成膜方法及溅镀装置

摘要

本发明涉及一种成膜方法及溅镀装置，不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体(10)的真空容器(2)内的天线(20)供给高频电力(PR)来产生感应耦合型的等离子体(22)，利用所述等离子体(22)与靶材偏置电压(VT)，对靶材(30)进行溅镀而在基板(12)上进行成膜。在成膜的开始时，向天线(20)供给高频电力(PR)来产生等离子体(22)后，对靶材(30)施加靶材偏置电压(VT)而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材(30)的靶材偏置电压(VT)而停止溅镀后，停止供给至天线(20)的高频电力(PR)而使等离子体(22)消失。

权利要求

1.一种成膜方法，在溅镀装置中，所述溅镀装置向设置于导入溅镀用气体的真空容器内的天线供给高频电力来产生感应耦合型的等离子体，利用所述等离子体与施加至靶材的靶材偏置电压，对所述靶材进行溅镀而在基板上进行成膜，其特征在于：在成膜的开始时，向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，对所述靶材施加所述靶材偏置电压而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至所述靶材的所述靶材偏置电压而停止溅镀后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失，其中在成膜的开始时，向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，将施加至所述靶材的所述靶材偏置电压从零缓慢地增大至规定值为止，在成膜的结束时，缓慢地减小施加至所述靶材的所述靶材偏置电压并停止后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失。

2.一种成膜方法，在溅镀装置中，所述溅镀装置向设置于导入溅镀用气体的真空容器内的天线供给高频电力来产生感应耦合型的等离子体，利用所述等离子体与施加至靶材的靶材偏置电压，对所述靶材进行溅镀而在基板上进行成膜，其特征在于：在成膜的开始时，向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，对所述靶材施加所述靶材偏置电压而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至所述靶材的所述靶材偏置电压而停止溅镀后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失，其中在成膜的开始时，缓慢地增大供给至所述天线的所述高频电力并以最小电力产生所述等离子体后，对所述靶材施加所述靶材偏置电压，其后，进而将供给至所述天线的所述高频电力缓慢地增大至规定值为止。

3.一种溅镀装置，是从高频电源向设置于导入溅镀用气体的真空容器内的天线供给高频电力来产生感应耦合型的等离子体，利用所述等离子体与从靶材偏置电源施加至靶材的靶材偏置电压，对所述靶材进行溅镀而在基板上进行成膜的溅镀装置，其特征在于：包括控制装置，所述控制装置控制所述高频电源及所述靶材偏置电源，并具有在成膜的开始时，从所述高频电源向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，从所述靶材偏置电源对所述靶材施加所述靶材偏置电压而开始溅镀的功能；以及在成膜的结束时，停止从所述靶材偏置电源施加至所述靶材的所述靶材偏置电压而停止溅镀后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失的功能，其中所述控制装置进而具有在成膜的开始时，从所述高频电源向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，将从所述靶材偏置电源施加至所述靶材的所述靶材偏置电压从零缓慢地增大至规定值为止的功能；以及在成膜的结束时，缓慢地减小从所述靶材偏置电源施加至所述靶材的所述靶材偏置电压并停止后，停止从所述高频电源供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失的功能。

4.一种溅镀装置，是从高频电源向设置于导入溅镀用气体的真空容器内的天线供给高频电力来产生感应耦合型的等离子体，利用所述等离子体与从靶材偏置电源施加至靶材的靶材偏置电压，对所述靶材进行溅镀而在基板上进行成膜的溅镀装置，其特征在于：包括控制装置，所述控制装置控制所述高频电源及所述靶材偏置电源，并具有在成膜的开始时，从所述高频电源向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，从所述靶材偏置电源对所述靶材施加所述靶材偏置电压而开始溅镀的功能；以及在成膜的结束时，停止从所述靶材偏置电源施加至所述靶材的所述靶材偏置电压而停止溅镀后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失的功能，其中所述控制装置进而具有如下的功能：在成膜的开始时，缓慢地增大从所述高频电源供给至所述天线的所述高频电力并以最小电力产生所述等离子体后，从所述靶材偏置电源对所述靶材施加所述靶材偏置电压，其后，进而将从所述高频电源供给至所述天线的所述高频电力缓慢地增大至规定值为止。

