一种微结构刻蚀的加工装置

摘要

一种微结构刻蚀的加工装置，包括驱动装置、反应装置和操作台；驱动装置包括旋转装置和六自由度运动平台；旋转装置设于六自由度运动平台的上方；反应装置包括反应盒体、加热贴片、搅拌励磁线圈、特殊磁力搅拌盘、若干层晶圆支架、喷淋器和检测调节装置；反应盒体的底部连接旋转装置，其底部内设置有刻蚀液注/排入口；搅拌励磁线圈设置于反应盒体的正下方，并连接六自由度运动平台的上端；特殊磁力搅拌盘设于反应盒体内底部的安装槽内；晶圆支架分别水平分层架设于反应盒体内；喷淋器设于晶圆支架上；检测调节装置设于反应盒体的侧壁；本发明提出的刻蚀的加工装置，实现了在半导体产业中复杂微结构的简易且高效地加工。

权利要求

1.一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：包括驱动装置、反应装置和操作台；所述驱动装置设置于所述反应装置的下方，并通过电气连接于所述操作台；

所述驱动装置包括旋转装置和六自由度运动平台；所述旋转装置设置于所述六自由度运动平台的上方，并连接于所述反应装置；

所述反应装置包括反应盒体、加热贴片、搅拌励磁线圈、特殊磁力搅拌盘、若干层晶圆支架、喷淋器和检测调节装置；所述反应盒体的底部连接于所述旋转装置，并且其底部内设置有刻蚀液注/排入口，所述刻蚀液注/排入口呈圆周对称分布；所述加热贴片设置有两片，分别对称内嵌于所述反应盒体的腔壁内，且与外部的加热电源连接；所述搅拌励磁线圈设置于所述反应盒体的正下方，并连接于六自由度运动平台的上端；所述特殊磁力搅拌盘设置于所述反应盒体底部的安装槽内；所述晶圆支架分别水平分层架设于所述反应盒体内；

所述喷淋器设置于所述晶圆支架上，并呈中心对称分布；所述检测调节装置设置于所述反应盒体的侧壁上，并且其高度高于最上方的所述晶圆支架；

所述晶圆支架内嵌设置有铂金属片，用作为电化学阳极，所述反应盒体的底部还设置有耐蚀铂电极，用作为电化学阴极；所述铂金属片和所述耐蚀铂电极分别与外部电源电气连接。

2.根据权利要求1所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述晶圆支架包括环形架、若干个晶圆夹块和若干个支架滑块；所述晶圆夹块中心对称设置于所述环形架上，所述支架滑块中心对称设置于所述环形架上，且所述晶圆夹块和所述支架滑块相互间隔设置；

所述晶圆夹块的上端设置有通孔，所述喷淋器固定连接于所述通孔；任意一个所述支架滑块的内部内嵌安装有所述铂金属片；

所述晶圆支架通过所述支架滑块安装于所述反应盒体的侧壁内对应的卡槽内。

3.根据权利要求2所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述晶圆支架设置有3～10层，各层所述晶圆支架之间的层距为10mm；所述晶圆支架的环形架的内圆直径为10～20mm。

4.根据权利要求2所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述喷淋器包括固定管和雾化喷头，所述雾化喷头通过所述固定管呈中心对称设置于所述晶圆夹块的通孔上。

5.根据权利要求1所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述反应盒体包括反应腔体和腔室顶盖，所述腔室顶盖的中心位置还设置有双向排气装置。

6.根据权利要求1所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述检测调节装置包括液面高度检测器、离子浓度调节器和恒温调节器，并且三者呈轴中心对称设置于所述反应盒体的侧壁上。

7.根据权利要求1所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述旋转装置包括回转支撑架和步进电机；所述回转支撑架设置于所述六自由度运动平台的上端，并通过若干连接杆于竖直方向上连接所述反应盒体，所述连接杆呈圆周对称分布于所述反应盒体的外部；

所述步进电机设置于所述搅拌励磁线圈的中心位置，并通过联轴器连接于反应盒体的底端。

8.根据权利要求1所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述特殊磁力搅拌盘的上表面设置有旋转纹路。

9.根据权利要求1所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述反应盒体为不锈钢材料，其内壁涂覆有聚四氟乙烯涂层；所述晶圆支架为聚丙烯材料。

