金属氧化物改性QLED器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种金属氧化物改性QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，所述空穴注入层、电子传输层为IA族元素掺杂的金属氧化物，其中，所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.01‑0.15)：1；所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.5‑0.8)：1，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

权利要求

1.一种金属氧化物改性QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其特征在于，所述空穴注入层、电子传输层为IA族元素掺杂的金属氧化物，其中，所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.01-0.15)：1；所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.5-0.8)：1，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

2.如权利要求1所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由n层膜层组成，沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层…第N-1膜层、第N膜层，各膜层中所述IA族元素的掺杂比例固定，且从所述第一膜层到所述第N膜层，所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

3.如权利要求1所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由n层膜层组成，沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层…第N-1膜层、第N膜层，从所述第一膜层到所述第N膜层，所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低；

沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，单独的各膜层中所述IA族元素的掺杂比例也逐渐降低，且所述第N-1膜层中所述IA族元素的最小掺杂比例≥所述第N膜层中所述IA族元素的最大掺杂比例。

4.如权利要求2或3所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由5层厚度相同的膜层组成，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层，其中，所述第一膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.15-

0.13)：1；

所述第二膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.13-

0.11)：1；

所述第三膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.11-

0.08)：1；

所述第四膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.08-

0.03)：1；

所述第五膜层中，不掺杂IA族元素。

5.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述电子传输层中所述IA族元素的掺杂比例固定。

6.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层、所述电子传输层采用所述IA族元素的叠氮化物与所述金属氧化物共蒸镀制成。

7.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层、所述电子传输层采用相同的金属氧化物。

8.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10-20nm；和/或所述电子传输层的厚度为20-40nm。

9.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层中，IA族元素掺杂的金属氧化物中的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铜中的至少一种；和/或所述电子传输层中，IA族元素掺杂的金属氧化物中的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铜中的至少一种。

10.一种金属氧化物改性QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上沉积底电极；

采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述底电极上沉积空穴注入层，且使得所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.01-0.15)：1，且沿着所述底电极往量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低；

在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层；

采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述量子点发光层沉积电子传输层，且使得所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.5-0.8)：1；

在所述电子传输层上沉积顶电极。

说明书

金属氧化物改性QLED器件及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种金属氧化物改性QLED器件及其制备方法。

背景技术

[0002] 量子点(Quantum dot,QD)是一种准零维(Quasi-zero-dimensional)的纳米材料，由少数的原子所构成，其具有荧光效率高、发光光谱窄、发光波长可调、光谱纯度高等特殊优点，有潜力取代传统的有机发光体成为下一代发光器件的核心部分。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，其具有可调节的波长、高色纯的发光、窄的发光光谱、可溶液法制备以及可使用柔性衬底等优点，因而被广泛研究。然而，由于QLED自身的稳定性不够，限制了其大规模商用应用。为了改善QLED的稳定性，研究者尝试使用无机物来替代其中的有机层。通常，以氧化锌、氧化钛、氧化锡和氧化锆等氧化物作为无机电子注入层；以氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化铜、氧化镍氧化物等作为空穴注入层。上述氧化物在QLED器件中的大量应用取得了一定的成效，但是QLED器件的性能和稳定性仍需要进一步提高。

[0003] 为了进一步提高QLED器件的性能，科研工作者尝试采用掺杂氧化物作为功能层材料，如Cs掺杂TiO2、ZnO和Al掺杂ZnO、MoO3等。这些氧化物通过掺杂以后能一定程度提高载流子的传输速率，但是不能满足电子和空穴的平衡注入，对显著提高QLED器件的效率和稳定性仍然不够。因此对无机材料进行改性以便能应用在QLED中，仍是目前需要解决的问题。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种金属氧化物改性QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件中载流子注入不平衡导致器件稳定性不够和效率不高的问题。

[0005] 本发明是这样实现的，一种金属氧化物改性QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，所述空穴注入层、电子传输层为IA族元素掺杂的金属氧化物，其中，所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.01-0.15)：1；所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.5-0.8)：1，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

