触控基板及其制备方法、触摸屏

摘要

本发明公开了一种触控基板及其制备方法、触摸屏，包括：衬底基板和遮光图形；在触控区域内，形成有位于衬底基板上方的触控单元和位于触控单元上方的第一消影图形；在功能孔区域内，形成有位于衬底基板上方第一绝缘层、位于第一绝缘层上方且覆盖功能孔区域内部分区域的第二消影图形、位于第二消影图形的上方或下方且与第二消影图形对应设置的增透图形。本发明的技术方案通过在功能孔区域内部分区域设置消影图形和增透图形，以使得功能孔区域内设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较高的透光率和色度，而未设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较低的透光率和色度，此时可使得功能孔区域的整体透光率相对较高且整体色度相对较低。

权利要求

1.一种触控基板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有遮光图形，所述遮光图形限定出触控区域和功能孔区域；

在所述触控区域内，形成有位于所述衬底基板上方的触控单元和位于触控单元上方的第一消影图形；

在所述功能孔区域内，形成有位于所述衬底基板上方第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上方且覆盖所述功能孔区域内部分区域的第二消影图形、位于所述第二消影图形的上方或下方且与所述第二消影图形对应设置的增透图形；

所述第一消影图形与所述第二消影图形同层设置，所述增透图形用于提升所述第二消影图形所对应的区域的透光率。

2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控单元包括：位于所述衬底基板上方的若干个触控电极；

所述增透图形位于所述第二消影图形的下方且与所述触控电极同层设置。

3.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述触控电极和所述增透图形的材料为氧化铟锡。

4.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述触控单元还包括：信号走线，所述信号走线与所述触控电极通过过孔连接。

5.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述第一消影图形的上方设置有第二绝缘层图形；

所述增透图形位于所述第二消影图形的上方且与所述第二绝缘层图形同层设置。

6.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述第二消影图形包括：若干个彼此独立的第二消影子图形；

全部所述第二消影子图形在所述功能孔区域内均匀分布。

7.根据权利要求1-6中任一所述的触控基板，其特征在于，第二消影图形的面积与所述功能孔区域的面积的比为：80％～90％。

8.一种触摸屏，其特征在于，包括如上述权利要求1-7中任一所述的触控基板。

9.一种触控基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上方形成遮光图形，所述遮光图形限定出触控区域和功能孔区域；

在所述衬底基板的上方且对应所述触控区域内形成触控单元，以及在所述衬底基板的上方且对应所述功能孔区域的区域形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层的上方形成第一消影图形和第二消影图形，所述第一消影图形与所述第二消影图形同层设置，所述第一消影图形覆盖所述触控单元所对应的区域，所述第二消影图形覆盖所述功能孔区域内部分区域；

在所述形成遮光图形的步骤和所述形成第一消影图形和第二消影图形的步骤之间，还包括：形成增透图形，所述增透图形位于后续待形成的所述第二消影图形的上方或下方且与所述第二消影图形对应设置，所述增透图形用于提升所述第二消影图形所对应的区域的透光率。

10.根据权利要求9所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述触控单元包括：若干个触控电极；

所述形成增透图形的步骤与所述形成触控单元的步骤同步进行，形成增透图形和形成触控单元的步骤具体包括：在所述衬底基板的上方形成透明导电材料膜层；

对所述透明导电材料膜层进行一次构图工艺以形成所述触控电极和所述增透图形，所述触控电极位于所述触控区域内，所述增透图形位于所述功能孔区域内且与后续待形成的所述第二消影图形对应设置。

11.根据权利要求10所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述触控单元还包括：信号走线；

所述形成增透图形和形成触控单元的步骤还包括：

在所述触控电极和所述增透图形的上方形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上对应所述触控电极的位置形成有过孔；

在所述第一绝缘层上的上方形成所述信号走线，所述信号走线通过对应的过孔与对应的所述触控电极电连接。

12.根据权利要求10所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡。

13.根据权利要求10所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层的上方形成第一消影图形和第二消影图形的步骤具体包括：在所述第一绝缘层的上方形成消影材料膜层；

