晶元级封装的LED器件及其分割单元和制作方法

摘要

本发明涉及半导体照明领域，特别是涉及一种晶元级封装的LED器件及其分割单元和制作方法。所述晶元级封装的LED器件，包括含有LED芯片的LED芯片晶元和荧光粉透明基板，所述荧光粉透明基板包括透明基板和透明基板上的荧光粉胶体，所述荧光粉胶体表面与所述LED芯片的出光面结合。所述晶元级封装的LED器件分割而成荧光粉单元的LED器件。所述晶元级封装的LED器件可采用晶元级封装结合LED芯片晶元倒转结构制作。获得的LED器件提高了发光效率、出光的均匀性和可靠性，减少了蓝光侧漏，且制作方法高效快速，降低了生产成本。

权利要求

1.一种晶元级封装的LED器件，其特征在于，包括：

含有LED芯片(3)的LED芯片晶元(2)，和

荧光粉透明基板(1)，所述荧光粉透明基板(1)包括透明基板(101)和透明基板上的荧光粉胶体(102)，其中所述透明基板(101)具有周期性的凹槽(103)，所述荧光粉胶体(102)设于透明基板(101)周期性的凹槽(103)中，其中，所述荧光粉胶体(102)表面与所述LED芯片(3)的出光面(301)结合。

2.根据权利要求1所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述出光面(301)为已剥离生长衬底的倒装LED芯片的出光面。

3.根据权利要求1所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述透明基板的凹槽(103)的宽度和长度分别与凹槽(103)中的荧光粉胶体(102)的宽度和长度匹配，所述凹槽(103)中的荧光粉胶体(102)的宽度和长度分别大于结合到荧光粉胶体(102)上的LED芯片(3)的宽度和长度。

4.根据权利要求3所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述凹槽(103)中的荧光粉胶体(102)的宽度和长度分别比结合到荧光粉胶体(102)上的LED芯片(3)的宽度和长度大1-10微米。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述透明基板的凹槽(103)深度与荧光粉胶体(102)的厚度匹配，所述荧光粉胶体(102)的厚度与LED器件的最终色坐标即LED芯片(3)需要的荧光粉的量匹配。

6.根据权利要求5所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述透明基板的凹槽(103)深度为10-100微米。

7.根据权利要求1-4之一所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述荧光粉胶体(102)为荧光粉和有机溶剂的混合物转化而成的透明固体。

8.根据权利要求7所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述有机溶剂为硅胶材料。

9.根据权利要求1-4之一所述的晶元级封装的LED器件，其特征在于，所述LED芯片(3)的出光面(301)经过粗化处理；所述LED芯片(3)的侧壁设有侧壁反射镜(307)。

10.权利要求1-9之一所述的晶元级封装的LED器件分割而成的荧光粉单元的LED器件(4)。

11.制作权利要求1-9之一所述晶元级封装的LED器件的方法，包括提供荧光粉透明基板(1)和LED芯片晶元(2)，并使LED芯片晶元(2)的出光面与荧光粉透明基板(1)上的荧光粉胶体(102)结合的步骤。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供荧光粉透明基板(1)；

2)提供带生长衬底的LED芯片晶元(2)；

3)将所述LED芯片晶元(2)临时结合在一个转移衬底上；

4)将所述LED芯片晶元(2)的生长衬底剥离，暴露出LED芯片晶元(2)的出光面，即LED芯片(3)的出光面(301)；

5)将所述LED芯片的出光面(301)与荧光粉透明基板(1)上的荧光粉胶体(102)对应，进行永久结合和固化；

6)移除LED芯片晶元(2)临时结合的转移衬底，形成具有荧光粉单元透明基板结构的晶元级封装的LED器件。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将步骤6)的晶元级封装的LED器件进行分割，形成荧光粉单元的LED器件(4)。

说明书

晶元级封装的LED器件及其分割单元和制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体照明领域，特别是涉及一种晶元级封装的LED器件及其分割单元和制作方法。