10.根据权利要求1所述的一种微结构刻蚀的加工装置，其特征在于：所述操作台包括可视化的屏幕和PLC集成控制系统。

说明书

一种微结构刻蚀的加工装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种微结构刻蚀的加工装置。

背景技术

[0002] 半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料。但需进一步加工出微结构实现特定的功能。例如，在基本信号转换中，基于微结构的空间光调制器能响应电信号或光信号来调节光束；在微流控芯片上加工出的各种微结构(如微通道、槽、微柱、坝式结构等)可实现芯片中流体的各种生物、化学、物理反应和处理。因此，更为简易地在半导体材料上制备复杂微结构的方法及装置拥有广泛的应用前景。

[0003] 在半导体加工技术领域中，目前加工微结构的方法主要有干法刻蚀、湿法刻蚀和光刻等。然而，干法刻蚀装置反应腔保护板需频繁清洗和更换，从而降低了干法刻蚀装置的正常工作时间，导致刻蚀效率低、维护成本增加；且由于能量离子、电子和光子的轰击，会对器件造成一定损伤(如原子位移损伤、污染损伤、载荷损伤和辐射损伤等)，并改变了器件的机械与电性能；光刻机的发展在继续向高分辨率延展，几乎达到了物理极限，因而面临巨大困难，并随着高分辨率延伸导致其掩膜误差因子增大，造成复制图形精度下降，成本大幅增加。湿法刻蚀装备因湿法刻蚀方法本身各向同性刻蚀的原理，无法加工出复杂的微结构。金属辅助化学刻蚀是一种最近发展的的半导体材料加工方法，具有加工各种复杂微结构的能力。但是，目前未有成套的金属辅助化学刻蚀装备，亟需进一步提出一种面向复杂微结构加工的高效和简易的装置。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提出一种微结构刻蚀的加工装置，有效实现了在半导体产业中复杂微结构的简易且高效地加工。

[0005] 为达此目的，本发明采用以下技术方案：

[0006] 一种微结构刻蚀的加工装置，包括驱动装置、反应装置和操作台；所述驱动装置设置于所述反应装置的下方，并分别通过电气连接于所述操作台；所述操作台包括可视化的频幕和集成PLC的控控制系统，作为可视化的控制平台；所述驱动装置包括旋转装置和六自由度运动平台；所述旋转装置设置于所述六自由度运动平台的上方，并连接于所述反应装置；

[0007] 所述反应装置包括反应盒体、加热贴片、搅拌励磁线圈、特殊磁力搅拌盘、若干层晶圆支架、喷淋器和检测调节装置；所述反应盒体的底部连接于所述旋转装置，并且其底部内设置有刻蚀液注/排入口，所述刻蚀液注/排入口呈圆周对称分布；所述加热贴片设置有两片，分别对称内嵌于所述反应盒体的腔壁内，且与外部的加热电源连接；所述搅拌励磁线圈设置于所述反应盒体的正下方，并连接于六自由度运动平台的上端；所述特殊磁力搅拌盘设置于所述反应盒体底部的安装槽内；所述晶圆支架分别水平分层架设于所述反应盒体内；所述喷淋器设置于所述晶圆支架上，并呈中心对称分布；所述检测调节装置设置于所述反应盒体的侧壁上，并且其高度高于最上方的所述晶圆支架；所述晶圆支架内嵌设置有铂金属片，用作为电化学阳极，所述反应盒体的底部还设置有耐蚀铂电极，用作为电化学阴极；所述铂金属片和所述耐蚀铂电极分别与外部电源电气连接。

[0008] 进一步说明，所述晶圆支架包括环形架、若干个晶圆夹块和若干个支架滑块；所述晶圆夹块中心对称设置于所述环形架上，所述支架滑块中心对称设置于所述环形架上，且所述晶圆夹块和所述支架滑块相互间隔设置；所述晶圆夹块的上端设置有通孔，所述喷淋器固定连接于所述通孔；任意一个所述支架滑块的内部内嵌安装有所述铂金属片；所述晶圆支架通过所述支架滑块安装于所述反应盒体的侧壁内对应的卡槽内。

