一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法及基板

摘要

本发明涉及一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法及基板，包括：根据铜箔厚度确定铜箔侧腐蚀量，对所有铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体进行加放，加放后铜粒横竖间距为a；将边缘处四个角上铜粒设计成不对称四边形；将边缘上其余铜粒设计成对称梯形；梯形横的内间距为a,横的外间距为b；梯形竖的内间距为a,竖的外间距c。b＝0.30a～0.80a，c＝0.40a～0.90a。本发明在设计铜粒形状的菲林图纸时，改变铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体均匀加放的常规设计方法，将四周边缘一圈铜粒的矩形形态设计成梯形，使间距呈倒喇叭口，补偿四周边缘处流速快，蚀刻快水池效应。解决四周边缘处间距呈喇叭口形态不良状况，及产品四周边缘处间距与中间间距大小不均匀问题。

权利要求

1.一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，其特征在于，包括：第一步：根据铜箔厚度确定铜箔侧腐蚀量δ；

第二步：对铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体加放铜粒矩阵：

铜粒矩阵包括互相垂直的X方向和Y方向，铜粒矩阵的铜粒根据排列位置分为布置于铜粒矩阵中间的中部铜粒、布置于中部铜粒外缘四边的边部铜粒和布置于铜粒矩阵四角的角部铜粒；

中部铜粒为长方形，中部铜粒的长边与X方向平行，宽边与Y方向平行，加放后中部铜粒之间的X向间距与Y向间距均为a，设a为间隔的基准单位；

所述的边部铜粒为等腰梯形，边部铜粒包括上底边和下底边，所述上底边邻近中部铜粒；沿Y向分布的边部铜粒为长边铜粒，相邻的长边铜粒的上底边间距为a，相邻的长边铜粒的下底边间距为b，b＝0.30a～0.80a；沿X向分布的边部铜粒为宽边铜粒，相邻的宽边铜粒的上底边间距为a,相邻的宽边铜粒的下底边间距为c，c＝0.40a～0.90a；

所述的角部铜粒为具有一个直角的四边形，直角交汇点为直角点，与直角相对的钝角交汇点为内角点；长边铜粒上底边至相邻的角部铜粒内角点之间的间隔为a，长边铜粒下底边至相邻的角部铜粒直角点之间的间隔也为b+角部铜粒的一段直角边长，b＝0.30a～

0.80a；宽边铜粒上底边至相邻的角部铜粒内角点之间的间隔为a；宽边铜粒下底边至角部铜粒直角点之间的间隔也为c+角部铜粒的另一段直角边长，c＝0.40a～0.90a；

所述的长边铜粒与中部铜粒之间的X向间距为a，长边铜粒的上底边与中部铜粒的宽相同，长边铜粒的高与中部铜粒的长相同；所述的宽边铜粒与中部铜粒之间的Y向间距为a，宽边铜粒的上底边与中部铜粒的长相同，宽边铜粒的高与中部铜粒的宽相同。

2.根据权利要求1所述的保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，其特征在于，所述的a值确定方式为，预设产品铜粒之间的间距要求为D，a＝D-2δ。

3.一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，其特征在于，包括：第一步：根据铜箔厚度确定铜箔侧腐蚀量δ；

第二步：对铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体加放铜粒矩阵，铜粒矩阵包括互相垂直的X方向和Y方向，铜粒矩阵的铜粒单元根据排列位置分为布置于铜粒矩阵中间的中部铜粒、布置于中部铜粒外缘四边的边部铜粒和布置于铜粒矩阵四角的角部铜粒；

中部铜粒为正方形，加放后中部铜粒之间的X向间距与Y向间距均为a,设a为间隔的基准单位；

所述的边部铜粒为等腰梯形，边部铜粒包括上底边和下底边，所述上底边邻近中部铜粒；相邻的边部铜粒的上底边间距为a，相邻的边部铜粒的下底边间距为b，b＝0.30a～

0.90a；

所述的角部铜粒为具有一个直角的四边形，直角交汇点为直角点，与直角相对的钝角交汇点为内角点；边部铜粒上底边至相邻的角部铜粒内角点之间的间隔为a；边部铜粒的下底边至相邻的角部铜粒直角点之间的间隔也为b+角部铜粒的一段直角边长，b＝0.30a～

0.90a；

所述的边部铜粒与中部铜粒之间的X向间距以及Y向间距均为a，边部铜粒的上底边与中部铜粒的长相同。

4.根据权利要求3所述的保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，其特征在于，所述的a值确定方式为，预设产品铜粒之间的间距要求为D，a＝D-2δ。

