高分子化合物和使用其的发光元件

摘要

提供对制造发光效率优异的发光元件有用的高分子化合物。该高分子化合物包含式(1)所示的结构单元和式(Y)所示的结构单元，式(1)中，R1～R8表示氢原子、烷基、芳基等，RA和RB表示芳基或一价杂环基，式(Y)中，ArY1表示亚芳基等。

权利要求

1.下述式(M－1’－1)所示的化合物的制造方法，其包括：在具有膦配体的过渡金属络合物、碱和溶剂的存在下，使下述式(Z)所示的化合物与下述式(2)所示的化合物进行氨基化反应的工序，RC-NH2    (Z)

式(Z)中，RC表示芳基，该芳基具有烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基作为取代基，式(2)中，

R1、R2、R3、R5、R6和R7各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团具有或不具有取代基，R4和R8表示氢原子，

R15和R16各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基、或者选自由下述取代基A组和取代基B组组成的组中的基团，这些基团具有或不具有取代基，R1与R2、R2与R15、R15与R3、R5与R6、R6与R16、R16与R7各组任选地键合并与各组所键合的碳原子一起形成环，Ya表示氯原子、溴原子、碘原子或－O－S(＝O)2RC1，RC1表示烷基、环烷基或芳基，这些基团具有或不具有取代基，存在的多个Ya相同或不同，取代基A组：

氢原子、氯原子、溴原子、碘原子、－O－S(＝O)2RC1所示的基团，式中，RC1表示烷基、环烷基或芳基，这些基团具有或不具有取代基，取代基B组：

－B(ORC2)2所示的基团，式中，RC2表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团具有或不具有取代基，存在的多个RC2相同或不同，任选地相互键合并与各自所键合的氧原子一起形成环结构；

－BF3Q'所示的基团，式中，Q'表示Li、Na、K、Rb或Cs；

－MgY'所示的基团，式中，Y'表示氯原子、溴原子或碘原子；

－ZnY”所示的基团，式中，Y”表示氯原子、溴原子或碘原子；以及，－Sn(RC3)3所示的基团，式中，RC3表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团具有或不具有取代基，存在的多个RC3相同或不同，任选地相互键合并与各自所键合的锡原子一起形成环结构，式(M－1’－1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15和R16表示与上文相同的含义，R9、R10、R11、R12、R13和R14各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团具有或不具有取代基，R9与R10、R10与R11、R12与R13、R13与R14各组任选地键合并与各组所键合的碳原子一起形成环，Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团具有或不具有取代基。

2.如权利要求1所述的化合物的制造方法，其中，所述Ra、Rb、Rc和Rd为具有或不具有取代基的烷基。

3.如权利要求1或2所述的化合物的制造方法，其中，所述Ya为溴原子或碘原子。

说明书

高分子化合物和使用其的发光元件

技术领域

[0001] 本发明涉及高分子化合物和使用其的发光元件。

背景技术

[0002] 有机电致发光元件(以下也称作“发光元件”)由于发光效率高、驱动电压低，因而能够适合地用于显示器和照明的用途，近年受到关注。该发光元件具备发光层、电荷传输层等有机层。为了能够通过使用高分子化合物利用以喷墨印刷法为代表的涂布法形成有机层，研究了用于发光元件的制造的高分子化合物。

[0003] 作为发光元件的发光层中使用的材料，例如研究了包含下述式所示的吲哚并咔唑结构单元和亚芳基结构单元的高分子化合物(专利文献1)。

[0004]

[0005] 另外，制造吲哚并咔唑化合物的方法已知例如在铜催化剂、碱和溶剂的存在下使卤化芳基化合物与仲胺化合物进行乌尔曼(Ullmann)反应的方法(下述式所示的反应方法)(专利文献2)。吲哚并咔唑化合物可以适宜用作高分子化合物的原料单体、在发光层的有机层中使用的材料。

[0006]

[0007] 现有技术文献

[0008] 专利文献

[0009] 专利文献1：美国专利申请公开第2007/0112167号说明书

[0010] 专利文献2：国际公开第2010/113761号

发明内容

[0011] 发明要解决的问题

[0012] 然而，使用上述的高分子化合物制造的发光元件其发光效率并不一定充分。另外，上述的制造方法所得的吲哚并咔唑化合物的产率并不一定充分。

[0013] 因此，本发明的目的在于提供对制造发光效率优异的发光元件有用的高分子化合物。另外，本发明的目的在于提供对制造该高分子化合物有用的化合物。此外，本发明的目的在于提供含有该高分子化合物的组合物和使用该高分子化合物得到的发光元件。

[0014] 另外，本发明的目的在于提供产率优异的吲哚并咔唑化合物的制造方法。

[0015] 用于解决问题的手段

[0016] 本发明提供以下的[1]～[13]。

[0017] [1]一种高分子化合物，其包含下述式(1)所示的结构单元和下述式(Y)所示的结构单元(与式(1)所示的结构单元不同)，

[0018]

[0019] 式中，

[0020] R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，R1与R2、R3与R4、R5与R6、R7与R8各组可以键合并与各组所键合的碳原子一起形成环，

[0021] RA和RB各自独立地表示芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，

[0022]

[0023] 式中，ArY1表示亚芳基、二价杂环基、或者至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价基团，这些基团可以具有取代基。

[0024] [2]如[1]所述的高分子化合物，其中，所述式(1)所示的结构单元为下述式(1-1)所示的结构单元，

[0025]

[0026] 式中，

[0027] R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8表示与上文相同的含义，

[0028] R9、R10、RY1、R12、R13、R14、Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，R9与R10、R10与R11、R12与R13、R13与R14各组可以键合并与各组所键合的碳原子一起形成环。

[0029] [3]如[2]所述的高分子化合物，其中，所述Ra、Rb、Rc和Rd为可以具有取代基的烷基。

[0030] [4]如[1]～[3]中任一项所述的高分子化合物，其中，所述式(Y)所示的结构单元为下述式(Y-2)所示的结构单元，

[0031]

[0032] 式中，

[0033] RY1表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RY1可以相同也可以不同，相邻的RY1彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，

[0034] XY1表示-C(RY2)2-所示的基团、-C(RY2)＝C(RY2)-所示的基团或-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团，RY2表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，存在的多个RY2可以相同也可以不同，RY2彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。

[0035] [5]如[1]～[3]中任一项所述的高分子化合物，其中，所述式(Y)所示的结构单元为下述式(Y-5)、(Y-6)或(Y-7)所示的结构单元，

[0036]

[0037] 式中，

[0038] RY1表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，存在的多个RY1可以相同也可以不同，相邻的RY1彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，

[0039] RY4表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。

[0040] [6]如[1]～[5]中任一项所述的高分子化合物，其还包含下述式(X)所示的结构单元，

[0041]

[0042] 式中，

[0043] aX1和aX2各自独立地表示0以上的整数，

[0044] ArX1和ArX3各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基，[0045] ArX2和ArX4各自独立地表示亚芳基、二价杂环基、或者至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价基团，这些基团可以具有取代基，

[0046] RX1、RX2和RX3各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。

[0047] [7]如[1]～[6]中任一项所述的高分子化合物，其中，所述式(1)所示的结构单元的含量相对于高分子化合物中包含的结构单元的合计含量为0.1～50摩尔％。

[0048] [8]下述式(M-1-2)所示的化合物，

[0049]

[0050] 式中，

[0051] R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧1 2 3 4 5 6 7 8
基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，R 与R、R 与R、R与R 、R与R 各组可以键合并与各组所键合的碳原子一起形成环，

[0052] R9、R10、R11、R12、R13和R14各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，R9与R10、R10与R11、R12与R13、R13与R14各组可以键合并与各组所键合的碳原子一起形成环，

[0053] Ra’、Rb’、Rc’和Rd’各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，

[0054] ZC1和ZC2各自独立地表示选自由下述取代基A组和取代基B组组成的组中的基团，[0055] 取代基A组：

[0056] 氢原子、氯原子、溴原子、碘原子、-O-S(＝O)2RC1所示的基团，式中，RC1表示烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基，

[0057] 取代基B组：

[0058] -B(ORC2)2所示的基团，式中，RC2表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具C2有取代基，存在的多个R 可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的氧原子一起形成环结构；

[0059] -BF3Q′所示的基团，式中，Q′表示Li、Na、K、Rb或Cs；

[0060] -MgY′所示的基团，式中，Y′表示氯原子、溴原子或碘原子；

[0061] -ZnY″所示的基团，式中，Y″表示氯原子、溴原子或碘原子；以及，

[0062] -Sn(RC3)3所示的基团，式中，RC3表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基，存在的多个RC3可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的锡原子一起形成环结构。

