PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液转让专利

申请号 : CN201611153768.8

文献号 : CN106596687B

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发明人 : 何平钟海辉张志远

申请人 : 生益电子股份有限公司

摘要 :

一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,按质量百分比,包括如下组分:氯化钾16%‑26%、去离子水70%‑82%、丙三醇1.5%‑3.5%、无机钠盐0.5%‑1.5%。本发明PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液用于对氧化还原检测探头进行检测,以便于及时检测出异常的氧化还原检测探头,并对其进行校正,从而可避免探头检测数据异常所导致的蚀刻不良及材料浪费。

权利要求 :

1.一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,其特征在于,按质量百分比,由如下组分组成:

2.一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,其特征在于,按质量百分比,由如下组分组成:

3.一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,其特征在于,按质量百分比,由如下组分组成:

说明书 :

PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液

技术领域

[0001] 本发明涉及线路板领域,尤其涉及一种用于印制线路板酸性蚀刻氧化还原电位检测探头的校正标准液。

背景技术

[0002] 印刷线路板的蚀刻工序为将蚀刻液作用在显影后的覆铜板上,利用蚀刻液与铜发生的氧化还原反应将前工序所做出的、有图案的印刷线路板上未受保护的非导体部分铜蚀刻去,形成线路。
[0003] 目前,印制电路板氯化铜系列酸性蚀刻液的氧化还原电位需控制在400mV-600mV之间,因此,需使用氧化还原电位检测探头进行随时检测,以确保氧化还原电位在400mV-600mV之间。然而,现有的氧化还原电位检测探头通常为直接进行检测,没有进行检测前校核,因此,无法确定氧化还原电位检测探头检测的数据是否正确。而若氧化还原电位检测探头出现异常,则会导致检测到的氧化还原电位不准确,从而影响蚀刻效果,造成材料的浪费。

发明内容

[0004] 为此,本发明的目的在于提供一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,以解决目前氧化还原电位检测探头检测数据异常不能及时校正的问题。
[0005] 为实现上述目的,本发明主要采用以下技术方案为:
[0006] 一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,按质量百分比,包括如下组分:
[0007]
[0008] 一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,按质量百分比,包括如下组分:
[0009]
[0010]
[0011] 一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,按质量百分比,包括如下组分:
[0012]
[0013] 综上所述,本发明PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液用于对氧化还原检测探头进行检测,以便于及时检测出异常的氧化还原检测探头,并对其进行校正,从而可避免探头检测数据异常所导致的蚀刻不良及材料浪费。

具体实施方式

[0014] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。
[0015] 本发明提供的一种用于PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,用于判断氧化还原电位检测探头是否存在异常,以便对氧化还原电位检测探头进行及时校正。
[0016] 所述氧化还原电位检测探头用于检测印制线路板氯化铜系列酸性蚀刻液的氧化还原电位,所述酸性蚀刻液的标准氧化还原电位为400mV-600mV。所述PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液在常温25摄氏度,氧化还原电位为450mV±10mV。
[0017] 将所述氧化还原电位检测探头置于标准液中,对标准液进行检测,若其检测值在标准液的范围值内,则说明该检测探头正常,若其检测值不在标准液的范围内,则说明检测探头异常,需进行维修校正。
[0018] 实施例一
[0019] 本实施例提供一种PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液,所述标准液按百分比,包括以下组分:
[0020]
[0021]
[0022] 所述氯化钾用于氧化还原电位有效成分,将所述氯化钾溶解于去离子水中,再添加丙三醇及无机钠盐,所述丙三醇用于防止标准液挥发,所述无机钠盐用于稳定氯化钾的溶解及析出,使标准液的稳定性更好,本实施例中,所述无机钠盐可以为NaCl、Na2SO4、NaNO3、Na2CO3、NaHCO3等。
[0023] 实施例二
[0024] 本实施例提供一种PCB蚀刻氧化还原电位检测的标准液,所述标准液按百分比,包括以下组分:
[0025]
[0026] 实施例三
[0027] 本实施例提供一种PCB蚀刻氧化还原电位检测的标准液,所述标准液按百分比,包括以下组分:
[0028]
[0029] 综上所述,本发明PCB蚀刻氧化还原电位检测标准液用于对氧化还原检测探头进行检测,以便于及时检测出异常的氧化还原检测探头,并对其进行校正,从而可避免探头检测数据异常所导致的蚀刻不良及材料浪费。
[0030] 以上所述仅为本发明的较佳的三个实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。