固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器

摘要

本发明的固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器由六端口固支梁耦合器、微波相位检测器和间接加热式微波功率传感器级联构成；六端口固支梁耦合器由共面波导，介质层，空气层和固支梁构成；共面波导制作在SiO2层上，固支梁的下方沉积介质层，并与空气层共同构成耦合电容结构，两个固支梁之间的共面波导长度为λ/4；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分别相同，待测信号经六端口固支梁耦合器的第一端口输入，由第三端口和第五端口输出到间接加热式微波功率传感器，由第四端口和第六端口输出到微波相位检测器，由第二端口输出下级处理电路；最终实现了对已知频率信号的0‑360°相位在线检测。

权利要求

1.一种固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器，其特征在于该相位检测器由六端口固支梁耦合器（1）、微波相位检测器（2）和第一间接加热式微波功率传感器（3-1）和第二间接加热式微波功率传感器（3-2）级联构成；其中，六端口固支梁耦合器（1）的第一端口（1-1）到第三端口（1-3）、第四端口（1-4）以及第一端口（1-1）到第五端口（1-5）、第六端口（1-6）的功率耦合度分别相同，待测信号经第一端口（1-1）输入，由第三端口（1-3）和第五端口（1-5）分别输出到第一间接加热式微波功率传感器（3-1）、第二间接加热式微波功率传感器（3-2），由第四端口（1-4）和第六端口（1-6）分别输出到微波相位检测器（2）中的第一Wilkinson功率合成器（4-1）和第二Wilkinson功率合成器（4-2），由第二端口（1-2）输出到下级处理电路；Wilkinson功率分配器（5）的输入端接参考信号输入，Wilkinson功率分配器（5）的输出端口分别接第一Wilkinson功率合成器（4-1）和第二Wilkinson功率合成器（4-

2），并由第一Wilkinson功率合成器（4-1）和第二Wilkinson功率合成器（4-2）分别输出到第三间接加热式微波功率传感器（3-3）和第四间接加热式微波功率传感器（3-4）；

其中，六端口固支梁耦合器（1）的结构以其中心线左右对称设置，由共面波导（8），介质层（10），空气层（12）和固支梁（11）构成；共面波导（8）制作在SiO2层（7）上，SiO2层（7）制作在Si 衬底（6）上，固支梁（11）的锚区（9）制作在共面波导（8）上，固支梁（11）的下方沉积介质层（10），并与空气层（12）、固支梁（11）共同构成耦合电容结构，两个固支梁（11）之间的共面波导（8）长度为λ/4。

2.如权利要求1所述的固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器，其特征在于直接加热式微波功率传感器由Si衬底（6）、SiO2层（7）、共面波导（8）、终端电阻（16）、P型半导体臂（17）、N型半导体臂（18）和输出电极（19）构成；微波功率通过共面波导（8）输入到终端电阻（16）被转化成热量；P型半导体臂（17）和N型半导体臂（18）构成热电偶，热电偶靠近终端电阻（16）区域作为热端（20），靠近输出电极（19）区域作为冷端（21）。

说明书

固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器

技术领域

[0001] 本发明提出了固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器，属于微电子机械系统的技术领域。

背景技术

[0002] 微波信号相位测量在微波测量中占有十分重要的地位。随着频率的增加，信号的波长与电路中各种元器件尺寸逐步接近，电路中电压、电流都以波的形式存在，信号的相位延迟使得电路中不仅不同位置处的电压、电流在同一时刻振幅各不相同，而且同一位置处的电压、电流在不同时刻也各不相同。因此在微波频段掌握并控制信号的相位是很有必要的，微波信号的相位也就成了一个重要的测量参数。本发明即是基于Si工艺设计一种实现在线式相位检测的固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器。

发明内容

[0003] 技术问题：本发明的目的是提供一种固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器，应用六端口固支梁耦合器来耦合小部分信号进行相位检测，而大部分检测信号可以输入到下一级处理电路中，实现对已知频率信号的0-360°相位在线检测，且具有低功耗的益处。

[0004] 技术方案：本发明的固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器由六端口固支梁耦合器、微波相位检测器、第一间接加热式微波功率传感器和第二间接加热式微波功率传感器级联构成；

[0005] 在本发明中，六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分别相同，待测信号经六端口固支梁耦合器的第一端口输入，由第三端口和第五端口分别输出到第一间接加热式微波功率传感器和第二间接加热式微波功率传感器，由第四端口和第六端口分别输出到微波相位检测器中的第一Wilkinson功率合成器和第二Wilkinson功率合成器，由第二端口输出到下级处理电路；Wilkinson功率分配器的输入端接参考信号输入，Wilkinson功率分配器的输出端口分别接第一Wilkinson功率合成器和第二Wilkinson功率合成器，并由第一Wilkinson功率合成器和第二Wilkinson功率合成器分别输出到第三间接加热式微波功率传感器和第四间接加热式微波功率传感器；