[0006] 以及，一种金属氧化物改性QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

[0007] 提供衬底，在所述衬底上沉积底电极；

[0008] 采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述顶电极上沉积空穴注入层，且使得所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.01-0.15)：1，且沿着所述底电极往量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低；

[0009] 在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层；

[0010] 采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述量子点发光层沉积电子传输层，且使得所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.5-0.8)：1；

[0011] 在所述电子传输层上沉积顶电极。

[0012] 本发明提供的金属氧化物改性QLED器件，采用IA族元素掺杂的金属氧化物作为空穴注入层、电子传输层来提高载流子的注入平衡。进一步的，采用少量掺杂IA族元素的金属氧化物作为空穴注入层，同时采用大量掺杂IA族元素的金属氧化物作为电子传输层，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中IA族元素的掺杂比例逐渐降低，由此形成阶梯状能级分布的空穴注入层，显著降低了载流子的注入势垒，有利于载流子的注入，从而提高QLED器件的性能，特别是提高QLED器件的稳定性和效率。

[0013] 本发明提供的金属氧化物改性QLED器件的制备方法，在现有QLED制备方法的基础上，采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物制备空穴注入层、电子传输层，方法简单易控，可以避免由化学反应制备掺杂金属氧化物过程中存在的危险性(如使用金属粉末与双氧水反应时会剧烈放热)和制备QLED器件的不便。

附图说明

[0014] 图1是本发明实施例1提供的金属氧化物改性QLED器件的能级结构图；

[0015] 图2是本发明实施例2提供的金属氧化物改性QLED器件的能级结构图。

具体实施方式

[0016] 为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

[0017] 本发明实施例提供了一种金属氧化物改性QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，所述空穴注入层、电子传输层为IA族元素掺杂的金属氧化物，其中，所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.01-0.15)：1；所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.5-0.8)：1，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

[0018] 具体的，本发明实施例中，所述衬底可采用本领域常规的衬底材料和衬底厚度。所述底电极由常规的电极材料制成。

[0019] 有别于常规的无机材料制成的空穴注入层，本发明实施例中，所述空穴注入层由IA族元素掺杂的金属氧化物制成，且所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.01-0.15)：1。合适的所述IA族元素的掺杂比例，有利于空穴传输性能的提高。当所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比过低时，则不能有效提高空穴传输性能；当所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比过高时，能级提高，阻碍空穴的传输，甚至会改变金属氧化物的传输性能，即由此得到的空穴注入层不仅不能传输空穴，反而会传输电子，从而导致空穴不能有效进入发光层与电子复合发光。其中，所述IA族元素包括Li、Na、K、Rb、Cs；所述金属氧化物包括但不限于氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铜。

[0020] 进一步的，本发明实施例所述空穴注入层中，所述金属氧化物中掺杂的Cs或Li并非均一分布，而是沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中Cs或Li的掺杂比例逐渐降低，使得所述金属氧化物的能级梯度化，进而降低载流子的注入势垒，有利于空穴的注入。在此原则下，本发明实施例中，所述空穴注入层可以由若干层掺杂比例不同的掺杂膜层组成。

[0021] 作为一种具体情形，所述空穴注入层由n层膜层组成，沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层…第N-1膜层、第N膜层，各膜层中所述IA族元素的掺杂比例固定，且从所述第一膜层到所述第N膜层，所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

[0022] 作为另一种具体情形，所述空穴注入层由n层膜层组成，沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层…第N-1膜层、第N膜层，从所述第一膜层到所述第N膜层，所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低；沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，单独的各膜层中所述IA族元素的掺杂比例也逐渐降低，且所述第N-1膜层中所述IA族元素的最小掺杂比例≥所述第N膜层中所述IA族元素的最大掺杂比例。

[0023] 作为上述两种情形的一个具体优选实施例，所述空穴注入层由5层厚度相同的膜层组成，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层，其中，