[0063] [9]一种组合物，其含有：

[0064] [1]～[7]中任一项所述的高分子化合物；和

[0065] 选自由空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂和溶剂组成的组中的至少一种的材料。

[0066] [10]一种发光元件，其是使用[1]～[7]中任一项所述的高分子化合物而得到的。

[0067] [11]一种化合物的制造方法，其是下述式(M-1’)所示的化合物的制造方法，其包括：

[0068] 在具有膦配体的过渡金属络合物、碱和溶剂的存在下，使下述式(Z)所示的化合物与下述式(2)所示的化合物进行氨基化反应的工序，

[0069] RC-NH2  (Z)

[0070] 式中，RC表示芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，

[0071]

[0072] 式中，

[0073] R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，

[0074] R15和R16各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基、或者选自由上述取代基A组和取代基B组组成的组中的基团，这些基团可以具有取代基，

[0075] R1与R2、R2与R15、R15与R3、R3与R4、R5与R6、R6与R16、R16与R7、R7与R8各组可以键合并与各组所键合的碳原子一起形成环，

[0076] Ya表示氯原子、溴原子、碘原子或-O-S(＝O)2RC1，RC1表示烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基，存在的多个Ya可以相同也可以不同，

[0077]

[0078] 式中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16和RC表示与上文相同的含义，存在的多个RC可以相同也可以不同。

[0079] [12]如[11]所述的化合物的制造方法，其中，所述式(M-1’)所示的化合物为下述式(M-1’-1)所示的化合物，

[0080]

[0081] 式(M-1’-1)中，

[0082] R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15和R16表示与上文相同的含义，

[0083] R9、R10、R11、R12、R13、R14、Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基，R9与R10、R10与R11、R12与R13、R13与R14各组可以键合并与各组所键合的碳原子一起形成环。

[0084] [13]如[12]所述的化合物的制造方法，其中，所述Ra、Rb、Rc和Rd为可以具有取代基的烷基。

[0085] 发明的效果

[0086] 根据本发明，可以提供对制造发光效率优异的发光元件有用的高分子化合物。另外，根据本发明，可以提供对制造该高分子化合物有用的化合物。此外，根据本发明，可以提供含有该高分子化合物的组合物和使用该高分子化合物得到的发光元件。

[0087] 另外，根据本发明，可以提供产率优异的吲哚并咔唑化合物的制造方法。此外，根据本发明的优选实施方式，可以提供反应速度优异的吲哚并咔唑化合物的制造方法。

具体实施方式

[0088] 以下，对本发明的优选的实施方式进行详细说明。

[0089] <共通的术语的说明>

[0090] 在本说明书中共通使用的术语只要没有特别记载就是以下的含义。

[0091] Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示异丙基，t-Bu表示叔丁基。

[0092] 氢原子也可以为氘原子，还可以为氕原子。

[0093] 表示金属络合物的式中，表示与中心金属的键合的实线是指共价键或配位键。

[0094] “高分子化合物”是指具有分子量分布且聚苯乙烯换算的数均分子量为1×103～1×108的聚合物。

[0095] “低分子化合物”是指没有分子量分布且分子量为1×104以下的化合物。

[0096] “结构单元”是指在高分子化合物中存在有1个以上的单元。

[0097] “烷基”可以是直链和支链中的任一种。直链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～50，优选为3～30，更优选为4～20。支链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。

[0098] 烷基可以具有取代基，烷基例如可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3，7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、以及这些基团中的氢原子被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团，例如可以举出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3，5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基。

[0099] “环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。

[0100] 环烷基可以具有取代基，环烷基例如可以举出环己基、环己基甲基、环己基乙基。

[0101] “芳基”是指从芳香族烃除去与构成环的碳原子直接键合的氢原子1个后余下的原子团。芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～20，更优选为6～10。

[0102] 芳基可以具有取代基，芳基例如可以举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。

[0103] “烷氧基”可以是直链及支链中的任一种。直链的烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～40，优选为4～10。支链的烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～40，优选为4～10。

[0104] 烷氧基可以具有取代基，烷氧基例如可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、以及这些基团中的氢原子被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。

[0105] “环烷氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～40，优选为4～10。

[0106] 环烷氧基可以具有取代基，环烷氧基例如可以举出环己氧基。

[0107] “芳氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为7～48。

[0108] 芳氧基可以具有取代基，芳氧基例如可以举出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘基氧基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、氟原子等取代后的基团。

[0109] “p价杂环基”(p表示1以上的整数)是指，从杂环式化合物除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中p个氢原子后余下的原子团。p价杂环基之中，优选为从芳香族杂环式化合物除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中p个氢原子后余下的原子团即“p价芳香族杂环基”。

[0110] “芳香族杂环式化合物”是指，噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷杂环戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、咔唑、二苯并噻咯、二苯并磷杂环戊二烯等杂环自身表现芳香性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼杂环戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等杂环自身虽然不表现芳香性但是在杂环上稠合有芳环的化合物。

[0111] 一价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为2～60，优选为4～20。

[0112] 一价杂环基可以具有取代基，一价杂环基例如可以举出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基等取代后的基团。

[0113] “卤原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

[0114] “氨基”可以具有取代基，氨基优选为取代氨基。氨基所具有的取代基优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。

[0115] 取代氨基例如可以举出：二烷基氨基、二环烷基氨基及二芳基氨基。

[0116] 氨基例如可以举出二甲氨基、二乙氨基、二苯基氨基、双(4-甲基苯基)氨基、双(4-叔丁基苯基)氨基、双(3，5-二叔丁基苯基)氨基。

[0117] “烯基”可以是直链及支链中的任一种。直链的烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为2～30，优选为3～20。支链的烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～30，优选为4～20。

[0118] “环烯基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～30，优选为4～20。

[0119] 烯基及环烯基可以具有取代基，例如可以举出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、以及这些基团具有取代基的基团。

[0120] “炔基”可以是直链及支链中的任一种。炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为2～20，优选为3～20。支链的炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为4～30，优选为4～20。

[0121] “环炔基”的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为4～30，优选为4～20。

[0122] 炔基及环炔基可以具有取代基，例如可以举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、以及这些基团具有取代基的基团。

[0123] “亚芳基”是指从芳香族烃除去与构成环的碳原子直接键合的氢原子2个后余下的原子团。亚芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。

[0124] 亚芳基可以具有取代基，亚芳基例如可以举出亚苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氢菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、 二基、以及这些基团具有取代基的基团，优选为式(A-1)～式(A-20)所示的基团。亚芳基包括多个这些基团键合成的基团。

[0125]

[0126] [式中，R及Ra各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。存在的多个R及Ra各自可以相同也可以不同，Ra彼此可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。]

[0127] 二价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为2～60，优选为3～20，更优选为4～15。

[0128] 二价杂环基可以具有取代基，二价杂环基例如可以举出从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氢吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中2个氢原子后的二价基团，优选为式(AA-1)～式(AA-34)所示的基团。二价杂环基包括多个这些基团键合成的基团。

[0129]

[0130]

[0131] [式中，R和Ra表示与上文相同的含义。]

[0132] “交联基”是指通过供于加热处理、紫外线照射处理、自由基反应等可生成新的键的基团，优选为式(B-1)-(B-17)中任一个所示的基团。这些基团可以具有取代基。

[0133]

[0134] “取代基”表示卤原子、氰基、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、环烯基、炔基或环炔基。取代基可以是交联基。

[0135] <高分子化合物>

[0136] 本发明的高分子化合物是包含式(1)所示的结构单元和式(Y)所示的结构单元的高分子化合物。

[0137] [式(1)所示的结构单元]

[0138]

[0139] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的发光效率更优异，R1～R8优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，更优选为氢原子、烷基或环烷基，进一步优选为氢原子，这些基团可以具有取代基。

[0140] R1～R8所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基、环烷基或芳基。

[0141] 出于本发明的高分子化合物的稳定性优异，RA和RB优选为芳基，该芳基可以具有取代基。

[0142] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的发光效率更优异，RA和RB所示的芳基优选为可以具有取代基的苯基，更优选为经烷基或环烷基取代的苯基，进一步优选为经烷基取代的苯基。

[0143] RA和RB所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基、环烷基或芳基。

[0144] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的发光效率更优异，式(1)所示的结构单元优选为式(1-1)所示的结构单元。

[0145]

[0146] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的发光效率更优异，R9～R14优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，更优选为氢原子、烷基或环烷基，进一步优选为氢原子，这些基团可以具有取代基。