背景技术

[0002] 近几年，LED(发光二极管)产品照明得到快速的发展。LED与传统光源相比具有寿命长、体积小、节能、高效、响应速度快、抗震、无污染等优点，被认为是可以进入普通照明领域的“绿色照明光源”。

[0003] 作为LED产业链中承上启下的LED产品封装，在整个产业链中起着关键的作用。对于封装而言，其关键技术归根结底在于如何在有限的成本范围内尽可能多的提取芯片发出的光，同时降低封装热阻，提高可靠性。在封装过程中，封装材料和封装方式占主要影响因素。随着LED产品高光效化、功率化、高可靠性和低成本的不断发展，对封装的要求也越来越高，一方面LED产品封装在兼顾发光角度、光色均匀性等方面时必须满足具有足够高的取光效率和光通量；另一方面，封装必须满足芯片的散热要求。因此，芯片、荧光粉、基板、热界面材料等封装材料以及相应的封装方式亟待发展创新，以提高LED产品的散热能力和出光效率。

[0004] 在LED产品芯片技术的快速发展下，LED产品产品的封装形式也从单芯片封装方式发展到多芯片封装方式。它的封装结构也从Lamp封装到SMD封装再到CoB封装和RP封装技术。

[0005] 引脚式封装(Lamp)采用引线架作各种封装外型的引脚，是最先研发成功投放市场的LED产品封装结构，品种数量繁多，技术成熟度较高。表面贴装封装(SMD)因减小了产品所占空间面积、降低重量、允许通过的工作电流大，尤其适合自动化贴装生产，成为比较先进的一种工艺，从Lamp封装转SMD封装符合整个电子行业发展大趋势。但是在它们在应用中存在散热、发光均匀性和发光效率下降等问题。

[0006] CoB(ChiponBoard)封装结构是在多芯片封装技术的基础上发展而来，CoB封装是将裸露的芯片直接贴装在电路板上，通过键合引线与电路板键合，然后进行芯片的钝化和保护。CoB的优点在于：光线柔和、线路设计简单、高成本效益、节省系统空间等，但存在着芯片整合亮度、色温调和与系统整合的技术问题。

[0007] 远程荧光封装技术(RP)是将多颗蓝光LED产品与荧光粉分开放置，LED产品发出的蓝光在经过反射器、散射器等混光后均匀的入射到荧光粉层上，最终发出均匀白光的一种LED产品光源形式。与其他封装结构相比，RP封装技术性能更为特出：首先，是荧光粉体远离LED产品芯片，荧光粉不易受PN结发热的影响，特别是一些硅酸盐类的荧光粉，易受高温高湿的影响，在远离热源后可减少荧光粉热猝灭几率，延长光源的寿命。其次，荧光粉远离芯片设计的结构有利于光的取出，提高光源发光效率。再者，此结构发出的光色空间分布均匀，颜色一致性高。近年来，紫外激发的远程封装技术引起人们的高度关注，相比传统紫外光源，拥有独一无二的优势，包括功耗低、发光响应快、可靠性高、辐射效率高、寿命长、对环境无污染、结构紧凑等诸多优点，成为世界各大公司和研究机构新的研究热点之一。

[0008] 近年来国内外众多科研机构和企业对LED产品封装技术持续开展研究，优良的封装材料和高效的封装工艺陆续被提出，高可靠性的LED产品照明新产品相继出现。

发明内容

[0009] 鉴于技术的革新，本发明提供一种晶元级封装的LED器件及其分割单元和制作方法。

[0010] 首先，本发明提供一种晶元级封装的LED器件，包括：

[0011] 含有LED芯片的LED芯片晶元，和

[0012] 荧光粉透明基板，所述荧光粉透明基板包括透明基板和透明基板上的荧光粉胶体，

[0013] 其中，所述荧光粉胶体表面与所述LED芯片的出光面结合。

[0014] 本发明还提供所述的晶元级封装的LED器件分割而成的荧光粉单元的LED器件。

[0015] 本发明另外还提供制作所述晶元级封装的LED器件的方法，包括提供荧光粉透明基板和LED芯片晶元，并使LED芯片晶元的出光面与荧光粉透明基板上的荧光粉胶体结合的步骤。

