承载装置及反应腔室

摘要

本发明提供了一种承载装置及反应腔室。本发明提供的承载装置其包括托盘和盖板，托盘上设置有承载基片的凸台，盖板包括板体，板体上设置有与凸台一一对应且套置在凸台侧壁外侧的通孔，沿每个通孔周向上间隔设置的多个压爪，每个压爪用于叠压在基片的边缘区域，以将基片固定在凸台上；板体的上表面高于基片的上表面，每个通孔的内壁和对应的凸台的侧壁之间设置有预设间隙，且凸台的直径不小于基片的直径。本发明提供的承载装置及反应腔室，可以改善基片的刻蚀均匀性，可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，就可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以提高产量。

权利要求

1.一种承载装置，其包括托盘和盖板，所述托盘上设置有承载基片的凸台，所述盖板包括板体，所述板体上设置有与凸台对应且套置在所述凸台侧壁外侧的通孔，沿所述通孔周向上间隔设置的多个压爪，每个所述压爪用于叠压在所述基片的边缘区域，以将基片固定在所述凸台上；其特征在于，所述板体的上表面高于所述基片的上表面，所述通孔的内壁和对应的所述凸台的侧壁之间设置有预设间隙，且所述凸台的直径不小于所述基片的直径。

2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述板体的上表面与所述基片的上表面之间的高度差范围为1～3mm，所述预设间隙的水平尺寸范围为1～3mm，竖直尺寸范围为1～3mm。

3.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，每个所述压爪设置在对应的所述通孔的上端面或内壁上。

4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述板体、所述托盘和所述凸台为一体式结构；或者所述板体和所述压爪为一体式结构。

5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，每个所述通孔的上端面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

6.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，每个所述压爪用于叠压基片的一端的上表面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向对应的所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

7.一种承载装置，其包括托盘和盖板，所述托盘上设置有承载基片的凸台，所述盖板包括板体，所述板体上设置有与凸台对应且套置在所述凸台侧壁外侧的通孔，沿所述通孔周向上间隔设置的多个压爪，每个所述压爪用于叠压在所述基片的边缘区域，以将基片固定在所述凸台上，其特征在于，所述板体的上表面不高于所述基片的上表面，所述凸台的直径不小于所述基片的直径，每个所述通孔的内壁与对应所述凸台的侧壁之间无间隙，以避免所述凸台的侧壁暴露在等离子体环境中。

8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，每个所述压爪设置在对应的所述通孔的上端面或内壁上。

9.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述通孔包括由上至下串接的第一通孔和第二通孔，其中所述第一通孔的内壁与所述基片的侧壁之间无间隙；

所述第二通孔的内壁与所述凸台的侧壁之间无间隙。

10.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述板体、所述托盘和所述凸台为一体式结构；或者所述板体和所述压爪为一体式结构。

11.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，每个所述通孔的上端面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

12.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，每个所述压爪用于叠压基片的一端的上表面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向对应的所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

13.一种反应腔室，其内设置有承载装置，其特征在于，所述承载装置采用权利要求1-6任意一项所述的承载装置。

14.一种反应腔室，其内设置有承载装置，其特征在于，所述承载装置采用权利要求7-

12任意一项所述的承载装置。

说明书

承载装置及反应腔室

技术领域

[0001] 本发明属于半导体设备制造领域，具体涉及一种承载装置及反应腔室。

背景技术

[0002] 图形化衬底(Patterned Sapphire Substrate，以下简称PSS)技术是目前较为主流的提高LED器件出光效率的方法，是指在蓝宝石衬底上生长GaN外延层之前，先通过光刻、刻蚀在蓝宝石衬底上制作一层设计图形的矩阵，而后再在所制作的具有图形的衬底上生长GaN外延层。

