一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料及制造方法

摘要

本发明公开了一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料，其特征在于，所述材料由聚合物基体、增粘剂、填充剂和抗氧剂混合而成，其中，所述增粘剂用于所述材料的粘接强度；所述填充剂用于缩短固化时间；所述抗氧剂用于防止所述材料的老化。本发明还公开了一种RTV涂层表面污秽的材料的制造方法，包括：将所述材料放入到密炼机中共混；将所述材料放入到压制成型机中压制；以及将所述材料保压冷却后出模。本发明还公开了一种清除RTV涂层表面污秽的方法，包括：将材料置于室温硫化型RTV涂层表面；对所述材料加热预定时间长度，使得所述材料吸附所述RTV涂层表面的污秽；以及加热完成后等待温度降低并将所述材料取走，清除所述RTV涂层表面的污秽。

权利要求

1.一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料，其特征在于，所述材料由聚合物基体、增粘剂、填充剂和抗氧剂混合而成，其中，所述聚合物基体为采用乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA和热塑性聚氨酯聚合物的热塑性高分子材料;其中，所述增粘剂用于增大所述材料的粘结强度；所述填充剂用于缩短固化时间，并增加所述材料的强度；所述抗氧剂用于防止所述材料的老化。

2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于，所述材料的粘结强度能够达到3.5MPa。

3.一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料的制造方法，所述方法包括：步骤1，将所述材料放入到密炼机中共混，所述材料由聚合物基体、增粘剂、填充剂和抗氧剂混合而成；其中，所述聚合物基体为采用乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA和热塑性聚氨酯聚合物的热塑性高分子材料;步骤2，将所述材料放入到压制成型机中压制；以及步骤3，将所述材料保压冷却后出模。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述共混密炼的时间为10-20分钟，并且所述密炼的温度为130℃-160℃。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述压制的时间为5-20分钟并且所述压制的温度为110℃-160℃。

6.一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的方法，所述方法包括：步骤1，将如权利要求1-2任一项所述的材料置于室温硫化型RTV涂层表面；

步骤2，对所述材料加热预定时间长度，使得所述材料吸附所述RTV涂层表面的污秽；以及步骤3，加热完成后等待温度降低并将所述材料取走，清除所述RTV涂层表面的污秽。

说明书

一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料及制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及高电压外绝缘领域，并且更具体地，涉及一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料及制造方法。

背景技术

[0002] 为提高输变电设备防污闪能力，电力部门普遍采用了在瓷或玻璃绝缘表面喷涂RTV防污闪涂料的措施。RTV涂层长期运行后，表面积污严重，污秽与涂层结合紧密，难以通过简单的清洗方法除去污层。由于瓷或玻璃绝缘子绝缘材料为无机物，其在运行环境下的使用寿命可达50年；而RTV防污闪涂层为有机材料，其在运行环境下会发生老化，其使用寿命远短于瓷和玻璃绝缘子。在RTV涂层老化或破损后需进行复涂，目前普遍采用在老旧涂层表明直接喷涂RTV，但由于RTV涂层表面污秽的存在，影响复涂后新涂层与旧涂层的粘合性能，从而降低了复涂后新涂层的性能，在电弧放电等极端情况下对设备整体绝缘性能造成不利影响。

[0003] 如何有效除去RTV涂层表面污秽，提高RTV涂层老化后的涂覆效果并保证其涂覆后的性能成为运行部门关注的重大问题。

发明内容

[0004] 为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供了一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料，其特征在于，所述材料由聚合物基体、增粘剂、填充剂和抗氧剂混合而成，[0005] 其中，所述增粘剂用于增大所述材料的粘结强度；所述填充剂用于缩短固化时间，并增加所述材料的强度；所述抗氧剂用于防止所述材料的老化。

[0006] 优选地，其中所述聚合物基体采用乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA和热塑性聚氨酯聚合物。

[0007] 优选地，其中所述材料的粘结强度能够达到3.5MPa。

[0008] 根据本发明的另一个发明，提供了一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料的制造方法，所述方法包括：