[0147] R9～R14所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基、环烷基或芳基。

[0148] 出于本发明的高分子化合物的稳定性优异，Ra、Rb、Rc和Rd优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，更优选为氢原子、烷基或环烷基，进一步优选为烷基或环烷基，特别优选为烷基，这些基团可以具有取代基。

[0149] Ra、Rb、Rc和Rd所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基、环烷基或芳基。

[0150] 出于本发明的高分子化合物的稳定性优异，式(1)所示的结构单元的合计量相对于高分子化合物中包含的结构单元的合计含量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～30摩尔％，进一步优选为2～15摩尔％。

[0151] 式(1)所示的结构单元例如可以举出式(1-a)～式(1-z)、式(1-aa)～式(1-cc)所示的结构单元，优选为式(1-a)～式(1-q)所示的结构单元，更优选为式(1-a)～式(1-k)所示的结构单元，进一步优选为式(1-a)～式(1-i)所示的结构单元。

[0152]

[0153]

[0154]

[0155] 式(1)所示的结构单元在高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。

[0156] [式(Y)所示的结构单元]

[0157]

[0158] ArY1所示的亚芳基更优选为式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)～式(A-11)、式(A-13)或式(A-19)所示的基团，进一步优选为式(A-1)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示的基团，特别优选为式(A-9)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0159] ArY1所示的二价杂环基更优选为式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-13)、式(AA-15)、式(AA-18)或式(AA-20)所示的基团，进一步优选为式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-18)或式(AA-20)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0160] ArY1所示的至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价基团中的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围、特别优选的范围分别与上述的ArY1所示的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围、特别优选的范围同样。

[0161] ArY1所示的至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价基团例如可以举出下述式所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0162]

[0163] [式中，RXX表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。]

[0164] RXX优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。

[0165] ArY1所示的基团可以具有的取代基优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团可以进一步具有取代基。

[0166] 式(Y)所示的结构单元例如可以举出式(Y-1)～(Y-7)所示的结构单元，从使用本发明的高分子化合物的发光元件的亮度寿命的观点出发，优选为(Y-1)或(Y-2)所示的结构单元，从电子传输性的观点出发，优选为式(Y-3)或(Y-4)所示的结构单元，从空穴传输性的观点出发，优选为式(Y-5)～(Y-7)所示的结构单元。另外，从使用本发明的高分子化合物的发光元件的发光效率的观点出发，优选为式(Y-2)或式(Y-5)～(Y-7)所示的结构单元，更优选为式(Y-2)所示的结构单元。

[0167]

[0168] [式中，RY1表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RY1可以相同也可以不同，相邻的RY1彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]

[0169] RY1优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。

[0170]

[0171] XY1所示的-C(RY2)2-所示的基团、-C(RY2)＝C(RY2)-所示的基团和-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团中的RY2优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。

[0172] XY1中，-C(RY2)2-所示的基团中的2个RY2的组合优选为两者为烷基或环烷基、两者为芳基、两者为一价杂环基、或、一者为烷基或环烷基且另一者为芳基或一价杂环基，更优选为一者为烷基或环烷基且另一者为芳基，这些基团可以具有取代基。存在的2个RY2可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，在RY2形成环的情况下，-C(RY2)2-所示的基团优选为式(Y-A1)～(Y-A5)所示的基团，更优选为式(Y-A4)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0173]

[0174] XY1中，-C(RY2)＝C(RY2)-所示的基团中的2个RY2的组合优选为两者为烷基或环烷基、或者一者为烷基或环烷基且另一者为芳基，这些基团可以具有取代基。

[0175] XY1中，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团中的4个RY2优选为可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的环烷基。存在的多个RY2可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，在RY2形成环的情况下，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团优选为式(Y-B1)～(Y-B5)所示的基团，更优选为式(Y-B3)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0176]

[0177] [式中，RY2表示与上文相同的含义。]

[0178]

[0179] [式中，

[0180] RY1表示与上文相同的含义。

[0181] RY3表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。]

[0182] RY3优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团可以具有取代基。

[0183]

[0184] RY4优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团可以具有取代基。

[0185] 式(Y)所示的结构单元例如可以举出式(Y-11)～(Y-55)所示的结构单元。

[0186]

[0187]

[0188]

[0189] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的发光效率更优异，式(Y)所示的结构单元中ArY1为亚芳基的结构单元相对于高分子化合物中包含的结构单元的合计含量优选为0.5～80摩尔％，更优选为30～60摩尔％。

[0190] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的电荷传输性优异，式(Y)所示的结Y1构单元中Ar 为二价杂环基、或者至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价基团的结构单元相对于高分子化合物中包含的结构单元的合计含量优选为0.5～30摩尔％，更优选为3～30摩尔％。

[0191] 式(Y)所示的结构单元在高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。

[0192] [其它结构单元]

[0193] 出于空穴传输性优异，本发明的高分子化合物可以还包含式(X)所示的结构单元。

[0194]

[0195] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的亮度寿命优异，aX1优选为2以下，更优选为1。

[0196] 出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的亮度寿命优异，aX2优选为2以下，更优选为0。

[0197] RX1、RX2和RX3优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团可以具有取代基。

[0198] ArX1和ArX3所示的亚芳基更优选为式(A-1)或式(A-9)所示的基团，进一步优选为式(A-1)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0199] ArX1和ArX3所示的二价杂环基更优选为式(AA--1)、式(AA-2)或式(AA-7)～式(AA-26)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0200] ArX1和ArX3优选为可以具有取代基的亚芳基。

[0201] ArX2和ArX4所示的亚芳基更优选为式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)～式(A-11)或式(A-19)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0202] ArX2和ArX4所示的二价杂环基的更优选的范围与ArX1和ArX3所示的二价杂环基的更优选的范围相同。

[0203] ArX2和ArX4所示的至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价基团中的亚芳基和二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围分别与ArX1和ArX3所示的亚芳基和二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围相同。

[0204] ArX2和ArX4所示的至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价Y1基团可以举出：与式(Y)的Ar 所示的至少一种的亚芳基与至少一种的二价杂环基直接键合成的二价基团相同的基团。

[0205] ArX2和ArX4优选为可以具有取代基的亚芳基。

[0206] ArX1～ArX4和RX1～RX3所示的基团可以具有的取代基优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团可以进一步具有取代基。

[0207] 式(X)所示的结构单元优选为式(X-1)～(X-7)所示的结构单元，更优选为式(X-3)～(X-7)所示的结构单元，进一步优选为式(X-3)～(X-6)所示的结构单元。

[0208]

[0209]

[0210] [式中，RX4和RX5各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、卤原子、一价杂环基或氰基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RX4可以相同也可以不同。存在的多个RX5可以相同也可以不同，相邻的RX5彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]

[0211] 出于空穴传输性优异，式(X)所示的结构单元相对于高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～30摩尔％，进一步优选为2～20摩尔％。

[0212] 式(X)所示的结构单元例如可以举出式(X1-1)～(X1-19)所示的结构单元，优选为式(X1-6)～(X1-14)所示的结构单元。

[0213]

[0214]

[0215] 在本发明的高分子化合物中，式(X)所示的结构单元可以仅包含一种，也可以包含两种以上。

[0216] 本发明的高分子化合物例如可以举出表1所示的高分子化合物P-1和P-8。此处，“其它结构单元”是指除式(1)、式(Y-1)～式(Y-7)和式(X)所示的结构单元以外的结构单元。

[0217] 表1

[0218]

[0219] [表中，p、q、r、s、t和u表示各结构单元的摩尔比率。p+q+r+s+t+u＝100，并且70≤p+q+r+s+t≤100。其它结构单元是指除式(1)、式(Y-1)～式(Y-7)和式(X)所示的结构单元以外的结构单元。]

[0220] 高分子化合物P-1和P-2中的式(1)、式(Y-1)～式(Y-7)和式(X)所示的结构单元的例子和优选的范围如上所述。

[0221] 若聚合活性基团原样残留，则在将高分子化合物用于发光元件的制作时发光特性或亮度寿命有可能下降，因而本发明的高分子化合物的末端基团优选为稳定的基团。该末端基团优选为与主链进行共轭键合的基团，例如可以举出：经由碳-碳键与芳基或一价杂环基键合的基团。

[0222] 本发明的高分子化合物可以是嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一种，也可以为其它的形态，优选为将两种以上的原料单体共聚而成的共聚物。

[0223] <高分子化合物的制造方法>

[0224] 接着，对本发明的高分子化合物的制造方法进行说明。

[0225] 本发明的高分子化合物例如可以通过使式(M-1)所示的化合物、式(M-2)所示的化合物和其他化合物(例如式(M-3)所示的化合物和/或式(M-4)所示的化合物)进行缩聚由此进行制造。本说明书中，有时将本发明的高分子化合物的制造中使用的化合物统称为“原料单体”。