[0003] 目前，通常采用ICP刻蚀设备进行上述刻蚀过程，ICP刻蚀设备包括承载装置，用于承载基片。请一并参阅图1a和图1b，承载装置包括托盘10和盖板11，托盘10和盖板11均通常采用铝(Al)材料制成。其中，托盘10上设置有多个用于承载基片S的凸台101，以提高单次工艺的产率；盖板11包括板体111，板体111上设置有与凸台101对应的通孔，并且，在每个通孔的侧壁上且沿其周向间隔设置有多个压爪112，每个压爪112用于叠压在基片S的边缘区域，且板体111和压爪112的上表面高于基片S的上表面；另外，采用螺钉固定托盘10和盖板11，从而实现将基片S固定在二者之间。

[0004] 通常刻蚀过程包括主刻蚀步骤(ME)和过刻蚀步骤(OE)，其中，主刻蚀步骤用于主要形成刻蚀图形；过刻蚀步骤用于实现修饰主刻蚀步骤形成的图形。采用现有的承载装置进行刻蚀工艺(例如，主刻蚀步骤和过刻蚀步骤)在实际应用中发现会存在以下问题：

[0005] 其一，造成基片的刻蚀均匀性差，例如，采用上述承载装置进行主刻蚀步骤，主刻蚀步骤完成之后，请参阅图2a～图2e，图2a～图2e分别为主刻蚀步骤完成之后基片的靠近其边缘1mm、2mm、3mm、4mm和5mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图，图2a～图2e中左侧为靠近基片的边缘的一侧，右侧为靠近基片的中心的一侧，从图中可以直接看出：基片的距离其边缘5mm的环形边缘区域内的每个子图形(即，图中类似三角形的图形)两边侧壁上出现的拐角的高度不对称(即，不相等)，而且，越靠近基片的边缘位置处的图形的两个拐角的对称性越差。

[0006] 其二，由于刻蚀均匀性差，使得主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度较高，因此，需要延长后续过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，这样，还会造成整个工艺时间较长，产量低。

发明内容

[0007] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及反应腔室，可以改善基片的刻蚀均匀性，因而可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，就可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间，从而可以提高产量。

[0008] 为解决上述问题之一，本发明提供了一种承载装置，其包括托盘和盖板，所述托盘上设置有承载基片的凸台，所述盖板包括板体，所述板体上设置有与凸台对应且套置在所述凸台侧壁外侧的通孔，沿所述通孔周向上间隔设置的多个压爪，每个所述压爪用于叠压在所述基片的边缘区域，以将基片固定在所述凸台上；所述板体的上表面高于所述基片的上表面，所述通孔的内壁和对应的所述凸台的侧壁之间设置有预设间隙，且所述凸台的直径不小于所述基片的直径。

[0009] 优选地，所述板体的上表面与所述基片的上表面之间的高度差范围为1～3mm，所述预设间隙的水平尺寸范围为1～3mm，竖直尺寸范围为1～3mm。

[0010] 优选地，每个所述压爪设置在对应的所述通孔的上端面或内壁上。

[0011] 优选地，所述板体、所述托盘和所述凸台为一体式结构；或者，所述板体和所述压爪为一体式结构。

[0012] 优选地，每个所述通孔的上端面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

[0013] 优选地，每个所述压爪用于叠压基片的一端的上表面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向对应的所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

[0014] 本发明还提供另一种承载装置，其包括托盘和盖板，所述托盘上设置有承载基片的凸台，所述盖板包括板体，所述板体上设置有与凸台对应且套置在所述凸台侧壁外侧的通孔，沿所述通孔周向上间隔设置的多个压爪，每个所述压爪用于叠压在所述基片的边缘区域，以将基片固定在所述凸台上，所述板体的上表面不高于所述基片的上表面，所述凸台的直径不小于所述基片的直径，每个所述通孔的内壁与对应所述凸台的侧壁之间无间隙，以避免所述凸台的侧壁暴露在等离子体环境中。

