对脉冲光束的光谱特征的估计

摘要

描述了一种用于估计由光源产生的并且被引导朝向光刻装置的晶片的脉冲光束的光谱特征的方法。方法包括：接收光束的脉冲的N个光谱的集合；将所接收的N个光谱保存到保存的集合；对保存的集合中的光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；对变换后的光谱求平均以形成平均光谱；以及基于平均光谱来估计脉冲光束的光谱特征。

权利要求

1.一种估计脉冲光束的光谱特征的方法，所述脉冲光束由光源产生并且被引导朝向光刻装置的晶片，所述方法包括：接收所述光束的脉冲的N个光谱的集合；

将所接收的N个光谱保存到保存的集合；

对所述保存的集合中的所述光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；

将所述集合的至少两个光谱相互平均以形成平均光谱；以及基于所述平均光谱来估计所述脉冲光束的光谱特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述光束的脉冲的N个光谱的集合包括从测量系统的检测器的输出来接收脉冲的N个光谱的集合。

3.根据权利要求2所述的方法，其中接收所述光束的脉冲的N个光谱的集合包括：针对脉冲的所述N个光谱中的每个光谱，从检测器接收信号，所述检测器在被放置在所述脉冲光束的一部分的路径中的标准具的输出处。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述脉冲光束的所述部分从所述脉冲光束的主要部分划分得到。

5.根据权利要求1所述的方法，其中对所述保存的集合中的所述光谱进行变换包括：估计所述保存的集合中的每个光谱的中心；

平移所述光谱使得所有估计的中心对准；以及缩放每个光谱。

6.根据权利要求1所述的方法，其中对所述保存的集合中的所述光谱进行变换包括：估计所述保存的集合中的每个光谱的中心；以及平移所述光谱使得所估计的中心中的每个中心与目标波长对准。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括接收将所述脉冲光束的波长改变为新的波长的请求。

8.根据权利要求7所述的方法，其中对所述保存的集合中的所述光谱进行变换包括平移所述光谱以使所述光谱的中心与所述新的波长对准。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将至少两个光谱相互平均包括：用加权因子对所述至少两个光谱中的每个光谱加权；以及将加权后的光谱中的每个光谱的强度相加以形成求和光谱。

10.根据权利要求9所述的方法，其中将至少两个光谱相互平均包括将所述求和光谱减小作为N的倍数的值。

11.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述平均光谱来估计所述脉冲光束的光谱特征包括基于所述平均光谱来估计所述脉冲光束的带宽值。

12.根据权利要求11所述的方法，其中基于所述平均光谱来估计所述脉冲光束的带宽值包括测量所述平均光谱的宽度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中测量所述平均光谱的宽度包括在第一参数测量所述平均光谱的第一宽度并且在第二参数测量所述平均光谱的第二宽度。

14.根据权利要求11所述的方法，其中基于所述平均光谱来估计所述脉冲光束的带宽值包括：将源光谱从产生所述光谱的光谱仪的仪器函数去卷积，以及测量去卷积后的源光谱的宽度。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括基于所估计的光谱特征来输出信号，所述信号包括用于操作连接至所述光源的光谱性质选择系统的命令的集合。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括跨所述晶片的曝光场扫描所述脉冲光束，其中每个曝光场接收所述光束的多个脉冲。

17.根据权利要求16所述的方法，其中基于所述平均光谱估计所述脉冲光束的光谱特征包括估计所述晶片的每个曝光场内的光谱特征。

18.根据权利要求1所述的方法，还包括：从所述保存的集合中去除最旧的光谱；

接收所述光束的另一脉冲的光谱；以及

将所述另一脉冲的所接收的光谱保存到所述保存的集合以形成刷新后的保存的集合。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：对所述刷新后的保存的集合中的所述光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；

将所述集合的至少两个光谱相互平均以形成平均光谱；以及基于所述平均光谱来估计所述脉冲光束的光谱特征。

20.根据权利要求18所述的方法，其中接收所述光束的另一脉冲的所述光谱包括接收在形成N个光谱的集合的最后的脉冲之后的所述光束的下一脉冲的所述光谱。

21.一种估计脉冲光束的光谱特征的方法，所述脉冲光束由光源产生并且被引导至光刻装置的晶片的曝光窗口，所述曝光窗口具有N个脉冲，所述方法包括：跨曝光场扫描所述脉冲光束；以及

对于所述曝光场内的每个曝光窗口：

接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱；

将所接收的一个或多个光谱保存到保存的集合；

对所述保存的集合中的所述一个或多个光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；

将所述集合的至少两个光谱相互平均以形成平均光谱；以及从所述平均光谱，跨所述N个脉冲的曝光窗口来估计所述脉冲光束的光谱特征。

22.根据权利要求21所述的方法，其中接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱包括从测量系统的检测器的输出接收脉冲的所述一个或多个光谱。

23.根据权利要求21所述的方法，其中对所述保存的集合中的所述一个或多个光谱进行变换包括：估计所述保存的集合中的每个光谱的中心；

平移所述光谱使得所有所估计的中心对准；以及缩放每个光谱。

24.根据权利要求21所述的方法，其中将至少两个光谱相互平均包括：用加权因子对所述至少两个光谱中的每个光谱加权；以及将加权后的光谱中的每个光谱的强度相加以形成求和光谱。

25.根据权利要求21所述的方法，其中基于所述平均光谱来估计所述脉冲光束的光谱特征包括基于所述平均光谱来确定所述脉冲光束的带宽的度量值。

26.根据权利要求21所述的方法，其中将每个曝光场在时间上从在先的或者随后的曝光场平移所扫描的光束的一个或多个脉冲。

27.根据权利要求21所述的方法，还包括：针对所述曝光场内的所述曝光窗口中的至少一些曝光窗口，在接收所扫描的光束的脉冲的所述一个或多个光谱之前从所述保存的集合去除最旧的光谱。

28.根据权利要求21所述的方法，其中针对所述曝光场内的至少一个曝光窗口，接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱包括接收所扫描的光束的脉冲的N个光谱。

29.一种产生脉冲光束的光系统，所述脉冲光束被配置成被引导至光刻曝光装置的N个脉冲的曝光窗口，所述光系统包括：光源，被配置成生成所述光束；

束引导系统，被配置成将所述光束引导至所述光刻曝光装置；

控制系统，被配置成：

跨曝光场扫描所述脉冲光束；以及

针对所述曝光场内的每个曝光窗口：

接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱；

将所接收的一个或多个光谱保存到保存的集合；

对所述保存的集合中的所述一个或多个光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；

将所述集合中的所述变换后的光谱相互平均以形成平均光谱；

从所述平均光谱，跨所述N个脉冲的曝光窗口估计所述脉冲光束的光谱特征；以及基于所估计的光谱特征输出信号；以及光谱性质选择系统，连接至所述光源，所述光谱性质选择系统接收所输出的信号并且被配置成基于所输出的信号来调节所述光源内的所述光束的光谱性质。