在所述消影材料膜层材料的上方形成第二绝缘材料膜层；

对所述第二绝缘材料膜层进行一次构图工艺以形成第二绝缘层图形，所述第二绝缘层图形覆盖所述触控区域；

对所述消影材料膜层进行网印刻蚀以形成所述第一消影图形和所述第二消影图形，所述第一消影图形覆盖所述触控单元所对应的区域，所述第二消影图形覆盖所述功能孔区域内部分区域。

14.根据权利要求9所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述形成增透图形的步骤位于所述形成第一消影图形和第二消影图形的步骤之前执行，形成增透图形、第一消影图形和第二消影图形的步骤具体包括：在所述第一绝缘层的上方形成消影材料膜层；

在所述消影材料膜层材料的上方形成第二绝缘材料膜层；

对所述第二绝缘材料膜层进行一次构图工艺以形成第二绝缘层图形和所述增透图形，所述第二绝缘层图形覆盖所述触控区域，所述增透图形与后续待形成的所述第二消影图形对应设置；

对所述消影材料膜层进行网印刻蚀以形成所述第一消影图形和所述第二消影图形，所述第一消影图形覆盖所述触控单元所对应的区域，所述第二消影图形覆盖所述功能孔区域内部分区域。

15.根据权利要求9所述的触控基板的制备方法，其特征在于，所述第二消影图形包括：若干个彼此独立的第二消影子图形；

全部所述第二消影子图形在所述功能孔区域内均匀分布。

16.根据权利要求9-15中任一所述的触控基板的制备方法，其特征在于，第二消影图形的面积与所述功能孔区域的面积的比为：80％～90％。

说明书

触控基板及其制备方法、触摸屏

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种触控基板及其制备方法、触摸屏。

背景技术

[0002] 21世纪是一个快速发展的年代，电子产品的发展也是日新月异，各种电子产品也越来越多的添加触控的元素，比如手机，Pad，Notebook等都开始使用触摸屏。目前市场上触控产品在外观上均进行各种功能孔(例如摄像孔)设计，增加功能孔可增加产品附加值，且优化客户体验。

[0003] 图1为现有技术中一种触控基板的俯视图，图2为图1中A-A向的截面图，如图1和图2所示，为实现触控功能，需要依次在衬底基板的上方依次形成遮光图形、触控电极、第一绝缘层和信号走线(通过过孔与触控电极)。为保证客户样品外观需求和触控基板消影效果，生产厂商往往会在形成触控电极、第一绝缘层和信号走线之后，在第一绝缘层上形成一层消影层，以及在消影层上形成一层用于对消影层进行保护的第二绝缘层，其中，消影层的材料一般为氮氧化硅(化学式SiNxOy)。基于上述工艺，现有触控基板上的功能孔区域由衬底基板、第一绝缘层、消影层、第二绝缘层，共四层结构层叠而成。

[0004] 在现有技术中，由于功能孔区域处需要实现其他功能(例如摄像、拍照功能)，生产厂商对功能孔区域处的整体透光率和色度要求很高。虽然，由衬底基板、第一绝缘层、消影层、第二绝缘层四层膜层叠的结构的整体透光率较高(89％～92％)，相对容易达到厂商对功能孔区域的整体透光率的要求(整体透光率大于90％)，但是，由于消影层的颜色呈淡黄色，使得整个功能孔区域偏黄，不符合厂商对功能孔区域的整体色度的要求。

[0005] 图3为现有技术中去除功能孔区域中的消影层时的截面示意图，如图3所述，与图2所示触控基板相比，图3所示触控基板的功能孔区域中的消影层和第二绝缘层被刻蚀掉，此时，功能孔区域由衬底基板、第一绝缘层，共两层膜层叠而成。虽然，功能孔区域中的消影层的刻蚀，会使得功能孔区域的整体色度的满足要求，然而在生产中发现，在对功能孔区域中消影层刻蚀时，受到工艺的限制，功能孔区域中始终会残留消影材料，受到这些残留的残留消影材料的影响，会使得功能孔区域的整体透光率降低，此时功能孔区域的整体透光率为87％～90％，很难达到厂商对功能孔区域的整体透光率的要求。