[0015] 优选地，每个所述压爪设置在对应的所述通孔的上端面或内壁上。

[0016] 优选地，所述通孔包括由上至下串接的第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔的内壁与所述基片的侧壁之间无间隙；所述第二通孔的内壁与所述凸台的侧壁之间无间隙。

[0017] 优选地，所述板体、所述托盘和所述凸台为一体式结构；或者，所述板体和所述压爪为一体式结构。

[0018] 优选地，每个所述通孔的上端面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

[0019] 优选地，每个所述压爪用于叠压基片的一端的上表面的边缘位置形成有斜面，所述斜面朝向对应的所述通孔中心的方向逐渐向下倾斜。

[0020] 本发明还提供一种反应腔室，其内设置有承载装置，所述承载装置采用上述任一提供的承载装置。

[0021] 本发明具有以下有益效果：

[0022] 本发明提供的承载装置，在板体的上表面高于基片的上表面的情况下，借助每个通孔的内壁和对应的凸台的侧壁之间设置有预设间隙，且凸台的直径不小于基片的直径，这样，等离子体可以扩散至该预设间隙内，也就是说，凸台的未被压爪遮挡的侧壁会暴露在等离子体环境中，其能够在基片的未被压爪叠压的边缘区域产生朝向基片边缘偏转的电场，该电场与板体的非压爪部分在基片的未被压爪叠压的边缘区域产生的朝向基片中心偏转的电场矢量叠加，叠加后的电场的方向趋于竖直方向。由此可知，本发明提供的承载装置，可以补偿在基片的未被压爪叠压的边缘区域产生的朝向基片中心偏转的电场，因而可以改善基片的未被压爪叠压的边缘区域的电场的方向趋于竖直方向(即，理想方向)，而由于压爪的数量少且每个压爪在周向上所占比例较小，因此，基片的被压爪叠压的边缘区域可以忽略不计或者说不考虑，因而可以改善基片的刻蚀均匀性，从而可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，就可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以提高产量。

[0023] 本发明提供的另一种承载装置，借助板体的上表面不高于基片的上表面，这样，可以减弱板体的非压爪部分在基片的未被压爪叠压的边缘区域产生的朝向基片中心偏转的电场，并且，凸台的直径不小于基片的直径，每个通孔的内壁与对应凸台的侧壁之间无间隙，可以避免凸台的侧壁暴露在等离子体环境中而产生朝向基片边缘偏转的电场。由上可知，本发明提供的另一种承载装置，可以减弱基片的未被压爪叠压的边缘区域产生的朝向基片中心偏转的电场，因而可以改善基片的未被压爪叠压的边缘区域的电场方向趋于竖直方向(即，理想方向)，而由于压爪的数量少且每个压爪在周向上所占比例较小，因此，基片的被压爪叠压的边缘区域可以忽略不计或者说不考虑，因而可以改善基片的刻蚀均匀性，从而可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，就可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以提高产量。

[0024] 本发明提供的反应腔室，其采用本发明上述提供的两种承载装置中任意一个，可以改善基片的刻蚀均匀性，因而可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，就可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以提高产量。

附图说明

[0025] 图1a为现有的承载装置沿一个方向的剖视图；

[0026] 图1b为现有的承载装置另一个方向的剖视图；

[0027] 图2a为采用现有的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的靠近其边缘1mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0028] 图2b为采用现有的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的靠近其边缘2mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0029] 图2c为采用现有的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的靠近其边缘3mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0030] 图2d为采用现有的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的靠近其边缘4mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0031] 图2e为采用现有的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的靠近其边缘5mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0032] 图3a为本发明第一实施例提供的承载装置沿一个方向上的剖视图和电场示意图；