5.一种用权利要求1至4任一所述的保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法制得的基板，其特征在于，基板上设置铜粒矩阵，包括互相垂直的X方向和Y方向，铜粒单元均为相同形状，且X向间距与Y向间距相同。

说明书

一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法及基板

技术领域

[0001] 本发明属于半导体制冷器件制造领域，特别涉及一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法。

背景技术

[0002] 覆铜陶瓷基板(DBC基板)是使用DBC(Direct BondCopper)技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料。覆铜陶瓷基板具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高，覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点，并且它是一种无污染、无公害的绿色产品，使用温度相当广泛，可以从-55℃～850℃，热膨胀系数接近于硅，其应用领域十分广泛：可用于半导体致冷器、电子加热器，大功率电力半导体模块，功率控制电路、功率混合电路、智能功率组件，高频开关电源、固态继电器，汽车电子、航天航空及军用电子组件，太阳能电池板组件，电讯专用交换机、接收系统，激光等多项工业电子领域。

[0003] 用于半导体制冷器件的覆铜陶瓷基板(DBC)产品，其表面铜粒形状一般为长方形或方形，见图1。当x产品的铜箔较厚时(一般为0.40mm～0.70mm)，由于蚀刻时间过长，蚀刻后会出现产品铜粒之间间距不均匀现象：四周边缘处间距比中间间距大且呈喇叭口形态，铜粒形状也不再呈矩形形态，产品尺寸不符合图纸而报废，见图1。其产生原因为：在设计铜粒形状的菲林图纸时，常规的设计方法是根据铜箔的厚度，确定铜箔侧腐蚀量后，再对所有铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体进行加放，没有考虑蚀刻时的水池效应。而在蚀刻时由于水池效应，蚀刻液在待蚀刻产品四周边缘处流速呈现逐渐加快状态，新旧蚀刻液交换也加快；而在产品中间流速慢，新旧蚀刻液交换慢，造成产品四周边缘铜粒蚀刻快(呈梯度加快)，中间铜粒蚀刻慢，间距不一致且呈喇叭口形态。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法。本发明的方法，使产品在蚀刻后四周边缘处间距与中间间距基本相同，并无喇叭口形态，铜粒形状仍为长方形或方形，提高产品良率。

[0005] 本发明的目的通过以下技术方案来实现：

[0006] 本发明的目的在于提供一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，其特征在于，包括：

[0007] 第一步：根据铜箔厚度确定铜箔侧腐蚀量δ；

[0008] 第二步：对铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体加放铜粒矩阵：

[0009] 铜粒矩阵包括互相垂直的X方向和Y方向，铜粒矩阵的铜粒根据排列位置分为布置于铜粒矩阵中间的中部铜粒、布置于中部铜粒外缘四边的边部铜粒和布置于铜粒矩阵四角的角部铜粒；

[0010] 中部铜粒为长方形，中部铜粒的长边与X方向平行，宽边与Y方向平行，加放后中部铜粒之间的X向间距与Y向间距均为a，设a为间隔的基准单位；

[0011] 所述的边部铜粒为等腰梯形，边部铜粒包括上底边和下底边，所述上底边邻近中部铜粒；沿Y向分布的边部铜粒为长边铜粒，相邻的长边铜粒的上底边间距为a，相邻的长边铜粒的下底边间距为b，b＝0.30a～0.80a；沿X向分布的边部铜粒为宽边铜粒，相邻的宽边铜粒的上底边间距为a,相邻的宽边铜粒的下底边间距为c，c＝0.40a～0.90a；

[0012] 所述的角部铜粒为具有一个直角的四边形，直角交汇点为直角点，与直角相对的钝角交汇点为内角点；长边铜粒上底边至相邻的角部铜粒内角点之间的间隔为a，长边铜粒下底边至相邻的角部铜粒直角点之间的间隔也为b，b＝0.30a～0.80a；宽边铜粒上底边至相邻的角部铜粒内角点之间的间隔为a+角部铜粒的一段直角边长；宽边铜粒下底边至角部铜粒直角点之间的间隔也为c+角部铜粒的另一段直角边长，c＝0.40a～0.90a。

[0013] 优选的，所述的长边铜粒与中部铜粒之间的X向间距为a，长边铜粒的上底边与中部铜粒的宽相同，长边铜粒的高与中部铜粒的长相同；所述的宽边铜粒与中部铜粒之间的Y向间距为a，宽边铜粒的上底边与中部铜粒的长相同，宽边铜粒的高与中部铜粒的宽相同。

