意3处部位

[0843] ·根据以下式，算出了各样品基于重量法的极薄铜层的厚度。

[0844] 基于重量法的极薄铜层的厚度(μm)＝{(10cm见方薄片的附载体铜箔的重量(g/100cm2))－(将极薄铜层从所述10cm见方薄片的附载体铜箔剥离后的载体重量(g/
100cm2))}/铜的密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm

[0845] 此外，样品的重量测定使用的是能够测定到小数点后4位的精密天平。而且，将所获得的重量的测定值直接用于所述计算。

[0846] ·将3处部位的基于重量法获得的极薄铜层的厚度算术平均值设为基于重量法获得的极薄铜层的厚度。

[0847] 另外，精密天平使用的是AS ONE股份有限公司的IBA-200，压制机使用的是noguchi-press股份有限公司制造的HAP-12。

[0848] 结果实施例1～24、比较例1～5均确认到极薄铜层的厚度为1～5μm。

[0849] ＜附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度(D1)＞

[0850] 使用与所述“＜极薄铜层的厚度＞”相同的基于重量法的厚度的测定方法，对在极薄铜层上设置表面处理层后的附载体铜箔求出附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度(D1)。

[0851] ·具体而言，通过以下的式，算出了各样品的由重量法测得的厚度(D1)。

[0852] 附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度(μm)＝{(10cm见方薄片的设置表面处理层后的附载体铜箔的重量(g/100cm))－(将设置有表面处理层的极薄2
铜层从所述10cm见方薄片的附载体铜箔剥离后的载体的重量(g/100cm))}/铜的密度
(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm

[0853] 此外，在附载体铜箔不具有表面处理层的情况下，由重量法测得的厚度(D1)成为与所述极薄铜层的厚度相同的值。另外，“将设置有表面处理层的极薄铜层从所述10cm见方2
薄片的附载体铜箔剥离后的载体的重量(g/100cm)”包含在将设置有表面处理层的极薄铜层从附载体铜箔剥离后的载体上残存的中间层的重量。

[0854] ＜树脂基板上残存的层的最大厚度(D2)－由重量法测得的厚度(D1)＞

[0855] 在压力20kgf/cm2、220℃下2小时的条件下，将各实施例、比较例的附载体铜箔(对极薄铜层实施了表面处理的附载体铜箔是该表面处理后的附载体铜箔)从极薄铜层侧加热压接在预浸料(双马来酰亚胺三嗪树脂基板)上而积层后，将载体从附载体铜箔剥离，使用聚焦离子束观察SIM(Scanning Ion Microscope，扫描离子显微镜)图像，由此测定出预浸料上残存的层的最大厚度(D2)。图6中表示该SIM图像的例子。如图6的SIM图像所示般，D2表示针对于将所述载体剥离后残存在预浸料上的层，在与板厚方向平行且与TD方向(载体的宽度方向)平行的剖面中，从水平面(水平线)观察时的最高点的高度与最低点的高度的差的最大值(最厚部分的该厚度)。此处，水平面(水平线)设为与SIM下的照片或显示出SIM图像的显示器的下侧框平行的方向(平行线)。并且，起初以样品长度100μm落在与照片或显示器的下侧框平行的方向内的倍率进行观察，以使照片或显示器的下侧框与该样品平行的方式调整放置有样品的载台位置。其后，利用目测，对认为预浸料上残存的层的最大厚度(D2s)大的部位进行放大观察。然后，如图6般，针对SIM图像而言，进行放大观察的视野设为包含横向(与板厚方向垂直的方向且与TD方向平行的方向)上长度8μm且在设置有极薄铜层、进而设置有表面处理层的情况下包含表面处理层的范围。然后，针对该视野，如图6般对载体剥离后残存在预浸料上的层的最大厚度(D2s)进行测定。并且，对10个视野进行相同的测定，将10个视野中的D2s的最大值设为通过在压力20kgf/cm2、220℃下2小时的条件下将附载体铜箔从极薄铜层侧加热压制在双马来酰亚胺三嗪树脂基板而贴合后将载体剥离，树脂基板上残存的层的最大厚度D2。然后，算出树脂基板上残存的层的最大厚度(D2)－由重量法测得的厚度(D1)。

[0856] ＜电路形成性：形成M-SAP电路后的电路的裙状底部的评价＞

[0857] 将附载体铜箔(对极薄铜层实施过表面处理的附载体铜箔是该表面处理后的附载体铜箔)从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，剥离载体。然后，当极薄铜层的厚度为5μm、3μm及2μm的情况下，对露出的极薄铜层表面进行半蚀刻直至厚度成为1μm，另外，厚度为1μm的极薄铜层时，保持原样而不进行半蚀刻，以成为L/S＝12μm/12μm的方式分别形成宽度15μm的图案镀铜层，其后进行蚀刻，而形成了M-SAP电路。

[0858] 将此时的蚀刻条件示于以下。而且，对该电路的100个线长1mm的部位(即，线长1mm的电路100条)进行俯视观察，测定裙状底部的长度。关于由该测定而获得的电路的裙状底部的最大长度，基于以下的基准对电路形成性进行了评价。图5中表示显示出该裙状底部的电路的俯视观察照片。如图5所示，裙状底部是较薄地产生在电路底部的蚀刻残留。

[0859] (蚀刻条件)

[0860] ·蚀刻形式：喷雾蚀刻

[0861] ·喷雾嘴：实心锥型

[0862] ·喷雾压力：0.10MPa

[0863] ·蚀刻液温度：30℃

[0864] ·蚀刻液组成：

[0865] H2O2：18g/L

[0866] H2SO4：92g/L

[0867] Cu：8g/L

[0868] 添加剂：JCU股份有限公司制造的FE-830IIW3C适量

[0869] (电路形成性的评价基准)

[0870] 配线间短路多发或断路多发等电路形成不良状态：××

[0871] 裙状底部的最大长度虽为5μm以上，但尚未产生配线间短路：×

[0872] 裙状底部的最大长度为2μm以上且小于5μm：〇

[0873] 裙状底部的最大长度为0.5μm以上且小于2μm：〇〇

[0874] 裙状底部的最大长度小于0.5μm：〇〇〇

[0875] ＜铜箔树脂的密合性的评价＞

[0876] 针对于在所述“电路形成性：形成M-SAP电路后的电路的裙状底部的评价”中所形成的M-SAP电路，对所述“线长1mm的电路100条”进行观察时，将即使仅观察到1条该电路的剥离或隆起的情况设为×，将完全未观察到该电路的剥离或隆起的情况评价为〇。

[0877] 将试验条件及试验结果示于表1。

[0878] [表1]

[0879]