一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板

摘要

本发明涉及覆铜陶瓷基板的切割设计领域，公开了一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于，包括：覆铜陶瓷基板本体、工艺边和铜条；所述覆铜陶瓷基板本体为长方形结构；所述工艺边设于所述覆铜陶瓷基板本体的边沿一周，由上、下、左、右共计四条直边组成；互相垂直的两条工艺边之间由铜条连接构成连接单元，所述铜条的宽度小于所述工艺边的宽度。本发明的覆铜陶瓷基板结构，可以提高吸气压力，实现切割时DBC基板表面高度均匀，切割深度可控，提高产品良率；工艺边的连接处采用细铜线设计，可有效解决工艺边连接后掰边困难的问题。

权利要求

1.一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于，包括：覆铜陶瓷基板本体、工艺边和铜条；所述覆铜陶瓷基板本体为长方形结构；所述工艺边设于所述覆铜陶瓷基板本体的边沿一周，由上、下、左、右共计四条直边组成；互相垂直的两条工艺边之间由铜条连接构成连接单元，所述铜条的宽度小于所述工艺边的宽度。

2.根据权利要求1所述的一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述工艺边的宽度大于3mm小于15mm。

3.根据权利要求1所述的一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述铜条的宽度0.3mm-1mm。

4.根据权利要求1所述的一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述连接单元内的铜条自其中一条工艺边所在直线延伸至另一工艺边，从而将互相垂直的两条工艺边相连。

5.根据权利要求4所述的一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述连接单元内铜条的数量为两条，两条铜条自其中一条工艺边的边沿两侧分别沿该工艺边所在直线延伸至另一工艺边，从而将互相垂直的两条工艺边相连。

6.根据权利要求1所述的一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述工艺边的材质为铜。

说明书

一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板

技术领域

[0001] 本发明属于覆铜陶瓷基板的切割设计领域，特别涉及一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板。

背景技术

[0002] 覆铜陶瓷基板(DBC基板)是使用DBC(Direct Bond Copper)技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料。覆铜陶瓷基板具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高，覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点，并且它是一种无污染、无公害的绿色产品，使用温度相当广泛，可以从-55℃～850℃，热膨胀系数接近于硅，其应用领域十分广泛：可用于半导体致冷器、电子加热器，大功率电力半导体模块，功率控制电路、功率混合电路、智能功率组件，高频开关电源、固态继电器，汽车电子、航天航空及军用电子组件，太阳能电池板组件，电讯专用交换机、接收系统，激光等多项工业电子领域。

[0003] 覆铜陶瓷基板在制备过程中，通常会将蚀刻好图形的产品用CO2激光机进行切割，从而分割成单枚产品。DBC基板的铜层通常较厚(0.1mm以上)，图形之间缝隙较大，容易漏气，不能将基板吸平，切割时难以保证DBC基板切割深度的均一性。为减少图形间隙漏气，现在常用方法是在非切割面排列好图形的周围加四条工艺边。由于切割后需要将工艺边掰开，工艺边之间是断开的，形成一个有4个缝隙的半封闭区域。这4个缝隙还会漏气，导致吸气压力仍然不足，造成切割不良，见图1。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板。本发明的覆铜陶瓷基板结构，可以提高吸气压力，实现切割时DBC基板表面高度均匀，切割深度可控，提高产品良率；工艺边的连接处采用细铜线设计，可有效解决工艺边连接后掰边困难的问题。

[0005] 为了达到上述目的，本发明提供了一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，包括：覆铜陶瓷基板本体、工艺边和铜条；所述覆铜陶瓷基板本体为长方形结构；所述工艺边设于所述覆铜陶瓷基板本体的边沿一周，由上、下、左、右共计四条直边组成；互相垂直的两条工艺边之间由铜条连接构成连接单元，所述铜条的宽度小于所述工艺边的宽度。

[0006] 所述工艺边的宽度大于3mm小于15mm。

[0007] 所述铜条的宽度0.3mm-1mm。

[0008] 所述连接单元内的铜条自其中一条工艺边所在直线延伸至另一工艺边，从而将互相垂直的两条工艺边相连。

[0009] 所述连接单元内铜条的数量为两条，两条铜条自其中一条工艺边的边沿两侧分别沿该工艺边所在直线延伸至另一工艺边，从而将互相垂直的两条工艺边相连。

[0010] 所述工艺边的材质为铜。

[0011] 本发明的有益效果是：

[0012] (1)本发明在原有工艺边的基础上，通过在工艺边接缝处添加铜条连接，取代原来蚀刻的缝隙，并与工艺边构成一体，可有效防止工艺边蚀刻缝隙处漏气；

[0013] (2)采用细铜线设计，可有效解决连为一体后掰边困难的问题。

附图说明

[0014] 图1为现有技术的覆铜陶瓷基板的结构示意图；

[0015] 图2为本发明的覆铜陶瓷基板的结构示意图；

[0016] 图3为图2中A处所示的连接单元的局部放大图。

[0017] 其中：

[0018] 1-覆铜陶瓷基板本体 2-工艺边 3-铜条

[0019] 4-铜粒

具体实施方式

[0020] 以下结合附图和具体实施例，对本发明做进一步说明。

[0021] 实施例1：

[0022] 如图2-3所示的一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板，包括：覆铜陶瓷基板本体1、工艺边2和铜条3。

[0023] 覆铜陶瓷基板本体1为长方形结构。

[0024] 工艺边2设于覆铜陶瓷基板本体1的边沿一周，由上、下、左、右共计四条直边组成；互相垂直的两条工艺边2之间由铜条3连接构成连接单元，铜条3的宽度小于工艺边2的宽度。工艺边的宽度为5mm。

[0025] 连接单元内铜条的数量为两条(每条铜条的宽度为0.5mm)，两条铜条自其中一条工艺边的边沿两侧分别沿该工艺边所在直线延伸至另一工艺边，从而将互相垂直的两条工艺边相连。

[0026] 工艺边的材质为为铜箔。

[0027] 以下为本发明的便于激光切割的覆铜陶瓷基板的制作方法：

[0028] 在陶瓷上烧结一片大铜箔，设计带工艺边和铜条的图形菲林，贴膜显影曝光，湿法蚀刻得到本发明的便于激光切割的覆铜陶瓷基板。

[0029] 以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述的实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可以作出种种的等同的变型或替换，这些等同变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。