[0024] 所述第一膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.15-0.13)：1；

[0025] 所述第二膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.13-0.11)：1；

[0026] 所述第三膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.11-0.08)：1；

[0027] 所述第四膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.08-0.03)：1；

[0028] 所述第五膜层中，不掺杂IA族元素。

[0029] 由此得到的空穴注入层，能形成效果优异的阶梯状能级，从而有利于降低空穴在每一层传输的势垒，进而有利于空穴的传输，提高载流子复合效率。

[0030] 进一步优选的，所述空穴注入层的总厚度为10-20nm。若所述空穴注入层的厚度过薄，则不能形成完全覆盖所述底电极的致密膜层，从而产生缺陷，无法有效复合发光；若所述空穴注入层的厚度过厚，则空穴难以有效注入甚至无法注入。

[0031] 本发明实施例中，优选的，所述空穴注入层采用所述IA族元素的叠氮化物如叠氮化锂或叠氮化铯与所述金属氧化物共蒸镀制成。该方法不仅可以精确控制所述空穴注入层各层的膜厚，而且，所述IA族元素的叠氮化物的熔点温度低(如叠氮化锂或叠氮化铯的熔点在310-330℃范围内)，可以降低蒸镀时所需要的温度，便于操作。

[0032] 本发明实施例中，所述空穴传输层可采用常规的空穴传输材料和厚度。具体的，所述空穴传输层材料可选自PEODT：PSS、TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP中的至少一种；或者选自NiO、CuO、V2O5、CuS中的至少一种。所述量子点发光层可以将常见的红、绿、蓝和黄光量子以及红外和紫外光量子点中的至少一种作为发光材料。所述量子点发光层可采用本领域常规厚度。

[0033] 本发明实施例中，所述空穴注入层由所述IA族元素掺杂的金属氧化物，且所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.5-0.8)：1。合适的所述IA族元素的掺杂比例，有利于电子传输性能的提高。当所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比过高时，则不能有效提高电子传输性能；当所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比过低时，能级降低，阻碍电子的传输，甚至会改变金属氧化物的传输性能，即由此得到的电子传输层不仅不能传输电子，反而会传输空穴，从而导致电子不能有效进入发光层与空穴复合发光。其中，所述IA族元素包括Li、Na、K、Rb、Cs；所述金属氧化物包括但不限于氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铜。

[0034] 本发明实施例中，所述电子传输层中，所述金属氧化物中掺杂的IA族元素含量可以均一分布，也可以不均一分布，而是沿着所述量子点发光层往所述顶电极的方向，所述电子传输层中IA族元素的掺杂比例逐渐增加。但是，由于QLED器件中，电子传输的速率本来比空穴传输的速率快，如果将电子传输层的能级也阶梯化，这样电子和空穴的传输速率有效平衡的难度进一步加大，而过多的电子会造成电子的堆积，发生非辐射复合，而造成QLED器件的效率降低。因此，优选的，所述电子传输层中，所述金属氧化物中掺杂的IA族元素的掺杂比例固定。

[0035] 进一步优选的，所述电子传输层的总厚度为20-40nm。若所述电子传输层的厚度过薄，则不能形成完全覆盖所述量子点发光材料的致密膜层，从而产生缺陷，无法有效复合发光；若所述电子传输层的厚度过厚，则电子难以有效注入甚至无法注入。

[0036] 本发明实施例中，优选的，所述电子传输层采用所述IA族元素的叠氮化物如叠氮化锂或叠氮化铯与所述金属氧化物共蒸镀制成。该方法不仅可以精确控制所述电子传输层的膜厚，而且，所述IA族元素的叠氮化物的熔点温度低(如叠氮化锂或叠氮化铯的熔点在310-330℃范围内)，可以降低蒸镀时所需要的温度，便于操作。

