一种可控硅整流模块的加载方法及装置转让专利

申请号 : CN201710139630.0

文献号 : CN106953513B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 孟捷张芝文王涛曹华

申请人 : 华远电气股份有限公司

摘要 :

本发明涉及变频器技术领域,提供了一种可控硅整流模块的加载方法及装置,所述可控硅整流模块的加载方法包括:将电抗器分别与可控硅整流模块和陪测变频器电连接,并将所述可控硅整流模块的正铜牌和负铜牌短接;调节陪测变频器以改变所述电抗器的输出电流以使所述可控硅整流模块加载所需的电流,无需在变频器前端插入降压变压器或调压器即可实现可控硅整流模块的加载,具有操作简便、成本低廉以及能适应各个功率段加载等优点。

权利要求 :

1.一种可控硅整流模块的加载方法,所述可控硅整流模块用于加载不同功率的变频器所需的电流,其特征在于,所述可控硅整流模块的加载方法包括:将电抗器分别与可控硅整流模块和陪测变频器电连接,所述电抗器的三相输入端和三相输出端分别与所述陪测变频器的三相输出端和所述可控硅整流模块的三相输入端串联,并将所述可控硅整流模块的正铜排和负铜排短接;

调节陪测变频器以改变所述电抗器的输出电流以使所述可控硅整流模块加载所需的电流。

2.根据权利要求1所述的可控硅整流模块的加载方法,其特征在于,调节所述电抗器的输出电流以使所述可控硅整流模块加载所需的电流包括:调节所述陪测变频器的输出电压;

所述电抗器根据所述陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使所述可控硅整流模块加载所需的电流。

3.根据权利要求2所述的可控硅整流模块的加载方法,其特征在于,所述可控硅整流模块加载所需的电流的计算公式如下:其中,I为所述可控硅整流模块加载所需的电流,U为所述陪测变频器的输出电压,f为所述陪测变频器的输出频率,L为所述电抗器的电感量。

4.根据权利要求2所述的可控硅整流模块的加载方法,其特征在于,所述调节所述陪测变频器的输出电压具体为:通过设置所述陪测变频器的参数以使所述陪测变频器输出相应的电压。

5.一种可控硅整流模块加载装置,其特征在于,所述可控硅整流模块加载装置包括:连接模块,用于将电抗器分别与被测可控硅整流模块和陪测变频器电连接,所述电抗器的三相输入端和三相输出端分别与所述陪测变频器的三相输出端和所述可控硅整流模块的三相输入端串联,并将所述可控硅整流模块的正铜排和负铜排短接;

加载模块,用于调节陪测变频器以改变所述电抗器的输出电流以使所述被测可控硅整流模块加载所需的电流。

6.根据权利要求5所述的可控硅整流模块加载装置,其特征在于,所述加载模块包括:电压调节单元,用于调节所述陪测变频器的输出电压;

电流加载单元,用于所述电抗器根据所述陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使所述可控硅整流模块加载所需的电流。

7.根据权利要求6所述的可控硅整流模块加载装置,其特征在于:所述电流加载单元使可控硅整流模块加载所需的电流的计算公式如下:其中,I为所述可控硅整流模块加载所需的电流,U为所述陪测变频器的输出电压,f为所述陪测变频器的输出频率,L为所述电抗器的电感量。

8.根据权利要求6所述的可控硅整流模块加载装置,其特征在于:所述电压调节单元具体用于:通过设置所述陪测变频器的参数以使所述陪测变频器输出相应的电压。

说明书 :

一种可控硅整流模块的加载方法及装置

技术领域

[0001] 本发明属于变频器技术领域,尤其涉及一种可控硅整流模块的加载方法及装置。

背景技术

[0002] 变频器(Variable-frequency Drive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率的方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流模块(交流变直流)、滤波模块、逆变模块(直流变交流)、制动模块、驱动模块、检测模块以及微处理模块等组成。随着工业自动化程度的不断提高,变频器也得到了非常广泛的应用。变频器整流模块的常规加载方法是采用电机对托加载,或者在变频器前端插入降压变压器或调压器来实现加载,现有的可控硅整流加载方法存在加载步骤繁琐、操作复杂以及成本高的问题。