[0226]

[0227] [式中，

[0228] R1～R8、RA、RB、ArY1、a1、a2、ArX1～ArX4和RX1～RX3表示与上文相同的含义。

[0229] ZC1～ZC8各自独立地表示选自由取代基A组和取代基B组组成的组中的基团。][0230] 例如，ZC1、ZC2和ZC5～ZC8为选自取代基A组中的基团的情况下，ZC3和ZC4选择选自取代基B组中的基团。

[0231] 例如，ZC1、ZC2和ZC5～ZC8为选自取代基B组中的基团的情况下，ZC3和ZC4选择选自取代基A组中的基团。

[0232] <取代基A组>

[0233] 氢原子、氯原子、溴原子、碘原子、-O-S(＝O)2RC1(式中，RC1表示烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。)所示的基团。

[0234] <取代基B组>

[0235] -B(ORC2)2(式中，RC2表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RC2可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的氧原子一起形成环结构)所示的基团；

[0236] -BF3Q′(式中，Q′表示Li、Na、K、Rb或Cs。)所示的基团；

[0237] -MgY′(式中，Y′表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；

[0238] -ZnY″(式中，Y″表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；和，

[0239] -Sn(RC3)3(式中，RC3表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RC3可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的锡原子一起形成环结构。)所示的基团。

[0240] -B(ORC2)2所示的基团例示出下述式所示的基团。

[0241]

[0242] 具有选自取代基A组中的基团的化合物与具有选自取代基B组中的基团的化合物通过公知的偶联反应发生缩聚，与选自取代基A组中的基团和选自取代基B组中的基团键合的碳原子彼此发生键合。因此，如果将具有2个选自取代基A组中的基团的化合物与具有2个选自取代基B组中的基团的化合物供于公知的偶联反应，则可以通过缩聚得到这些化合物的缩聚物。

[0243] 缩聚通常在催化剂、碱和溶剂的存在下进行，根据需要可以在相转移催化剂的共存下进行。

[0244] 催化剂例如可以举出：双(三苯基膦)二氯化钯、双(三邻甲氧基苯基膦)二氯化钯、四(三苯基膦)钯、三(二亚苄基丙酮)二钯、乙酸钯等钯络合物、四(三苯基膦)镍、[1，3-双(二苯膦基)丙烷]二氯化镍、[双(1，4-环辛二烯)]镍等镍络合物等过渡金属络合物；这些过渡金属络合物进一步具有三苯基膦、三邻甲苯基膦、三叔丁基膦、三环己基膦、二苯基丙基磷、联吡啶等配体的络合物。催化剂可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0245] 催化剂的使用量以过渡金属相对于原料单体的摩尔量的总量的量计通常为0.00001～3摩尔当量。

[0246] 碱和相转移催化剂例如可以举出：碳酸钠、碳酸钾、碳酸铯、氟化钾、氟化铯、磷酸三钾等无机碱；四丁基氟化铵、四丁基氢氧化铵等有机碱；四丁基氯化铵、四丁基溴化铵等相转移催化剂。碱和相转移催化剂各自可以使用单独一种，也可以并用两种以上。

[0247] 碱和相转移催化剂的使用量各自相对于原料单体的合计摩尔量通常为0.001～100摩尔当量。

[0248] 溶剂例如可以举出甲苯、二甲苯、三甲苯、四氢呋喃、1，4-二氧六环、二甲氧基乙烷、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺等有机溶剂、水。溶剂可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0249] 溶剂的使用量通常相对于原料单体的合计100重量份为10～100000重量份。

[0250] 缩聚的反应温度通常为-100～200℃。缩聚的反应时间通常为1小时以上。

[0251] 聚合反应的后处理可以单独或组合公知的方法来进行，例如通过分液除去水溶性杂质的方法；在甲醇等低级醇中加入聚合反应后的反应液，将析出的沉淀过滤后进行干燥的方法等。高分子化合物的纯度低时，例如可以利用重结晶、再沉淀、利用索氏提取器的连续萃取、柱色谱等通常的方法进行纯化。

[0252] <化合物>

[0253] 接着，对于作为本发明的高分子化合物的原料单体的化合物进行说明。

[0254] 式(M-1)所示的化合物作为本发明的高分子化合物的原料单体有用。

[0255]

[0256] [式中，R1～R8、RA、RB、ZC1和ZC2表示与上文相同的含义。]

[0257] 式(M-1)所示的化合物在用于制造本发明的高分子化合物的情况下，出于使用本发明的高分子化合物的发光元件的发光效率更优异，优选为式(M-1-1)所示的化合物，更优选为式(M-1-2)所示的化合物。

[0258]

[0259] [式中，R1～R14、Ra、Rb、Rc、Rd、ZC1和ZC2表示与上文相同的含义。]

[0260]

[0261] 在将式(M-1-2)所示的化合物用于制造本发明的高分子化合物的情况下，出于本发明的高分子化合物的稳定性优异，Ra’、Rb’、Rc’和Rd’优选为烷基、环烷基或芳基，更优选为烷基或环烷基，特别优选为烷基，这些基团可以具有取代基。

[0262] Ra’、Rb’、Rc’和Rd’所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基、环烷基或芳基。

[0263] <化合物的制造方法>

[0264] 接着，对本发明的化合物的制造方法进行说明。

[0265] 本发明的化合物的制造方法是式(M-1’)所示的化合物的制造方法，其中包括：在具有膦作为配体的过渡金属络合物、碱和溶剂的存在下，使式(Z)所示的化合物与式(2)所示的化合物进行氨基化反应的工序。

[0266] [式(Z)所示的化合物]

[0267] RC-NH2  (Z)

[0268] 为了通过本发明的制造方法得到的化合物的产率更优异，RC优选为芳基。

[0269] RC所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基。

[0270] 式(Z)所示的化合物例如可以举出式(Z-1)～(Z-5)所示的化合物。

[0271]

[0272] 本发明的制造方法中，式(Z)所示的化合物可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0273] [式(2)所示的化合物]

[0274]

[0275] 为了通过本发明的制造方法得到的化合物的产率更优异，R15和R16优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，更优选为氢原子或烷基，进一步优选为氢原子。

[0276] R15和R16所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基。

[0277] 为了通过本发明的制造方法得到的化合物的产率更优异，Ya优选为溴原子或碘原子，更优选为溴原子。

[0278] 式(2)所示的化合物例如可以举出式(2-1)～(2-4)所示的化合物。

[0279]

[0280] 本发明的制造方法中，式(2)所示的化合物可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0281] [式(M-1’)所示的化合物]

[0282]

[0283] 为了通过本发明的制造方法得到的化合物的产率更优异，式(M-1’)所示的化合物优选为式(M-1’-1)所示的化合物。

[0284]

[0285] 式(M-1’-1)所示的化合物中的R9～R14、Ra、Rb、Rc和Rd的定义和例子与式(1-1)所示的结构单元中的R9～R14、Ra、Rb、Rc和Rd的定义和例子相同。

[0286] 为了通过本发明的制造方法得到的化合物的产率更优异，式(M-1’-1)所示的化合物中的Ra、Rb、Rc和Rd优选为可以具有取代基的烷基。

[0287] 式(M-1’)所示的化合物例如可以举出式(M-1’-1)～(M-1’-9)所示的化合物。

[0288]

[0289] [具有膦配体的过渡金属络合物]

[0290] 具有膦配体的过渡金属络合物可以举出具有膦配体的钯络合物、具有膦配体的镍络合物，为了通过本发明的制造方法得到的化合物的产率更优异，优选为具有膦配体的钯络合物。

[0291] 具有膦配体的过渡金属络合物例如可以举出：双(三苯基膦)二氯化钯、双(三邻甲氧基苯基膦)二氯化钯、[四(三苯基膦)]钯。

[0292] 本发明的制造方法中使用的具有膦配体的过渡金属络合物优选将不具有膦配体的过渡金属络合物与膦化合物分别加入反应体系中并在反应体系内进行制备。

[0293] 不具有膦配体的过渡金属络合物例如可以举出[三(二亚苄基丙酮)]二钯、双(二亚苄基丙酮)钯、氯化钯、乙酸钯、双(苯甲腈)二氯化钯，优选[三(二亚苄基丙酮)]二钯、双(二亚苄基丙酮)钯、氯化钯或乙酸钯，更优选[三(二亚苄基丙酮)]二钯或乙酸钯。

