封盖结构和包含封盖结构的半导体装置封装

摘要

本发明涉及一种半导体装置封装，其包含载体、封盖、第一粘合剂层和约束结构。所述载体包含表面和所述载体的所述表面上的第一导电垫。所述封盖包含在所述载体的所述表面上的第一部分和与所述第一部分分离的第二部分。所述第一导电垫安置于所述封盖的所述第一部分与所述载体的所述表面之间。所述第一粘合剂层包含在所述封盖的所述第一部分与所述第一导电垫之间的第一部分。所述约束结构包围所述第一粘合剂层。

权利要求

1.一种半导体装置封装，其包括：

载体，其包括表面和所述载体的所述表面上的第一导电垫；

封盖，其包括所述载体的所述表面上的第一部分和与所述第一部分分离的第二部分，其中所述第一导电垫安置于所述封盖的所述第一部分与所述载体的所述表面之间；

第一粘合剂层，其包括所述封盖的所述第一部分与所述第一导电垫之间的第一部分；

电子组件，其安置于所述载体上在由所述封盖的所述第二部分界定的空间中；以及约束结构，其由所述封盖的所述第一部分及所述第二部分界定且包围所述第一粘合剂层，所述封盖的所述第二部分将所述约束结构与所述空间分开。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述约束结构包括包围所述第一粘合剂层的第二粘合剂层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一粘合剂层为导电的。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述第二粘合剂层为绝缘的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述封盖界定所述封盖的所述第一部分与所述第二部分之间的沟槽，且所述约束结构包括所述封盖的界定所述沟槽的若干部分。

6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其中所述第一粘合剂层包括在所述沟槽中的且包围所述封盖的所述第一部分的第二部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述约束结构进一步包括包围所述沟槽中的所述第一粘合剂层的所述第二部分的第二粘合剂层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，

其中所述载体进一步包括在所述载体的所述表面上且电连接到所述电子组件的第二导电垫。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电垫经配置以传导电信号。

10.一种用于半导体装置封装的封盖，其包括：基底部分；

第一部分，其在某一方向上从所述基底部分延伸；以及第二部分，其在所述方向上从所述基底部分延伸且由所述第一部分包围，其中所述基底部分、所述第一部分和所述第二部分界定所述第一部分与所述第二部分之间的且使所述第一部分与所述第二部分分离的沟槽，所述第二部分不包含空间。

11.根据权利要求10所述的封盖，其中所述沟槽包围所述第二部分。

12.根据权利要求10所述的封盖，其中所述第一部分界定第一空间以容纳第一电子装置。

13.根据权利要求12所述的封盖，其中所述第一部分界定与所述第一空间分离的第二空间以容纳第二电子装置。

14.一种半导体装置封装，其包括：

载体；

封盖，其安置于所述载体上且界定空间和沟槽，其中所述封盖包括第一部分和通过所述沟槽与所述第一部分分离的第二部分，其中所述封盖的所述第二部分不包含空间；

电子组件，其安置于所述载体上在所述空间中；以及导电粘合剂层，其在所述封盖与所述载体之间。

15.根据权利要求14所述的半导体装置封装，其进一步包括包围所述导电粘合剂层的绝缘粘合剂层。

16.根据权利要求15所述的半导体装置封装，其中所述绝缘粘合剂层的一部分安置在所述沟槽中。

17.根据权利要求14所述的半导体装置封装，其中所述导电粘合剂层的一部分安置在所述沟槽中。

18.根据权利要求14所述的半导体装置封装，其中所述导电粘合剂层的一部分安置在所述沟槽中且包围所述封盖的所述第一部分。

19.根据权利要求18所述的半导体装置封装，其进一步包括包围所述导电粘合剂层的绝缘粘合剂层。

说明书

封盖结构和包含封盖结构的半导体装置封装

[0001] 相关申请案的交叉参考

[0002] 本申请案主张2015年10月16日申请的第62/242,806号美国临时申请案的权益和优先权，所述临时申请案的内容全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