[0033] 图3b为本发明第一实施例提供的承载装置沿另一个方向上的剖视图和电场示意图；

[0034] 图4a为图1a所示的承载装置的电场示意图；

[0035] 图4b为图1b所示的承载装置的电场示意图；

[0036] 图5a为采用本发明第一实施例提供的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的靠近其边缘1mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0037] 图5b为采用本发明第一实施例提供的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的未被压爪叠压的边缘区域内的靠近其边缘2mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0038] 图5c为采用本发明第一实施例提供的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的未被压爪叠压的边缘区域内的靠近其边缘3mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0039] 图5d为采用本发明第一实施例提供的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的未被压爪叠压的边缘区域内的靠近其边缘4mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0040] 图5e为采用本发明第一实施例提供的承载装置在主刻蚀步骤完成之后基片的未被压爪叠压的边缘区域内的靠近其边缘5mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图；

[0041] 图6a为本发明第二实施例提供的承载装置沿一个方向上的剖视图；

[0042] 图6b为本发明第二实施例提供的承载装置沿另一个方向上的一种剖视图；

[0043] 图6c为本发明第二实施例提供的承载装置沿另一个方向上的另一种剖视图。

具体实施方式

[0044] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的承载装置及反应腔室进行详细描述。

[0045] 图3a为本发明第一实施例提供的承载装置沿一个方向上的剖视图和电场示意图；图3b为本发明第一实施例提供的承载装置沿另一个方向上的剖视图和电场示意图。请一并参阅图3a和图3b，本发明第一实施例提供的承载装置，包括托盘10和盖板，托盘10上设置有承载基片S的凸台101，盖板11包括板体111，板体111上设置有与凸台101对应且套置在凸台
101侧壁外侧的通孔，且沿通孔周向上间隔设置的多个压爪112，每个压爪112用于叠压在基片S的边缘区域，以将基片S固定在所述凸台101上。

[0046] 并且，板体111的上表面高于基片S的上表面，通孔的内壁和对应的凸台101的侧壁之间设置有预设间隙，且凸台101的直径不小于基片S的直径。

[0047] 下面详细描述本发明第一实施例提供的承载装置是如何提高刻蚀均匀性的。具体地，首先，对现有技术中刻蚀均匀差的原因进行分析发现：由于板体111和压爪112均采用诸如铝等的良导体材料制成，因此，其在等离子体环境中会产生自偏压，并且，由于板体111和压爪112的上表面高于基片S的上表面，且每个压爪112的用于叠压基片S的一端的上表面的边缘位置形成有斜面1121，斜面1121朝向对应的通孔中心的方向逐渐向下倾斜，这使得压爪112产生的自偏压在对应的基片S的边缘区域(即，被压爪112叠压的边缘区域)产生朝向基片S中心偏转的电场b1，如图4a所示；由于板体111的上表面高于基片S的上表面，且通孔的上部分的内壁暴露在等离子体环境中，以及通孔的上端面的边缘位置形成有斜面113，斜面113朝向通孔中心的方向逐渐向下倾斜，这使得板体111的非压爪112部分产生的自偏压在对应的基片S的边缘区域(即，未被压爪112叠压的边缘区域)产生朝向基片S中心偏转的电场b2，如图4b所示。

[0048] 为此，本发明第一实施例提供的承载装置，在板体111的上表面高于基片S的上表面的情况下，借助每个通孔的内壁和对应的凸台101的侧壁之间设置有预设间隙，且凸台101的直径不小于基片S的直径，这样，等离子体可以扩散至该预设间隙内，也就是说，未被压爪112遮挡的部分凸台101的侧壁暴露在等离子体环境中，其能够在基片S的未被压爪112叠压的边缘区域产生朝向基片S边缘偏转的电场a，如图3b所示，该电场a与板体111的非压爪112部分在基片S的未被压爪112叠压的边缘区域产生的朝向基片S中心偏转的电场b2矢量叠加，叠加后的电场c的方向趋于竖直方向，如图3b所示。而由于凸台101的被压爪112遮挡的部分不会暴露在等离子体环境中，因此，在基片S的被压爪112叠压的边缘区域不能产生上述电场a，其电场仅为电场b1，如图3a所示。