[0014] 优选的，所述的a值确定方式为，预设产品铜粒之间的间距要求为D，a＝D-2δ。

[0015] 一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，包括：

[0016] 第一步：根据铜箔厚度确定铜箔侧腐蚀量δ；

[0017] 第二步：对铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体加放铜粒矩阵，铜粒矩阵包括互相垂直的X方向和Y方向，铜粒矩阵的铜粒单元根据排列位置分为布置于铜粒矩阵中间的中部铜粒、布置于中部铜粒外缘四边的边部铜粒和布置于铜粒矩阵四角的角部铜粒；

[0018] 中部铜粒为正方形，加放后中部铜粒之间的X向间距与Y向间距均为a,设a为间隔的基准单位；

[0019] 所述的边部铜粒为等腰梯形，边部铜粒包括上底边和下底边，所述上底边邻近中部铜粒；相邻的边部铜粒的上底边间距为a，相邻的边部铜粒的下底边间距为b，b＝0.30a～0.90a；

[0020] 所述的角部铜粒为具有一个直角的四边形，直角交汇点为直角点，与直角相对的钝角交汇点为内角点；边部铜粒上底边至相邻的角部铜粒内角点之间的间隔为a；边部铜粒的下底边至相邻的角部铜粒直角点之间的间隔也为b，b＝0.30a～0.90a。

[0021] 优选的，所述的边部铜粒与中部铜粒之间的X向间距以及Y向间距均为a，边部铜粒的上底边与中部铜粒的长相同。

[0022] 优选的，所述的a值确定方式为，预设产品铜粒之间的间距要求为D，a＝D-2δ。

[0023] 一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法制得的基板，基板上设置铜粒矩阵，包括互相垂直的X方向和Y方向，铜粒单元均为相同形状，且X向间距与Y向间距相同。

[0024] 一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，根据铜箔厚度确定铜箔侧腐蚀量；对铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体加放铜粒矩阵，铜粒矩阵有X向和Y向，X向和Y向相互垂直，铜粒矩阵的中部为中部铜粒，中部铜粒的外围四条边为边部铜粒，铜粒矩阵的四个角为角部铜粒。对应矩阵的坐标，即铜粒(X1,Y1)、铜粒(Xn，Y1)、铜粒(X1，Yn)和铜粒(Xn,Yn)为角部铜粒，角部铜粒的形状相同，均为具有一个直角的四边形，直角在布置时对应基板的直角处。铜粒(X2，Y1)、铜粒(X3，Y1)……铜粒(Xn-1，Y1)为边部铜粒，铜粒(X2,Yn)、铜粒(X3，Yn)……铜粒(Xn-1,Yn)为边部铜粒，铜粒(X1，Y2)、铜粒(X1，Y3)……铜粒(X1，Yn-1)为边部铜粒，铜粒(Xn，Y2)、铜粒(Xn，Y3)……铜粒(Xn，Yn-1)为边部铜粒。其余的铜粒为中部铜粒，中部铜粒为长方形，中部铜粒的宽边与X向平行，长边与Y向平行。边部铜粒为等腰梯形，边部铜粒的上底边临近中部铜粒，但边部铜粒形状不相同，沿X向分布的边部铜粒为宽边铜粒，宽边铜粒的高与中部铜粒的长相同，宽边铜粒的上底边与中部铜粒的宽相同。沿Y向分布的边部铜粒为长边铜粒，长边铜粒的高与中部铜粒的宽相同，长边铜粒的上底边与中部铜粒1的长相同。

[0025] 所有铜粒均为长方形或接近长方形，铜粒的四个角为A、B、C、D，以基板一角为例说明铜粒矩阵的布置关系。中部铜粒的X向间距与Y向间距相同，均为a，a为间隔基准单位。角部铜粒(X1,Y1)的四点为： AB(X1,Y1)和CD(X1,Y1)边为直角边，与角部铜粒(X1,Y1)相邻的宽边铜粒(X2,Y1)的四点为 AB(X2,Y1)与中部铜粒1的
宽度相同，B(X1,Y1)与A(X2,Y1)之间的间距为a，D(X1,Y1)与C(X2,Y1)之间的间距为c。中部铜粒(X2,Y2)的四点为 A(X2,Y1)与C(X2,Y2)之间的间距为a。边部铜粒(X3，Y1)的四
点为 B(X2,Y1)与A(X3,Y1)之间的间距为a，D(X2,Y1)与C(X3,Y1)之间的间距为
c。长边铜粒(X1,Y2)的四点为 与角部铜粒(X1,Y1)相邻。B(X1,Y1)与
D(X1,Y2)之间的间距为a，A(X1,Y1)与C(X1,Y2)之间的间距为b。与中部铜粒(X2,Y2)之间A(X2,Y1)与B(X1,Y2)之间的间距为a。边部铜粒(X1，Y3)的四点为 B(X1,Y2)与D(X1,Y3)之
间的间距为a，A(X1,Y2)与C(X1,Y3)之间的间距为b。b＝0.5a,c＝0.6a。位于Xn的长边铜粒与位于X1的长边铜粒对称布置，位于Yn的宽边铜粒与Y1的宽边铜粒对称布置。角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(Xn，Y1)Y轴对称布置，角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(X1,Yn)X轴对称布置。角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(Xn,Yn)中心对称布置。