[0009] 将所述材料放入到密炼机中共混密炼，所述材料由聚合物基体、增粘剂、填充剂和抗氧剂混合而成；

[0010] 将所述材料放入到压制成型机中压制；以及

[0011] 将所述材料保压冷却后出模。

[0012] 优选地，其中所述密炼的时间为10-20分钟，并且所述密炼的温度为130℃-160℃。

[0013] 优选地，其中所述压制的时间为5-20分钟并且所述压制的温度为110℃-160℃。

[0014] 根据本发明又一个方面，提供了一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的方法，所述方法包括：

[0015] 将材料置于室温硫化型RTV涂层表面；

[0016] 对所述材料加热预定时间长度，使得所述材料吸附所述RTV涂层表面的污秽；以及[0017] 加热完成后等待温度降低并将所述材料取走，清除所述RTV涂层表面的污秽。

[0018] 本发明的有益效果在于：

[0019] 本发明提供的室温硫化型RTV涂层表面污秽清除材料，具有较好的去污效果，而且不会对室温硫化型RTV涂层本身造成损坏，成本低，无毒性，易施工。

附图说明

[0020] 通过参考下面的附图，可以更为完整地理解本发明的示例性实施方式：

[0021] 图1为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的材料的制造方法100的结构示意图；

[0022] 图2为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的方法200的结构示意图；以及

[0023] 图3为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的原理图。

具体实施方式

[0024] 现在参考附图介绍本发明的示例性实施方式，然而，本发明可以用许多不同的形式来实施，并且不局限于此处描述的实施例，提供这些实施例是为了详尽地且完全地公开本发明，并且向所属技术领域的技术人员充分传达本发明的范围。对于表示在附图中的示例性实施方式中的术语并不是对本发明的限定。在附图中，相同的单元/元件使用相同的附图标记。

[0025] 除非另有说明，此处使用的术语(包括科技术语)对所属技术领域的技术人员具有通常的理解含义。另外，可以理解的是，以通常使用的词典限定的术语，应当被理解为与其相关领域的语境具有一致的含义，而不应该被理解为理想化的或过于正式的意义。

[0026] 本发明所要解决的技术问题是，研制一种高分子粘附材料，其分子极性与硅橡胶相差较大而与污秽物的极性相近，利用高分子粘附材料与硅橡胶和污秽物结合力的差异，在外力作用下选择性地将污秽物除去，而保留室温硫化型RTV涂层，并为再次涂覆室温硫化型RTV涂层提供结合力强的表面。

[0027] 本发明通过以热塑型高分子材料为主体，通过与相应的增粘剂、粘度调节剂、抗氧剂、增塑剂、填充剂等共混研制一种环保、可再生、零排放的RTV涂层表面污秽清除材料。所述一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料由聚合物基体、增粘剂、填充剂和抗氧剂混合而成，其中，所述增粘剂用于增大所述材料的粘结强度；所述填充剂用于缩短固化时间，并增加所述材料的强度；所述抗氧剂用于防止所述材料的老化。优选地，其中所述材料的粘结强度能够达到3.5MPa。

[0028] 所述聚合物基体可以是乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、聚乳酸、聚己内酯、聚酯酰胺、热塑性聚氨酯和天然高分子。从粘接强度、力学性能和价格等方面综合考虑，本发明选用的基体为乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和热塑性聚氨酯。

[0029] 所述增粘剂，主要作用是增加材料对被粘物的润湿性和结合力，从而提高其粘接强度。增粘剂的相对分子质量为10～10 000，软化点为70～150℃。常用的增粘剂有氢化C5石油树脂，松香甘油酯等。

[0030] 所述填充剂是为了缩短固化时间，增加材料的强度，降低成本。常用的填充剂有轻质碳酸钙，沥青等。

[0031] 由于聚合物易老化的特点，所以一般需要加入抗氧剂，例如抗氧剂246或1010。

[0032] 图1为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的材料的制造方法100的结构示意图。如图1所示，所述清除RTV涂层表面污秽的材料的制造方法100从步骤101处开始，在步骤101将所述材料放入到密炼机中共混密炼，所述材料由聚合物基体、增粘剂、填充剂和抗氧剂混合而成。优选地，其中所述共混密炼的时间为10-20分钟，并且所述共混密炼的温度为130℃-160℃。