说明书

对脉冲光束的光谱特征的估计

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求2014年6月4日提交的题为“Estimation of Spectral Feature of Pulsed Light Beam”的美国申请第62/007,615号的权益，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

[0003] 所公开的主题涉及估计从光源输出的光束的光谱特征，诸如带宽，该光源向光刻曝光装置供应光。

背景技术

[0004] 从光源(诸如激光器)输出的光束的光谱特征或性质(例如带宽)的准确知识在很多科学和工业应用中很重要。例如，光源带宽的准确知识用于实现对深紫外线(DUV)光学光刻中的最小特征大小或关键尺寸(CD)的控制。关键尺寸是在半导体衬底(也称为晶片)上印刷的特征尺寸并且因此CD可以获取精细的尺寸控制。在光学光刻中，使用由光源产生的光束来辐照衬底。通常，光源是激光源并且光束是激光束。

发明内容

[0005] 在一些一般方面中，描述了一种用于估计由光源产生的并且被引导朝向光刻装置的晶片的脉冲光束的光谱特征的方法。该方法包括：接收光束的脉冲的N个光谱的集合；将所接收的N个光谱保存到保存的集合；对保存的集合中的光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；对变换后的光谱求平均以形成平均光谱；以及基于平均光谱来估计脉冲光束的光谱特征。

[0006] 实现可以包括以下品质中的一项或多项。例如，可以通过从测量系统的检测器的输出接收脉冲的N个光谱的集合来接收光束的脉冲的N个光谱的集合。可以通过针对脉冲的N个光谱中的每个光谱从在被放置在脉冲光束的部分的路径中的标准具的输出处的检测器接收信号来接收光束的脉冲的N个光谱的集合。脉冲光束的部分可以从脉冲光束的主要部分划分得到。

[0007] 可以通过以下方式来对保存的集合中的光谱进行变换：估计保存的集合中的每个光谱的中心；平移光谱使得所有估计的中心对准；以及缩放每个光谱。

[0008] 可以通过以下方式来对保存的集合中的光谱进行变换：估计保存的集合中的每个光谱的中心；以及平移光谱使得所估计的中心中的每个中心与目标波长对准。

[0009] 方法还可以包括接收将脉冲束的波长改变为新的波长的请求。可以通过平移光谱以使光谱的中心与新的波长对准来对保存的集合中的光谱进行变换。

[0010] 可以通过以下方式来对变换后的光谱求平均：用加权因子对每个变换后的光谱加权；以及将加权后的光谱中的每个光谱的强度相加以形成求和光谱。可以通过将求和光谱减小作为N的倍数的值来对变换后的光谱求平均。

[0011] 可以通过基于平均光谱来估计脉冲光束的带宽值来基于平均光谱来估计脉冲光束的光谱特征。可以通过测量平均光谱的宽度来基于平均光谱来估计脉冲光束的带宽值。可以通过在第一参数测量平均光谱的第一宽度并且在第二参数测量平均光谱的第二宽度来测量平均光谱的宽度。

[0012] 可以通过以下方式来基于平均光谱来估计脉冲光束的带宽值：将源光谱从产生光谱的光谱仪的仪器函数去卷积并且测量去卷积后的源光谱的宽度。

[0013] 方法还可以包括：基于所估计的光谱特征来输出信号，信号包括用于操作连接至光源的光谱性质选择系统的命令的集合。

[0014] 方法还可以包括：跨晶片的曝光场扫描脉冲光束，其中每个曝光场接收光束的多个脉冲。可以通过估计晶片的每个曝光场内的光谱特征来基于平均光谱估计脉冲光束的光谱特征。

[0015] 方法还可以包括：从保存的集合中去除最旧的光谱；接收光束的另一脉冲的光谱；以及将另一脉冲的所接收的光谱保存到保存的集合以形成刷新后的保存的集合。方法还可以包括：对刷新后的保存的集合中的光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；对变换后的光谱求平均以形成平均光谱；以及基于平均光谱来估计脉冲光束的光谱特征。可以通过接收在形成N个光谱的集合的最后的脉冲之后的光束的下一脉冲的光谱来接收光束的另一脉冲的光谱。

[0016] 在其他一般方面中，描述了一种用于估计脉冲光束的光谱特征的方法，脉冲光束由光源产生并且被引导至光刻装置的晶片的曝光窗口，曝光窗口具有N个脉冲。方法包括：跨曝光场扫描所述脉冲光束；以及对于所述曝光场内的每个曝光窗口：接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱；将所接收的一个或多个光谱保存到保存的集合；对保存的集合中的一个或多个光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；对变换后的一个或多个光谱求平均以形成平均光谱；以及从平均光谱跨N个脉冲的曝光窗口来估计脉冲光束的光谱特征。

[0017] 实现可以包括以下品质中的一项或多项。例如，可以通过从测量系统的检测器的输出接收脉冲的一个或多个光谱来接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱。可以通过针对脉冲的光谱中的每个光谱从在被放置在脉冲光束的部分的路径中的标准具的输出处的检测器接收信号来接收光束的脉冲的一个或多个光谱。脉冲光束的部分可以从脉冲光束的主要部分划分得到。

[0018] 可以通过以下方式来对保存的集合中的光谱进行变换：估计保存的集合中的每个光谱的中心；平移光谱使得所有所估计的中心对准；以及缩放每个光谱。

[0019] 可以通过以下方式来对变换后的一个或多个光谱求平均：用加权因子对每个变换后的光谱加权；以及将加权后的光谱中的每个光谱的强度相加以形成求和光谱。

[0020] 可以通过基于平均光谱来确定脉冲光束的带宽的度量值来基于平均光谱来估计脉冲光束的光谱特征。

[0021] 可以将每个曝光场在时间上从在先的或者随后的曝光场平移所扫描的光束的一个或多个脉冲。

[0022] 方法可以包括：针对曝光场内的曝光窗口中的至少一些曝光窗口，在接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱之前从保存的集合去除最旧的光谱。

[0023] 对于曝光场内的至少一个曝光窗口，通过接收所扫描的光束的脉冲的N个光谱来接收所扫描的光束的脉冲的一个或多个光谱。

[0024] 在其他一般方面，一种光系统产生脉冲光束，脉冲光束被配置成被引导至光刻曝光装置的N个脉冲的曝光窗口。光系统包括：被配置成生成光束的光源；被配置成将光束引导至光刻曝光装置的束引导系统；控制系统；以及连接至光源的光谱性质选择系统。控制系统被配置成：跨曝光场扫描脉冲光束；以及针对曝光场内的每个曝光窗口：接收所扫描的光束的脉冲的光谱；将所接收的光谱保存到保存的集合；对保存的集合中的光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合；对变换后的光谱求平均以形成平均光谱；跨N个脉冲的曝光窗口从平均光谱估计脉冲光束的光谱特征；以及基于所估计的光谱特征输出信号。光谱性质选择系统接收所输出的信号并且被配置成基于所输出的信号来调节光源内的光束的光谱性质。

