一种可编程熔丝结构

摘要

本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：衬底；在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度。

权利要求

1.一种可编程熔丝结构，包括：

衬底；

在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；

位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；

其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度；所述浅沟槽隔离结构中还包括另一可编程熔丝结构。

2.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述可编程熔丝结构为多晶硅熔丝结构。

3.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述两第一电极的宽度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度。

4.根据权利要求3所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度相同。

5.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所浅沟槽隔离结构的隔离材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述另一可编程熔丝包括两第二电极、分别连接两第二电极的两个第二垂直部分以及连接两个第二垂直部分的第二水平部分；其中，两第二电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的另一两端，两个第二垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第二深度。

7.根据权利要求6所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。

说明书

一种可编程熔丝结构

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体器件，尤指涉及一种可编程熔丝结构。

背景技术

[0002] 常规的多晶硅熔丝的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的熔丝结构.。该方法形成的熔丝结构，首先，不利于控制熔断的具体位置，可能会导致在衬底上的熔断，由于过热会影响衬底上其他器件的正常工作；其次，熔丝占用的衬底表面积较大，不利于高密度化的器件集成，且多个平行的熔丝间的电容电感较大，容易互相串扰。

发明内容

[0003] 基于解决上述问题，本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：

[0004] 衬底；

[0005] 在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；

[0006] 位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；

[0007] 其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度。

[0008] 根据本发明的实施例，所述可编程熔丝结构为多晶硅熔丝结构。

[0009] 根据本发明的实施例，所述两电极的宽度大于所述垂直部分和所述水平部分的宽度。

[0010] 根据本发明的实施例，所述垂直部分和所述水平部分的宽度相同。

[0011] 根据本发明的实施例，所浅沟槽隔离结构的隔离材料为氧化硅。

[0012] 根据本发明的实施例，还包括在所述浅沟槽隔离结构中的另一可编程熔丝结构。

[0013] 根据本发明的实施例，所述另一可编程熔丝包括两第二电极、分别连接两第二电极的两个第二垂直部分以及连接两个第二垂直部分的第二水平部分；其中，两第二电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的另一两端，两个第二垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第二深度。

[0014] 根据本发明的实施例，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。

[0015] 本发明的技术方案，利用浅沟槽隔离结构中设置熔丝结构，节省衬底表面的占用面积，且利用浅沟槽隔离结构的隔离结构进行多个熔丝结构的互相隔离，简单易行；此外，多个熔丝结构在投影上具有一定的夹角，不会平行，干扰较小，并且，利用垂直部分的多晶硅的厚度较薄，电阻较大的特性，控制在此进行电熔断，实现精确控制熔断位置，避免对衬底的高温影响。

附图说明

[0016] 图1为本发明可编程熔丝结构的剖面图；

[0017] 图2为本发明可编程熔丝结构的俯视图。

具体实施方式

[0018] 参见图1和2，本发明提供了一种可编程熔丝结构，包括：衬底1，一般而言，该衬底1为硅衬底，当然也可能是其他半导体衬底；在所述衬底1上表面的浅沟槽隔离结构2，所述浅沟槽隔离结构2具有氧化物隔离材料，且所述浅沟槽隔离结构2的顶面高于所述衬底1的上表面；位于浅沟槽隔离结构2中的一可编程熔丝，所述熔丝结构为多晶硅熔丝结构；所述可编程熔丝包括两第一电极3a和4a、分别连接两第一电极3a和4a的两个第一垂直部分6a和7a以及连接两个第一垂直部分6a和7a的第一水平部分5a；其中，两第一电极3a和4a位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的两端，两个第一垂直部分6a和7a沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分5a被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第一深度。

[0019] 还包括另一熔丝结构，所述述另一可编程熔丝包括两第二电极3b和4b、分别连接两第二电极3b和4b的两个第二垂直部分6b和7b以及连接两个第二垂直部分6b和7b的第二水平部分5b；其中，两第二电极3b和4b位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的另一两端，两个第二垂直部分6b和7b沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分5b被浅沟槽隔离结构2的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第二深度。其中，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角，优选为90度。所述两第一和第二电极的宽度大于所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度。所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度相同。

[0020] 根据本发明的实施例，根据本发明的实施例，还包括在浅沟槽隔离结构中的多个其他熔丝结构，所述多个其他熔丝结构与所述熔丝结构相同，与之不同的是，水平部分的深度不同，具有不同在沟槽隔离结构中的深度。

[0021] 最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。