说明书

成膜方法及溅镀装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种通过溅镀而在基板上进行成膜(换言之为膜形成。以下相同)的成膜方法及溅镀装置，更具体而言，本发明涉及一种向天线供给高频电力来产生感应耦合型的等离子体(简称ICP)而对靶材进行溅镀的成膜方法及溅镀装置。

背景技术

[0002] 作为例如高精度显示器用的薄膜晶体管(TFT)的材料，例如IGZO(In-Ga-Zn-O/铟-镓-锌-氧)、ITZO(In-Sn-Zn-O/铟-锡-锌-氧)等氧化物半导体受到瞩目。

[0003] 在多数情况下，此种TFT用氧化物半导体的薄膜通过如下的磁控溅镀(magnetron sputtering)法来形成，所述磁控溅镀法利用电场与磁场进行正交的磁控放电，并且来自阴极的电子可沿着在靶材的附近连续的轨跡进行运动，但在利用现有的一般的磁控溅镀法的成膜方法中，存在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜(例如膜组成不均的膜。以下相同)这一课题。

[0004] 其原因在于：在现有的一般的磁控溅镀法中，参照图1，通过施加至靶材的高频或直流的靶材电力来产生等离子体，并且使用所述靶材电力对靶材进行溅镀而在基板上进行成膜，等离子体产生与溅镀处于一体的关系，因此在等离子体点灯时及等离子体熄灯时的等离子体不稳定的时期也进行成膜，这成为扰乱膜质(例如膜组成)的原因。

[0005] 作为可解决此种课题的成膜方法，例如在非专利文献1及专利文献1中提出有以如下方式进行了改良的成膜方法及溅镀装置：将包含靶材的阴极(在专利文献1中将其称为靶材装置)设为移动式，使等离子体点灯及等离子体熄灯可在靶材与基板不相对向的位置上进行，从而抑制等离子体点灯时及等离子体熄灯时的不稳定的成膜。

[0006] 现有技术文献

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献1：日本专利特开2013-64171号公报

[0009] 非专利文献

[0010] 非专利文献1：第61次应用物理学会春季学术讲演会讲演草稿集(2014春青山学院大学)18p-E10-16“使用大型溅镀阴极的IGZO膜质均匀性与TFT可靠性”

发明内容

[0011] 发明要解决的问题

[0012] 在所述非专利文献1及专利文献1中所记载的技术中，在移动式的阴极中，除成为成膜材料的靶材以外，必须设置用以对靶材施加溅镀用的高压(例如-1kV左右)的靶材偏置电压的电力供给部、电绝缘机构、用以对靶材等高温部进行冷却的水冷机构等，因此为了使包含靶材的阴极在保持真空的真空容器内移动，装置构成变得复杂。其结果，存在故障产生的因素增加，并且装置的成本变高这一课题。

[0013] 因此，本发明的主要目的在于提供一种不设置靶材的移动机构，而可抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜的方法及装置。

[0014] 解决问题的技术手段

[0015] 本发明的成膜方法中：在溅镀装置中，所述溅镀装置向设置于导入溅镀用气体的真空容器内的天线供给高频电力来产生感应耦合型的等离子体，利用所述等离子体与施加至靶材的靶材偏置电压，对靶材进行溅镀而在基板上进行成膜，在成膜的开始时，向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，对所述靶材施加所述靶材偏置电压而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至所述靶材的所述靶材偏置电压而停止溅镀后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失。

[0016] 可在成膜的开始时，向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，将施加至所述靶材的所述靶材偏置电压从零缓慢地增大至规定值为止，在成膜的结束时，缓慢地减小施加至所述靶材的所述靶材偏置电压并停止后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失。