[0006] 为此，如何在保证功能孔区域的高透光率的同时，有效降低功能孔区域的色度，是本领域中亟需解决的技术问题。

发明内容

[0007] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种触控基板及其制备方法、触摸屏。

[0008] 为实现上述目的，本发明提供了一种触控基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有遮光图形，所述遮光图形限定出触控区域和功能孔区域；

[0009] 在所述触控区域内，形成有位于所述衬底基板上方的触控单元和位于触控单元上方的第一消影图形；

[0010] 在所述功能孔区域内，形成有位于所述衬底基板上方第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上方且覆盖所述功能孔区域内部分区域的第二消影图形、位于所述第二消影图形的上方或下方且与所述第二消影图形对应设置的增透图形；

[0011] 所述第一消影图形与所述第二消影图形同层设置，所述增透图形用于提升所述第二消影图形所对应的区域的透光率。

[0012] 可选地，所述触控单元包括：位于所述衬底基板上方的若干个触控电极；

[0013] 所述增透图形位于所述第二消影图形的下方且与所述触控电极同层设置。

[0014] 可选地，所述触控电极和所述增透图形的材料为氧化铟锡。

[0015] 可选地，所述触控单元还包括：信号走线，所述信号走线与所述触控电极通过过孔连接。

[0016] 可选地，所述第一消影图形的上方设置有第二绝缘层图形；

[0017] 所述增透图形位于所述第二消影图形的上方且与所述第二绝缘层图形同层设置。

[0018] 可选地，所述第二消影图形包括：若干个彼此独立的第二消影子图形；

[0019] 全部所述第二消影子图形在所述功能孔区域内均匀分布。

[0020] 可选地，所述第二消影图形的面积与所述功能孔区域的面积的比为：80％～90％。

[0021] 为实现上述目的，本发明还提供了一种触摸屏，包括上述的触控基板。

[0022] 为实现上述目的，本发明还提供了一种触控基板的制备方法，包括：

[0023] 在所述衬底基板的上方形成遮光图形，所述遮光图形限定出触控区域和功能孔区域；

[0024] 在所述衬底基板的上方且对应所述触控区域内形成触控单元，以及在所述衬底基板的上方且对应所述功能孔区域的区域形成第一绝缘层；

[0025] 在所述第一绝缘层的上方形成第一消影图形和第二消影图形，所述第一消影图形与所述第二消影图形同层设置，所述第一消影图形覆盖所述触控单元所对应的区域，所述第二消影图形覆盖所述功能孔区域内部分区域；

[0026] 形成增透图形，所述增透图形位于所述第二消影图形的上方或下方且与所述第二消影图形对应设置，所述增透图形用于提升所述第二消影图形所对应的区域的透光率。

[0027] 可选地，所述触控单元包括：若干个触控电极；

[0028] 所述形成增透图形的步骤与所述形成触控单元的步骤同步进行，形成增透图形和形成触控单元的步骤具体包括：

[0029] 在所述衬底基板的上方形成透明导电材料膜层；

[0030] 对所述透明导电材料膜层进行一次构图工艺以形成所述触控电极和所述增透图形，所述触控电极位于所述触控区域内，所述增透图形位于所述功能孔区域内且与后续待形成的所述第二消影图形对应设置。

[0031] 可选地，所述触控单元还包括：信号走线；

[0032] 所述形成增透图形和形成触控单元的步骤还包括：

[0033] 在所述触控电极和所述增透图形的上方形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上对应所述触控电极的位置形成有过孔；

[0034] 在所述第一绝缘层上的上方形成所述信号走线，所述信号走线通过对应的过孔与对应的所述触控电极电连接。

[0035] 可选地，所述透明导电材料为氧化铟锡。

[0036] 可选地，所述在所述第一绝缘层的上方形成第一消影图形和第二消影图形的步骤具体包括：

[0037] 在所述第一绝缘层的上方形成消影材料膜层；

[0038] 在所述消影材料膜层材料的上方形成第二绝缘材料膜层；

[0039] 对所述第二绝缘材料膜层进行一次构图工艺以形成第二绝缘层图形，所述第二绝缘层图形覆盖所述触控区域；

[0040] 对所述消影材料膜层进行网印刻蚀以形成所述第一消影图形和所述第二消影图形，所述第一消影图形覆盖所述触控单元所对应的区域，所述第二消影图形覆盖所述功能孔区域内部分区域。