[0016] 本发明晶元级封装的LED器件，具有以下有益效果：减少了生长衬底对光的吸收，减少了封装后发光二极管的蓝光侧漏，大大提高了荧光粉的激发效率，提高了光在芯片的出光效率、均匀性和可靠性，改善了散热性和器件机械强度，从而提高了器件的整体性能。本发明晶元级封装的LED器件适合采用晶元级封装技术，工序简单高效，在获得前述优异性能LED器件的同时，还降低了封装成本。

附图说明

[0017] 图1为本发明一种透明基板的结构示意图；

[0018] 图2为本发明另一种透明基板的结构示意图；

[0019] 图3为图2填充荧光粉胶体后的荧光粉透明基板的结构示意图；

[0020] 图4为图3出光面设置微结构后的荧光粉透明基板的结构示意图；

[0021] 图5为本发明晶元级封装的LED器件的结构示意图；

[0022] 图6为本发明一种LED芯片放大的结构示意图；

[0023] 图7为本发明荧光粉单元的LED器件的结构示意图；

[0024] 图8为一种薄膜倒装结构的LED芯片晶元的结构示意图。

[0025] 元件标号说明:

[0026] 1    荧光粉透明基板

[0027] 101  透明基板

[0028] 102  荧光粉胶体

[0029] 103  凹槽

[0030] 104  微结构

[0031] 2    LED芯片晶元

[0032] 3    LED芯片

[0033] 301  出光面

[0034] 302  N型半导体导电层

[0035] 303  量子阱发光层

[0036] 304  P型半导体导电层

[0037] 305  P型欧姆接触层反射镜结构

[0038] 306  绝缘层

[0039] 307  侧壁反射镜

[0040] 308  N型欧姆接触层及金属焊盘

[0041] 309  P型金属焊盘

[0042] 4    荧光粉单元的LED器件

具体实施方式

[0043] 以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明可以在没有背离如权利要求所限定的本发明的精神范围内作各种修饰或改变。

[0044] 以下说明结合图1-8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明与本发明中有关的组件示意，而非对实际实施时的组件数目、形状、尺寸、制造方法及工艺窗口做出限定，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。在实施例中所涉及的工艺条件在有效窗口内可以进行合理改变且达到本发明所揭示的效果。

[0045] 在本发明中，晶元级封装的LED器件，包括含有LED芯片3的LED芯片晶元2和荧光粉透明基板1，所述荧光粉透明基板1包括透明基板101和透明基板上的荧光粉胶体102，其中，所述荧光粉胶体102表面与所述LED芯片3的出光面301结合。

[0046] 术语“结合”意在说明部件之间的连接，只要能实现发明的目的，则认为这样的连接即属于“结合”的范畴；换言之，只要这样的连接能够实现该连接旨在达到的功能和效果，则属于“结合”的范围，为此，不再作进一步的细分，例如不再考察该连接是否为物理或化学方式的结合。

[0047] 尽管如此，在上述成品结构中，优选为化学方式的永久结合，例如采用热固化粘合剂或光固化粘合剂，具体如由聚烯烃、聚乙酸乙烯及乙酸乙烯共聚物、聚丙烯酸酯类或聚氯乙烯和过氯乙烯树脂等热塑性树脂为粘料组成的粘合剂；进一步，所述粘合剂也可作为荧光粉胶体102中的胶体物质(即具有粘合剂性能的物质)而存在，即通过荧光粉胶体102与出光面的固化来实现结合。而在临时制作转移衬底时优选为物理方式的或弱键的临时结合，例如采用粘合剂，例如蜂蜡(可通过略微加热并以溶剂清洗的方式移除)或其他可被溶剂溶解的粘合剂。