[0026] 与现有技术相比，本发明的积极效果如下：

[0027] 本发明通过改变铜粒外形尺寸按侧腐蚀量整体均匀加放的常规设计方法，在设计铜粒形状的菲林图纸时，将四周边缘一圈铜粒的矩形形态设计成梯形，使间距呈倒喇叭口，补偿四周边缘处流速快，蚀刻快的水池效应，从而解决了四周边缘处间距呈喇叭口形态的不良状况，以及产品四周边缘处间距与中间间距大小不均匀问题，提高产品良率。

附图说明

[0028] 图1为现有技术的基板铜粒布置。

[0029] 图2为本发明铜粒矩阵布置的示意图；

[0030] 图3为本发明成品的示意图；

[0031] 其中，1-中部铜粒；        2-边部铜粒；        21-长边铜粒；

[0032]      22-宽边铜粒；       3-角部铜粒；具体实施方式：

[0033] 下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

[0034] 实施例1

[0035] 如图2所示的一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，第一步，根据铜箔厚度和腐蚀机性能确定铜箔侧腐蚀量δ；第二部，产品铜粒之间的间距要求为D，按侧腐蚀量δ进行整体加放，加放后的间距a，a＝D-2δ；按此尺寸设计铜粒的菲林图纸并制作菲林底片；通过图形转移工序将图形转移到产品表面，经过蚀刻后得到所需的铜粒外形。

[0036] 铜粒矩阵有X向和Y向，X向和Y向相互垂直，铜粒矩阵的中部为中部铜粒1，中部铜粒1的外围四条边为边部铜粒2，铜粒矩阵的四个角为角部铜粒3。对应矩阵的坐标，即铜粒(X1,Y1)、铜粒(Xn，Y1)、铜粒(X1，Yn)和铜粒(Xn,Yn)为角部铜粒3，角部铜粒3的形状相同，均为具有一个直角的四边形，直角在布置时对应基板的直角处。铜粒(X2，Y1)、铜粒(X3，Y1)……铜粒(Xn-1，Y1)为边部铜粒2，铜粒(X2,Yn)、铜粒(X3，Yn)……铜粒(Xn-1,Yn)为边部铜粒2，铜粒(X1，Y2)、铜粒(X1，Y3)……铜粒(X1，Yn-1)为边部铜粒2，铜粒(Xn，Y2)、铜粒(Xn，Y3)……铜粒(Xn，Yn-1)为边部铜粒2。其余的铜粒为中部铜粒1，中部铜粒1为长方形，中部铜粒1的宽边与X向平行，长边与Y向平行。边部铜粒2为等腰梯形，边部铜粒2的上底边临近中部铜粒1，但边部铜粒2形状不相同，沿X向分布的边部铜粒为宽边铜粒22，宽边铜粒22的高与中部铜粒1的宽相同，宽边铜粒22的上底边与中部铜粒1的长相同。沿Y向分布的边部铜粒为长边铜粒21，长边铜粒21的高与中部铜粒1的长相同，长边铜粒21的上底边与中部铜粒1的宽相同。