[0041] 可选地，所述形成增透图形的步骤位于所述形成第一消影图形和第二消影图形的步骤之前执行，形成增透图形、第一消影图形和第二消影图形的步骤具体包括：

[0042] 在所述第一绝缘层的上方形成消影材料膜层；

[0043] 在所述消影材料膜层材料的上方形成第二绝缘材料膜层；

[0044] 对所述第二绝缘材料膜层进行一次构图工艺以形成第二绝缘层图形和所述增透图形，所述第二绝缘层图形覆盖所述触控区域，所述增透图形与后续待形成的所述第二消影图形对应设置；

[0045] 对所述消影材料膜层进行网印刻蚀以形成所述第一消影图形和所述第二消影图形，所述第一消影图形覆盖所述触控单元所对应的区域，所述第二消影图形覆盖所述功能孔区域内部分区域。

[0046] 可选地，所述第二消影图形包括：若干个彼此独立的第二消影子图形；

[0047] 全部所述第二消影子图形在所述功能孔区域内均匀分布。

[0048] 可选地，所述第二消影图形的面积与所述功能孔区域的面积的比为：80％～90％。

[0049] 本发明具有以下有益效果：

[0050] 本发明提供了一种触控基板及其制备方法、触摸屏，该触控基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有遮光图形，遮光图形限定出触控区域和功能孔区域；在触控区域内，形成有位于衬底基板上方的触控单元和位于触控单元上方的第一消影图形；在功能孔区域内，形成有位于衬底基板上方第一绝缘层、位于第一绝缘层上方且覆盖功能孔区域内部分区域的第二消影图形、位于第二消影图形的上方或下方且与第二消影图形对应设置的增透图形。本发明的技术方案通过在功能孔区域内部分区域设置消影图形和增透图形，以使得功能孔区域内设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较高的透光率和色度，而未设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较低的透光率和色度，此时可使得功能孔区域的整体透光率相对较高且整体色度相对较低。

附图说明

[0051] 图1为现有技术中一种触控基板的俯视图；

[0052] 图2为图1中A-A向的截面图；

[0053] 图3为现有技术中去除功能孔区域中的消影层时的截面示意图；

[0054] 图4为本发明实施例一提供的触控基板的结构示意图；

[0055] 图5为本发明提供的触控基板中功能孔区域的俯视图；

[0056] 图6为本发明实施例二提供的触控基板的结构示意图；

[0057] 图7为本发明实施例三提供的一种触控基板的制备方法的流程图；

[0058] 图8为采用图7所示制备方法制备的触控基板的中间结构示意图；

[0059] 图9为本发明实施例三提供的一种触控基板的制备方法的流程图；

[0060] 图10为采用图9所示制备方法制备的触控基板的中间结构示意图。

具体实施方式

[0061] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种触控基板及其制备方法、触摸屏进行详细描述。

[0062] 实施例一

[0063] 图4为本发明实施例一提供的触控基板的结构示意图，图5为本发明提供的触控基板中功能孔区域的俯视图，如图4和图5所示，该触控基板包括：衬底基板1，衬底基板1上形成有遮光图形2，遮光图形2限定出触控区域10和功能孔区域9。需要说明的是，附图中所示的一个触控区域10和一个功能孔区域9的情况仅起到示意性作用作用，其不会对本发明的技术方案产生限制，本领域技术人员应该知晓的是，可根据实际需要来对触控区域10和功能孔区域9的形状、数量、尺寸、位置进行相应调整，具体情况此处不再一一举例说明。