[0025] 在其他一般方面，描述了一种用于控制脉冲光束的光谱特征的方法，脉冲光束由光源产生并且被引导至光刻曝光装置的晶片。方法包括：将来自光源的脉冲光束引导至光刻曝光装置从而使用脉冲光束曝光晶片；接收脉冲光束曝光晶片的位置；估计在接收位置处曝光晶片的脉冲光束的光谱特征，估计包括接收光束的脉冲的多个光谱，基于多个光谱形成求和光谱，以及基于求和光谱计算表示光谱特征的值；以及通过基于所测量的光谱特征调节光源的性质，基于向晶片施加脉冲光束的位置来修改脉冲光束的光谱特征。

[0026] 实施例可以包括以下特征中的一项或多项。例如，方法可以包括测量接收位置处的晶片的一个或多个物理性质，确定一个或多个物理性质是否可接受，以及如果确定一个或多个物理性质不可接受，则向光源发送信号以修改在晶片上撞击的脉冲光束的光谱特征从而调节晶片处的一个或多个物理性质。一个或多个物理性质中的至少一项包括形成在晶片上的特征的关键尺寸均匀性。

[0027] 方法可以包括，在处理晶片之前：在一个或多个先前曝光的晶片的每个曝光场处测量扫描内的一个或多个物理性质；以及创建估计一个或多个物理性质如何跨使用光源被曝光的整个晶片变化的图。通过基于估计的光谱特征来调节光源的性质，可以基于向晶片施加脉冲光束的位置来修改脉冲光束的光谱特征，包括查找在创建的图内的一个或多个物理性质的值。

[0028] 估计从光源输出的光束的光谱特征的方法使得能够改善在估计晶片所见的光谱特征时的准确性，实现对光谱特征的测量的扫描，并且改善依赖于光谱特征的估计的其他系统和方法的速度和准确性。光谱仪的图像平面中的散斑(由于激光相干)可以调制测量的强度并且因此降低光谱特征的估计和表征的准确性和可再现性。随机电子噪声和其他现象也降低光谱特征的估计和表征的准确性和可再现性。为了改善光谱特征的估计和表征，存储多个光谱并且对多个光谱而非每个光谱执行计算，其中通过在光谱仪内使用移动的漫射器，散斑图案(和电子噪声)在每个光谱中不同。与在读出之前在检测器上累积多个图像的方法相比，这提供更频繁的更新速率和补偿条纹位置的脉冲至脉冲的波动的能力。其还在故意地调制或修改光源中心波长的情况下实现准确的光源光谱特征估计。

附图说明

[0029] 图1是包括产生被引导朝向光刻曝光装置的光束的光源的光刻系统的框图；

[0030] 图2是示例性光谱的图，光谱强度是由图1的光源产生的光束的波长或光学频率的函数；

[0031] 图3A是图1的光刻系统的示例性光刻曝光装置的框图；

[0032] 图3B到图3D是在各个曝光阶段期间示出的示例性光刻曝光装置的框图；

[0033] 图4是可以在图1的光刻系统中使用的示例性光源的框图；

[0034] 图5是图1的光刻系统的示例性测量系统的框图；

[0035] 图6是可以在图5的测量系统中使用的示例性标准具光谱仪的框图；

[0036] 图7A和图7B是可以在图1的光刻系统中用于控制由光源产生的光束的光谱特征的示例性光谱特征选择系统的框图；

[0037] 图8A是图1的光刻系统的示例性控制系统的框图；

[0038] 图8B是图8A的控制系统内的示例性光谱特征估计器的框图；

[0039] 图9是由图1的光刻系统执行以估计由光源产生的光束的光谱特征的过程的流程图；

[0040] 图10是示出由图1的光源产生的示例性脉冲序列的示意图；

[0041] 图11是用于处理保存的光谱以估计由光源产生的光束的光谱特征的过程的流程图；

[0042] 图12是图示如何根据图11的过程处理所保存的光谱以估计由光源产生的光束的光谱特征的示意图；

[0043] 图13是用于对每个保存的光谱进行变换以形成变换后的光谱的集合的过程的流程图；

[0044] 图14A到14C是图示如何根据图13的过程将每个保存的光谱变换以形成变换后的光谱的集合的示意图；

[0045] 图15是用于对变换后的光谱求平均以形成平均光谱的过程的流程图；

[0046] 图16是图示如何根据图15的过程对变换后的光谱求平均以形成平均光谱的示意图；

[0047] 图17是用于控制由光源提供并且被引导朝向晶片的脉冲光束的光谱特征的过程的流程图；

[0048] 图18是用于通过基于所测量的光谱特征调节光源的性质来修改脉冲光束的光谱特征的示例性过程的流程图；

[0049] 图19是用于通过基于所测量的光谱特征调节光源的性质来修改脉冲光束的光谱特征的示例性过程的流程图；以及

[0050] 图20是图示物理性质如何跨晶片变化的晶片图的示意性表示。

具体实施方式

[0051] 参考图1，光源105产生的脉冲光束110的光谱(或发射光谱)包含关于光学能量或功率如何分布在不同波长上的信息。在图1中，光束110是光刻系统100的部分，并且光束110被引导朝向在晶片120上产生图案的光刻曝光装置115。光束110还被引导穿过光束准备系统112，光束准备系统112可以包括修改光束110的各个方面的光学元件。例如，光束准备系统112可以包括反射或折射光学元件、光学脉冲扩展器和光学孔径(包括自动快门)。

[0052] 还参考图2，以图的形式描绘光束110的光谱200，其中光谱强度205(不一定具有绝对校准)被绘制为波长或光学频率210的函数。光谱200可以称为光束110的光谱形状或强度谱。光束110的光谱性质包括强度谱的任何方面或表示。例如，带宽是光谱特征。光束的带宽是这一光谱形状的宽度的测量，并且这一宽度可以在激光的波长或频率方面给出。可以使用与光谱200的细节有关的任意合适的数学构造(即，度量)来估计表征光束的带宽的值。例如，可以使用在光谱形状的最大峰值强度的分数(X)处的光谱的整个宽度(称为FWXM)来表征光束带宽。作为另一示例，可以使用包含积分光谱强度的分数(Y)的光谱的宽度(称为EY)来表征光束宽度。