[0006] 其中，六端口固支梁耦合器的结构以其中心线左右对称设置，由共面波导，介质层，空气层和固支梁构成；共面波导制作在SiO2层上，SiO2层制作在Si衬底上，固支梁的锚区制作在共面波导上，固支梁的下方沉积介质层，并与空气层、固支梁共同构成耦合电容结构，两个固支梁之间的共面波导长度为λ/4。

[0007] 有益效果：

[0008] 1)本发明的固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器应用六端口固支梁耦合器来耦合小部分信号进行相位检测，而大部分信号可以输入到下一级处理电路中，实现对已知频率信号的0-360°相位在线检测；

[0009] 2)本发明的固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器应用间接加热式微波功率传感器检测微波信号的功率，具有较好的微波特性且无直流功耗；

[0010] 3)本发明中的微波相位检测模块应用两个Wilkinson功率合成器，一个Wilkinson功率分配器和两个间接加热式微波功率传感器实现0-360°的相位检测。

附图说明

[0011] 图1为本发明固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器的原理框图，[0012] 图2为六端口固支梁耦合器的俯视图，

[0013] 图3为图2六端口固支梁耦合器的AA’方向剖面图，

[0014] 图4为Wilkinson功率分配/合成器的俯视图，

[0015] 图5为间接加热式微波功率传感器的俯视图，

[0016] 图6为图5间接加热式微波功率传感器的AA’方向剖面图。

[0017] 图中包括：六端口固支梁耦合器1，微波相位检测器2，第一间接加热式微波功率传感器3-1，第二间接加热式微波功率传感器3-2，第三间接加热式微波功率传感器3-3，第四间接加热式微波功率传感器3-4，第一Wilkinson功率合成器4-1，第二Wilkinson功率合成器4-2，Wilkinson功率分配器5，Si衬底6，SiO2层7，共面波导8，锚区9，介质层10，固支梁11，空气层12，空气桥13，非对称共面带线14，隔离电阻15，终端电阻16，P型半导体臂17，N型半导体臂18，输出电极19，热端20，冷端21，衬底薄膜结构22，第一端口1-1，第二端口1-2，第三端口1-3，第四端口1-4，第五端口1-5，第六端口1-6，第七端口5-1，第八端口5-2，第九端口5-3。

具体实施方式

[0018] 本发明固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器由六端口固支梁耦合器1、微波相位检测器2、第一间接加热式微波功率传感器3-1和第二间接加热式微波功率传感器3-2级联构成；

[0019] 六端口固支梁耦合器1的第一端口1-1到第三端口1-3、第四端口1-4及第一端口1-1到第五端口1-5、第六端口1-6的功率耦合度分别相同，待测信号经六端口固支梁耦合器1的第一端口1-1输入，由第三端口1-3和第五端口1-5输出到第一间接加热式微波功率传感器3-1和第二间接加热式微波功率传感器3-2，由第四端口1-4和第六端口1-6输出到微波相位检测器2，由第二端口1-2输出到下级处理电路，实现了对已知频率信号的相位检测，且检测后的信号可以用于其他处理电路。

[0020] 微波相位检测器2由第三间接加热式微波功率传感器3-3，第四间接加热式微波功率传感器3-4，第一Wilkinson功率合成器4-1，第二Wilkinson功率合成器4-2，Wilkinson功率分配器5构成；第一Wilkinson功率合成器4-1，第二Wilkinson功率合成器4-2，和Wilkinson功率分配器5的拓扑结构相同，由共面波导8、非对称共面带线14和空气桥13、隔离电阻15构成，信号从第七端口5-1输入时为Wilkinson功率分配器5，信号从第八端口5-2，第九端口5-3输入时为第一Wilkinson功率合成器4-1或第二Wilkinson功率合成器4-2；第一Wilkinson功率合成器4-1，第二Wilkinson功率合成器4-2由Si衬底6，SiO2层7，共面波导8，终端电阻16，P型半导体臂17，N型半导体臂18，输出电极19构成。其间接加热式微波功率传感器和微波相位的检测原理可以解释如下：

[0021] 间接加热式微波功率传感器：如图5所示微波功率从输入端口输入，通过共面波导8输入到终端电阻16被转化成热量；P型半导体臂17和N型半导体臂18构成热电偶，热电偶靠近终端电阻16区域作为热端20，热电偶靠近输出电极19区域作为冷端21；根据Seebeck效应，通过测量输出电极19的热电势可知输入微波功率大小；热电偶的热端20背部将衬底减薄构成衬底薄膜结构22用以提高检测灵敏度。