[0064] 在触控区域10内，形成有位于衬底基板1上方的触控单元和位于触控单元上方的第一消影图形71。其中，触控单元一般包括：触控电极3和信号走线6，信号走线6与触控电极3通过过孔连接。需要说明的是，本发明中的“触控电极”是指用于实现触控功能的电极，例如自电容式触控电极、互电容式触控电极，各类型电极实现触控的原理此处不进行详细描述。

[0065] 在功能孔区域9内，形成有位于衬底基板1上方第一绝缘层5、位于第一绝缘层5上方且覆盖功能孔区域9内部分区域的第二消影图形72、位于第二消影图形72的上方或下方且与第二消影图形72对应设置的增透图形4。其中，第一消影图形71与第二消影图形72同层设置，增透图形4用于提升第二消影图形72所对应的区域的透光率。

[0066] 在本实施例中，消影图形的材料为氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。

[0067] 在本发明提供的触控基板的功能孔区域9中，根据增透图形4(第二消影图形72)所处的位置，将该功能孔区域9被划分为第一透光区域91和第二透光区域92，其中，未设置有增透图形4和第二消影图形72的区域为第一透光区域91，设置有增透图形4和第二消影图形72的区域为第二透光区域92。由此可见，第一透光区域91内仅包含衬底基板1、第一绝缘层5共两层结构，第二透光区域92内包含衬底基板1、第一绝缘层5、第二消影图形72和增透图形
4共四层结构。

[0068] 由于第一透光区域91内仅包含有衬底基板1、第一绝缘层5两层结构，因此其色度相对较低。然而，在实际制备第一效应图形和第二效应图形时，需要先整层沉积一层消影材料膜层，然后通过构图工艺将位于第一透光区域91的消影材料刻蚀掉。受到工艺的限制，第一透光区域91中始终会残留一些消影材料，残留于第一透光区域91中的消影材料会影响第一透光区域91的整体透光率，因此第一透光区域91的整体透光率(87％～90％)相对较低。由此可见，第一透光区域91的整体色度相对较低，整体透光率相对较低。

[0069] 与第一透光区域91相比，由于第二透光区域92中除了包含衬底基板1、第一绝缘层5外，还包含第二消影图形72和增透图形4，第二消影图形72和增透图形4的设置会使得第二透光区域92的整体透光率(89％～92％)相对较高，但是其整体色度会相对较高(第二消音图形72和增透图形4均具有一定的颜色)。由此可见，第二透光区域92的整体色度相对较高，整体透光率相对较高。

[0070] 在实际检测中发现，由上述第一透光区域91和第二透光区域92所构成的功能孔区域9，该功能孔区域9可呈现出较低的整体色度和较高的整体透光率。

[0071] 本实施例中，可选地，第二消影图形72的面积与功能孔区域9的面积的比为：80％～90％。在本实施例中，在功能孔区域9的面积一定的情况下，可根据厂商的实际需求来对第一透光区域91和第二透光区域92的面积进行调整，例如，当厂商对功能孔区域9的整体色度要求(低色度)相对较高时，则可使得第一透光区域91的面积相应增大，第二透光区域92的面积相应减小；当厂商对功能孔区域9的整体透光率要求(高透光率)相对较高时，则可使得第二透光区域92的面积相应增大，第一透光区域91的面积相应减小。

[0072] 本实施例中，优选地，第二消影图形72包括：若干个彼此独立的第二消影子图形，全部第二消影子图形在功能孔区域9内均匀分布。本发明的技术方案通过将第二透光区域92在功能孔区域9内均匀分布，可有效保证功能孔区域9内各位置的色度、透光率的均匀性。

[0073] 作为一种具体方案，参见图4所示，增透图形4位于第二消影图形72的下方且与触控电极3同层设置。需要说明的是，本发明中的“同层设置”是指由同一个材料层形成的，可通过一次构图工艺得到，本发明中的“构图工艺”是指包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。由于本实施例中的增透图形4可与触控电极3通过一次构图工艺形成，因此可基于现有的触控基板的制程来形成增透图形4。此外，可通过预先实验来对用于形成触控电极3和增透图形4的材料层的膜厚(1/4光波波长的奇数倍)进行设置，以使得图案化后得到的增透图形4具有增透功能的同时，其色度不会过高。