[0294] 膦化合物例如可以举出：选自由烷基(该烷基可以具有取代基)和芳基(该芳基可以具有取代基)组成的组中的至少一个基团与磷原子键合的膦化合物，这些之中，优选3个烷基与磷原子键合的三烷基膦化合物、或者芳基膦化合物。

[0295] 膦化合物例如可以举出：三苯基膦、三邻甲苯基膦、三叔丁基膦、三环己基膦、二叔丁基苯基膦、三正丁基膦，优选三叔丁基膦或二叔丁基苯基膦。

[0296] 在将不具有膦配体的过渡金属络合物和膦化合物分别加入反应体系中并在反应体系内制备本发明的制造方法中使用的具有膦配体的过渡金属络合物的情况下，膦化合物的使用量相对于不具有膦配体的过渡金属络合物的摩尔量的总量通常为0.5～20摩尔当量，优选为1～10摩尔当量，更优选为1～5摩尔当量。

[0297] 在将不具有膦配体的过渡金属络合物和膦化合物分别加入反应体系中并在反应体系内制备本发明的制造方法中使用的具有膦配体的过渡金属络合物的情况下，不具有膦配体的过渡金属络合物的使用量相对于式(2)所示的化合物的摩尔量的总量优选为0.00001～3摩尔当量，更优选为0.00005～1摩尔当量，进一步优选为0.0001～0.5摩尔当量。

[0298] 本发明的制造方法中，具有膦配体的过渡金属络合物可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0299] [碱]

[0300] 本发明的制造方法中使用的碱例如可以举出：碳酸钠、氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钾、碳酸铯、磷酸钾、叔丁醇钠、叔丁醇锂、叔丁醇钾，优选为叔丁醇钠。

[0301] 碱的使用量相对于式(2)所示的化合物的摩尔量的总量优选为0.1～30摩尔当量，更优选为0.5～20摩尔当量，进一步优选为1～10摩尔当量。

[0302] 本发明的制造方法中，碱可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0303] [溶剂]

[0304] 本发明的制造方法中使用的溶剂优选为有机溶剂。有机溶剂例如可以举出甲苯、二甲苯(邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯和它们的混合物)、三甲苯、四氢呋喃、1，4-二氧六环、二甲氧基乙烷、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺。

[0305] 在将式(2)所示的化合物设为1重量份时，溶剂的使用量通常为0.1～100重量份，优选为1～80重量份，更优选为5～50重量份。

[0306] 本发明的制造方法中，溶剂可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0307] [反应温度]

[0308] 本发明的制造方法中，反应温度通常为0℃～200℃，优选为50℃～150℃，更优选为80℃～130℃。

[0309] [反应时间]

[0310] 本发明的制造方法中，反应时间通常为0.5～24小时，优选为1～12小时，更优选为1～8小时。

[0311] 作为本发明的高分子化合物的原料单体的式(M-1-2)所示的化合物例如可以利用下述路线进行制造。

[0312]

[0313] [式中，

[0314] ZC1和ZC2表示与上文相同的含义。

[0315] Y1a和Y2a表示氯原子、溴原子或碘原子。需要说明的是，Y1a为原子序数比Y2a大的原子。

[0316] Y1b表示选自取代基B组中的基团。

[0317] R1a表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个R1a可以相同也可以不同。]

[0318] Y1a和Y2a的组合优选为：Y1a为碘原子、Y2a为溴原子的组合。

[0319] R1a优选为烷基、环烷基或芳基，更优选为烷基或环烷基，进一步优选为烷基，这些基团可以具有取代基。

[0320] R1a所示的基团可以具有取代基。取代基优选为烷基、环烷基或芳基。

[0321] 上述路线中，首先，通过式(6-1-1)所示的化合物(以下称作“化合物(6-1-1)”)与规定的卤素化合物的铃木偶联反应，可得到式(6-1-2)所示的化合物(以下称作“化合物(6-1-2)”)。

[0322] 上述路线中，接着，通过化合物(6-1-2)与规定的胺化合物的偶联反应，可得到式(6-1-3)所示的化合物(以下称作“化合物(6-1-3)”)。

[0323] 上述路线中，接着，通过将化合物(6-1-3)供于溴化反应等反应，将与碳原子直接键合的氢原子转化成选自取代基A组中的基团，可得到式(6-1-4)所示的化合物(以下称作“化合物(6-1-4)”)。化合物(6-1-4)的与碳原子直接键合的ZC1和ZC2也可以使用公知的反应转化成选自取代基B组中的基团。

[0324] <组合物>

[0325] 本发明的组合物含有本发明的高分子化合物和选自由空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂和溶剂组成的组中的至少一种的材料。

[0326] 包含本发明的高分子化合物和溶剂的组合物(以下有时称作“墨液”)适合于使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等印刷法的发光元件的制作。

[0327] 墨液的粘度根据印刷法的种类进行调整即可，在应用于喷墨印刷法等溶液经由喷出装置的印刷法的情况下，出于防止喷出时的堵塞和飞行弯曲，优选在25℃为1～20mPa·s。

[0328] 墨液中含有的溶剂优选为可溶解或均匀分散该墨液中的固体成分的溶剂。溶剂例如可以举出：1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二氧六环、苯甲醚、4-甲基苯甲醚等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、三甲苯、乙苯、正己基苯、环己基苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷、联环己烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮、苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶剂；乙二醇、甘油、1，2-己二醇等多元醇系溶剂；异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。溶剂可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0329] 墨液中，溶剂的配合量相对于本发明的高分子化合物100重量份通常为1000～100000重量份，优选为2000～20000重量份。

[0330] [空穴传输材料]

[0331] 空穴传输材料分类为低分子化合物和高分子化合物，优选高分子化合物，更优选具有交联基的高分子化合物。

[0332] 高分子化合物例如可以举出聚乙烯咔唑及其衍生物；在侧链或主链具有芳香族胺结构的聚亚芳基及其衍生物。高分子化合物可以是键合有电子接受性部位的化合物。电子接受性部位例如可以举出富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，优选为富勒烯。

[0333] 本发明的组合物中，空穴传输材料的配合量相对于本发明的高分子化合物100重量份通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。

[0334] 空穴传输材料可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0335] [电子传输材料]

[0336] 电子传输材料分类为低分子化合物和高分子化合物。电子传输材料可以具有交联基。

[0337] 低分子化合物例如可以举出以8-羟基喹啉为配体的金属络合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯和联苯醌、以及它们的衍生物。

[0338] 高分子化合物例如可以举出聚苯、聚芴、以及它们的衍生物。高分子化合物可以经金属掺杂。

[0339] 本发明的组合物中，电子传输材料的配合量相对于本发明的高分子化合物100重量份通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。

[0340] 电子传输材料可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0341] [空穴注入材料和电子注入材料]

[0342] 空穴注入材料及电子注入材料各自分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及电子注入材料可以具有交联基。

[0343] 低分子化合物例如可以举出铜酞菁等金属酞菁；碳；钼、钨等金属氧化物；氟化剂、氟化钠、氟化铯、氟化钾等金属氟化物。

[0344] 高分子化合物例如可以举出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯乙烯撑、聚亚噻吩基亚乙烯基、聚喹啉及聚喹喔啉、以及它们的衍生物；在主链或侧链包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子。

[0345] 本发明的组合物中，空穴注入材料和电子注入材料的配合量各自相对于本发明的高分子化合物100重量份通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。

[0346] 空穴注入材料和电子注入材料各自可以使用单独一种，也可以并用两种以上。

[0347] [离子掺杂]

[0348] 在空穴注入材料或电子注入材料包含导电性高分子的情况下，导电性高分子的电导率优选为1×10-5S/cm～1×103S/cm。为了将导电性高分子的电导率设为该范围，可以在导电性高分子中掺杂适量的离子。

[0349] 掺杂的离子的种类在空穴注入材料的情况下为阴离子，在电子注入材料的情况下为阳离子。阴离子例如可以举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子。阳离子例如可以举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子。

[0350] 掺杂的离子可以仅为一种也可以为两种以上。

[0351] [发光材料]

[0352] 发光材料分类为低分子化合物和高分子化合物。发光材料可以具有交联基。

[0353] 低分子化合物例如可以举出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以铱、铂或铕为中心金属的三重态发光络合物。

[0354] 高分子化合物例如可以举出包含亚苯基、萘二基、芴二基、菲二基、二氢菲二基、式(X)所示的基团、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。

[0355] 发光材料可以包含低分子化合物和高分子化合物，优选包含三重态发光络合物和高分子化合物。

[0356] 三重态发光络合物优选为式Ir-1～Ir-3所示的金属络合物等铱络合物。

[0357]

[0358]