[0053] 光束110的带宽可以是光谱形状的实际瞬时带宽。各种扰动107(诸如温度梯度、压力地图、光学失真等)作用于光源105和光束110以修改光束110的光谱性质或特征。因此，光刻系统100包括其他部件，诸如光谱特征选择系统150、一个或多个测量系统180(诸如例如180A、180B、180C)以及控制系统185，这些部件用于确定扰动107对光束110的影响。光谱特征选择系统150从光源105接收光束并且基于来自控制系统185的输入对光源105的光谱输出进行细调。一个或多个测量系统180测量光束110的各种性质，诸如例如光谱特征(诸如带宽和波长)或能量。

[0054] 由于扰动107，晶片120处的光束110的实际带宽可以不对应于期望带宽或者与期望带宽匹配。因此，需要在操作期间通过估计来自光谱的度量的值来测量或估计光束110的特征带宽，使得操作者或自动系统(例如反馈控制器)能够使用测量的或估计的带宽来调节光源105的性质并且调节光束110的光谱形状。描述了一种方法，其实现了通过更新光谱特征的测量(使用例如测量系统180B)以使其匹配如何在曝光期间跨晶片120扫描光束110来估计光谱性质或特征，诸如光束110的光谱形状的带宽。

[0055] 光刻曝光装置115包括光学布置，光学布置包括照射器系统129，照射器系统129具有例如一个或多个聚光透镜130、掩模134和物镜布置132。掩模134沿着一个或多个方向可移动，诸如沿着光束110的光轴138或者在垂直于光轴138的平面中。物镜布置132包括投影透镜并且使得能够进行从掩模134到晶片120上的光刻胶的图像转移。照射器系统129调节光束1110撞击在掩模134上的角度范围。照射器系统129还使光束110跨掩模134的强度分布均匀(使其相同)。

[0056] 光刻装置115可以包括光刻控制器140、空调设备和用于各个电气部件的电源等其他特征。光刻控制器140控制如何在晶片120上印刷层。

[0057] 在一些实现中，晶片120承载在晶片台142上并且可以供应浸没介质144以覆盖晶片120。浸没介质144可以是用于液体浸没光刻的液体(诸如水)。在光刻是干燥系统的其他实现中，浸没介质144可以是气体，诸如干燥的氮气、干燥的空气或清洁的空气。在其他实现中，可以将晶片120暴露在压力控制的环境(诸如真空或部分真空)中。

[0058] 参考图3A，使用光束110辐照晶片120。工艺程序或菜单确定晶片120上的曝光长度、所使用的掩模134以及影响曝光的其他因素。在光刻期间，光束110的多个脉冲照射晶片120的相同区域以形成照射剂量。照射相同区域的光束110的脉冲数N可以称为曝光窗口或缝隙300，并且这一缝隙300的大小可以由被放置在掩模134前面的曝光缝隙305来控制。缝隙305可以设计成快门并且可以包括能够被打开和关闭的多个叶片；并且曝光区域的大小由非扫描方向上的叶片之间的距离并且也由扫描方向上的扫描的长度(距离)来确定。在一些实现中，N的值是几十，例如10到100个脉冲。在其他实施例中，N的值大于100个脉冲，例如从100到500个脉冲。

[0059] 如图3B到图3D所示，掩模134、物镜布置132和晶片120中的一个或多个可以在曝光期间相对于彼此移动以跨曝光场310扫描曝光窗口300。曝光场310是在曝光缝隙或窗口300的一个扫描中被曝光的晶片120的区域。

[0060] 下面描述的方法逐脉冲地(也就是针对光束110的每个脉冲)从测量系统180(诸如测量系统180B)读出数据(诸如光谱200)，存储光束110的N个光谱200(每个脉冲一个光谱)，并且在曝光缝隙300上对所存储的光谱求平均以估计光学特征，诸如光束110的带宽。这允许基于滚动——也就是跨缝隙300扫描曝光场310时——来计算光谱特征，并且因此可以逐脉冲地报告跨缝隙300的移动平均。另外，如果波长在曝光期间变化(这可能由于扰动107或者由于来自控制系统185的改变目标中心波长例如以补偿由于热效应、晶片平坦等而产生的图像平面中的聚焦错误的命令而发生)，则可以通过在计算光谱特征的平均值之前向所测量的光谱施加平移来减小或消除波长变化的影响，该平移对应于或者抵消波长变化的影响。

[0061] 在提供关于估计光束110的光谱特征的方法的细节之前，首先提供光刻系统100的一般描述作为背景。

[0062] 参考图4，示例性光源105是脉冲激光源，其产生脉冲激光束作为光束110。如图4的示例所示，光源105是两级激光系统，其包括向功率放大器(PA)410提供种子光束405的主振荡器(MO)400。主振荡器400通常包括其中发生放大的增益介质以及光学反馈机构，诸如光学谐振器。功率放大器410通常包括在被来自主振荡器400的种子激光束激励时发生放大的增益介质。如果功率放大器410被设计作为再生环谐振器，则其被描述为功率环放大器(PRA)，并且在这种情况下，可以根据环设计来提供足够的光学反馈。主振荡器400以相对较低的输出脉冲能量来实现对光谱参数(诸如中心波长和带宽)的细调。功率放大器410从主振荡器400接收输出并且将这一输出放大以获得必要的输出功率以在光刻中使用。

[0063] 主振荡器400包括具有两个伸长的电极的放电室、用作增益介质的激光气体、用于使气体在电极之间循环的风扇以及激光谐振器，该激光谐振器形成在放电室的一侧的光谱特征选择系统150与放电室的第二侧的输出耦合器415之间。光源105还可以包括从输出耦合器415接收输出的线中心分析模块(LAM)420，以及根据需要修改激光束的大小和/或形状的一个或多个束修改光学系统425。线中心分析模块420是可以用于测量种子光束405的波长(例如中心波长)的一种类型的测量系统180A的示例。在放电室中使用的激光气体可以是用于在所需要的波长和带宽周围产生激光束的任何合适的气体，例如，激光气体可以是发出大约193nm的波长的光的氟化氩(ArF)或者发出大约248nm的波长的光的氟化氪(KrF)。

[0064] 功率放大器410包括功率放大器放电室，并且如果其是再生环放大器，则功率放大器还包括束反射器430，束反射器430将光束反射回放电室以形成循环路径。功率放大器放电室包括一对伸长的电极、用作增益介质的激光气体以及用于使气体在电极之间循环的风扇。通过将种子光束405重复地穿过功率放大器来对其进行放大。束修改光学系统425提供了一种用于入耦合种子光束并且出耦合来自功率放大器的已放大辐射的部分以形成输出光束110的方式(例如部分反射镜)。

[0065] 测量系统180A中的一个测量系统可以是线中心分析模块420，其监测主振荡器400的输出的波长。线中心分析模块可以放置在光源105内的其他位置，或者可以放置在光源105的输出处。