[0074] 进一步地，触控电极3和增透图形4的材料为氧化铟锡(化学式ITO)，氧化铟锡不但具有较优的导电性，而且还具备高透光率和低色度的特性，从而保证第二透光区域92具备高透光率的同时，色度不会过高。

[0075] 本发明实施例一提供了一种触控基板，该触控基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有遮光图形，遮光图形限定出触控区域和功能孔区域；在触控区域内，形成有位于衬底基板上方的触控单元和位于触控单元上方的第一消影图形；在功能孔区域内，形成有位于衬底基板上方第一绝缘层、位于第一绝缘层上方且覆盖功能孔区域内部分区域的第二消影图形、位于第二消影图形的上方或下方且与第二消影图形对应设置的增透图形。本发明的技术方案通过在功能孔区域内部分区域设置消影图形和增透图形，以使得功能孔区域内设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较高的透光率和色度，而未设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较低的透光率和色度，此时可使得功能孔区域的整体透光率相对较高，整体色度相对较低。

[0076] 实施例二

[0077] 图6为本发明实施例二提供的触控基板的结构示意图，如图6所示，图6所示的触控基板与图4所示触控基板的区别在于，第一消影图形71的上方设置有第二绝缘层图形8，增透图形4位于第二消影图形72的上方且与第二绝缘层图形8同层设置。

[0078] 需要说明的是，第二绝缘层图形8的材料一般为有机材料，因此在形成第二绝缘层图形8和增透图形4时，仅需利用掩膜版(Mask)对有机材料进行曝光、显影，即可完成构图。此外，可通过预先实验来对用于形成第二绝缘层图形8和增透图形4的材料层的膜厚(1/4光波波长的奇数倍)进行设置，以使得图案化后得到的增透图形4具有增透功能的同时，其色度不会过高。

[0079] 本发明实施例二提供了一种触控基板，该触控基板上的功能孔区域9的整体透光率相对较高且整体色度相对较低。

[0080] 实施例三

[0081] 图7为本发明实施例三提供的一种触控基板的制备方法的流程图，图8为采用图7所示制备方法制备的触控基板的中间结构示意图，如图7和图8所示，该制备方法用于制备上述实施例一中的触控基板，该制备方法包括：

[0082] 步骤S101、在衬底基板的上方形成遮光图形，遮光图形限定出触控区域和功能孔区域。

[0083] 在步骤S101中，首先在衬底基板1上沉积一层遮光材料膜层，然后对遮光层材料进行构图工艺，以得到遮光图形2，遮光图形2限定出触控区域10和功能孔区域9。图中仅示例性画出了一个触控区域10和一个功能孔区域9。

[0084] 步骤S102、在衬底基板的上方且对应触控区域内形成触控单元，以及在衬底基板的上方且对应功能孔区域的区域形成第一绝缘层。

[0085] 其中，触控单元包括触控电极3和信号走线6。步骤S102具体包括：

[0086] 步骤S1021、在衬底基板的上方形成透明导电材料膜层。

[0087] 可选地，透明导电材料膜层的材料为氧化铟锡。

[0088] 步骤S1022、对透明导电材料膜层进行一次构图工艺以形成触控电极。

[0089] 其中，触控电极3位于触控区域10内。

[0090] 步骤S1023、在触控电极和增透图形的上方形成第一绝缘层，第一绝缘层上对应触控电极的位置形成有过孔。

[0091] 在步骤S1023中，可先沉积一层第一绝缘材料膜层，然后对第一绝缘层5材料膜层进行构图工艺，以形成过孔，余下的第一绝缘材料即为第一绝缘层5。

[0092] 步骤S1024、在第一绝缘层上的上方形成信号走线。

[0093] 在步骤S1024中，首先在基板上沉积一层导电材料膜层(例如，金属材料膜层)，然后对导电材料膜层进行构图工艺，以形成信号走线6，信号走线6通过对应的过孔与对应的触控电极3电连接。