[0359] [式中，

[0360] RD1～RD8和RD11～RD20各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基或卤原子，这些基团可以具有取代基。在RD1～RD8和RD11～RD20存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。

[0361] -AD1---AD2-表示阴离子性的二齿配体，AD1和AD2各自独立地表示与铱原子键合的碳原子、氧原子或氮原子，这些原子可以是构成环的原子。在-AD1---AD2-存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。

[0362] nD1表示1、2或3，nD2表示1或2。]

[0363] 式Ir-1所示的三重态发光络合物中，RD1～RD8中的至少一个优选为式(D-A)所示的基团。

[0364]

[0365] [式中，

[0366] mDA1、mDA2和mDA3各自独立地表示0以上的整数。

[0367] GDA表示氮原子、芳香族烃基或杂环基，这些基团可以具有取代基。

[0368] ArDA1、ArDA2和ArDA3各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。在ArDA1、ArDA2和ArDA3存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。

[0369] TDA表示芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个TDA可以相同也可以不同。]

[0370] mDA1、mDA2和mDA3通常为10以下的整数，优选为5以下的整数，更优选为0或1。mDA1、mDA2和mDA3优选为相同的整数。

[0371] GDA优选为式(GDA-11)～(GDA-15)所示的基团，这些基团可以具有取代基。

[0372]

[0373] [式中，

[0374] ＊、＊＊和＊＊＊各自表示与ArDA1、ArDA2、ArDA3的键合。

[0375] RDA表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以进一步具有取代基。在RDA存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。]

[0376] RDA优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基或环烷氧基，更优选为氢原子、烷基或环烷基，这些基团可以具有取代基。

[0377] ArDA1、ArDA2和ArDA3优选为式(ArDA-1)～(ArDA-3)所示的基团。

[0378]

[0379] [式中，

[0380] RDA表示与上文相同的含义。

[0381] RDB表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。在RDB存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。]

[0382] TDA优选为式(TDA-1)～(TDA-3)所示的基团。

[0383]

[0384] [式中，RDA和RDB表示与上文相同的含义。]

[0385] 式Ir-2中，优选：RD11～RD20中的至少一个为式(D-A)所示的基团。

[0386] 式Ir-3中，优选：RD1～RD8及RD11～RD20中的至少一个为式(D-A)所示的基团。

[0387] 式(D-A)所示的基团优选为式(D-A1)～(D-A3)所示的基团。

[0388]

[0389] [式中，

[0390] Rp1、Rp2和Rp3各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基或卤原子。在Rp1和Rp2存在有多个的情况下，它们各自相同或不同。

[0391] np1表示0～5的整数，np2表示0～3的整数，np3表示0或1。存在的多个np1可以相同也可以不同。]

[0392] np1优选为0或1，更优选为1。np2优选为0或1，更优选为0。np3优选为0。

[0393] Rp1、Rp2和Rp3优选为烷基或环烷基。

[0394] -AD1---AD2-所示的阴离子性的二齿配体例如可以举出：下述式所示的配体。

[0395]

[0396] [式中，＊表示与Ir键合的部位。]

[0397] 式Ir-1所示的金属络合物优选为式Ir-11～Ir-13所示的金属络合物。式Ir-2所示的金属络合物优选为式Ir-21所示的金属络合物。式Ir-3所示的金属络合物优选为式Ir-31～Ir-33所示的金属络合物。

[0398]

[0399] [式中，D表示式(D-A)所示的基团。nD2表示1或2。]

[0400] 三重态发光络合物例如可以举出以下所示的金属络合物。

[0401]

[0402]

[0403] 本发明的组合物中，发光材料的含量相对于本发明的高分子化合物100重量份通常为0.1～400重量份。

[0404] [抗氧化剂]

[0405] 抗氧化剂只要是可溶于与本发明的高分子化合物相同的溶剂且不妨碍发光和电荷传输的化合物即可，例如可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。

[0406] 本发明的组合物中，抗氧化剂的配合量相对于本发明的高分子化合物100重量份通常为0.001～10重量份。

[0407] 抗氧化剂可以使用单独一种也可以并用两种以上。

[0408] <膜>

[0409] 膜含有本发明的高分子化合物。

[0410] 膜也包括通过交联使得本发明的高分子化合物变得在溶剂中不溶化的不溶化膜。不溶化膜是通过加热、光照射等外部刺激使本发明的高分子化合物交联而得到的膜。不溶化膜由于实质上不溶于溶剂，因而可以适合地用于发光元件的层叠化。

[0411] 用于使膜交联的加热的温度通常为25～300℃，出于外部量子效率优异，优选为50～250℃，更优选为150～200℃。

[0412] 用于使膜交联的光照射所使用的光的种类例如为紫外光、近紫外光、可见光。

[0413] 膜适合作为发光元件中的发光层。

[0414] 膜可以使用墨液通过例如旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、喷涂涂布法、丝网印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法进行制作。

[0415] 膜的厚度通常为1nm～10μm。

[0416] <发光元件>

[0417] 本发明的发光元件是使用本发明的高分子化合物得到的有机电致发光等发光元件。对于该发光元件而言，在本发明的高分子化合物具有交联基的情况下，例如为包含本发明的高分子化合物的发光元件、本发明的高分子化合物在分子内、在分子间、或者在这两处发生交联的发光元件，在本发明的高分子化合物不具有交联基的情况下，例如为包含本发明的高分子化合物的发光元件。

[0418] 本发明的发光元件的构成例如具有由阳极及阴极构成的电极、和在该电极间设置的使用本发明的高分子化合物得到的层。

[0419] [层构成]

[0420] 使用本发明的高分子化合物得到的层通常为发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的1种以上的层，优选为发光层。这些层分别包含发光材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料。这些层可以如下形成：分别使发光材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料溶于上述的溶剂，制备墨液后使用，使用与上述的膜的制作相同的方法进行形成。

[0421] 发光元件在阳极与阴极之间具有发光层。从空穴注入性及空穴传输性的观点出发，本发明的发光元件优选在阳极与发光层之间具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层，从电子注入性及电子传输性的观点出发，优选在阴极与发光层之间具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。

[0422] 空穴传输层、电子传输层、发光层、空穴注入层及电子注入层的材料除了本发明的高分子化合物以外，分别可以举出上述的空穴传输材料、电子传输材料、发光材料、空穴注入材料及电子注入材料等。

[0423] 空穴传输层的材料、电子传输层的材料和发光层的材料在发光元件的制作中各自可溶于在与空穴传输层、电子传输层和发光层相邻的层的形成时所使用的溶剂的情况下，为了避免该材料溶于该溶剂中，优选该材料具有交联基。使用具有交联基的材料形成各层后，使该交联基进行交联，由此可以使该层不溶化。

[0424] 本发明的发光元件中，作为发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴注入层、电子注入层等各层的形成方法，在使用低分子化合物的情况下，例如可以举出利用粉末的真空蒸镀法、基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法，在使用高分子化合物的情况下，例如可以举出基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法。

[0425] 层叠的层的顺序、数量和厚度考虑发光效率和元件寿命进行调整即可。

[0426] [基板/电极]

[0427] 发光元件中的基板只要是可以形成电极且在形成有机层时不发生化学性变化的基板即可，例如由玻璃、塑料、硅等材料构成的基板。不透明的基板的情况下，位置距基板最远的电极优选为透明或半透明。

[0428] 阳极的材料例如可以举出导电性的金属氧化物、半透明的金属，优选为氧化铟、氧化锌、氧化锡；铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物等导电性化合物；银与钯与铜的复合体(APC)；NESA、金、铂、银、铜。

[0429] 阴极的材料例如可以举出锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、锌、铟等金属；这些之中的2种以上的合金；这些之中1种以上与银、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡之中1种以上的合金；以及石墨及石墨层间化合物。合金例如可以举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金。

[0430] 阳极及阴极各自可以为2层以上的层叠结构。

[0431] [用途]

[0432] 为了使用发光元件得到面状的发光，以面状的阳极与阴极叠合的方式配置即可。为了得到图案状的发光，有在面状的发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩模的方法、使欲作为非发光部的层形成得极端厚而实质上成为不发光的方法、以图案状形成阳极或阴极、或者这两种电极的方法。利用这些中的任一方法形成图案，以能够独立进行开关(ON/OFF)的方式配置若干电极，由此可得到可以显示数字、文字等的分段型的显示装置。为了形成点阵显示装置，将阳极和阴极以共同形成条状并正交的方式进行配置即可。通过分别涂布多种的发光色不同的高分子化合物的方法、使用滤色器或荧光转换过滤器的方法，能够进行部分彩色显示、多色显示。点阵显示装置也能够进行无源驱动，也可以与TFT等组合进行有源驱动。这些显示装置可以用于计算机、电视、便携终端等的显示器。面状的发光元件可以适合地用作液晶显示装置的背光用的面状光源、或者面状的照明用光源。如果使用柔性的基板，则也可以用作曲面状的光源及显示装置。