发明内容

[0003] 本发明提供了一种可控硅整流模块的加载方法及装置,旨在解决现有的可控硅整流加载方法存在加载步骤繁琐、操作复杂以及成本高的问题。
[0004] 本发明提供了一种可控硅整流模块的加载方法,所述可控硅整流模块用于加载不同功率的变频器所需的电流,所述可控硅整流模块的加载方法包括:
[0005] 将电抗器分别与可控硅整流模块和陪测变频器电连接,并将所述可控硅整流模块的正铜牌和负铜牌短接;
[0006] 调节陪测变频器以改变所述电抗器的输出电流以使所述可控硅整流模块加载所需的电流。
[0007] 本发明还提供了一种可控硅整流模块加载装置,所述可控硅整流模块加载装置包括:
[0008] 连接模块,用于将电抗器分别与被测可控硅整流模块和陪测变频器电连接,并将所述可控硅整流模块的正铜牌和负铜牌短接;
[0009] 加载模块,用于调节陪测变频器以改变所述电抗器的输出电流以使所述被测可控硅整流模块加载所需的电流。
[0010] 本发明通过将电抗器分别与可控硅整流模块和陪测变频器电连接,通过调节陪测变频器的输出电压来调节电抗器的电流,进而使可控硅整流模块得到加载不同功率的陪测变频器所需的电流,无需在变频器前端插入降压变压器或调压器即可实现可控硅整流模块的加载,具有操作简便、成本低廉以及能适应各个功率段加载等优点。

附图说明

[0011] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012] 图1是本发明实施例一提供的可控硅整流模块的加载方法的实现流程图;
[0013] 图2是本发明实施例一中电抗器与陪测变频器及可控硅整流模块的接线示意图;
[0014] 图3是本发明实施例二提供的可控硅整流模块加载装置的结构示意图。