[0037] 本发明实施例中，所述空穴注入层、所述电子传输层中的金属氧化物可以不同，所述空穴注入层、所述电子传输层也可以采用相同的金属氧化物。

[0038] 本发明实施例所述顶电极可以为Ag电极、Al电极、Cu电极、Au电极以及合金电极。

[0039] 进一步的，所述QLED器件还包括封装结构。

[0040] 本发明实施例提供的金属氧化物改性QLED器件，采用IA族元素掺杂的金属氧化物作为空穴注入层、电子传输层来提高载流子的注入平衡。进一步的，采用少量掺杂IA族元素的金属氧化物作为空穴注入层，同时采用大量掺杂IA族元素的金属氧化物作为电子传输层，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中IA族元素的掺杂比例逐渐降低，由此形成阶梯状能级分布的空穴注入层，显著降低了载流子的注入势垒，有利于载流子的注入，从而提高QLED器件的性能，特别是提高QLED器件的稳定性。

[0041] 本发明实施例提供的金属氧化物改性QLED器件可以通过下述方法制备获得。

[0042] 以及，本发明实施例还提供了一种金属氧化物改性QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

[0043] S01.提供衬底，在所述衬底上沉积底电极；

[0044] S02.采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述顶电极上沉积空穴注入层，且使得所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.01-0.15)：1，且沿着所述底电极往量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低；

[0045] S03.在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层；

[0046] S04.采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述量子点发光层沉积电子传输层，且使得所述电子传输层中，所述IA族元素的与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.5-0.8)：1；

[0047] S05.在所述电子传输层上沉积顶电极。

[0048] 具体的，上述步骤S01中，所述底电极的沉积可以采用本领域常规方法实现。进一步优选的，在沉积所述底电极前，还包括对所述沉积进行表面清洁处理，以提高所述底电极的附着力。

[0049] 上述步骤S02中，采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物。所述真空沉积包括但不限于蒸镀法、溅射法、原子层沉积法。优选的，采用共蒸镀所述IA族元素的叠氮化物如叠氮化铯或叠氮化锂与金属氧化物，在所述顶电极上沉积空穴注入层。该方法不仅不需要较高的蒸镀温度，而且有利于精确所述空穴注入层的厚度。该步骤中，将所述空穴注入层制备成“所述IA族元素所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.01-0.15)：1，且沿着所述底电极往量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低”，即所述空穴传输层可能包括多层薄膜结构，真空沉积方法利于控制微细的膜层结构。

[0050] 上述步骤S03中，在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层可以采用本领域常规方法实现。

[0051] 上述步骤S04中，采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物。所述真空沉积包括但不限于蒸镀法、溅射法、原子层沉积法。优选的，采用共蒸镀所述IA族元素的叠氮化物如叠氮化铯或叠氮化锂与金属氧化物，在所述量子点发光层沉积电子传输层。该方法不仅不需要较高的蒸镀温度，而且有利于精确所述空穴注入层的厚度。该步骤中，将所述电子传输层层制备成“所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.50-0.80)：1”。

[0052] 上述步骤S05中，在所述电子传输层上沉积顶电极可以采用常规方法实现，如蒸镀。

[0053] 进一步的，待器件蒸镀完成后，对其进行封装，可以使用常用的机器封装也可以使用简单的手动封装。

[0054] 本发明实施例提供的金属氧化物改性QLED器件的制备方法，在现有QLED制备方法的基础上，采用真空沉积的方法，直接共蒸镀IA族元素的叠氮化物与金属氧化物制备空穴注入层、电子传输层，由于叠氮化物的熔点温度低(如叠氮化锂、叠氮化铯的熔点为310℃-330℃)，可以降低制备功能层的蒸镀温度，且易于精确控制功能层的厚度(相比溶液法)。此外，采用本发明实施例方法制备功能层，可以避免由化学反应制备掺杂金属氧化物过程中存在的危险性(如使用金属粉末与双氧水反应时会剧烈放热)和制备QLED器件的不便。