[0433] 实施例

[0434] 以下，通过实施例对本发明进行更详细说明，本发明不限于这些实施例。

[0435] 实施例中，高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量(Mn)和聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)通过尺寸排阻色谱法(SEC)(岛沣制作所制、商品名：LC-10Avp)求出。需要说明的是，SEC的测定条件如下所述。

[0436] [测定条件]

[0437] 将进行测定的高分子化合物以约0.05重量％的浓度溶于THF，向SEC中注入10μL。使用THF作为SEC的流动相，以2.0mL/分钟的流量进行流通。作为柱，使用PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories公司制)。检测器使用UV-VIS检测器(岛沣制作所制、商品名：SPD-
10Avp)。

[0438] 液相色谱质谱分析(LC-MS)利用下述的方法进行。

[0439] 将测定试样以约2mg/mL的浓度溶于氯仿或THF，在LC-MS(安捷伦科技制、商品名：1100LCMSD)中注入约1μL。LC-MS的流动相一边变化乙腈及四氢呋喃的比率一边使用乙腈及四氢呋喃，以0.2mL/分钟的流量进行流通。柱使用L-column 2ODS(3μm)(化学物质评价研究机构制、内径：2.1mm、长度：100mm、粒径3μm)。

[0440] NMR的测定以下述的方法进行。

[0441] 使5～10mg的测定试样溶于约0.5mL的重氯仿(CDCl3)、重四氢呋喃(THF-d8)、重二氯甲烷(CD2Cl2)或重二甲亚砜((CD3)2SO)，使用NMR装置(Agilent制、商品名：INOVA300)进行测定。

[0442] 作为化合物的纯度的指标，使用高效液相色谱(HPLC)面积百分率的值。该值只要没有特别记载，就设为HPLC(岛沣制作所制、商品名：LC-20A)中的在254nm下的值。此时，进行测定的化合物以0.01～0.2重量％的浓度溶于THF或氯仿，在HPLC与浓度相应地注入1～10μL。HPLC的流动相使用乙腈及THF，以1mL/分钟的流速在乙腈/THF＝100/0～0/100(体积比)的梯度分析下进行流通。柱使用Kaseisorb LC ODS 2000(东京化成工业制)或具有同等性能的ODS柱。检测器使用光电二极管阵列检测器(岛沣制作所制、商品名：SPD-M20A)。

[0443] <合成例1>化合物2的合成

[0444]

[0445] 将具备搅拌器的反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物1(22.0g)、2-溴苯硼酸(19.1g)、四(三苯基膦)钯(0)(2.43g)和四氢呋喃(440mL)，加热至45℃。之后，向其中加入碳酸银(47.2g)，进行3小时的回流。将所得到的反应液冷却至室温后，加入水和甲苯，在室温进行搅拌。之后，分离水层，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层。在所得到的有机层中加入硫酸钠后，进行过滤，进行浓缩由此得到粗产物。之后，向其中加入甲苯和活性炭，在70℃搅拌1小时。之后，通过预铺有硅藻土的过滤器进行过滤。用甲苯将所得到的残渣洗涤多次。浓缩所得到的洗涤液后，使用甲苯进行重结晶，由此得到作为白色固体的化合物217.9g(产率74％、纯度98.9％)。

[0446] 1H-NMR(DMSO-d6、300MHz)：δ(ppm)＝7.43(4H、t)、7.49(2H、t)、7.71(2H、d)、7.76(2H、d).

[0447] <实施例1>化合物3的合成

[0448]

[0449] 将具备搅拌器的反应容器内设为氮气气氛后，加入2，6-二甲基-4-正丁基苯胺(3.8g)、叔丁醇钠(4.9g)和叔丁醇(3.3ml)。之后，向其中加入甲苯(30mL)，升温至105℃后，在105℃搅拌30分钟。之后，向其中加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.40g)和二叔丁基苯基膦(0.39g)，接下来，加入化合物2(4.8g)和甲苯(80mL)后，在105℃搅拌2.5小时。将所得到的反应液冷却至室温后，加入水和甲苯，在室温进行搅拌。利用HPLC(高效液相色谱)对有机层进行分析，其结果，以95％的产率生成了作为目标物质的化合物3。之后，分离水层，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层。在所得到的有机层中加入硫酸镁后，进行过滤，进行浓缩由此得到粗产物。将所得到的粗产物用庚烷洗涤多次后，使用甲苯进行重结晶，由此得到作为白色固体的化合物33.8g(产率77％、纯度99.6％)。

[0450] LC-MS(APCI、positive)：[M+H]+577

[0451] 1H-NMR(THF-d8、300MHz)：δ(ppm)＝1.12(6H、m)、1.57(4H、m)、1.82(4H、m)、1.95(12H、s)、2.80(4H、t)、6.92(2H、d)、7.17(2H、t)、7.25(4H、s)、7.35(2H、t)、7.73(2H、s)、8.20(4H、d).

[0452] <实施例2>化合物4的合成

[0453]

[0454] 将具备搅拌器的反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物3(3.7g)、氯仿(700mL)和吡啶(2.0g)，在室温搅拌30分钟。之后，将反应容器整体进行遮光，加入苄基三甲基溴化铵(5.04g)，在室温搅拌5小时。之后，向其中加入水，接下来，加入饱和亚硫酸钠水溶液直至溴的颜色消失。之后，向其中加入氯仿，在室温进行搅拌。之后，分离水层，将有机层用水洗涤1次，用饱和氯化钠水溶液洗涤1次。通过将所得到的洗涤液进行浓缩由此得到粗产物。使用氯仿对所得到的组合物进行重结晶，由此得到作为微黄色固体的化合物40.5g(产率18％、纯度99.3％)。

[0455] LC-MS(APCI、positive)：[M+H]+733

[0456] 1H-NMR(THF-d8、300MHz)：δ(ppm)＝0.95(6H、m)、1.55(4H、m)、1.85(4H、m)、1.93(12H、s)、2.79(4H、t)、6.88(2H、d)、7.27(4H、s)、7.50(2H、d)、7.79(2H、s)、8.46(2H、s).[0457] <合成例2>化合物6的合成

[0458]

[0459] 将具备搅拌器的反应容器内设为氮气气氛后，加入依据“Tetrahedron68(2012)9788_9794”中记载的方法进行合成的化合物5(11.2g)和四氢呋喃(250mL)，冷却至0℃。之后，向其中加入氢化钠(2.6g)，在0℃搅拌30分钟。之后，向其中滴加2-乙基己基溴(20.7g)，发热平息后升温至50℃，在50℃搅拌24小时。将所得到的反应液冷却至0℃，加入盐酸水溶液(1mol/L)，在0℃搅拌30分钟。之后，通过预铺有硅藻土的过滤器进行过滤。将所得到的滤液与用甲苯对所得到的残渣进行洗涤后的洗涤液合并后，分离水层，用水对所得到的有机层进行洗涤。将所得到的有机层进行浓缩由此得到粗产物。用异丙醇对所得到的粗产物进行洗涤后，使用异丙醇和甲苯的混合溶剂进行重结晶，由此得到作为白色固体的化合物
66.9g。

[0460] LC-MS(APCI、positive)：[M+H]+637

[0461] <实施例3>高分子化合物1的合成

[0462]

[0463] 化合物7依据日本特开2011-174061号公报中记载的方法进行合成。

[0464] 化合物8依据日本特开2006-257094号公报中记载的方法进行合成。

[0465] (工序1)将反应容器内设为非活性气体气氛后，加入化合物7(1.0811g)、化合物8(0.7666g)、化合物4(0.1111g)、双(三邻甲氧基苯基膦)二氯化钯(1.3mg)和甲苯(40mL)，加入105℃。

[0466] (工序2)之后，向其中滴加20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(5mL)，进行5小时的回流。

[0467] (工序3)之后，向其中加入苯硼酸(36.6mg)和双(三邻甲氧基苯基膦)二氯化钯(1.3mg)，进行14小时的回流。

[0468] (工序4)之后，向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，将反应液用水洗涤2次，用3重量％乙酸水溶液洗涤2次，用水洗涤2次，将所得到的溶液滴加至甲醇中。使所得到的沉淀物溶于甲苯，依次通过氧化铝柱、硅胶柱由此进行纯化。将所得到的溶液滴加至甲醇中，进行搅拌后，滤取所得到的沉淀物，进行干燥由此得到高分
5 5
子化合物1 1.12g。高分子化合物1的Mn为1.1×10，Mw为2.7×10。