[0033] 优选地，在步骤102将所述材料放入到压制成型机中压制。优选地，其中所述压制的时间为5-20分钟并且所述压制的温度为110℃-160℃。

[0034] 优选地，在步骤103将所述材料保压冷却后出模。

[0035] 根据本发明的实施例1为：称取50％的EVA，35％的氢化C5石油树脂，10％的石蜡，3％的CaCO3，1％的沥青和1％的抗氧剂1010，加入到密炼机中共混密炼，温度为160℃，转速
60转/分钟密炼15分钟左右；然后在压延机中压延10分钟，温度为160℃，保压冷却10分钟后出模。

[0036] 根据本发明的实施例2为：称取80％的EVA，10％的EPDM，8％的聚乙二醇6000，1％的沥青和1％的抗氧剂1010，加入到密炼机中共混密炼，温度为160℃，转速60转/分钟，密炼15分钟左右。然后在压延机中压延10分钟，温度为160℃，保压冷却10分钟后出模。

[0037] 根据本发明的实施例3为：称取40％的氢化C5石油树脂，35％的邻苯二甲酸二辛酯(DEHP)，20％的SBS，3％的CaCO3,1％的沥青和1％的抗氧剂1010，加入到密炼机中共混，温度为160℃，转速60转/分钟，密炼15分钟左右。然后在压延机中压延10分钟，温度为160℃，保压冷却10分钟后出模。

[0038] 根据本发明的实施例4为：称取50％的聚氨酯，30％的松香树脂，10％的石蜡，8％的轻质CaCO3,1％的沥青和1％的抗氧剂1010，在温度150℃、转速30转/分钟的条件下，加入到密炼机中共混20分钟左右。然后在压延机中压延10分钟，温度为150℃，保压冷却10分钟后出模。

[0039] 根据本发明的实施例5为：称取50％的聚氨酯，35％的氢化C5石油树脂，10％的石蜡，3％的CaCO3,1％的沥青和1％的抗氧剂1010，加入到密炼机中共混，温度为160℃，转速60转/分钟，密炼15分钟左右。然后在压延机中压延10分钟，温度为160℃，保压冷却10分钟后出模。

[0040] 图2为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的方法200的结构示意图。如图2所示，所述清除RTV涂层表面污秽的方法200从步骤201处开始，步骤201将材料置于室温硫化型RTV涂层表面。

[0041] 优选地，在步骤202对所述材料加热预定时间长度，使得所述材料吸附所述RTV涂层表面的污秽。

[0042] 优选地，在步骤203加热完成后等待温度降低并将所述材料取走，清除所述RTV涂层表面的污秽。

[0043] 图3为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的原理图。如图3所示，所述材料清除污秽的原理为：污层清除用高分子材料常温下为固态，在其置于RTV涂层表面后对其加热，则该材料和RTV涂层表面温度同时升高，温度的升高导致RTV表面污层中的硅油小分子加速运动且与污秽物的结合力减弱，在一定温度下高分子材料由固态变为熔融态，污秽物与高分子材料中极性基团结合力高于其与硅油小分子的结合力，停止加热待温度降低后高分子材料由熔融态变为固态，则污秽物被吸附于高分子材料中，从而达到了出去RTV表面污秽的目的。

[0044] 已经通过参考少量实施方式描述了本发明。然而，本领域技术人员所公知的，正如附带的专利权利要求所限定的，除了本发明以上公开的其他的实施例等同地落在本发明的范围内。

[0045] 通常地，在权利要求中使用的所有术语都根据他们在技术领域的通常含义被解释，除非在其中被另外明确地定义。所有的参考“一个/所述/该[装置、组件等]”都被开放地解释为所述装置、组件等中的至少一个实例，除非另外明确地说明。这里公开的任何方法的步骤都没必要以公开的准确的顺序运行，除非明确地说明。