[0009] 进一步说明，所述晶圆支架设置有3～10层，各层所述晶圆支架之间的层距为10mm；所述晶圆支架的环形架的内圆直径为10～20mm。

[0010] 进一步说明，所述喷淋器包括固定管和雾化喷头，所述雾化喷头通过所述固定管呈中心对称设置于所述晶圆夹块的通孔上。

[0011] 进一步说明，所述反应盒体包括反应腔体和腔室顶盖，所述腔室顶盖的中心位置还设置有双向排气装置。

[0012] 进一步说明，所述检测调节装置包括液面高度检测器、离子浓度调节器和恒温调节器，并且三者呈轴中心对称设置于所述反应盒体的侧壁上。

[0013] 进一步说明，所述旋转装置包括回转支撑架和步进电机；所述回转支撑架设置于所述六自由度运动平台的上端，并通过若干连接杆于竖直方向上连接所述反应盒体，所述连接杆呈圆周对称分布于所述反应盒体的外部；所述步进电机设置于所述搅拌励磁线圈的中心位置，并通过联轴器连接于反应盒体的底端。

[0014] 进一步说明，所述特殊磁力搅拌盘的上表面设置有旋转纹路。

[0015] 进一步说明，所述反应盒体为不锈钢材料，其内壁涂覆有聚四氟乙烯涂层；所述晶圆支架为聚丙烯材料。

[0016] 本发明的有益效果：1、所述驱动装置对所述反应装置可进行多个方向的自由的旋转运动，获得符合要求运动参数要求的多维度驱动力；

[0017] 2、所述的特殊磁力搅拌盘，可做稳定的旋转搅拌动作，带动刻蚀液体稳定地旋转搅拌，使得刻蚀液可以一直保持浓度均匀的状态；

[0018] 3、通过检测调节装置可对所述反应盒体内的刻蚀条件进行更加有效地控制，刻蚀效果更加稳定；

[0019] 4、通过所述晶圆支架形成叠加安装加工的晶圆片，实现同时可对多个晶圆片的刻蚀加工，在保证刻蚀反应正常进行的前提下，提高加工效率，同时所述检测调节装置的高度高于最上方的所述晶圆支架，便于检测刻蚀液对晶圆片是否可被正常刻蚀；

[0020] 5、通过所述喷淋器和所述刻蚀液注/排入口实现对刻蚀液的更加精确的控制，提高刻蚀效果的稳定性。

[0021] 6、通过所述的可视化操作台的程序控制，提高了刻蚀反应的可重复性，保证了每次反应参数的一致，增强了对刻蚀反应结果的参数化可控性。

附图说明

[0022] 图1是本发明一个实施例的微结构刻蚀的加工装置的结构示意图；

[0023] 图2是本发明一个实施例的反应装置的结构示意图；

[0024] 图3是本发明一个实施例的喷淋器的结构示意图；

[0025] 图4是本发明一个实施例的特殊磁力搅拌盘的结构示意图；

[0026] 图5是本发明一个实施例的晶圆支架的结构示意图；

[0027] 图6是本发明一个实施例的支架滑块的结构示意图；

[0028] 其中：驱动装置1，旋转装置11，回转支撑架112，步进电机113，操作台3，六自由度运动平台12，反应装置2，反应盒体21，腔室顶盖212，搅拌励磁线圈22，特殊磁力搅拌盘23，旋转纹路231，晶圆支架24，环形架241，晶圆夹块242，支架滑块243，喷淋器25，固定管251，雾化喷头252，检测调节装置26，刻蚀液注/排入口4，铂金属片5，耐蚀铂电极6，双向排气装置7，连接杆8，硅晶圆片9，加热贴片10。

具体实施方式

[0029] 下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

[0030] 如图1和图2所示，一种微结构刻蚀的加工装置，包括驱动装置1、反应装置2和操作台3；所述驱动装置1设置于所述反应装置2的下方，并通过电气连接于所述操作台3；所述操作台3包括可视化的频幕和集成PLC的控控制系统，作为可视化的控制平台；所述驱动装置1包括旋转装置11和六自由度运动平台12；所述旋转装置11设置于所述六自由度运动平台12的上方，并连接于所述反应装置2；

[0031] 所述反应装置2包括反应盒体21、加热贴片10、搅拌励磁线圈22、特殊磁力搅拌盘23、若干层晶圆支架24、喷淋器25和检测调节装置26；所述反应盒体21的底部连接于所述旋转装置11，并且其底部内设置有刻蚀液注/排入口4，所述刻蚀液注/排入口4呈圆周对称分布；所述加热贴片设置有两片，分别对称内嵌于所述反应盒体的腔壁内，且与外部的加热电源连接；由外部电源驱动加热，产生的热量通过热传导的方式，并且在检测调节装置26的检测调节下，使反应盒体21内的反应液处于稳定的恒温状态。