[0017] 另外，可在成膜的开始时，缓慢地增大供给至所述天线的所述高频电力并以最小电力产生所述等离子体后，对所述靶材施加所述靶材偏置电压，其后，进而将供给至所述天线的所述高频电力缓慢地增大至规定值为止。

[0018] 本发明的溅镀装置是从高频电源向设置于导入溅镀用气体的真空容器内的天线供给高频电力来产生感应耦合型的等离子体，利用所述等离子体与从靶材偏置电源施加至靶材的靶材偏置电压，对靶材进行溅镀而在基板上进行成膜的溅镀装置，其中：包括控制装置，所述控制装置控制所述高频电源及所述靶材偏置电源，并具有(a)在成膜的开始时，从所述高频电源向所述天线供给所述高频电力来产生所述等离子体后，从所述靶材偏置电源对所述靶材施加所述靶材偏置电压而开始溅镀的功能；以及(b)在成膜的结束时，停止从所述靶材偏置电源施加至所述靶材的所述靶材偏置电压而停止溅镀后，停止供给至所述天线的所述高频电力而使所述等离子体消失的功能。

[0019] 发明的效果

[0020] 在成膜的开始时，向天线供给高频电力来产生等离子体后，对靶材施加靶材偏置电压而开始溅镀，因此可避免等离子体点灯时的等离子体不稳定的时期的成膜。

附图说明

[0021] 图1是表示利用现有的一般的磁控溅镀法的成膜方法的一例的时序图。

[0022] 图2是表示实施本发明的成膜方法的溅镀装置的一例的概略剖面图。

[0023] 图3是从下方观察图2中所示的装置的天线周围来表示的概略平面图。

[0024] 图4是表示本发明的成膜方法的一例的流程图。

[0025] 图5是表示本发明的成膜方法的一例的时序图。

[0026] 图6是表示实施本发明的成膜方法的溅镀装置的更具体的例子的概略剖面图。

[0027] 图7是表示本发明的成膜方法的另一例的时序图。

[0028] 图8是表示本发明的成膜方法的又另一例的时序图。

[0029] [符号的说明]

[0030] 2：真空容器

[0031] 10：气体

[0032] 12：基板

[0033] 20：天线

[0034] 22：等离子体

[0035] 24：高频电源

[0036] 30：靶材

[0037] 34：靶材偏置电源

[0038] 46：控制装置

[0039] PR：高频电力

[0040] VT：靶材偏置电压

具体实施方式

[0041] 将实施本发明的成膜方法的溅镀装置的一例示于图2中，将从下方观察图2中所示的装置的天线周围的图示于图3中。在图2中，概念地表示对于各天线20的高频电力PR的供电部，关于所述供电部，将参照图3而后述。

[0042] 所述溅镀装置具备通过真空排气装置4来进行真空排气的真空容器2，所述真空容器2与地面电性连接。

[0043] 向真空容器2内导入溅镀用气体10。在所述例中，从气体源6经由流量调节器8而导入。气体10例如为氩气。当进行反应性溅镀时，气体10可为氩气与活性气体(例如氧气、氮气等)的混合气体。

[0044] 在真空容器2内设置有保持形成薄膜的基板12的基板固定器14。如所述例般，可从基板偏置电源16对基板固定器14施加基板偏置电压VS。基板偏置电压VS可以是负的直流电压，也可以是负的脉冲电压、交流电压等。40是具有真空密封功能的绝缘部。

[0045] 基板12例如为玻璃基板、半导体基板等，但并不限定于此。

[0046] 在真空容器2内且与基板12对向的位置上配置有靶材30。靶材30例如平面形状呈四边形(参照图3)。靶材30由设置于真空容器2的上表面部3上的靶材固定器(垫板)32保持。靶材固定器32在内部具有流入冷却水的通水管路(省略图示)，由此变成对靶材30进行水冷的结构。在靶材固定器32与真空容器2之间设置有具有真空密封功能的绝缘部42。