[0066] 测量系统180B中的另一测量系统可以放置在光源105的输出处，并且该测量系统180B用于产生光束110的基线光谱。测量系统180B可以在光源105内或在其他位置处。另一测量系统180C可以是在光束110进入光刻曝光装置115之前测量光束110的脉冲能量的能量监测器。能量监测器180C可以是光二极管模块。

[0067] 在一些实现中，测量系统180B可以包括光栅光谱仪，诸如由德国柏林的LTB Lasertechnik Berlin GmbH生产的ELIAS分级光栅光谱仪。在光栅光谱仪中，光束110被引导朝向分级光栅，其根据光的波长来使光分离或分散，并且从光栅反射的光束110被引导朝向相机，诸如电荷耦合器件相机，其能够解析光束110的波长分布。这样的光栅光谱仪可以用于系统量化和研究角色，其中需要在带宽方面准确表征光谱形状和能量分布(包括带内能量和带外能量)的非常精细的细节。通常，光栅光谱仪对于光刻应用中的光谱性质(诸如带宽)的机载实时测量是不实际的。

[0068] 因此，如图5所示，可以用于光谱性质的机载实时测量的另一示例性测量系统180B包括接收从沿着光束110的路径放置的分束设备510重新定向的光束110的部分505的标准具光谱仪500。标准具光谱仪500包括光束部分505能够行进穿过的光学布置515以及从光学布置515接收输出光525的检测器520。检测器520的输出连接至控制系统185；以这一方式，控制系统185接收由检测器520记录的每个光谱200并且执行用于基于所接收的光谱200中的一个或多个光谱来估计脉冲光束110的光谱特征的方法，如下面详细讨论的。

[0069] 参考图6，示出了示例性标准具光谱仪500。光学布置515包括标准具600、透镜605、610以及光学附加光学器件615，诸如包括使束均匀的均匀器(例如静止、移动或旋转漫射器)的照射器。照射器也可以生成发散的束，其中原始束的任何部分被同等地扩展到相同的角度范围中。在一些实现中，标准具600包括一对部分反射玻璃或光学平面，其可以短距离(例如毫米到厘米)间隔开，其中反射表面彼此面对。在其他实现中，标准具600包括具有两个平行反射表面的单个板。平面可以制成楔形形状(其在图6中示出)，以防止背面产生干涉条纹；背面通常也具有抗反射涂层。当光束部分505穿过配对的平面时，其被多次反射，并且产生多个透射光线，这些光线被透镜610收集并且带到检测器520。如果光束部分505是发散或会聚束，则整个干涉图案在检测器520处具有一组同心环620的外观。如果光束部分505是准直束，则干涉图案在检测器520处或多或少地具有均匀的强度分布。环的锐度取决于平面的反射率；如果反射率很高，导致高的Q因子，则单色光产生与黑暗背景相对的一组窄的亮环。标准具600的透射率作为波长的函数在所得到的条纹图案625中示出，其产生被引导至控制系统185的光谱200。虽然示出了整个干涉图案，然而不需要执行计算或估计；替选地，可以仅在稍微大于检测器520的有效区域的区域内生成条纹。

[0070] 参考图7A，示出了示例性光谱特征选择系统750，其耦合至来自光源105的光。在一些实现中，光谱特征选择系统750从主振荡器400接收光以实现主振荡器400内的光谱特征(诸如波长和带宽)的细调。

[0071] 光谱特征选择系统750可以包括控制模块，诸如包括固件和软件的任意组合形式的电子器件的光谱特征控制模块752。模块752连接至一个或多个致动系统，诸如光谱特征致动系统754、756、758。致动系统754、756、758中的每个可以包括连接至光学系统766的相应光学特征760、762、764的一个或多个致动器。光学特征760、762、764被配置成调节所生成的光束110的具体特性从而调节光束110的光谱特征。控制模块752从控制系统185接收控制信号，控制信号包括操作或控制致动系统754、756、758中的一个或多个的具体的命令。致动系统754、756、758可以被选择和设计以一起工作，即，级联。另外，致动系统754、756、758中的每个可以被优化以对具体等级的扰动107进行响应。

[0072] 这样的协调和协作可以一起被控制系统185用于在期望设定点或者至少在设定点周围的期望范围内保持或维持一个或多个光谱特征(诸如波长或带宽)，即使光源105可以经历各种各样的扰动107。替选地，这样的协调和协作可以由控制系统185用于在曝光期间修改光谱特征(诸如波长或带宽)以匹配一些预定义的轨迹使得光谱特征的调节能够补偿曝光过程的非最优方面，诸如例如在其边缘处的晶片120的平坦的缺失，如下面更加详细地描述的。

[0073] 每个光学特征760、762、764光学耦合至由光源105产生的光束110。在一些实现中，光学系统766是如图7B所示的线窄化模块。线窄化模块包括色散光学元件(诸如反射光栅780)和折射光学元件(诸如棱镜782、784、786、788)作为光学特征760、762、764，其中每个光学元件可以是可旋转的。这一线窄化模块的示例可以在2009年10月23日提交的题为“System Method and Apparatus for Selecting and Controlling Light Source Bandwidth”的美国申请第12/605,306号('306申请)中找到，其全部内容通过引用合并于此。在'306申请中，描述了一种线窄化模块，其包括扩束器(包括一个或多个棱镜782、784、
786、788)和色散元件，诸如光栅780。图7B中没有示出用于可致动光学特征的相应致动系统，诸如光栅780以及棱镜782、784、786、788中的一个或多个。

[0074] 致动系统754、756、758的每个致动器是用于移动或控制光学系统766的相应光学特征760、762、764的机械设备。致动器从模块752接收能量，并且将该能量变换成被给予光学系统的光学特征760、762、764的某种运动。例如，在'306申请中，描述了一种致动系统，诸如力设备(用于向光栅的区域施加力)以及用于旋转扩束器的棱镜中的一个或多个棱镜的旋转级。致动系统754、756、758可以包括例如电机，诸如步进电机、阀、压力控制的设备、压电设备、线性电机、液压致动器、言圈等。

[0075] 参考图8A，控制系统185通常包括数字电子电路系统、计算机硬件、固件和软件中的一项或多项。控制系统185还可以包括适当的输入和输出设备、一个或多个可编程处理器以及在机器可读存储设备中有形地实施的用于由可编程处理器来执行的一个或多个计算机程序产品。一个或多个可编程处理器每个可以通过操作输入数据并且生成适当的输出来执行用于执行期望功能的指令的程序。通常，处理器从只读存储器和/或随机存取存储器接收指令和数据。适合有形地实施计算机程序指令和数据的存储设备包括所有形式的非易失性存储器，包括例如半导体存储器设备，诸如EPROM、EEPROM和闪存存储器设备；磁盘，诸如内部硬盘驱动和可移除盘；磁光盘；以及CD-ROM盘。以上中的任何一个可以用专门设计的ASIC(专用集成电路)来补充或者被包括在专门设计的ASIC中。