[0048] 术语“晶元级”或“晶元级封装”是指直接采用未分割的晶元实施封装。

[0049] 术语“含有LED芯片的LED芯片晶元”是指按照常规方法以及下文具体列举的方法获得的其中包括一个以上LED芯片(优选两个以上LED芯片)的LED芯片晶元。所述LED芯片根据其制作工艺不同，包括其出光面已暴露和未暴露的情形，对于未暴露的情形，可例如通过剥离生长衬底的方式而暴露出光面，所述出光面再结合到荧光粉胶体上。

[0050] 在本发明中，可以采用任何可用于LED的外延制作LED芯片晶元，例如GaN、InP、GaAs、Ge、BN外延等，这样的外延可以购得，也可以自行制备，例如采用于生长基底上直接生长外延的方法，或者采用VGF(垂直梯度凝固)法制备(在采用此方法时，出光面为经过精抛光的面)。

[0051] 在一个具体的实施方案中，所述透明基板101具有平整的表面和/或周期性的凹槽103，所述荧光粉胶体102设于透明基板101平整的表面上和/或周期性的凹槽103中。优选具有周期性的凹槽103的透明基板101。

[0052] 如图1-图5所示，图1的透明基板101表面平整；图2的透明基板101表面具有周期性排布的凹槽103；图3为图2带凹槽103的透明基板101填充荧光粉胶体102后的荧光粉透明基板1，其中单独的凹槽103与其中的荧光粉胶体102组成一个荧光粉单元，所述荧光粉单元随后与LED芯片3的出光面301对应结合；图4为在图3基础上，透明基板101的出光面301(即透明基板101没有设荧光粉胶体102的一面)加工成微结构104(齿状结构)的荧光粉透明基板1；图5为荧光粉透明基板1和结合在其上的多个LED芯片3所呈现的晶元级封装LED器件结构。

[0053] 在一个具体的实施方案中，所述透明基板的凹槽103的宽度和长度分别与凹槽103中的荧光粉胶体102的宽度和长度匹配，所述凹槽103中的荧光粉胶体102的宽度和长度分别大于结合到荧光粉胶体102上的LED芯片3的宽度和长度；优选所述凹槽103中的荧光粉胶体102的宽度和长度分别比结合到荧光粉胶体102上的LED芯片3的宽度和长度大1-10微米。

[0054] 在一个具体的实施方案中，所述透明基板的凹槽103深度与荧光粉胶体102的厚度匹配，所述荧光粉胶体102的厚度与LED器件的最终色坐标即LED芯片3需要的荧光粉的量匹配；优选透明基板的凹槽103深度为10-100微米。

[0055] 在一个具体的实施方案中，所述荧光粉胶体102为荧光粉和有机溶剂的混合物转化而成的透明固体。荧光粉和有机溶剂的使用和配比根据本领域常规技术进行。例如，在线http://d.wanfangdata.com.cn/Thesis/D369178公开的吴逸萍的硕士论文《大功率LED荧光粉及胶体封装工艺的研究》所记载的荧光粉及胶体以及相关的制备方法；和/或从深圳金百晟、深圳芯晶宇光电、大连路明等购得的相关产品。所述有机溶剂的实例有：环氧树脂、氟素橡胶、硅胶等，优选硅胶材料。其中荧光粉和有机溶剂的混合物转化成透明固体按照本领域已知的工艺进行。所述荧光粉胶体102通过填充、涂覆等方式设置于透明基板101表面上或其凹槽103中，荧光粉胶体102表面平整，便于与LED芯片3结合。

[0056] 在一个具体的实施方案中，所述透明基板101为适宜采用机械或化学腐蚀方法对其表面进行加工的透明材料；优选无机SiO2基玻璃和有机透明材料。在更具体的实施方案中，所述SiO2基玻璃的厚度大于70微米。所述LED器件的出光面为透明基板101的出光面，透明基板101的出光面可利用机械或化学腐蚀等方式加工，形成可提高出光效果的微结构图形(例如齿状或/和棱锥状的结构)。