[0047] 靶材30的材质只要是对应于基板12上所形成的膜即可。若表示一例，则当在基板12上形成氧化物半导体薄膜时，靶材30例如为IGZO(In-Ga-Zn-O/铟-镓-锌-氧)、ITZO(In-Sn-Zn-O/铟-锡-锌-氧)等氧化物半导体，但靶材30的材质并不限定于此。

[0048] 在所述例中，经由靶材固定器32而在靶材30上连接有对其施加靶材偏置电压VT的靶材偏置电源34。靶材偏置电压VT是将后述的等离子体22中的离子(在本申请中是指正离子)引入至靶材30上来进行溅镀的电压，例如为(a)负的直流电压、(b)正负交替的脉冲电压、(c)交流电压。交流电压例如可以是如13.56MHz般的MHz级的高频电压，也可以是比高频电源24的输出(例如13.56MHz)低的频率(例如10kHz～100kHz左右)的低频电压。若设为低频电压，则容易避免与使用高频电源24的等离子体生成动作的干涉。

[0049] 将从靶材偏置电源34中输出的靶材偏置电压VT设为何种电压例如只要对应于靶材30的材质等来决定即可。例如，当靶材30为导电物时，可以是所述(a)中所示的负的直流电压，也可以是(b)、(c)中所示的电压。当靶材30为绝缘物时，只要设为所述(b)中所示的正负交替的脉冲电压、或所述(c)中所示的交流电压即可。若如此设定，则可防止绝缘物的表面由流入离子的正电荷覆盖而导致溅镀停止的情况。

[0050] 靶材偏置电源34可以是输出所述(a)～(c)的电压中的一种电压作为靶材偏置电压VT，也可以是能够切换多种电压来进行输出。

[0051] 参照图2及图3，在真空容器2内且靶材30的表面附近配置有天线20。更具体而言，在所述例中，以从两侧夹持靶材30的方式，沿着四边形的靶材30的相对向的边而分别配置有两根天线20。当靶材30的平面形状为长方形时，各天线20优选以沿着靶材30的长边的方式配置。在所述例中，各天线20是两端部以外呈笔直的(即直线状的)形状的棒状的导体，其两端部朝上方弯曲并贯穿真空容器2的上表面部3，且一部分朝上表面部3上突出。在所述贯穿部中分别设置有具有真空密封功能的绝缘部41。

[0052] 在所述例中，从高频电源24经由整合电路26而向各天线20并列地供给高频电力PR。更具体而言，各天线20的一端部与所述整合电路26连接，各天线20的另一端部接地。高频电源24的一端也接地。但是，也可以在各天线20上分别设置高频电源24及整合电路26。从高频电源24中输出的高频电力PR的频率例如为通常的13.56MHz，但并不限定于此。

[0053] 再者，若如所述例般，将两根天线20如所述般进行配置，则可更加一样地对靶材30的表面进行溅镀并更加一样地利用所述表面，故更优选，但也可以沿着靶材30的一侧的边配置一根天线20。

[0054] 各天线20可以是内部填满的实心结构，也可以设为如下的水冷结构：在内部设置冷却水管路，且例如将各天线20设为管状或筒状，并将冷却水流入至各天线20内来对各天线20进行冷却。

[0055] 所述溅镀装置进而具备控制高频电源24及靶材偏置电源34的控制装置46。其后对所述控制装置46进行说明。

[0056] 进而，一面也参照图4的流程图及图5的时序图一面对所述溅镀装置中的成膜方法的一例进行说明。

[0057] 首先，进行成膜的准备(步骤100)。具体而言，将欲形成薄膜的基板12配置于真空容器2内的基板固定器14上，利用真空排气装置4对真空容器2内进行真空排气，并且向真空容器2内导入溅镀用气体10，且将真空容器2内维持成规定的压力。所述压力只要设为容易产生等离子体22、且可在基板12上形成特性优异的膜的范围即可。例如，只要设为0.1Pa～10Pa左右，更具体而言设为1Pa～3Pa左右即可。视需要，可先从基板偏置电源16对基板12，更具体而言对基板固定器14施加所述基板偏置电压VS。