[0076] 通常，控制系统185从光源105并且从测量系统180A、180B、180C接收关于光束110的信息，并且对信息执行分析以确定如何调节被供应给光刻曝光装置115的光束110的一个或多个光谱特征(例如带宽)。基于这一确定，控制系统185向光谱特征选择系统150和/或光源105发送用于控制光源105的操作的信号。

[0077] 为此，控制系统185包括从一个或多个测量系统180A、180B、180C(诸如测量系统180B)接收测量数据802的光谱特征估计器805。通常，光谱特征估计器805执行估计光束110的光谱特征(例如带宽)所需要的所有分析，并且特别是逐脉冲地进行。光谱特征估计器805的输出是光谱特征的估计值807。

[0078] 还参考图8B，光谱特征估计器805包括用于存储例如从测量系统180B接收的光谱200的存储器850。存储器850可以存储与对数据进行分析所需要的那么多的光谱200并且确定光谱特征。光谱特征估计器805还包括变换框855，变换框855访问存储器850内存储的光谱200并且根据需要修改光谱200以考虑光束110的波长的变化以及能够影响光谱200的形状和位置的其他可能的变化。光谱特征估计器805包括求平均框860，求平均框860对变换框
855变换的光谱200的集合求平均。

[0079] 控制系统185包括比较框810，其连接至从光谱特征估计器805输出的估计值807以及光谱特征目标值815。通常，比较框810输出表示光谱特征目标值815与估计值807之间的差异的光谱特征误差值820，并且光谱特征误差值820被引导至光谱特征致动装置825。通常，光谱特征致动装置825基于光谱特征误差值820来确定如何调节光谱特征选择系统150，并且光谱特征致动装置825的输出包括被发送给光谱特征选择系统150的致动器命令830的集合。

[0080] 光谱特征致动装置825可以包括存储或访问在光谱特征选择系统150内的各种致动器的校准数据的估计器。例如，可以由估计器来存储和/或访问用于带宽控制设备、压电设备或差分定时系统的校准数据。估计器接收光谱特征误差值820并且确定致动器命令830中的一个或多个。光谱特征致动装置825包括一个或多个光谱特征控制器，一个或多个光谱特征控制器接收一个或多个致动器命令830并且确定如何能够将致动器命令应用于光谱特征选择系统150的各个致动器。例如，光谱特征致动装置825可以包括波长控制器，波长控制器确定如何调节光束的波长以及因此如何致动图7A和图7B中所示的光谱特征选择系统750中的设备。

[0081] 参考图9，过程900由光刻系统100(并且具体地由控制系统185)来执行以确定由光源105产生的脉冲光束110的光谱特征(诸如带宽)，同时脉冲光束110被引导至光刻曝光装置115。控制系统185操作光源105，使得产生脉冲光束110并且将其引导至曝光装置115(905)。当脉冲光束110被引导至曝光装置115时，控制系统185从测量系统180B接收当前脉冲的光谱200(910)。控制系统185将所接收的光谱200存储到存储器850(915)。例如，参考图8A和图8B，光谱特征估计器805将所接收的光谱200存储到存储器850。

[0082] 控制系统185确定预先设定的数目的光谱200是否已经被保存到存储器850(920)以提供足以用于对光谱200进行分析以确定光谱特征的有效的可再现值的数据。例如，预先设定的数目的光谱200可以基于照射缝隙300的光束110的脉冲数N。因此，控制系统185可以确定是否有N个光谱200被保存到存储器850(920)，其中每个保存的光谱对应于光束110的特定脉冲。如果控制系统185确定少于预先设定的数目的光谱200被保存到存储器850(920)，则控制系统185选择光束110的下一脉冲作为当前脉冲(925)并且继续进行以从测量系统180B接收当前脉冲的光谱200(910)并且将所接收的光谱200保存至存储器850(915)。

[0083] 作为过程900中的这些步骤的示例，参考图10所示的示意图。当第一脉冲P[i]被设置为当前脉冲时，接收当前脉冲P[i]的光谱S[i](910)。接着，控制系统185确定尚未将N个光谱保存至存储器850(920)，因此其选择下一脉冲P[i+1]作为当前脉冲(925)并且接收当前脉冲P[i+1]的光谱S[i+1](910)。这继续进行直到控制系统185接收到脉冲P[i+N-1]的光谱S[i+N-1](910)并且将光谱S[i+N-1]保存到存储器850(915)。由于控制系统185确定N个光谱已经保存至存储器850(920)，因此过程900继续以执行对所保存的N个光谱的分析。

[0084] 要保存到存储器850(915)的第一光谱200可以与曝光场或突发的开始相干，并且因此所保存的光谱的数目N可以对应于照射缝隙300的光束110的脉冲总数N。

[0085] 返回图9，如果控制系统185确定N个光谱200被保存到存储器850(920)，则控制系统185处理所保存的N个光谱200以估计光谱特征(930)。例如，参考图8A和图8B，光谱特征估计器805的变换框855和求平均框860执行对存储器850内的数据的处理。控制系统185输出估计的光谱特征(935)。例如，参考图8A和图8B，光谱特征估计器805输出光谱特征的估计值807。

[0086] 如果控制系统185确定应当继续操作光源105(940)，则控制系统185执行条纹缓冲器刷新子过程，该过程以从存储器850内的保存的光谱的集合中去除最旧的光谱开始(945)，并且选择下一脉冲作为当前脉冲(950)。参考图10的示例，接收脉冲P[i+N]的光谱S[i+N](955)并且将其保存到存储器850(960)。在一些实现中，如果光谱200通过质量测试，则可以将当前脉冲的光谱200仅保存到存储器850内的光谱的集合(960)。在这种情况下，如果光谱200没有通过质量测试，则重复子过程的步骤950到960。

[0087] 控制系统185确定条纹缓冲器刷新子过程是否应当继续(也就是，是否应当在对所保存的光谱200的集合执行分析之前去除和添加附加脉冲)(965)。如果需要去除和添加附加脉冲，则控制系统185通过以下方式来重复子过程：从存储器850内的保存的光谱的集合去除最旧的光谱(945)，选择下一脉冲作为当前脉冲(950)，接收当前脉冲的光谱200(955)，以及将当前脉冲的光谱200保存到存储器850中的保存的光谱的集合(960)。因此，例如，参考图10的示例，从存储器850去除最旧的脉冲P[i+1](945)，选择下一脉冲P[i+N+1]作为当前脉冲(950)，接收当前脉冲P[i+N+1]的光谱S[i+N+1](955)并且将其保存到存储器850(960)。

[0088] 如果控制系统185确定在对保存的光谱200的集合执行分析之前不需要去除和添加附加脉冲(965)，则控制系统185处理所保存的N个光谱200以估计光谱特征(930)，并且然后输出估计的光谱特征(935)。