[0057] 在一个具体的实施方案中，所述LED芯片晶元2的电极为同侧结构电极，所述LED芯片3包括：出光面301、N型半导体导电层302、量子阱发光层303、P型半导体导电层304、P型欧姆接触层及反射镜结构305、绝缘层306、侧壁反射镜307、N型欧姆接触层及金属焊盘308和P型金属焊盘309。其中，所述欧姆接触层为电极焊盘与半导体导电层接触的部分。对于所述P型欧姆接触层及反射镜结构305指的是P-GAN表面的反射镜层，其既可以与P-GAN形成欧姆接触又具有反射光的作用。而所述侧壁反射镜307设于芯片侧壁，对光有反射作用。

[0058] 在一个具体的实施方案中，所述LED芯片晶元2的出光面为N型半导体生长材料，且N型半导体生长层具有微腔结构。

[0059] 在一个具体的实施方案中，所述LED芯片3可为GaN基的LED芯片。

[0060] 在一个具体的实施方案中，所述LED芯片3的P型欧姆接触层和反射镜结构305材料为ITO、ZnO、Ni、Ag、Au、Cr、Al中的一种或几种的组合；优选为ITO、Ni和/或Ag。

[0061] 在一个具体的实施方案中，所述LED芯片3的出光面301经过粗化处理。如图6所示，LED芯片3的出光面301为粗化的出光面。

[0062] 本发明还提供所述的晶元级封装的LED器件分割而成的荧光粉单元的LED器件4。在具体的实施方案中，分割而成的所述荧光粉单元的LED器件4可为含有一个或两个、三个、四个、五个等多个LED芯片的封装后的LED器件。如图7所示，其为本发明一种结构的荧光粉单元的LED器件4。

[0063] 本发明另外还提供制作所述晶元级封装的LED器件的方法，包括提供荧光粉透明基板1和LED芯片晶元2，并使LED芯片晶元2的出光面与荧光粉透明基板1上的荧光粉胶体102结合的步骤。

[0064] 所述方法包括LED芯片晶元2在获得后，其出光面已暴露和未暴露的情形，对于未暴露的情形，在暴露出光面后再与荧光粉胶体102结合。具体如以下的阐述：

[0065] 在一个具体的实施方案中，所述方法包括以下步骤：

[0066] 1)提供荧光粉透明基板1；

[0067] 2)提供带生长衬底的LED芯片晶元2；

[0068] 3)将所述LED芯片晶元2临时结合在一个转移衬底上；

[0069] 4)将所述LED芯片晶元2的生长衬底剥离，暴露出LED芯片晶元2的出光面，即LED芯片3的出光面301；

[0070] 5)将所述LED芯片的出光面301与荧光粉透明基板1上的荧光粉胶体102对应，进行永久结合和固化；

[0071] 6)移除LED芯片晶元2临时结合的转移衬底，形成具有荧光粉单元透明基板结构的晶元级封装的LED器件。

[0072] 所述方法中，从带生长衬底的LED芯片晶元2到获得露出LED芯片的出光面301的过程，根据现有的制备工艺，可具体通过形成薄膜倒装结构的LED芯片来实现。在本发明具体的实施方案中，所述薄膜倒装结构在LED芯片晶元2制备过程中，芯片在生长衬底上形成，芯片出光面与生长衬底接触，通过临时键合转移衬底、剥离生长衬底等，可使相应出光面暴露出来，进而获得本发明的LED器件。

[0073] 所述转移衬底的材料为本领域常用的那些，在此无特别限制，实例有：硅片、玻璃片、蓝宝石、铜基板等。所述衬底的剥离方法为本领域常用的那些，例如可采用激光法、化学腐蚀法等。

