一种电流可精准校正网络转让专利

申请号 : CN201611203981.5

文献号 : CN106774617B

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相似专利:

发明人 : 周晓亚

申请人 : 长沙景美集成电路设计有限公司

摘要 :

本发明公开了一种电流可精准校正网络,所述电流可精准校正网络与参考电流产生电路、电流镜一起构成电流源电路。电流源电路先通过电流生产电路获得电流,然后通过电流镜像输出到电流大小校正网络,经过电流大小可精准校正网络后输出高精度的电流,最后便可将电流镜像到各个需要使用参考电流的模块。本发明所述的电流可精准校正网络,可实现参考电流范围的调节,电流精度可调节,同时具有实现面积小,集成度高的特点。

权利要求 :

1.一种电流可精准校正网络,其特征在于包括电流产生电路、电流镜1、电流镜2和电流校正网络四个部分;其中所述电流产生电路,其特征包括一个运算放大器OP、一个PMOS管M11、一个电阻R11;所述运算放大器OP的反相输入端(-)接参考电压,输出接PMOS管M11的栅极,PMOS管M11的源极连接到电源,漏极连接到电阻R11的一端口,并与运算放大器的同相输入端(+)连接到一起,电阻R11的另一端口接地;其中所述的电流校正网络包括n+1个P型MOS晶体管M31、M32、M33……M3n、M3(n+1),n个P型MOS晶体管M311、M321、M331……M3n1,n个P型MOS晶体管M312、M322、M332……M3n2,一个N型MOS晶体管M30,n个一二选开关S31、S31……S3n;其中n+1个P型MOS晶体管M31、M32、M33……M3n、M3(n+1)的栅极接地,M31漏极与M32的源极相连接,M32漏极与M33的源极相连接……起始的M31的源极与电流镜1中P型MOS晶体管M21的漏极相连,最后的P型MOS晶体管M3(n+1)的漏极接地;n个P型MOS晶体管M311、M321、M331……M3n1和n个P型MOS晶体管M312、M322、M332……M3n2的栅极接地,M311的源极与M31的源极相连,M311的漏极与M312的源极相连,M312的漏极与二选一开关S31动端连接,M321的源极与M32的源极相连,M321的漏极与M322的源极相连,M322的漏极与二选一开关S32动端连接……M3n1的源极与M3n的源极相连,M3n1的漏极与M3n2的源极相连,M3n2的漏极与二选一开关S3n动端连接;二选一开关S31、S31……S3n的两个固定端一个接地,另一个固定端与N型MOS晶体管M30漏极和栅极以及电流镜2中NMOS管M41、 M42……M4K的栅极相连接,N型MOS晶体管M30源极接地;其中所述的电流镜1,其PMOS管M21的栅极与误差放大器的输出端、PMOS管M21的栅极连接,PMOS管M21的源极与电源相接,PMOS管M21的漏极与电流校正网络连接;其中所述的电流镜2,其NMOS管M41、M42……M4K的栅极与NMOS管M3栅极相连,NMOS管M41、M42……M4K的源极接地,NMOS管M41、M42……M4K的漏极提供电流到各个需要使用电流的模块。

2.根据权利要求1所述的一种电流可精准校正网络,其工作过程为由参考电流产生电路产生参考电流,经过电流镜1镜像输出到电流校正网络中,在电流校正网络中通过开关的控制可以简单方便的实现电流的精度调节,产生精准校正电流,最后通过电流镜2镜像到各个需要使用参考电流的模块中。

3.根据权利要求1所述的一种电流可精准校正网络,P型MOS晶体管M31、M311、M312、M32、M321、M322、M33、M331、M332……M3n、M3n1、M3n2的尺寸相同。

说明书 :

一种电流可精准校正网络

技术领域

[0001] 本发明属于集成电路设计领域,特别地涉及到一种电流可精准校正网络。

背景技术

[0002] 在模拟集成电路中,电流源是最基本的模块之一,其电流大小受到工艺、温度等因素的影响,本发明提供一种电流可精准校正网络能精确调节电流大小,同时具有集成度高、实现面积小的优势。