[0089] 参考图11，控制系统185执行过程930用于处理保存的N个光谱200以估计光谱特征。还参考图12，图12示出了由测量系统180B检测到的N个脉冲的集合{P[i]，P[i+1]，...P[i+N-1]}产生的保存的光谱的集合{S[i]，S[i+1]，...S[i+N-1]}的说明。

[0090] 控制系统185对保存的集合1200中的每个光谱S进行变换(例如平移、缩放等，如下面描述的)以形成变换后的光谱T 1205的集合(1100)。在将光谱变换(1100)成变换后的光谱T 1205的集合之后，控制系统185对变换后的光谱T 1205求平均以形成平均光谱A[i](1105)；并且基于平均光谱A[i]估计平均光谱的度量值以表征脉冲光束的光谱特征SF(1110)。

[0091] 还参考图13，在一些实现中，控制系统185执行过程1100以对保存的集合1200中的每个光谱S变换从而形成变换后的光谱T 1205的集合。参考图14A到图14C以说明过程1100中的步骤。在本示例中，控制系统185估计保存的集合1200中的每个光谱S的中心C或{C[i]，C[i+1]，...C[i+N-1]}(1300)，并且沿着波长(或频率)轴平移或移动所保存的集合1200中的每个光谱S使得光谱S的中心{C[i]，C[i+1]，...C[i+N-1]}中的每个与其他中心对准(1305)。

[0092] 这可以通过以下方式来进行：例如选择集合中的中心中的一个中心作为对准中心CAL，并且使集合中的其他中心与所选择的中心CAL对准。或者，作为另一示例，可以使所有中心{C[i]，C[i+1]，...C[i+N-1]}与波长或频率轴上的预定义位置对准。

[0093] 更加具体地，当光谱S被接收并存储在存储器850中时，光束110的波长可以变化，并且波长的变化将在每个光谱与中心值偏离的量中显示出，并且从而通过平移集合中的光谱S，控制系统185可以补偿或消除变化的波长的影响。被接收和存储的光谱S也可以取决于波长依赖的光谱曲线，其取决于标准具光谱仪500的设计，并且因此也可以通过平移或对准光谱S的中心C来消除或补偿这一影响。

[0094] 作为另一示例，在光源的操作期间(905)，需要在跨曝光场310的扫描期间改变光束110的波长。过程900也可以包括接收将脉冲光束110的波长变为新的波长的请求。如果这发生，则过程1100还可以包括平移光谱以使其中心{C[i]，C[i+1]，...C[i+N-1]}与新的波长对准。

[0095] 控制系统185还可以使用缩放或加权因子F或{F[i]，F[i+1]，...F[i+N-1]}来对每个光谱S进行缩放(1310)从而获取变换后的光谱{T[i]，T[i+1]，...T[i+N-1]}1205(图14C所示)。用于特定的变换后的光谱T的缩放因子F可以取决于需要将特定的变换后的光谱T调节多少以使其紧密地匹配集合{T[i]，T[i+1]，...T[i+N-1]}中的其他变换后的光谱从而在随后步骤中实现进一步的处理。基本上，将每个光谱乘以其相应缩放因子：{(F[i]×S[i])，(F[i+1]×S[i+1])，...(F[i+N-1]×S[i+N-1])}以获取变换后的光谱{T[i]，T[i+1]，...T[i+N-1]}。在本示例中，对光谱的幅度(光谱强度或y轴)进行缩放。在其他实现中，可能有利的是，对光谱的其他轴(例如波长或频率或x轴)进行缩放。例如，在标准具光谱仪中，波长(或频率)可以不是沿着检测器轴的位置的线性函数。因此，相等带宽而非不同中心波长(或频率)的脉冲可以在宽度上不同。对于波长(或频率)方面的明显差异，可能需要在相加/求平均个体光谱之前对水平轴进行缩放(其包括缩放和插值以沿着水平轴匹配所有的值)。

[0096] 在一些实现中，缩放因子F与缝隙300中的强度分布成比例。例如，如果缝隙300中的强度分布是梯形，则每个光谱S乘以的缩放因子F由这一梯形强度变化来给出。实际上，由于光源105是脉冲，所以在对应于晶片台在脉冲之间行进的距离的等距点处对梯形强度变化采样以获取N个缩放因子的阵列{F[i]，F[i+1]，...F[i+N-1]}，其中在求平均之前将每个光谱S乘以(“缩放”)该缩放因子。

[0097] 参考图15，在一些实现中，控制系统185执行过程1105以对变换后的光谱{T[i]，T[i+1]，...T[i+N-1]}1205求平均从而形成平均光谱A[i]。还参考图16以图示过程1105中的步骤。控制系统185将每个变换后的光谱(T[i])+(T[i+1])+...(T[i+N-1]}的强度相加(1505)以形成求和光谱SSum。可选地，控制系统185可以将求和光谱SSum减小作为N的倍数的值(例如N、2N、3N等)(1510)以获取平均光谱A[i]。

[0098] 如以上讨论的，控制系统185基于平均光谱A[i]来估计表征脉冲光束的光谱特征SF的度量值(1110)。由于平均光谱A[i]从光谱S的集合获取，并且每个光谱S是光束110的实际源光谱和测量系统180B的仪器函数的卷积，所以平均光谱A[i]是光束110的实际源光谱与测量系统180B的仪器函数的卷积。因此，为了获取表征光谱特征SF的度量值的估计，一个选项是将源光谱从仪器函数去卷积并且然后将度量应用于去卷积后的光谱(例如测量包含积分光谱强度(EY)的分数或百分比(Y)的去卷积后的光谱的宽度)。去卷积通常不实际，因为其可能需要大量处理时间和能量。因此，另一选项是向平均光谱A[i]应用使用平均光谱的两个或多个宽度的数学模型，其中每个宽度取唯一的参数值。例如，第一宽度可以是在光谱的最大强度的百分之75的全宽，第二宽度可以是在光谱的最大强度的百分之25的全宽。合适的模型的一个示例如下：

[0099] Esource＝A·w(第一参数)+B·w(第二参数)+C，其中Esource是表示包含积分光谱强度(EY)的分数或百分比(Y)的平均光谱的宽度的带宽(光谱特征)的估计度量值，A、B和C是由光谱仪对模型的拟合所确定的校准常数，并且w是宽度。也可以使用其他合适的模型。

[0100] 以上描述的过程改善了信噪比并且实现了光谱特征的快速测量从而补偿在光源105的操作期间的波长的平移；这样的波长平移可能是故意的或者计划的。以上描述的过程减小了散斑在检测器520处可能具有的影响，这样的散斑是由光束110的相干引起的，该相干在图像平面中产生散斑。另外，可以更新光谱特征(诸如带宽)以匹配晶片120处的曝光的移动窗口(或缝隙)体验。