[0049] 由此可知，本发明提供的第一实施例所述的承载装置，可以补偿在基片S的未被压爪112叠压的边缘区域产生的朝向基片S中心偏转的电场b2，因而可以使得基片S的未被压爪112叠压的边缘区域的电场c的方向趋于竖直方向(即，理想方向)，由于压爪112的数量少且每个压爪112在周向上所占比例较小，因此，基片S的被压爪112叠压的边缘区域可以忽略不计或者说不考虑，因而可以改善基片S的刻蚀均匀性，从而可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，就不需要增加过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以提高产量。

[0050] 在此说明的是，尽管在凸台101的侧壁暴露在等离子体环境中的同时通孔的下部分的内壁也就暴露在等离子体环境中，但是，由于通孔的下部分的内壁相对凸台侧壁距离基片较远，其在基片处产生的磁场很小，可以考虑不计。

[0051] 在本实施例中，每个压爪112设置在对应的通孔的内壁上，如图3a所示，并且，每个压爪112的上表面与通孔的上端面平齐，且压爪112的厚度小于板体111的厚度。当然，本发明并不局限于此，在实际应用中，压爪112的尺寸和结构可以根据实际情况具体设置，只要能够实现叠压基片S的边缘区域即可，例如，每个压爪112还可以设置在对应的通孔的上端面上。

[0052] 优选地，板体111的上表面与基片S的上表面之间的高度差H1范围为1～3mm，预设间隙的水平尺寸L1范围为1～3mm，竖直尺寸H2范围为1～3mm，这样，可以实现上述电场a和电场b2矢量叠加后的电场c的方向更接近竖直方向，从而更有效地提高刻蚀均匀性。

[0053] 进一步优选地，板体111的上表面与基片S的上表面的高度差H1为1mm，预设间距的水平尺寸L1为2mm，竖直尺寸H2为1.8mm。

[0054] 下面通过实验验证本发明第一实施例提供的承载装置。请一并参阅图5a～图5e，图5a～图5e分别为主刻蚀步骤完成之后基片S的未被压爪112叠压的边缘区域内的靠近其边缘1mm、2mm、3mm、4mm和5mm位置处的刻蚀图形的电镜扫描图，图5a～图5e中左侧为靠近基片S的边缘的一侧，右侧为靠近基片S的中心的一侧，从图中可以直接看出：在1mm位置处，子图形的拐角高度差为291nm，而在2mm、3mm、4mm和5mm位置处，子图形的拐角高度差保持在100nm以内，这与现有技术的相比，明显地减小了拐角的高度差，从而明显地改善了刻蚀均匀性。另外，从图5a～图5e中可以看出：拐角最高高度为972nm，这相对现有的拐角的最高高度为985nm，降低了主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度。

[0055] 另外，在本实施例中，板体111和压爪112为一体式结构，即盖板11为整体式结构，在这种情况下，在装载基片S时先保证托盘10和盖板11分离，再装载基片S，而后固定该托盘10和盖板11；卸载基片S的过程与装载基片S过程相反，在此不再详述。

[0056] 当然，在实际应用中，还可以板体111、托盘10和凸台101为一体式结构，在这种情况下，在装载基片S时先保证压爪112与其分离，再装载基片S，而后再安装压爪112；卸载基片S的过程与装载基片S过程相反，在此不再详述。

[0057] 另外，本发明第一实施例提供的承载装置还包括设置在托盘10内的背吹管道，背吹管道的出气端位于凸台101的上表面上，进气端与背吹气源相连通，背吹气源用于提供背吹气体，这样，可以实现向基片S的背面输送背吹气体，借助背吹气体可以实现基片S和托盘10之间的热交换。

[0058] 优选地，在凸台101上还包括对应基片S边缘区域设置的环形凹部12，环形凹部12环绕基片S的周向设置，在环形凹部12内设置有密封件13(例如，密封圈)，以实现基片S的下表面和凸台101的上表面之间形成密封的间隙，以避免背吹气体泄露而影响工艺。