[0074] 在一个具体的实施方案中，对于步骤5)中LED芯片的出光面301与荧光粉透明基板1的永久结合和固化，可通过荧光粉胶体102中还未固化的胶体物质(即具有粘合剂性能的物质)与所述出光面301在光固化和/或热固化处理后实现。

[0075] 图8为一种薄膜倒装结构的LED芯片晶元2的示意图，其已剥离生长衬底，暴露出出光面，其中呈周期排布的LED芯片3可与透明基板101上周期排布的凹槽103对应，所述LED芯片3的出光面301随后可与透明基板101上的荧光粉胶体102对应结合。

[0076] 在一个具体的实施方案中，在步骤4)暴露出出光面后，还可将所述LED芯片的出光面301进行粗化处理，以进一步提高LED的光效。所述粗化处理的方式包括：化学粗化法、光化学粗化法及激光粗化法。

[0077] 在一个具体的实施方案中，在步骤2)至5)之间，即LED芯片形成至其出光面301与荧光粉透明基板1结合前，还可在LED芯片3的侧壁制作侧壁反射镜307。

[0078] 所述步骤4)中，所述LED芯片晶元2的生长衬底的剥离方法有激光剥离法、研磨抛光法、湿法腐蚀法/化学腐蚀法，本发明中优先采用湿法腐蚀法/化学腐蚀法。在具体的实施方案中，所述化学腐蚀法可参照专利申请《一种利用化学腐蚀的方法剥离生长衬底的方法》中的方法进行，其申请号为201510290140.1，申请日为2015年5月29日)。

[0079] 本发明还提供一种制作荧光粉单元的LED器件的方法，在上述制作的晶元级封装的LED器件基础上，将步骤6)的晶元级封装的LED器件进行分割，形成荧光粉单元的LED器件4。

[0080] 上述产品和产品以及产品和方法宽泛的和优选的特征可以彼此组合。

[0081] 本发明晶元级封装的LED器件，由于其最终出光面为透明基板一面，因此与传统未剥离生长衬底并以其为出光面的LED器件(如蓝宝石衬底的LED器件)相比，在光效、散热等方面都有显著改善；而与剥离生长衬底露出出光面后直接封装的LED器件相比，由于透明基板的存在，在机械强度上也得到大大改善；还由于本发明LED器件的整体结构，可以方便的实现晶元级批量封装，提高了生产效率，降低了生产成本。

[0082] 实施例

[0083] 晶元级封装的LED器件的制作

[0084] 步骤1：提供荧光粉透明基板

[0085] 所述透明基板101的材料具有很高透光率、并且容易利用机械或化学腐蚀等方式加工成形，本实施例中采用厚度80微米的SiO2基玻璃。所述透明基板101的背面(即不设有荧光粉胶体102的面，最终LED器件的出光面)加工成齿状的微结构104，以提高器件的光效。

[0086] 该透明基板101包括周期性的凹槽103(凹槽长度14mil，凹槽宽度28mil)，凹槽103中有荧光粉胶体102(荧光粉胶体厚度30微米)，其中，每个单独的凹槽103和荧光粉胶体102组成一个荧光粉单元。荧光粉胶体102为荧光粉和硅胶，其为重量比1:1的混合胶体。

[0087] 所述透明基板上凹槽103的宽度和长度分别稍微大于将要结合到荧光粉胶体102上的LED芯片3的宽度和长度(约大于4微米)；所述凹槽103的深度需要根据LED器件的最终色坐标，也就是LED芯片3需要匹配的荧光粉的量的多少来确定，此处制作的为色的LED器件，凹槽103深度约40微米。

[0088] 所述荧光粉单元的周期排布、间隔等与LED芯片晶元2上的LED芯片3的周期排布相同、间隔相同，所述荧光粉单元的大小稍稍大于LED芯片3的大小，以保证LED芯片3的出光面301可以完全结合在荧光粉单元上。