[0094] 步骤S103、在功能孔区域内预设位置形成增透图形。

[0095] 需要说明的是，步骤S103可与上述步骤S1022同步执行。即对透明导电材料膜层进行一次构图工艺以同时形成触控电极3和增透图形4，触控电极3位于触控区域10内，增透图形4位于功能孔区域9内的预设位置以覆盖功能孔区域9内部分区域。增透图形4用于提升该预设位置的透光率。

[0096] 由于增透图形4的制备步骤可融入现有的触控基板制程中，因而无需对现有的触控基板制程进行改变。

[0097] 步骤S104、在第一绝缘层的上方形成第一消影图形和第二消影图形。

[0098] 可选地，步骤S104包括：

[0099] 步骤S1041、在第一绝缘层的上方形成消影材料膜层。

[0100] 可选地，消影材料为氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。

[0101] 步骤S1042、在消影材料膜层材料的上方形成第二绝缘材料膜层。

[0102] 步骤S1043、对第二绝缘材料膜层进行一次构图工艺以形成第二绝缘层图形，第二绝缘层图形覆盖触控区域。

[0103] 通过步骤S1043可将位于功能孔区域9内的全部第二绝缘材料去除，剩余的第二绝缘材料构成第二绝缘层图形8。此时，位于功能孔区域9内的消影材料暴露出来。

[0104] 需要说明的是，上述步骤S101～步骤S103以及步骤S1041～步骤S1043均是在大尺寸衬底基板上进行的。在步骤S1043结束后，对整个大尺寸基板进行切割、裂片处理(未给出相应附图)，形成若干个小尺寸基板，并在各小尺寸基板上执行下述步骤S1044。

[0105] 步骤S1044、对消影材料膜层进行网印刻蚀以形成第一消影图形和第二消影图形，第一消影图形覆盖触控单元所对应的区域，第二消影图形覆盖功能孔区域内部分区域。

[0106] 在步骤S1044中，采用网印刻蚀工艺(网印刻蚀工艺不适用于大尺寸基板的刻蚀)对各小尺寸基板上的消影材料进行构图，以同时得到第一消影图形71与第二消影图形72。其中，第一消影图形71覆盖触控单元所对应的区域，第二消影图形72与增透图形4对应设置，以覆盖功能孔区域9内部分区域。

[0107] 需要说明的是，在对功能孔区域9中部分区域的消影材料膜层7进行网印刻蚀时，受到工艺的限制，被刻蚀区域中始终会残留一些消影材料。

[0108] 此外，上述先对第二绝缘材料膜层进行构图，再对大尺寸基板进行裂片，最后在小尺寸基板上采用网印刻蚀工艺对消影材料膜层7进行刻蚀的情况，为本实施例中的优选方案，其不会对本发明的技术方案产生限制。考虑到本发明的技术方案对第二消影图形72的位置精准度要求(第二消影图形72与增透图形4精准对位)较高，同时相较于曝光刻蚀，网印刻蚀具备更高精度，因此本发明中选用网印刻蚀工艺来对消影材料膜层7进行构图，以保证第二消影图形72与增透图形4精准对位。

[0109] 当然，本实施例中也可先大尺寸基板上采用曝光刻蚀工艺来对消影材料膜层7进行构图，以形成第一消影图形71与第二消影图形72，然后在第一消影图形71与第二消影图形72的上方形成一层第二绝缘材料膜层，并将位于功能孔区域9内的第二绝缘材料去除，最后再进行切割、裂片处理，此种情况未给出相应的附图。

[0110] 优选地，第二消影图形72包括：若干个彼此独立的第二消影子图形，全部第二消影子图形在功能孔区域9内均匀分布，从而可保证功能孔区域9内各位置的色度、透光率的均匀性。

[0111] 可选地，第二消影图形72的面积与功能孔区域9的面积的比为：80％～90％。

[0112] 本发明的技术方案通过在功能孔区域内部分区域设置消影图形和增透图形，以使得功能孔区域内设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较高的透光率和色度，而未设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较低的透光率和高色度，此时可使得功能孔区域的整体透光率相对较高，整体色度相对较低。