具体实施方式

[0015] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0016] 本发明实施例为了解决现有的可控硅整流加载方法存在加载步骤繁琐、操作复杂以及成本高的问题。提供了一种可控硅整流模块的加载方法及装置,主要通过将电抗器分别与可控硅整流模块和陪测变频器电连接,通过调节陪测变频器的输出电压来调节电抗器的电流,进而使可控硅整流模块得到加载不同功率的陪测变频器所需的电流,无需在变频器前端插入降压变压器或调压器即可实现可控硅整流模块的加载,具有操作简便、成本低廉以及能适用于各个功率段加载等优点。
[0017] 需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书中的术语“包括”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列单元的系统、产品或设备没有限定于已列出的单元,而是可选地还包括没有列出的单元,或可选地还包括对于这些产品或设备固有的其它单元。此外,术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象,而非用于描述特定顺序。
[0018] 为了具体说明上述可控硅整流模块的加载方法及装置,以下结合具体实施例进行详细说明:
[0019] 实施例一
[0020] 图1示出了本发明实施例一提供的可控硅整流模块的加载方法的实现流程,为了便于说明,仅示出了与本实施例相关的部分,详述如下:
[0021] 在步骤S101中,将电抗器分别与可控硅整流模块和陪测变频器电连接,并将可控硅整流模块的正铜牌和负铜牌短接。
[0022] 需要说明的是,上述可控硅整流模块用于加载不同功率的变频器所需的电流。
[0023] 图2为电抗器与陪测变频器及可控硅整流模块的接线示意图,如图2所示,将电抗器的三相输入端和三相输出端分别与陪测变频器的三相输出端和可控硅整流模块的三相输入端连接。即将上述陪测变频器与上述电抗器串联并将上述电抗器与上述可控硅整流模块串联。具体的,可以通过控制电路控制开关实现电抗器与陪测变频器及可控硅整流模块的电连接,也可以是通过人为手动实现电抗器与陪测变频器及可控硅整流模块的连接。
[0024] 在步骤S102中,调节陪测变频器以改变电抗器的输出电流以使可控硅整流模块加载所需的电流。
[0025] 具体的上述步骤S102包括:
[0026] 调节陪测变频器的输出电压;
[0027] 电抗器根据陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使可控硅整流模块加载所需的电流。
[0028] 调节陪测变频器的输出电压具体为:通过设置陪测变频器的参数以使陪测变频器输出相应的电压。
[0029] 需要说明的是,调节陪测变频器的输出电压可以根据预先设定的加载电流进行调节,例如,根据预设规则对加载电流进行调节,其中,预设规则可以是每次增加相同的电流变化值,根据每次所需的加载电流对陪测变频器的输出电压进行调节。
[0030] 需要说明的是,在本发明实施例中,上述陪测变频器的额定电压为380V。通过人为地将陪测变频器的输出电压值设置成不同的值,使陪测变频器的输出不同的电压,以达到调节陪测变频器的输出电压的目的。
[0031] 需要说明的是,上述可控硅整流模块加载所需的电流的计算公式如下:
[0032] 其中,I为可控硅整流模块加载所需的电流,U为陪测变频器的输出电压,f为陪测变频器的输出频率,L为电抗器的电感量。
[0033] 需要说明的是,上述陪测变频器的输出频率f默认为50Hz,上述陪测变频器的输出电压U可调。上述陪测变频器的输出频率f保持不变,即可控硅整流模块的加载电流I由陪测变频器的输出电压U和电抗器的电感值L共同决定,由于接入的电抗器的电感值不变,因此,通过调节陪测变频器的输出电压U就能够得到不同的加载电流I。
[0034] 在本发明实施例中,通过设置陪测变频器的电压参数来调节陪测变频器的输出电压,电抗器根据陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使可控硅整流模块加载所需的电流。由于上述电抗器为纯感性负载,因此,上述陪测变频器输出的功率因数较低,能量只会在陪测变频器的母线电容和电抗器之间转换,减少从电网中获取的电流,从而降低对电网的容量的要求,无需在变频器前端插入降压变压器或调压器即可实现可控硅整流模块的加载,具有操作简便、成本低廉以及能适用于各个功率段加载等优点。
[0035] 实施例二
[0036] 为实现本发明实施例一中图1所示的可控硅整流模块的加载方法,本实施例提供了一种可控硅整流模块加载装置。图3示出了该可控硅整流模块加载装置的结构,为了便于说明,仅示出了与本实施例相关的部分,详述如下:
[0037] 如图3所示,可控硅整流模块加载装置20包括连接模块201和加载模块202。
[0038] 连接模块201用于将电抗器分别与被测可控硅整流模块和陪测变频器电连接,并将可控硅整流模块的正铜牌和负铜牌短接。
[0039] 加载模块202用于调节陪测变频器以改变电抗器的输出电流以使被测可控硅整流模块加载所需的电流。
[0040] 需要说明的是,上述连接模块201具体用于:将电抗器的三相输入端和三相输出端分别与陪测变频器的三相输出端和可控硅整流模块的三相输入端连接。
[0041] 具体的,上述加载模块202包括电压调节单元和电流加载单元。
[0042] 电压调节单元用于调节陪测变频器的输出电压;
[0043] 电流加载单元用于电抗器根据陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使可控硅整流模块加载所需的电流。
[0044] 需要说明的是,上述电压调节单元具体用于:通过设置陪测变频器的参数以使陪测变频器输出相应的电压。
[0045] 需要说明的是,电流加载单元使可控硅整流模块加载所需的电流的计算公式如下:
[0046] 其中,I为可控硅整流模块加载所需的电流,U为陪测变频器的输出电压,f为陪测变频器的输出频率,L为电抗器的电感量。
[0047] 需要说明的是,所述领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,仅以上述各功能模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成,即将移动终端的内部结构划分成不同的功能单元或模块,以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能模块可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中,上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。另外,各功能模块的具体名称也只是为了便于相互区分,并不用于限制本申请的保护范围。上述可控硅整流模块加载装置的具体工作过程,可以参考前述方法实施例一中的对应过程,在此不再赘述。
[0048] 需要说明的是,本发明实施例提供的可控硅整流模块加载装置,由于与本发明图1所示方法实施例基于同一构思,其带来的技术效果与本发明图1所示方法实施例相同,具体内容可参见本发明图1所示方法实施例中的叙述,此处不再赘述。
[0049] 因此,本实施例提供的一种可控硅整流模块同样能够通过连接模块将电抗器分别与陪测变频器和可控硅整流模块电连接,通过电压调节单元设置陪测变频器的电压参数来调节陪测变频器的输出电压,通过电流加载单元使电抗器根据陪测变频器的输出电压输出相应的电流,以使可控硅整流模块加载所需的电流。由于上述电抗器为纯感性负载,因此,上述陪测变频器输出的功率因数较低,能量只会在陪测变频器的母线电容和电抗器之间转换,减少从电网中获取的电流,从而降低对电网的容量的要求,无需在变频器前端插入降压变压器或调压器即可实现可控硅整流模块的加载,具有操作简便、成本低廉以及能适用于各个功率段加载等优点。
[0050] 本领域普通技术人员还可以理解,实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可以在存储于一计算机可读取存储介质中,所述的存储介质,包括ROM/RAM、磁盘、光盘等。
[0051] 本发明实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。
[0052] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。