[0058] 在成膜的开始时，从高频电源24向各天线20供给高频电力PR(步骤101)，而在真空容器2内产生感应耦合型的等离子体22(步骤102)。即，通过向各天线20供给高频电力PR，高频电流在各天线20中流动，由此在各天线20的周围产生高频磁场，由此产生与高频电流相反方向的感应电场。通过所述感应电场，在真空容器2内，电子得到加速而使天线20的附近的气体10电离并在天线20的附近产生等离子体22。所述方法是感应耦合型的等离子体生成，因此可产生高密度的等离子体22。而且，在所述阶段，由于未对靶材30施加引入等离子体22中的离子的靶材偏置电压VT，因此虽然是高密度的等离子体22，但不会对靶材30进行溅镀。即，不进行对基板12的成膜。

[0059] 其后，例如从产生等离子体起经过规定时间t1(参照图5)后，从靶材偏置电源34对靶材30施加靶材偏置电压VT(步骤103)，通过等离子体22中的离子来对靶材30进行溅镀而在基板12上开始成膜(步骤104)。进而，将所述成膜继续进行所期望的时间(步骤105)。由此，形成于基板12上的薄膜的膜厚增大。

[0060] 所述规定时间t1是在等离子体点灯时等待至等离子体22稳定为止的时间，若过短，则存在等离子体22仍不稳定的担忧，若过长，则处理量(throughput)下降，因此例如优选1秒～60秒左右的范围内，更优选5秒～30秒左右的范围内。

[0061] 在成膜的结束时，首先停止施加至靶材30的靶材偏置电压VT而停止溅镀(步骤106)，结束对基板12的成膜(步骤107)。其后，例如从停止溅镀起经过规定时间t2(参照图5)后，停止供给至天线20的高频电力PR(步骤108)，而使等离子体22消失(步骤109)。通过以上方式，对于基板12的成膜处理完成。

[0062] 所述规定时间t2是停止施加至靶材30的靶材偏置电压VT时等待其影响完全丧失的时间，若过短，则存在靶材偏置电压VT的影响残存的担忧，若过长，则处理量下降，因此例如优选1秒～10秒左右的范围内，其中，更优选2秒～5秒左右的范围内。

[0063] 根据所述成膜方法，在成膜的开始时，向天线20供给高频电力PR来产生等离子体22后，对靶材30施加靶材偏置电压VT而开始溅镀，因此可避免等离子体点灯时的等离子体
22不稳定的时期的成膜。因此，可抑制成膜的开始时在基板12上形成不均质的膜(例如，膜组成不均的膜。以下相同)。而且，在成膜的结束时，停止施加至靶材30的靶材偏置电压VT而停止溅镀后，停止供给至天线20的高频电力PR而使等离子体22消失，因此可避免等离子体熄灯时的等离子体22不稳定的时期的成膜。因此，可抑制成膜的结束时在基板12上形成不均质的膜。其结果，可解决现有的一般的磁控溅镀法所具有的所述课题。

[0064] 而且，根据所述成膜方法，可不设置靶材的移动机构而取得所述作用效果。即，无需设置如非专利文献1中所记载的包含靶材的阴极的移动机构、或如专利文献1中所记载的靶材的移动机构。因此，与设置靶材的移动机构的情况相比，可使装置构成简单化，因此可减少故障产生的因素，并且可降低装置的成本。

[0065] 进而，在所述成膜方法中，通过感应耦合型的等离子体生成，可在宽广的范围内于靶材30的表面附近生成高密度的等离子体22，因此与磁控溅镀法相比，可在宽广的范围内一样地使用靶材30的表面。在磁控溅镀法的情况下，靶材表面仅电场与磁场进行正交的特定区域被削成环状，相对于此，所述成膜方法的情况无此种限制。因此，可提高靶材30的利用效率。