[0469] 以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物1是由化合物7衍生的结构单元、由化合物8衍生的结构单元和由化合物4衍生的结构单元以50∶45∶5的摩尔比构成而成的共聚物。

[0470] <比较例1>高分子化合物2的合成

[0471] 将高分子化合物1的合成中的(工序1)设为“将反应容器内设为非活性气体气氛后，加入化合物7(1.0811g)、化合物8(0.7666g)、化合物6(0.0976g)、双(三苯基膦)二氯化钯(1.3mg)和甲苯(40ml)，加热至105℃”，除此以外，与高分子化合物1的合成同样地进行，由此得到高分子化合物2 1.09g。高分子化合物2的Mn为1.0×105，Mw为2.8×105。

[0472] 以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物2是由化合物7衍生的结构单元、由化合物8衍生的结构单元和由化合物6衍生的结构单元以50∶45∶5的摩尔比构成而成的共聚物。

[0473] <合成例3>高分子化合物3的合成

[0474]

[0475] 化合物9依据日本特开2011-174062号公报中记载的方法进行合成。

[0476] 化合物10依据日本特表2007-512249号公报中记载的方法进行合成。

[0477] 化合物11依据日本特开2008-106241号公报中记载的方法进行合成。

[0478] 将高分子化合物1的合成中的(工序1)设为“将反应容器内设为非活性气体气氛后，混合化合物9(2.7027g)、化合物8(0.2459g)、化合物10(1.6509g)、化合物11(0.2409g)、双(三苯基膦)二氯化钯(2.1mg)和甲苯(62ml)，加热至105℃”，

[0479] 将高分子化合物1的合成中的(工序2)设为“之后，向其中滴加20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(10mL)，进行4.5小时的回流”，

[0480] 将高分子化合物1的合成中的(工序3)设为“之后，向其中加入苯硼酸(36.6mg)和双(三苯基膦)二氯化钯(2.1mg)，进行14小时的回流”，除此以外，与高分子化合物1的合成同样地进行，由此得到高分子化合物33.12g。高分子化合物3的Mn为7.8×104，Mw为2.6×105。

[0481] 以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物3是由化合物9衍生的结构单元、由化合物8衍生的结构单元、由化合物10衍生的结构单元和由化合物11衍生的结构单元以50∶12.5∶30∶7.5的摩尔比构成而成的共聚物。

[0482] <实施例D1>发光元件D1的制作和评价

[0483] 在玻璃基板上通过溅射法以45nm的厚度赋予ITO膜由此形成阳极。在该阳极上将聚噻吩·磺酸系的空穴注入剂(商品名：AQ-1200、Plextronics公司制)通过旋涂法以35nm的厚度进行成膜，在大气气氛下，在加热板上进行170℃、15分钟加热由此形成空穴注入层。

[0484] 在二甲苯中将高分子化合物3以0.7重量％的浓度溶解，制备了二甲苯溶液。使用该二甲苯溶液在空穴注入层上通过旋涂法以20nm的厚度进行成膜，在氮气气氛下，在加热板上进行180℃、60分钟加热由此形成空穴传输层。

[0485] 在二甲苯中将高分子化合物1以1.2重量％的浓度溶解，制备了二甲苯溶液。使用该二甲苯溶液在空穴传输层上通过旋涂法以60nm的厚度进行成膜，在氮气气氛下，进行150℃、10分钟加热由此形成发光层。

[0486] 将形成有发光层的基板在蒸镀机内减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层上蒸镀氟化钠约4nm，接着，在氟化钠层上蒸镀铝约80nm。之后，使用玻璃基板进行密封，由此制作了发光元件D1。

[0487] 对发光元件D1施加电压由此观测EL发光，1000cd/m2时的发光效率为4.3cd/A，发光谱峰值波长为450nm，CIE色度坐标(x，y)＝(0.16，0.12)。

[0488] <比较例CD1>发光元件CD1的制作和评价

[0489] 使用高分子化合物2代替实施例D1中的高分子化合物1，除此以外与实施例D1同样地进行，制作了发光元件CD1。

[0490] 对发光元件CD1施加电压由此观测EL发光，1000cd/m2时的发光效率为3.8cd/A，发光谱峰值波长为455nm，CIE色度坐标(x，y)＝(0.15，0.13)。

[0491] 根据发光元件D1与发光元件CD1的比较，显示出使用本发明的高分子化合物制造的发光元件的发光效率优异。

[0492] <实施例4>化合物12的合成

[0493]

[0494] 将具备搅拌器的反应容器内设为氮气气氛后，加入4-正丁基苯胺(0.9g)、叔丁醇钠(1.5g)和叔丁醇(1.0ml)。之后，向其中加入甲苯(7mL)，升温至105℃后，在105℃搅拌30分钟。之后，向其中加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.12g)和二叔丁基苯基膦(0.11g)，接下来，加入化合物2(1.4g)和甲苯(28mL)后，在105℃搅拌1.5小时。将所得到的反应液冷却至室温后，加入水和甲苯，在室温进行搅拌。利用HPLC(高效液相色谱)对有机层进行分析，结果以97％的产率生成了作为目标物质的化合物12。之后，分离水层，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层。在所得到的有机层中加入硫酸镁后，进行过滤，进行浓缩由此得到粗产物。将所得到的粗产物用庚烷洗涤多次后，使用甲苯进行重结晶，由此得到作为白色固体的化合物121.0g(产率75％、纯度99.3％)。

[0495] 1H-NMR(THF-d8、300MHz)：δ(ppm)＝1.08(6H、m)、1.57(4H、m)、1.85(4H、m)、2.85(4H、t)、7.21(2H、m)、7.40(4H、m)、7.58(4H、d)、7.67(4H、d)、8.19(4H、m).[0496] <比较例2>化合物14的合成

[0497]

[0498] 将具备搅拌器的反应容器内设为氮气气氛后，加入依据“日本特开2011-216484号公报”中记载的方法进行合成的化合物13(0.6g)、2，6-二甲基-4-正丁基碘苯(2.1g)、铜(1.3g)、碳酸钾(1.4g)和四乙二醇二甲醚(16ml)，在180℃搅拌28小时。将所得到的反应液冷却至室温后，加入水和甲苯，在室温进行搅拌。利用HPLC(高效液相色谱)对有机层进行分析，结果未检测到作为目标物质的化合物14。

[0499] <比较例3>化合物15的合成

[0500]

[0501] 将具备搅拌器的反应容器内设为氮气气氛后，加入依据“日本特开2011-216484号公报”中记载的方法进行合成的化合物13(0.8g)、4-正丁基碘苯(2.3g)、铜(1.5g)、碳酸钾(1.6g)和四乙二醇二甲醚(19ml)，在180℃搅拌31小时。将所得到的反应液冷却至室温后，加入水和甲苯，在室温进行搅拌。利用HPLC(高效液相色谱)对所得到的有机层进行分析，结果以85％的产率生成了作为目标物质的化合物15。之后，分离水层，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层。在所得到的有机层中加入硫酸镁后，进行过滤，进行浓缩由此得到粗产物。将所得到的粗产物用庚烷洗涤多次后，使用甲苯进行重结晶，由此得到作为白色固体的化合物150.6g(产率35％、纯度95.8％)。

[0502] 1H-NMR(THF-d8、300MHz)：δ(ppm)＝1.08(6H、m)、1.57(4H、m)、1.85(4H、m)、2.85(4H、t)、7.21(2H、m)、7.40(4H、m)、7.58(4H、d)、7.67(4H、d)、8.19(4H、m).[0503] 表2

[0504]目标物质 反应时间 产率(分离)
实施例1 化合物3 2.5小时 77％
实施例4 化合物12 1.5小时 75％
比较例2 化合物14 28小时 在分离前工序中检测不到
比较例3 化合物15 31小时 35％

[0505] 根据实施例1和实施例4与比较例2和比较例3之间的比较，显示出本发明的制造方法为产率优异的制造方法。

[0506] 产业上的可利用性

[0507] 根据本发明，可以提供对制造发光效率优异的发光元件有用的高分子化合物。另外，根据本发明，可以提供对制造该高分子化合物有用的化合物。此外，根据本发明，可以提供含有该高分子化合物的组合物和使用该高分子化合物得到的发光元件。

[0508] 另外，根据本发明，可以提供产率优异的吲哚并咔唑化合物的制造方法。此外，根据本发明的优选实施方式，可以提供反应速度优异的吲哚并咔唑化合物的制造方法。