[0022] 相位检测器：如图1所示微波信号经六端口固支梁耦合器1的第三端口1-3和第五端口1-5分别输入到第一间接加热式微波功率传感器3-1和第二间接加热式微波功率传感器3-2进行耦合功率检测，微波信号经六端口固支梁耦合器1的第四端口1-4和第六端口1-6输入到微波相位检测器2进行相位检测；六端口固支梁耦合器1的两个固支梁11之间的共面波导8长度为λ/4，此时通过第四端口1-4和第六端口1-6的两路微波信号相位差为90°；输入功率Pr，与待测信号频率相同f(频率已知)的参考信号，参考信号经Wilkinson功率分配器5分成两路功率和相位相同的信号，与第四端口1-4和第六端口1-6的两路待测信号经第一Wilkinson功率合成器4-1和第二Wilkinson功率合成器4-2进行功率合成；第三间接加热式微波功率传感器3-3和第四间接加热式微波功率传感器3-4分别对左右两路合成后的功率Pcs1，Pcs2进行检测，并通过公式(1)得出待测与参考信号之间的相位差

[0023]

[0024] P4，P6为第四端口1-4与第六端口1-6的耦合功率，并且P4＝P3，P6＝P5其功率大小由第三间接加热式微波功率传感器3-3和第四间接加热式微波功率传感器3-4测得。

[0025] 固支梁间接加热在线式已知频率微波相位检测器的制备方法包括以下几个步骤：

[0026] 1)准备4英寸高阻Si衬底6，电阻率为4000Ω·cm，厚度为400mm；

[0027] 2)热生长一层厚度为1.2mm的SiO2层7；

[0028] 3)化学气相淀积(CVD)生长一层多晶硅，厚度为0.4mm；

[0029] 4)涂覆一层光刻胶并光刻，除多晶硅电阻区域以外，其他区域被光刻胶保护，并注入磷(P)离子，掺杂浓度为1015cm-2，形成隔离电阻15和终端电阻16；

[0030] 5)涂覆一层光刻胶，用P+光刻板进行光刻，除P型半导体臂17区域以外，其他区域被光刻胶保护，接着注入硼(B)离子，掺杂浓度为1016cm-2，形成热电偶的P型半导体臂17；

[0031] 6)涂覆一层光刻胶，用N+光刻板进行光刻，除N型半导体臂18区域以外，其他区域16 -2
被光刻胶保护，接着注入磷(P)离子，掺杂浓度为10 cm ，形成热电偶的N型半导体臂18；

[0032] 7)涂覆一层光刻胶，光刻热电堆和多晶硅电阻图形，再通过干法刻蚀形成热电偶臂和多晶硅电阻；

[0033] 8)涂覆一层光刻胶，光刻去除共面波导8、非对称共面带线14、金属互连线以及输出电极19处的光刻胶；

[0034] 9)电子束蒸发(EBE)形成第一层金(Au)，厚度为0.3mm，去除光刻胶以及光刻胶上的Au，剥离形成共面波导8和非对称共面带14的第一层Au、热电堆金属互连线以及输出电极19；

[0035] 10)淀积(LPCVD)一层Si3N4，厚度为0.1mm；

[0036] 11)涂覆一层光刻胶，光刻并保留固支梁11下方的光刻胶，干法刻蚀Si3N4，形成介质层10；

[0037] 12)均匀涂覆一层空气层13并光刻图形，厚度为2mm，保留固支梁11下方的聚酰亚胺作为牺牲层；

[0038] 13)涂覆光刻胶，光刻去除固支梁11、锚区9、共面波导8、非对称共面带线14及输出电极19位置的光刻胶；

[0039] 14)蒸发500/1500/300A°的Ti/Au/Ti的种子层，去除顶部的Ti层后再电镀一层厚度为2mm的Au层；

[0040] 15)去除光刻胶以及光刻胶上的Au，形成固支梁11、锚区9、共面波导8、非对称共面带线14及输出电极19；

[0041] 16)深反应离子刻蚀(DRIE)衬底材料背面，制作薄膜结构23；

[0042] 17)释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除固支梁下的聚酰亚胺牺牲层，去离子水稍稍浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干。

[0043] 本发明与现有技术的区别在于：

[0044] 本发明采用了新颖的六端口固支梁耦合结构，其中六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分别相同；这种固支梁耦合结构从共面波导传输的微波信号中耦合出小部分的信号来检测微波信号的相位大小，而大部分信号可以输入到下一级处理电路中；应用间接加热式微波功率传感器来检测微波信号的功率，具有较好的微波特性且无直流功耗；本发明的固支梁在线式未知频率微波相位检测器，实现了对未知频率信号的0-360°相位在线检测。

[0045] 满足以上条件的结构即视为本发明的固支梁间接加热在线式未知频率微波相位检测器。