[0066] 所述溅镀装置具备控制高频电源24及靶材偏置电源34，并具有实施所述成膜方法的功能的控制装置46。更具体而言，在所述例中，控制装置46具有(a)在成膜的开始时，从高频电源24向天线20供给高频电力PR来产生等离子体22后，从靶材偏置电源34对靶材30施加靶材偏置电压VT而开始溅镀的功能；以及(b)在成膜的结束时，停止从靶材偏置电源34施加至靶材30的靶材偏置电压VT而停止溅镀后，停止供给至天线20的高频电力PR而使等离子体22消失的功能。

[0067] 因此，所述溅镀装置可取得与所述成膜方法所取得的所述作用效果相同的作用效果。

[0068] 将实施本发明的成膜方法的溅镀装置的更具体的例子示于图6中。以下，主要说明与所述例的不同点。

[0069] 所述溅镀装置呈如下的结构：隔着闸阀(gate valve)52，将负载锁定室(load lock chamber)54与图2等中所示的溅镀装置的真空容器2(以下，将其内部称为成膜室50)连接。

[0070] 若以在玻璃基板12上形成氧化物半导体薄膜的情况为例进行说明，则从大气中穿过门扉64而将基板12配置于负载锁定室54内的基板固定器58上后，利用真空排气装置56将负载锁定室54内排气成规定的真空度(例如5×10-5Pa以下)。此时，成膜室50内也利用真空排气装置4先真空排气成相同程度。其后，打开闸阀52，通过基板搬送装置60，如箭头A所示般将基板12从负载锁定室54搬送至成膜室50中并配置于基板固定器14上。基板搬送装置60在贯穿负载锁定室54的壁面的部分设置有例如波纹管等真空密封部62。

[0071] 关闭闸阀52后，利用真空排气装置4将成膜室50内排气成规定的真空度(例如5×10-5Pa以下)后，导入利用流量调节器8进行了流量调节的气体10，并将成膜室50内维持成规定的压力(例如，如上所述1Pa～3Pa左右)。所导入的气体10例如为氩气，但也可以是氩与氧的混合气体等。

[0072] 其后，在成膜室50中，例如以如现有参照图4中的步骤101～步骤109等所说明的方法进行成膜。靶材30的材质例如为所述IGZO(In-Ga-Zn-O)。由此，可在玻璃基板12上形成IGZO膜。

[0073] 成膜结束后，使等离子体22消失(参照图4中的步骤109)，停止气体10的供给后，利用真空排气装置4将成膜室50内排气成所述规定的真空度(例如5×10-5Pa以下)。此时，负载锁定室54内也利用真空排气装置56先真空排气成相同程度。其后，打开闸阀52，通过基板搬送装置60，如箭头A所示般将完成成膜的基板12从成膜室50搬送至负载锁定室54中并配置于基板固定器58上。而且，在关闭闸阀52后使负载锁定室54内恢复成大气压状态后(即漏气或排气后)，穿过活瓣64而将基板12取出至大气中。通过以上方式，一连串的成膜处理完成。

[0074] 然而，靶材30的平面形状也可以是所述四边形(正方形或长方形)以外的形状。例如可为圆形等。

[0075] 天线20的形状并不限定于所述两端部以外为直线状，也可以是其以外的形状。例如，天线20的形状可以整体为直线状，也可以是U字状、コ字状、线圈状等。另外，也可以是对应于靶材30的平面形状的形状。例如，当靶材30的平面形状为圆形时，可将天线20的平面形状设为圆形。

[0076] 另外，天线20也可以是日本专利特开2013-206652号公报中所记载的如下的结构的天线。即，天线20呈如下的同轴结构，所述同轴结构具有内部导体、至少横跨位于真空容器内的全长而覆盖内部导体的外侧的外部导体、以及设置在内部导体与外部导体之间并将两导体间加以电绝缘的电介质，且也可以呈将冷却水流入至内部导体及外部导体的至少一者的内部来对所述天线进行冷却的水冷结构。所述天线的内部导体的一端部经由整合电路而与高频电源连接，所述内部导体的另一端部接地。外部导体包含非磁性体，且所述外部导体仅通过其一端部来接地。