[0032] 所述搅拌励磁线圈22设置于所述反应盒体21的正下方，并连接于六自由度运动平台12的上端；所述特殊磁力搅拌盘23设置于所述反应盒体21底部的安装槽内；所述晶圆支架24分别水平分层架设于所述反应盒体21内；所述喷淋器25设置于所述晶圆支架24上，并呈中心对称分布；所述检测调节装置26设置于所述反应盒体21的侧壁上，并且其高度高于最上方的所述晶圆支架24；如图6所示，所述晶圆支架24内嵌设置有铂金属片5，用作为电化学阳极，所述反应盒体21的底部还设置有耐蚀铂电极6，用作为电化学阴极；所述铂金属片5和所述耐蚀铂电极6分别与外部电源电气连接。

[0033] 本发明提出的一种微结构刻蚀的加工装置，主要克服了目前对于半导体的加工技术中未有成套的金属辅助化学刻蚀装备进行复杂微结构的加工\刻蚀反应效率低\效果不稳定等不足；其中通过所述驱动装置1驱动所述反应装置2实现多自由的运动控制，并且根据反应装置2的结构设计特点，有效实现了可面向半导体的复杂微结构的简易且高效地加工，刻蚀精度高且成本低，所述加工装置主要包括以下特点：

[0034] 1、所述驱动装置1对所述反应装置2可进行多个方向的自由的旋转运动，获得符合要求运动参数要求的多维度驱动力；

[0035] 2、所述搅拌励磁线圈22主要为反应盒体内的磁力搅拌提供交变磁场，使得产生相应的旋转搅拌力，即在所述搅拌励磁线圈22的驱动下，所述的特殊磁力搅拌盘，具体为经过特殊加工的磁子，可做稳定的旋转搅拌动作，带动刻蚀液体稳定地旋转搅拌，使得刻蚀液可以一直保持浓度均匀的状态；

[0036] 3、通过检测调节装置26可对所述反应盒体21内的刻蚀条件进行更加有效地控制，刻蚀效果更加稳定；

[0037] 4、通过所述晶圆支架24形成叠加安装加工的晶圆片，实现同时可对多个晶圆片的刻蚀加工，在保证刻蚀反应正常进行的前提下，提高加工效率，同时所述检测调节装置26的高度高于最上方的所述晶圆支架24，便于检测刻蚀液对晶圆片是否可被正常刻蚀；

[0038] 5、通过所述喷淋器25和所述刻蚀液注/排入口4实现对刻蚀液的更加精确的控制，其中先由所述喷淋器进行喷雾再注入更多刻蚀液进行浸润，是为了让金离子于加工件表面嵌入更深，避免否则在搅拌的时金离子易滑掉的情况，提高刻蚀效果的稳定性；其中所述刻蚀液的注/排入口分部包括去离子水注入口，氢氟酸注入口，过氧化氢注入口，添加剂注入口。

[0039] 6、通过所述的可视化操作台的程序控制，提高了刻蚀反应的可重复性，保证了每次反应参数的一致，增强了对刻蚀反应结果的参数化可控性。

[0040] 进一步说明，如图5所示，所述晶圆支架24包括环形架241、若干个晶圆夹块242和若干个支架滑块243；所述晶圆夹块242中心对称设置于所述环形架上，所述支架滑块243中心对称设置于所述环形架上，且所述晶圆夹块242和所述支架滑块243相互间隔设置；所述晶圆夹块242的上端设置有通孔，所述喷淋器25固定连接于所述通孔；任意一个所述支架滑块243的内部内嵌安装有所述铂金属片5；所述晶圆支架24通过所述支架滑块243安装于所述反应盒体21的侧壁内对应的卡槽内。

[0041] 通过所述支架滑块243嵌入安装耐腐蚀的铂金属片5作为铂电极，使晶圆片与支架滑块243的铂金属片接通，再通过叠加的形式使晶圆支架的铂电极相互并联连接，达到每块叠加的晶圆片并联接通的目的，所述的铂金属片5作为阳极，即晶圆片作为电化学反应的阳极端，通过引线引出反应腔的外部，进行电极的连接；而所述反应盒体底部的耐蚀铂电极6，作为电化学反应阴极，通过引线引出反应腔的外部，进行电极的连接；通过施加不同的极性，在不同的电压驱动下，保证了电化学刻蚀反应的进行。