[0113] 实施例四

[0114] 图9为本发明实施例三提供的一种触控基板的制备方法的流程图，图10为采用图9所示制备方法制备的触控基板的中间结构示意图，如图9和图10所示，该制备方法用于制备上述实施例二中的触控基板，该制备方法包括：

[0115] 步骤S201、在衬底基板的上方形成遮光图形，遮光图形限定出触控区域和功能孔区域。

[0116] 步骤S202、在衬底基板1的上方且对应触控区域10内形成触控单元，以及在衬底基板1的上方且对应功能孔区域9的区域形成第一绝缘层5。

[0117] 其中，步骤S202包括：

[0118] 步骤S2021、在衬底基板的上方形成透明导电材料膜层。

[0119] 步骤S2022、对透明导电材料膜层进行一次构图工艺以形成触控电极。

[0120] 在步骤S2022中，位于功能孔区域9中的透明导电材料被全部刻蚀。

[0121] 步骤S2023、在触控电极和增透图形的上方形成第一绝缘层，第一绝缘层上对应触控电极的位置形成有过孔。

[0122] 步骤S2024、在第一绝缘层上的上方形成信号走线。

[0123] 通过上述步骤S201、步骤S2021～步骤S2024可在衬底基板1的上方形成遮光图形2、像素电极、第一绝缘层5、信号走线6，对于上述各步骤的具体描述，可参见实施例一中相应内容，此处不再赘述。

[0124] 步骤S203、在第一绝缘层的上方形成消影材料膜层。

[0125] 步骤S204、在消影材料膜层材料的上方形成第二绝缘材料膜层。

[0126] 步骤S205、对第二绝缘材料膜层进行一次构图工艺以形成第二绝缘层图形和增透图形。

[0127] 其中，第二绝缘层图形8覆盖触控区域10，增透图形4覆盖功能孔区域9内的预设位置，以覆盖功能孔区域9内部分区域。

[0128] 需要说明的是，上述步骤S201～步骤S205均是在大尺寸衬底基板1上进行的。在步骤S205结束后，对整个大尺寸基板进行切割、裂片处理(未给出相应附图)，形成若干个小尺寸基板，并在各小尺寸基板上执行下述步骤S206。

[0129] 步骤S206、对消影材料膜层进行网印刻蚀以形成第一消影图形和第二消影图形。

[0130] 其中，第一消影图形71覆盖触控单元所对应的区域，第二消影图形72与增透图形4对应，覆盖功能孔区域9内部分区域。

[0131] 本实施例中采用网印刻蚀工艺来形成第二消影图形72，可有效保证第二消影图形72与增透图形4精准对位。

[0132] 当然，本实施例中也可先在大尺寸基板上对消影材料膜层7进行曝光刻蚀工艺以形成第一消影图形71和第二消影图形72，然后在大尺寸基板上沉积一层第二绝缘材料膜层，并将位于功能孔区域9内且未设置第二消影图形72的区域的第二绝缘材料去除，位于第二消影图形72正上方的第二绝缘材料得到保留以构成增透图形4，最后再进行切割、裂片处理，此种情况未给出相应的附图。

[0133] 优选地，第二消影图形72包括：若干个彼此独立的第二消影子图形，全部第二消影子图形在功能孔区域9内均匀分布，从而可保证功能孔区域9内各位置的色度、透光率的均匀性。

[0134] 可选地，第二消影图形72的面积与功能孔区域9的面积的比为：80％～90％。

[0135] 本发明的技术方案通过在功能孔区域内部分区域设置消影图形和增透图形，以使得功能孔区域内设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较高的透光率和色度，而未设置有消影图形和增透图形的区域具有相对较低的透光率和高色度，此时可使得功能孔区域的整体透光率相对较高，整体色度相对较低。

[0136] 实施例五

[0137] 本发明实施例五提供了一种触摸屏，包括：触控基板，该触控基板为全贴合式(One Glass Solution，简称OGS)触控基板，该触控基板采用上述实施例一或实施例二中提供的触控基板，具体内容可参见上述实施例一和实施例二的内容，此处不再赘述。

[0138] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。