[0077] 继而，关于成膜方法及溅镀装置的其他例，主要说明与所述例的不同点。

[0078] 例如如图7中所示的例般，也可以采用如下的成膜方法：在成膜的开始时，向天线20供给高频电力PR来产生等离子体22后，将施加至靶材30的靶材偏置电压VT从零缓慢地增大至规定值为止，在成膜的结束时，缓慢地减小施加至靶材30的靶材偏置电压VT并停止后，停止供给至天线20的高频电力PR而使等离子体22消失。使靶材偏置电压VT缓慢地上升下降的图案可设为曲线状来代替如图7中所示的直线状。

[0079] 可考虑到若在成膜的开始时及结束时急速地接通断开靶材偏置电压VT，则施加至靶材30的靶材偏置电压VT因过渡现象而紊乱，在其间成膜的膜质紊乱，但如所述成膜方法般在成膜开始时缓慢地增大靶材偏置电压VT，在成膜结束时缓慢地减小靶材偏置电压VT，由此可抑制由过渡现象所引起的靶材偏置电压VT的紊乱，因此可抑制如上所述的由靶材偏置电压VT的紊乱所引起的膜质的紊乱。因此，可提高抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜的效果。

[0080] 若对与所述成膜方法相对应的溅镀装置进行说明，则构成溅镀装置的所述控制装置46可进而具有如下的功能：(a)在成膜的开始时，从高频电源24向天线20供给高频电力PR来产生等离子体22后，将从靶材偏置电源34施加至靶材30的靶材偏置电压VT从零缓慢地增大至规定值为止的功能；以及(b)在成膜的结束时，缓慢地减小从靶材偏置电源34施加至靶材30的靶材偏置电压VT并停止后，停止从高频电源24供给至天线20的高频电力PR而使等离子体22消失的功能。

[0081] 具备此种控制装置46的溅镀装置可取得与所述成膜方法所取得的所述作用效果相同的作用效果。

[0082] 另外，例如如图8中所示的例般，也可以采用如下的成膜方法：在成膜的开始时，缓慢地增大供给至天线20的高频电力PR并以最小电力产生等离子体22后(参照图8中的a部)，对靶材30施加靶材偏置电压VT，其后，进而将供给至天线20的高频电力PR缓慢地增大至规定值为止(参照图8中的b部)。缓慢地增大高频电力PR的图案可设为曲线状来代替如图8中所示的直线状。在图8中的a部与b部之间可设置将高频电力PR的值保持为固定的时间t3，也可以不设置时间t3而使a部与b部连续。

[0083] 停止靶材偏置电压VT而停止溅镀后的高频电力PR可如图8中所示的例般一下子停止，也可以缓慢地减小后停止。

[0084] 若欲突然向天线20供给规定值的高频电力PR来使等离子体22点灯，则等离子体22过渡性地紊乱且其容易长时间持续，但如所述成膜方法般缓慢地增大供给至天线20的高频电力PR并以最小电力产生等离子体22，由此可减小等离子体22的过渡性的紊乱。而且，在所述状态下对靶材30施加靶材偏置电压VT后，将供给至天线20的高频电力PR增大至规定值为止，由此可抑制靶材偏置电压VT的施加前后的等离子体22的紊乱，因此可抑制成膜开始时的膜质的紊乱。因此，可提高抑制在成膜的开始时形成不均质的膜的效果。

[0085] 若对与所述成膜方法相对应的溅镀装置进行说明，则构成溅镀装置的所述控制装置46可进而具有如下的功能：在成膜的开始时，缓慢地增大从高频电源24供给至天线20的高频电力PR并以最小电力产生等离子体22后，从靶材偏置电源34对靶材30施加靶材偏置电压VT，其后，进而将从高频电源24供给至天线20的高频电力PR缓慢地增大至规定值为止。

[0086] 具备此种控制装置46的溅镀装置可取得与所述成膜方法所取得的所述作用效果相同的作用效果。