[0042] 进一步说明，所述晶圆支架24设置有3～10层，各层所述晶圆支架24之间的层距为10mm；所述晶圆支架的环形架241的内圆直径为10～20mm。为了使刻蚀液在特殊磁力搅拌盘的搅拌过程中得以通畅匀速地流动，也有利于各组分离子的流动扩散和加热温度的传递，达到温度均匀、浓度均匀和流动通畅均匀的效果，因此优选所述晶圆支架24为3～10层，各层所述晶圆支架24之间的层距为10mm；设置所述环形架241的内圆直径为10～20mm，更便于适应不同的尺寸晶圆片的夹持。

[0043] 进一步说明，如图3所示，所述喷淋器25包括固定管251和雾化喷头252，所述雾化喷头252通过所述固定管251呈中心对称设置于所述晶圆夹块242的通孔上。所述雾化喷头252安装于所述晶圆夹块242上，也起到固定晶圆夹块的作用，所述雾化喷射头252的喷头方向指向圆心；在外部的供液盒的刻蚀液供应下，所述雾化喷头上细小的喷嘴可喷出雾化的刻蚀液，使每个雾化喷射头喷射区域扇形角度≥120°的晶圆区域，形成一个360°圆形的刻蚀液雾化喷射区域，可以使得雾化喷淋的刻蚀液更加均匀和全面，使晶圆片的表面与刻蚀液体预先进行充分的浸润，为后续的刻蚀反应做好准备。

[0044] 进一步说明，所述反应盒体21包括反应腔体和腔室顶盖212，所述腔室顶盖212的中心位置还设置有双向排气装置7。通过设置所述双向排气装置7一方面起排气作用，收集排出反应过程中挥发的HF等气体；另一方面作为冷却风扇配合加热贴片10，在所述恒温调节器的调节下，调节反应腔的恒温条件。

[0045] 进一步说明，所述检测调节装置26包括液面高度检测器、离子浓度调节器和恒温调节器，并且三者呈轴中心对称设置于所述反应盒体21的侧壁上。由于所述刻蚀液注/排入口4分别与各个组分的液体供液盒连接，各个组分的液体通过所述刻蚀液注/排入口4向反应盒体内进行注液和排液。随着反应的进行，刻蚀溶液中的各个部分离子浓度发生变化，当浓度变化较大时，会导致刻蚀反应的质量不佳或者停止，通过所述离子浓度调节器，可以实时得检测得出某时刻的各组分离子浓度，得到刻蚀溶液的浓度状态。在所述离子浓度调节器的配合下，实时对刻蚀液进行注液补充，添加某个组分的浓度，使得刻蚀液的各组分离子浓度维持在一个合适的浓度值，减少了更换刻蚀液的次数，使连续反应得以实现，提高反应的效率。其中，所述离子浓度调节器包括液体流量管理器、氟离子浓度管理器和过氧化氢浓度管理器；

[0046] 所述液面高度检测器则采用接触式的液体检测检测传感器，便于检测刻蚀液是否已经浸没了最高的晶圆片，保证每块晶圆片均可被正常刻蚀；

[0047] 通过所述恒温调节器的调节，调节加热贴片10，在双向排气装置7的配合下，使得反应盒体21内的液体保持在一定的温度范围内的恒温状态，保证反应所需的温度，所述反应盒体21内的温度保持为20-70℃，精度为+/-1℃。

[0048] 进一步说明，所述旋转装置11包括回转支撑架112和步进电机113；所述回转支撑架112设置于所述六自由度运动平台12的上端，并通过若干连接杆8于竖直方向上连接所述反应盒体21，所述连接杆8呈圆周对称分布于所述反应盒体21的外部；所述步进电机113设置于所述搅拌励磁线圈22的中心位置，并通过联轴器连接于反应盒体21的底端。通过设置所述回转支撑架112可以使反应盒体21进行单轴的旋转运动；所述步进电机113作为反应盒体21旋转的动力源，提供可调范围较大转速区间，满足反应盒体21对高速和低速的不同要求。