[0089] 步骤2：提供LED芯片晶元

[0090] 采用直径为12mm、厚5-8μm的圆形GaN外延制作LED芯片晶元2，所述LED芯片3至少包括待键合在荧光粉胶体102上表面的经过粗化的出光面301，N型半导体导电层302、量子阱发光层303、P型半导体导电层304、P型欧姆接触层及反射镜结构305、绝缘层306、N型欧姆接触层及金属焊盘308和P型金属焊盘309。在本实施例中，所述芯片晶元为薄膜倒装结构晶元；所述P型欧姆接触层及反射镜结构305为ITO、Ni、Ag。

[0091] 步骤3：准备作为转移衬底的玻璃片，在转移衬底上涂敷粘合剂(此处使用蜂蜡，后续用加热法去除)。将LED芯片晶元2压合在临时转移衬底上。

[0092] 步骤4：采用激光剥离法对外延生长层与蓝宝石的交界面处进行处理，剥离掉蓝宝石生长衬底，暴露LED芯片晶元2出光面。

[0093] 步骤5：将LED芯片的出光面301进行粗化处理(采用KOH或H3PO4粗化出光面，温度50℃以上，时间5秒钟以上。本实施例采用KOH，120℃，2min。所有做出光面粗化的药液均适用于本发明。)

[0094] 并在LED芯片3的侧壁制作侧壁反射镜307。

[0095] 步骤6：将LED芯片3粗化的出光面301(即LED芯片晶元2的粗化出光面)与透明基板101上的荧光粉单元的上表面对应，采用加热烘烤，使荧光粉胶体102中的硅胶固化，实现出光面与基板的永久键合和固化，从而形成荧光粉单元基板结构的晶元级封装LED器件。

[0096] 步骤7：分割步骤3的晶元级封装LED器件，形成需要的荧光粉单元的LED器件4。

[0097] 效果评定

[0098] 1)透光率

[0099] 本发明LED器件的出光面为透明基板面，其避免了传统LED器件出光面的生长衬底对光的吸收，并结合高透光率的透明基板的选用，可大大提高所述LED器件的透光率。以玻璃作为透明基板为例，其替代了原出光面所在的蓝宝石(Al2O3)生长衬底，现传统蓝宝石生长衬底的透光率(300nm-700nm)小于80％左右，而玻璃基板的透光率(300nm-700nm)则大于90％，因此，增加了出光效率。

[0100] 2)蓝光侧漏

[0101] 传统的芯片在芯片的侧壁无反射镜，因此必然有光从芯片的侧壁泄漏，同时由于生长衬底也没有剥离，因此，侧光也包含蓝宝石衬底的侧光部分。本发明由于芯片的侧壁有反射镜，同时蓝宝石衬底已经被剥离掉，因此，可明显减少封装后发光二极管的蓝光侧漏。

[0102] 3)激发效率、出光效率、出光的均匀性和可靠性

[0103] 综合以上1)、2)分析，由于采用透光率更高的透明基板作为出光面，同时减少了芯片的侧光，且芯片除了出光面外，均有反射镜结构，因此，光向更加集中，单位面积的荧光粉受到更多光的激发，器件出光效率、出光的均匀性和可靠性等的整体性能得到提高。

[0104] 4)发热情况

[0105] 本发明由于剥离掉了导热性较差的生长衬底，减少了热传导的介质材料，因此LED器件的散热效果更好。

[0106] 5)机械强度

[0107] 采用透明基板结构的本发明LED器件与直接用荧光粉胶体进行LED芯片封装的LED器件相比，由于克服了后者支撑衬底、芯片易碎等缺点，机械强度得到大大增强。

[0108] 6)亮度测试

[0109] 按照上述实施例方法，使用芯片尺寸大小为12mil*26mil的芯片晶元制作以上封装器件。采用Labsphere 50cm积分球系统，60mA下，器件的光效达到180lm/W以上；同时，对传统的12mil*26mil倒装芯片进行封装测试，器件的光效为150lm/W。因此相比传统芯片，本发明的LED器件的光效提升了20％以上。

[0110] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。