发明内容

[0003] 鉴于对基准电流大小的调节,并实现电流大小可精准校正,本发明提供了一种电流可精准校正网络电路结构。
[0004] 本发明的上述目的,将通过以下技术方案得以实现:
[0005] 一种电流可精准校正网络先通过电流生产电路获得电流,然后通过电流镜像输出到电流大小校正网络,经过电流可精准校正网络后输出高精度的电流,最后便可将电流镜像到各个需要使用参考电流的模块。
[0006] 进一步地,所述电流校正网络的P型MOS晶体管M31、M32、M33……M3n、M3(n+1)的栅极接地,M31漏极与M32的源极相连接,M32漏极与M33的源极相连接……起始的M31的源极与电流1中P型MOS晶体管M21的漏极相连,最后的P型MOS晶体管M3(n+1)的漏极接地。
[0007] 进一步地,电流校正网络所述P型MOS晶体管M311、M312、M321、M322、M331、M332……M3n1、M3n2的栅极接地,M311的源极与M31的源极相连,M311的漏极与M312的源极相连,M312的漏极与二选一开关S31动端连接,M321的源极与M32的源极相连,M321的漏极与M322的源极相连,M322的漏极与二选一开关S32动端连接……M3n1的源极与M3n的源极相连,M3n1的漏极与M3n2的源极相连,M3n2的漏极与二选一开关S3n动端连接。
[0008] 进一步地,电流校正网络所述的P型MOS晶体管M31、M311、M312、M32、M321、M322、M33、M331、M332……M3n、3n1、M3n2的尺寸相同。
[0009] 进一步地,电流校正网络所述的二选开关S31、S31……S3n的两个固定端一个接地,另一个固定端与N型MOS晶体管M30漏极和栅极相连接,N型MOS晶体管M30源极接地。
[0010] 本发明的提供的技术方案有益效果在于:本发明所提供的一种电流可精准校正网络,通过采用MOS管结构的电流大小校正网络,能简单、方便、精准地实现电流大小1/2n的精度校正。同时基准电流大小的调节范围可以达到1/2n 2倍,另外本发明有效地减小了LDO芯~片面积,使芯片集成度更高,也降低了成本。
[0011] 以下便结合实施例附图,对本发明提供的技术方案的具体实施方式作进一步的说明,以便使得本发明更容易理解、实施。

附图说明

[0012] 图1 一种电流可精准校正网络;
[0013] 图2 一种电流可精准校正网络实施例图。

具体实施方式

[0014] 具体实施方式将进一步对本发明的精神进行说明,在此本发明的示意性实施例及说明用于解释本发明,但是不能认为是对本发明的限定。
[0015] 一种电流可精准校正网络,由参考电流产生电路产生电流,经电流镜、电流大小校正网络产生精准校正电流。
[0016] 如图2所示所述参考电流产生电路包括运算放大器OP、PMOS管M11、电阻R11;所述运算放大器OP的反相运入端接参考电压,所述运算放大器的输出接PMOS管M11的栅极,PMOS管M11的源极连接到电源,PMOS管M11的漏极连接到电阻R11的一端口,并与运算放大器的同相输入端连接到一起,电阻R11的另一端口接地。
[0017] 所述的电流镜1,其特征在于PMOS管M21的栅极与误差放大器的输出端、PMOS管M21的栅极连接,PMOS管M21的源极与电源相接,PMOS管M21的漏极与电流校正网络连接。
[0018] 所述电流校正网络的PMOS管M31、M32、M33……M3n、M3(n+1)的栅极接地,M31漏极与M32的源极相连接,M32漏极与M33的源极相连接……起始的M31的源极与电流1中PMOS管M21的漏极相连,最后的PMOS管M3(n+1)的漏极接地。
[0019] 所述电流校正网络的PMOS管M311、M312、M321、M322、M331、M332……M3n1、M3n2的栅极接地,M311的源极与M31的源极相连,M311的漏极与M312的源极相连,M312的漏极与二选一开关S31动端连接,M321的源极与M32的源极相连,M321的漏极与M322的源极相连,M322的漏极与二选一开关S32动端连接……M3n1的源极与M3n的源极相连,M3n1的漏极与M3n2的源极相连,M3n2的漏极与二选一开关S3n动端连接。
[0020] 所述电流校正网络的PMOS管M31、M311、M312、M32、M321、M322、M33、M331、M332……M3n、3n1、M3n2的尺寸相同。
[0021] 所述电流校正网络的二选开关S31、S31……S3n的两个固定端一个接地,另一个固定端与NMOS管M30漏极和栅极相连接,NMOS管M30源极接地。
[0022] 所述电流镜2的NMOS管M41、M42……M4k的栅极与NMOS管M3栅极相连,NMOS管M41、M42……M4k的源极接地,NMOS管M41、M42……M4k的漏极提供电流到各个需要使用电流的模块。
[0023] 本发明设计的电流可精准校正网络先通过电流生产电路获得电流,然后通过电流镜像输出到电流大小校正网络,在电流大小校正网络中流经开关S3n的电流大小为1/2n,电流经过开关或者流向地,或者流向电流镜,通过开关的控制可以简单方便的实现电流1/2n的精度调节,最后便可将电流镜像到各个需要使用参考电流的模块。通过本文所年的本发明的说明书和实施例,所属领域的技术人员可轻易了解其他方面和实施例。
[0024] 对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出各种具体变形和组合,这些变形和组合也应视为本发明的保护范围。