[0003] 本发明涉及一种半导体装置封装，且更明确地说涉及一种包含封盖结构的半导体装置封装。

背景技术

[0004] 在封装半导体装置的过程中，使用封盖来保护衬底上的裸片和其它电子装置免遭损坏。封盖胶合到衬底从而形成半导体装置封装。

发明内容

[0005] 在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含载体、封盖、第一粘合剂层和约束结构。所述载体包含表面和载体的所述表面上的第一导电垫。封盖包含在载体的所述表面上的第一部分和与所述第一部分分离的第二部分。第一导电垫安置于封盖的第一部分与载体的表面之间。第一粘合剂层包含在封盖的第一部分与第一导电垫之间的第一部分。约束结构包围第一粘合剂层。

[0006] 在一或多个实施例中，一种用于半导体装置封装的封盖包含底部部分、第一部分和第二部分。第一部分在某一方向上从底部部分延伸。第二部分在所述方向上从底部部分延伸且由第一部分包围。底部部分、第一部分和第二部分界定在第一部分与第二部分之间且使第一部分与第二部分分离的沟槽。

[0007] 在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含载体、封盖、电子组件和封盖与载体之间的导电粘合剂层。封盖安置于载体上且界定空间和沟槽。电子组件在所述空间中安置于载体上。

附图说明

[0008] 当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。

[0009] 图1A为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0010] 图1B为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0011] 图1C为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0012] 图1D为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0013] 图1E为根据本发明的一些实施例的封盖结构的透视图；

[0014] 图2A为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0015] 图2B为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0016] 图3A为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0017] 图3B为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；

[0018] 图3C为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图；以及

[0019] 图3D为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。

具体实施方式

[0020] 以下揭示内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本发明。当然，这些组件以及布置仅为实例且并不希望进行限制。举例来说，在以下描述中，第一特征形成在第二特征之上或上可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各种实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简单和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

[0021] 此外，本文可为易于描述而使用例如“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“之上”、“上部”、“上”等等空间相对术语来描述如图中所说明的一个组件或特征与另一(或多个)组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，本发明还希望涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或呈其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样地可相应地进行解释。

[0022] 在一些传感器装置中，装置的封盖包含导电材料，使得当触摸封盖时，电传导到在上面安置封盖的衬底。为在封盖与衬底之间提供导电路径，导电粘合剂材料(例如，导电环氧树脂)可施加在封盖与衬底之间，例如施加在结合垫或衬底的其它导电区域上。另外，不导电粘合剂材料(例如，不导电环氧树脂)可施加在封盖与衬底之间以将封盖附接到衬底。不导电粘合剂材料可施加在封盖与衬底之间在并不存在导电粘合剂材料的任何地方，或可施加在沿着封盖的各种位置处。

[0023] 导电粘合剂材料和不导电粘合剂材料中的一或两者可渗移超过既定安置区域。此外，当导电粘合剂材料和不导电粘合剂材料彼此接触时，导电粘合剂材料和不导电粘合剂材料可扩散在一起，或导电粘合剂材料和不导电粘合剂材料中的一者可渗移到另一者中。渗移和/或扩散可致使(例如)断路、短路或较差粘合，这些可导致可靠性问题。

[0024] 图1A为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装1a的横截面图。如图1A中所示，半导体装置封装1a包含载体10、裸片131和132以及封盖14。

[0025] 载体10可为具有顶部表面101的衬底。载体10包含表面101上的结合垫111、112和113。结合垫111、112和113为导电的，且也可被称作导电垫。结合垫111经配置以电连接到裸片131。结合垫112经配置以电连接到封盖14。结合垫112用于传导不同于接地信号的电信号。结合垫112用于在封盖14与载体10之间传导电信号；例如，结合垫112用于从导电的封盖
14接收电信号。在操作中，初始电信号经由结合垫112从封盖14传递到载体10上的裸片131或132，物件(图1A中未图示)可随后接触导电封盖14以改变封盖14上的电信号，且所改变的电信号可经由结合垫112发送到裸片131或132。载体10包含互连结构(例如，迹线、通孔等)以将裸片131或132电连接到结合垫112。结合垫113经配置以电连接到裸片132。载体10可为(例如)印刷电路板、插入件、引线框或任何其它合适的载体。在本发明的其它实施例中，结合垫112可接地。