[0037] 所有铜粒均为长方形或接近长方形，铜粒的四个角为A、B、C、D，以基板一角为例说明铜粒矩阵的布置关系。中部铜粒1的X向间距与Y向间距相同，均为a。角部铜粒(X1,Y1)的四点为： AB(X1,Y1)和CD(X1,Y1)边为直角边，与角部铜粒(X1,Y1)相邻的宽边铜粒(X2,Y1)的四点为 AB(X2,Y1)与中部铜粒1的宽度相同，B(X1,Y1)与
A(X2,Y1)之间的间距为a，D(X1,Y1)与C(X2,Y1)之间的间距为c。中部铜粒(X2,Y2)的四点为A(X2,Y1)与C(X2,Y2)之间的间距为a。边部铜粒(X3，Y1)的四点为
B(X2,Y1)与A(X3,Y1)之间的间距为a，D(X2,Y1)与C(X3,Y1)之间的间距为c。长
边铜粒(X1,Y2)的四点为 与角部铜粒(X1,Y1)相邻。B(X1,Y1)与D(X1,Y2)之
间的间距为a，A(X1,Y1)与C(X1,Y2)之间的间距为b。与中部铜粒(X2,Y2)之间A(X2,Y1)与B(X1,Y2)之间的间距为a。边部铜粒(X1，Y3)的四点为 B(X1,Y2)与D(X1,Y3)之间的间距为
a，A(X1,Y2)与C(X1,Y3)之间的间距为b。b＝0.5a,c＝0.6a。位于Xn的长边铜粒与位于X1的长边铜粒对称布置，位于Yn的宽边铜粒与Y1的宽边铜粒对称布置。角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(Xn，Y1)Y轴对称布置，角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(X1,Yn)X轴对称布置。角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(Xn,Yn)中心对称布置。铜箔厚度为0.40mm，确定侧腐蚀量δ＝0.20mm；间距D为0.65mm时，计算出a＝D-2×δ＝0.25mm，b＝0.18mm，c＝0.21mm。

[0038] 实施例2

[0039] 一种保持覆铜陶瓷基板上铜粒间距尺寸均匀的方法，第一步，根据铜箔厚度和腐蚀机性能确定铜箔侧腐蚀量δ；第二部，产品铜粒之间的间距要求为D，按侧腐蚀量δ进行整体加放，加放后的间距a，a＝D-2δ；按此尺寸设计铜粒的菲林图纸并制作菲林底片；通过图形转移工序将图形转移到产品表面，经过蚀刻后得到所需的铜粒外形。

[0040] 铜粒矩阵有X向和Y向，X向和Y向相互垂直，铜粒矩阵的中部为中部铜粒1，中部铜粒1的外围四条边为边部铜粒2，铜粒矩阵的四个角为角部铜粒3。对应矩阵的坐标，即铜粒(X1,Y1)、铜粒(Xn，Y1)、铜粒(X1，Yn)和铜粒(Xn,Yn)为角部铜粒3，角部铜粒3的形状相同，均为具有一个直角的四边形，直角在布置时对应基板的直角处。铜粒(X2，Y1)、铜粒(X3，Y1)……铜粒(Xn-1，Y1)为边部铜粒2，铜粒(X2,Yn)、铜粒(X3，Yn)……铜粒(Xn-1,Yn)为边部铜粒2，铜粒(X1，Y2)、铜粒(X1，Y3)……铜粒(X1，Yn-1)为边部铜粒2，铜粒(Xn，Y2)、铜粒(Xn，Y3)……铜粒(Xn，Yn-1)为边部铜粒2。其余的铜粒为中部铜粒1，中部铜粒1为正方形，中部铜粒1的一边与X向平行，另一边与Y向平行。边部铜粒2为等腰梯形，边部铜粒2的上底边临近中部铜粒1，边部铜粒2形状相同。

[0041] 所有铜粒均为正方形或接近正方形，铜粒的四个角为A、B、C、D，以基板一角为例说明铜粒矩阵的布置关系。中部铜粒1的X向间距与Y向间距相同，均为a。角部铜粒(X1,Y1)的四点为 AB(X1,Y1)和CD(X1,Y1)边为直角边，与角部铜粒(X1,Y1)相邻的边部铜粒(X2,Y1)的四点为 B(X1,Y1)与A(X2,Y1)之间的间距为a，D(X1,Y1)与
C(X2,Y1)之间的间距为c。中部铜粒(X2,Y2)的四点为 A(X2,Y1)与C(X2,Y2)
之间的间距为a。边部铜粒(X3，Y1)的四点为 B(X2,Y1)与A(X3,Y1)之间的
间距为a，D(X2,Y1)与C(X3,Y1)之间的间距为c。边部铜粒(X1,Y2)的四点为
与角部铜粒(X1,Y1)相邻。B(X1,Y1)与D(X1,Y2)之间的间距为a，A(X1,Y1)与C(X1,Y2)之间的间距为b。
与中部铜粒(X2,Y2)之间A(X2,Y1)与B(X1,Y2)之间的间距为a。边部铜粒(X1，Y3)的四点为B(X1,Y2)与D(X1,Y3)之间的间距为a，A(X1,Y2)与C(X1,Y3)之间的间距为b。b＝
c＝0.7a。位于Xn的边部铜粒与位于X1的边部铜粒对称布置，位于Yn的边部铜粒与Y1的边部铜粒对称布置。角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(Xn，Y1)Y轴对称布置，角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(X1,Yn)X轴对称布置。角部铜粒(X1,Y1)与角部铜粒(Xn,Yn)中心对称布置。

[0042] 以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。