[0049] 进一步说明，如图4所示，所述特殊磁力搅拌盘23的上表面设置有旋转纹路231。通过在所述特殊磁力搅拌盘23上设置旋转纹路，使得旋转搅拌的过程中盘面和液体的接触面更大，在低速的旋转速度下，即可达到较好的搅拌效果，维持刻蚀液浓度的均匀性和温度的均匀性，增强界面溶液交换的效率；且在安装槽内的固定作用下，避免了特殊磁力搅拌盘在突然快速启动或者腔体倾斜的情况下，出现不稳定跳动的问题，并提高了搅拌的效果和稳定性。

[0050] 进一步说明，所述反应盒体21为不锈钢材料，其内壁涂覆有聚四氟乙烯涂层；所述晶圆支架24为聚丙烯材料。所述反应盒体21采用不锈钢的材料制造，并且内壁采用聚四氟乙烯涂层的方式来防腐蚀，且具有一定的耐高温性质；所述晶圆支架24采用聚丙烯材料进行加工制造，其具备耐腐蚀和耐高温的特性外，极易将铂金属片嵌入其内部；同时反应盒体内的其他部件也采取相关的防腐蚀措施。

[0051] 结合加工硅晶圆纳米线的金属化学辅助刻蚀方法，说明所述微结构刻蚀的加工装置的运行操作过程：

[0052] (1)启动并初始化设备，调试驱动装置1、反应装置2和操作台，使其处于初始化的准备状态；将所述旋转装置11和六自由度运动平台12处于停机的状态，使所述加热贴片10、搅拌励磁线圈22、特殊磁力搅拌盘23、喷淋器25和检测调节装置26处于准备的状态；检查各个连接管道的气密性和通畅性；

[0053] (2)对反应盒体21进行干燥处理，具体可采用设置自行预热的方式进行干燥处理；将经过前处理后的硅晶圆片9安装于所述晶圆支架24上，将反应盒体21通过所述支架滑块
243安装于所述反应盒体21的侧壁内对应的卡槽内；以同样方式，安放另外的3-4片硅晶圆片于所述反应盒体21内；

[0054] 启动所述喷淋器25，将配置好的氢氟酸和过氧化氢刻蚀液通过雾化喷淋的方式，使硅晶圆片9的表面进行充分浸润；

[0055] (3)经过步骤(2)后，启动并设定所述恒温调节器，设置反应过程的温度值；启动所述液面高度检测器和离子浓度检测器262；

[0056] 启动刻蚀液注入的程序，按照系统设定的刻蚀液的各组分百分比，各刻蚀液注/排入口4分别注入各个组分的液体；在注入的过程中，始终保持该反应刻蚀液的各组分百分比一致，直到液面高度没过最高的晶圆片时，则自动停止注液。通过各组分的百分比也可通过所述离子浓度检测器262来检测，通过对比检测得到的数据和系统设定的数据，若数据不一致，则调节各刻蚀液注/排入口4的注入量，自动地调节各组分的浓度，使其趋向设定的系统值；若经过调整后还无法趋向系统值，则做出报警处理；

[0057] (4)经过步骤(3)后，各组分的液体汇聚成反应的刻蚀液后(各组分的液体在汇入之前经过预热处理，使其预先达系统设定的温度值)，启动所述特殊磁力搅拌盘23，使反应盒体21内的液体混合均匀和热量传递的均匀，所述恒温调节器检测到汇聚后的反应刻蚀液的温度变化，通过与所述双向排气装置7和加热贴片10的配合，将汇聚后的刻蚀液温度调整至系统设定值；若经过调整后还无法趋向系统值，则做出报警处理；

[0058] (5)经过步骤(4)后，按照系统设定的极性和电压值，施加电极一定的极性和电压值，该化学反应的正式开始；系统按照设定的反应时间，当刻蚀反应时间到达时，系统即刻提示反应完成。启动所述双向排气装置7对反应过程中挥发的氢氟酸等气体进行抽离。

[0059] 若该次加工为单次刻蚀加工，则启动排液程序，将刻蚀液由所述刻蚀液注/排入口4排出至特定的储存介质，以备下次的进行相同的刻蚀操作时使用；若该加工为连续的刻蚀加工，则开启腔室顶盖，进行下一轮的刻蚀加工；

[0060] (6)对所述微结构刻蚀的加工装置进行清洗，完成刻蚀加工；对系统的数据进行保存，以备该刻蚀加工流程的多次调用。

[0061] 以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。