[0026] 裸片131和132安置于载体10上。裸片131和132中的每一者为导线结合型芯片或其它电子组件。在本发明的其它实施例中，裸片131和132中的至少一者为倒装芯片型芯片或其它电子组件。裸片131和132中的每一者的表面(未表示)直接安置在载体10的表面101上，而不用粘合剂材料。在本发明的其它实施例中，裸片131和132中的每一者的表面(未表示)用粘合剂材料(未图示)(例如环氧树脂或其它合适的粘合剂材料)附接到载体10的表面101。裸片131和132中的至少一者为用以检测封盖14上电力的变化的传感器装置。

[0027] 导电组件W1和W2在图1A中说明为结合线，其将裸片131连接到载体10的结合垫111且将裸片132连接到载体10的结合垫113。然而，应理解，可作为替代或另外使用其它类型的导电组件W1和W2，例如(但不限于)焊料凸块、支柱或类似者。举例来说，接触件(未图示)可安置于裸片131和132中的每一者的表面(未表示)上，且导电组件W1和W2可将裸片131和132中的每一者的表面上的接触件(未图示)分别电连接到载体10的结合垫111和113。然而，在其它实施例中，导电组件W1和W2被省略，且裸片131和132中的每一者的表面上的接触件(未图示)例如通过超声波焊接或其它技术直接结合到载体10的结合垫111和113。

[0028] 封盖14为导电的，且包含导电材料。封盖14具有部分141、部分142和基底部分143。部分141在某一方向上从基底部分143延伸(例如，部分141从基底部分143朝下延伸，如图1A中所展示)。部分142在某一方向上从基底部分143延伸(例如，部分142从基底部分143朝下延伸)。如图1A中所描绘，部分141和部分142在相同方向上从基底部分143延伸。部分141与部分142分离。封盖14在载体10的表面101上方界定空间A。封盖14在载体10的表面101上方界定空间B。封盖14还在载体10的表面101上方界定沟槽C。沟槽C由部分141、部分142和基底部分143界定。沟槽C使部分141和部分142分离，且安置于部分141与部分142之间。封盖14的部分141界定空间A。空间A容纳裸片131、结合垫111和导电组件W1。封盖14的部分141还界定空间B。空间B容纳裸片132、结合垫113和导电组件W2。部分141具有朝向载体10的表面101的底部表面144。部分142具有朝向载体10的表面101的底部表面145。

[0029] 导电粘合剂层16安置于封盖14的部分142与载体10的结合垫112之间。导电粘合剂层16安置于封盖14的部分142的底部表面145上。导电粘合剂层16包含导电粘合剂材料或由导电粘合剂材料形成。导电粘合剂层16将封盖14的部分142电连接到载体10的结合垫112使得封盖14上的电信号的改变可由裸片131或132经由由封盖14、导电粘合剂层16、结合垫112和载体10的互连结构(图1A中未图示)形成的导电路径检测到。不导电粘合剂层15安置于封盖14的部分141与载体10的表面101之间。不导电粘合剂层15安置于封盖14的部分141的底部表面144上以将封盖14牢固地附接到载体10。不导电粘合剂层15安置于封盖14与载体10之间在并不存在导电粘合剂层16的任何地方。不导电粘合剂层16包含不导电或绝缘粘合剂材料或由不导电或绝缘粘合剂材料形成。

[0030] 图1E为根据本发明的一些实施例的封盖14的结构的透视图。部分141通过沟槽C与部分142分离。沟槽C包围(例如，完全包围)部分142。部分141包围(例如，完全包围)部分142。沟槽C由部分141、部分142和基底部分143界定。沟槽C在部分141与部分142之间。封盖
14的部分141界定空间A。封盖14的部分141还界定空间B。部分141具有底部表面144。部分
142具有底部表面145。在将封盖14附接到载体10的操作中(如参看图1A所说明和描述)，导电粘合剂层16的导电粘合剂材料施加在封盖14的部分142的底部表面145上，不导电粘合剂层15的不导电粘合剂材料施加在封盖14的部分141的底部表面144上，且接着封盖14倒置并安置于载体10的表面101上从而形成半导体装置封装1a。导电粘合剂层16的材料可首先施加，不导电粘合剂层15的材料在后续阶段中施加。不导电粘合剂层15的材料可首先施加，导电粘合剂层16的材料在后续阶段中施加。或者，导电粘合剂层16和不导电粘合剂层15两者的材料可在相同阶段中施加。