[0059] 值的在此说明的是，为实现改变上述预设间隙的水平宽度L1，不仅可以采用缩小凸台的外径的方式；而且还可以采用缩小板体111上通孔的内径的方式，该通孔贯穿整个板体111的厚度。

[0060] 图6a为本发明第二实施例提供的承载装置沿一个方向上的剖视图；图6b为本发明第二实施例提供的承载装置沿另一个方向上的一种剖视图。请一并参阅图6a和图6b，本发明第二实施例提供的承载装置与上述第一实施例提供的承载装置相类似，同样包括盖板11、托盘10、板体111、压爪112、凸台101、背吹管路、环形凹部12和密封件13，由于其结构位置关系和功能在上述第一实施例中已有了详细地描述，在此不再赘述。

[0061] 下面仅描述本实施例和上述第一实施例的不同点。具体地，在本实施例中，板体111的上表面不高于基片S的上表面，凸台101的直径不小于基片S的直径，每个通孔的内壁与对应凸台101的侧壁之间无间隙，如图6b所示，以避免凸台101的侧壁暴露于等离子体环境中，这样，可以避免凸台101的侧壁暴露在等离子体环境中而产生朝向基片S边缘偏转的上述第一实施例中的电场a。

[0062] 基于上述第一实施例中所示的现有技术中存在刻蚀均匀性差的原因，在本实施例中，借助板体111的上表面不高于与基片S的上表面，这样，可以减弱板体111的非压爪112部分在基片S的未被压爪112叠压的边缘区域产生的朝向基片S中心偏转的电场b2。

[0063] 另外，由于需要压爪112来叠压基片S，压爪112肯定需要高于基片S的上表面，如图6a所示，压爪112设置在通孔的上端面上，因此，基片S的被压爪112叠压的边缘区域的电场仍为电场b1，如图6a所示。

[0064] 由上可知，本发明第二实施例提供的承载装置，可以减弱基片S的未被压爪112叠压的边缘区域产生的朝向基片S中心偏转的电场b2，因而可以使得基片S的未被压爪112叠压的边缘区域的电场方向趋于竖直方向(即，理想方向)，而由于压爪112的数量少且每个压爪112在周向上所占比例较小，因此，基片S的被压爪112叠压的边缘区域可以忽略不计或者说不考虑，因而可以改善基片S的刻蚀均匀性，从而可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，就可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以提高产量。

[0065] 如图6c所示，优选地，在本实施例中，通孔包括由上至下串接的第一通孔和第二通孔，第一通孔的孔径与基片S的直径相等，第一通孔套置在基片S的侧壁外侧；第二通孔套置在凸台101的侧壁外侧。在这种情况下，对比图6b和图6c，可以看出：采用图6c所示的承载装置，还可以避免第一通孔的内壁暴露在等离子体环境中，也就可以进一步减弱基片S的未被压爪112叠压的边缘区域产生的朝向基片S中心偏转的电场b2，从而可以进一步使得基片S的边缘区域的电场方向趋于竖直方向(即，理想方向)，因而可以进一步改善基片S的刻蚀均匀性，从而可以进一步降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，更可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以进一步提高产量。

[0066] 可以理解，若凸台101的直径等于基片S的直径，则每个通孔的孔径也与基片S的直径相配合，同样可以避免通孔的内壁暴露在等离子体环境中，因而可以进一步改善基片S的刻蚀均匀性。

[0067] 作为另外一个技术方案，本发明还提供一种反应腔室，其内设置有承载装置，承载装置采用本发明上述第一实施例和第二实施例任一提供的承载装置。

[0068] 本发明实施例提供的反应腔室，其采用本发明上述第一实施例和第二实施例提供的两种承载装置中的任意一个，可以改善基片S的刻蚀均匀性，因而可以降低主刻蚀步骤完成之后产生的拐角的最高高度，这样，可以缩短过刻蚀步骤的工艺时间来消除该拐角，从而可以提高产量。

[0069] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。