[0055] 下面结合具体实施例进行说明。

[0056] 实施例1

[0057] 结合图1，一种金属氧化物改性QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极ITO、空穴注入层、空穴传输层(HTL)、量子点发光层(QDS)、电子传输层和顶电极Al，所述空穴注入层为Cs掺杂的氧化钼，由5层掺杂膜层组成，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一掺杂膜层(标记为MoOx1)、第二掺杂膜层(标记为MoOx2)、第三掺杂膜层(标记为MoOx3)、第四掺杂膜层(标记为MoOx4)、第五掺杂膜层(标记为MoOx5)，其中，所述第一掺杂膜层中，Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.15：1，厚度为2nm；所述第二掺杂膜层中，Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.12：1，厚度为2nm；所述第三掺杂膜层中，Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.10：1，厚度为2nm；所述第四掺杂膜层中，Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.05：1，厚度为2nm；所述第五掺杂膜层中，Cs原子的掺杂比例为0，厚度为2nm；所述电子传输层为Cs掺杂的氧化钼(标记为MoOx6)，且电子传输层中Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.7：1，电子传输层厚度为20nm。

[0058] 本发明实施例金属氧化物改性QLED器件的能级图如图1所示。

[0059] 上述一种金属氧化物改性QLED器件的制备方法包括以下步骤：

[0060] S11.提供含有底电极的衬底；

[0061] S12.通过真空沉积的方法，在所述底电极上依次共蒸叠氮化铯和氧化钼的膜层，共5层，依次标记为MoOx1、MoOx2、MoOx3、MoOx4、MoOx5，每层厚度2nm。其中，MoOx1中Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.15：1；MoOx2中Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.12：1；MoOx3中Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.10：1；MoOx4中Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.05：1；MoOx5中不掺杂Cs原子；

[0062] S13.在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层；

[0063] S14.采用真空沉积的方法，共蒸镀叠叠氮化铯和氧化钼，沉积Cs掺杂的氧化钼，其中Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.7：1(标记为MoOx6)；

[0064] S15.在所述电子传输层上沉积顶电极，封装处理。

[0065] 实施例2

[0066] 结合图2，一种金属氧化物改性QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极ITO、空穴注入层、空穴传输层(HTL)、量子点发光层(QDS)、电子传输层和顶电极Al，所述空穴注入层为Li掺杂的氧化钒，由5层掺杂膜层组成，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一掺杂膜层(标记为VOx1)、第二掺杂膜层(标记为VOx2)、第三掺杂膜层(标记为VOx3)、第四掺杂膜层(标记为VOx4)、第五掺杂膜层(标记为VOx5)，其中，所述第一掺杂膜层中，Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.15：1，厚度为3nm；所述第二掺杂膜层中，Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.12：1，厚度为3nm；所述第三掺杂膜层中，Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.10：1，厚度为3nm；所述第四掺杂膜层中，Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.05：1，厚度为3nm；所述第五掺杂膜层中，Li原子的掺杂比例为0，厚度为8nm；所述电子传输层为Li掺杂的氧化钒(标记为VOx6)，且电子传输层中Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.6:1，电子传输层厚度为20nm。

[0067] 本发明实施例金属氧化物改性QLED器件的能级图如图2所示。

[0068] 上述一种金属氧化物改性QLED器件的制备方法包括以下步骤：

[0069] S21.提供含有底电极的衬底；

[0070] S22.通过真空沉积的方法，在所述底电极上依次共蒸叠氮化铯和氧化钒的膜层，共5层，依次标记为VOx1、VOx2、VOx3、VOx4、VOx5，每层厚度3nm。其中，VOx1中Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.15：1；VOx2中Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.12：1；VOx3中Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.10：1；VOx4中Li原子与氧化钒中钒原子的摩尔比为0.05：1；VOx5中不掺杂Li原子；

[0071] S23.在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层；

[0072] S24.采用真空沉积的方法，共蒸镀叠叠氮化铯和氧化钒，沉积Li掺杂的氧化钒，其中Cs原子与氧化钼中钼原子的摩尔比为0.6：1(标记为VOx6)；

[0073] S25.在所述电子传输层上沉积顶电极，封装处理。

[0074] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。