[0101] 由于这一过程非常快，所以其使得能够遍及晶片120的曝光连续和动态地调节光谱特征以补偿可能影响晶片120处的图像质量的各种效应。

[0102] 对比度(或图像对比度)定义剂量如何在空间方面在可以去除抗蚀剂(一方面)和应当保留抗蚀剂(另一方面)的剂量的范围内快速变化。因此，在一些实现中，图像对比度是晶片上的剂量差异，其表示应当将抗蚀剂曝光于相对较高剂量(并且因此应当保留抗蚀剂)的区域以及应当将抗蚀剂曝光于相对较低剂量(并且因此应当去除抗蚀剂)的区域。在其他实现中，图像对比度是晶片上的剂量的差异，其表示应当将抗蚀剂曝光于相对较高剂量(并且因此应当去除抗蚀剂)的区域以及应当将抗蚀剂曝光于相对较低剂量(并且因此应当保留抗蚀剂)的区域。具体地，可以存在除了光束110的带宽之外的影响图像的对比度的各种因素，诸如台振动。被印刷到晶片120上的物理特征或图案(例如线的宽度、接触孔的大小或线端部的位置)的成像非常微妙地取决于很多因素，并且这些因素的任何变化可能导致要印刷的特征的扰动。实际上，在晶片120上印刷多个图案或特征，并且每个图案可以具有不同的对比度，这可以取决于图案的布局或几何形状。特征的大小根据这些因素相应地变化。针对这一变化的措施用被称为关键尺寸均匀性(CDU)的量来表示，其量化晶片上的特征的大小的变化(例如以纳米为单位)。对于芯片制造商，应当将CDU保持在技术上(并且在经济上)尽量低，或者至少其值不应当超过由从晶片120生产的芯片所生产的器件的功能确定的某个极限。

[0103] 对CDU的预算的贡献者之一是光束110的带宽。带宽贡献可以如下理解。由于将掩模的图像投影到晶片120上的投影透镜的不可避免的色差，通过带宽的值所表征的不同的光谱分量被聚焦在晶片120的平面的上方或下方的稍微不同的高度处，并且因此成像与应当具有被完美地成像在晶片120上的单色波的情况相比稍微劣化。在这种情况下，可以将色差的影响与例如晶片台142的振动相比较，其中晶片台142沿着传播光束110的方向或者沿与这个方向相反的方法上下稍微运动。这还导致图像的模糊(smearing)以及因此关键尺寸(CD)的变化，并且导致CDU的增加。因此，CDU受到带宽的影响；较高的带宽降低对比度，并且因此导致更高的CDU。

[0104] 其他CDU贡献者的贡献可以跨晶片120或者甚至跨晶片120上的单个曝光场310而变化。因此，CDU跨晶片120或跨曝光场310而变化。因此，有利的是，具有补偿其他贡献者的变化的额外的操纵者，并且这可以使用带宽“控制旋钮”来实现，其要求本地测量带宽。本文中描述的方法提供了在曝光场310内的每个位置处本地控制带宽所需要的资源。为了知道将“控制旋钮”转动多少以及因此如何修改光谱特征(诸如带宽)，需要提供带宽的轨迹上的输入。这一输入例如可以来自于晶片120上的测量，也就是来自于可以示出不同的指纹的先前处理的晶片的CDU的测量，并且因此，可以调节控制旋钮从而调节光谱特征，其例如可以是目标带宽或目标波长或中心波长。

[0105] 鉴于此并且参考图17，执行过程1700以控制由光源105产生的并且被引导至晶片120的脉冲光束110的光谱特征。过程1700包括将脉冲光束110从光源105引导到光刻曝光装置115从而使用脉冲光束110对晶片120曝光(1705)。接收脉冲光束110曝光晶片120的位置(1710)。估计在接收位置曝光晶片120的脉冲光束110的光谱特征(1715)。估计可以包括接收光束的脉冲的多个光谱，基于多个光谱形成求和光谱，并且基于求和光谱来计算表示光谱特征的值。估计可以如过程900(图9所示)、过程930(图11所示)、过程1100(图13所示)和过程1105(图15所示)描述的那样来进行。

[0106] 通过基于所测量的光学特征调节光源105的性质来基于向晶片120施加脉冲光束110的接收位置来修改脉冲光束110的光谱特征(1720)。

[0107] 参考图18，过程1700，特别是步骤1720可以包括在接收位置测量晶片120的物理性质，确定物理性质是否可接受，并且如果确定物理量性质不可接受，则向光源105发送修改在晶片120上撞击的脉冲光束110的光谱特征的信号从而调节晶片120处的物理性质。

[0108] 物理性质可以是在晶片120上形成的特征并且该特征从对比度导出。例如，一个性质可以是晶片120上的CDU；CDU随着对比度的变化而变化。另外，虽然在测量物理性质方面来描述过程1700，然而晶片120可以包含同时被照射的多个物理特征，并且每个物理特征具有其自己的对比度(和对对比度的不同的依赖性)。过程1700可以串行或并行地应用于多个物理性质。

[0109] 参考图19，过程1700，特别是步骤1720，可以包括在处理晶片120之前测量一个或多个先前曝光的晶片的每个曝光场310处的扫描内的物理性质；以及创建估计物理性质如何在使用光源105被曝光的整个晶片120上变化的图。通过基于所测量的光谱特征调节光源的性质来基于向晶片施加脉冲光束的位置来被修改的脉冲光束的光谱特征可以包括查找所创建的图内的物理性质的值。

[0110] 例如，参考图20，示出了晶片2020的图的示意性表示。该图示出了物理性质如何跨晶片2020变化。数目被提供仅作为示例而非表示实际值。例如，在晶片202的中心附近，物理性质值通常是很小的值(诸如0或1)，而沿着晶片202的边缘，物理性质值是相对较大的值(诸如3或4)。另外，虽然图被分为曝光场(因为针对每个曝光场确定物理性质)，然而还可以将物理性质确定到子场水平，例如，具有跨曝光场的扫描期间的光束110的每个脉冲。

[0111] 其他实现在以下权利要求的范围内。例如，光刻曝光装置115可以是无掩模系统；在该系统中，光刻曝光装置115被设计为没有掩模。无掩模光刻稍微不同于使用掩模的光刻来工作，因为无掩模光刻没有产生均匀的照射；取而代之，照射被调制为使得晶片上的“光刻版”平面(即，投影透镜的目标平面)的图像示出所需要的图案。这样，照射器系统129被设计成是灵活的；仅能够印刷一个图案的机器会非常快被淘汰。因此，无掩模装置115内的这样的照射器系统129可以配备有空间光调节器，其可以将投影透镜的目标平面中的本地强度调节为印刷期望图案所需要的值。