[0031] 返回参看图1A，导电粘合剂层16的材料具有相对高粘性，或以相对较小量施加，或这两者。由此，导电粘合剂层16并不渗移或延伸超过既定安置区域(例如，结合垫112)。并且，导电粘合剂层16并不渗移或延伸到沟槽C中。导电粘合剂层16以沟槽C为界。导电粘合剂层16的任何超出量由沟槽C接纳。

[0032] 不导电粘合剂层15的材料具有相对高粘性，或以相对较小量施加，或这两者。由此，不导电粘合剂层15并不渗移或延伸超过既定安置区域。并且，不导电粘合剂层15并不渗移或延伸到沟槽C中。不导电粘合剂层15并不渗移或延伸到空间A中。不导电粘合剂层15也不渗移或延伸到空间B中。不导电粘合剂层15以沟槽C为界。不导电粘合剂层15的任何超出量由沟槽C接纳。

[0033] 图1B为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装1b的横截面图。如图1B中所示，半导体装置封装1b类似于如参看图1A所说明和描述的半导体装置封装1a，只是导电粘合剂层16的材料具有相对较低粘性或以相对较大量施加，且不导电粘合剂层15的材料具有相对较低粘性或以相对较大量施加。

[0034] 导电粘合剂层16渗移或延伸超过既定安置区域(例如，结合垫112)。导电粘合剂层16渗移或延伸到沟槽C中。导电粘合剂层16的超出量由沟槽C接纳。导电粘合剂层16的超出量以沟槽C为界。导电粘合剂层16包含封盖14的部分142与结合垫112之间的部分161。导电粘合剂层16还包含渗移或延伸到沟槽C中的部分162。部分162包围封盖14的部分142，且包围部分161。沟槽C可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。沟槽C可充当约束结构以约束导电粘合剂层16的部分162。沟槽C接纳导电粘合剂层16的部分162。

[0035] 不导电粘合剂层15渗移或延伸超过既定安置区域。不导电粘合剂层15渗移或延伸到沟槽C中。不导电粘合剂层15包含封盖14的部分141与既定安置区域(未表示)之间的部分151。不导电粘合剂层15包围导电粘合剂层16。不导电粘合剂层15还包含渗移或延伸到沟槽C中、渗移或延伸到空间A中，且渗移或延伸到空间B中的部分152。不导电粘合剂层15包含渗移或延伸以包围封盖14的部分141的若干部分的部分152。部分152包围部分151的若干部分。部分152包围部分162。沟槽C可充当约束结构以约束不导电粘合剂层15的部分152。不导电粘合剂层15可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。部分152可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。部分152可充当约束结构以约束导电粘合剂层16的部分162。沟槽C接纳不导电粘合剂层15的部分152。

[0036] 图1C为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装1c的横截面图。如图1C中所示，半导体装置封装1c类似于如参看图1A所说明和描述的半导体装置封装1a，只是导电粘合剂层16的材料具有相对较低粘性或以相对较大量施加，且不导电粘合剂层15的材料具有相对较高粘性或以相对较小量施加。

[0037] 导电粘合剂层16渗移或延伸超过既定安置区域(例如，结合垫112)。导电粘合剂层16渗移或延伸到沟槽C中。导电粘合剂层16的超出量由沟槽C接纳。导电粘合剂层16的超出量以沟槽C为界。导电粘合剂层16包含封盖14的部分142与结合垫112之间的部分161。导电粘合剂层16还包含渗移或延伸到沟槽C中的部分162。部分162包围封盖14的部分142，且包围部分161。沟槽C可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。沟槽C可充当约束结构以约束导电粘合剂层16的部分162。沟槽C接纳导电粘合剂层16的部分162。

[0038] 不导电粘合剂层15渗移或延伸超过既定安置区域。不导电粘合剂层15包含封盖14的部分141与既定安置区域(未表示)之间的部分151。不导电粘合剂层15还包含渗移或延伸到空间A以及渗移或延伸到空间B中的部分152。不导电粘合剂层15包含渗移或延伸以包围封盖14的部分141的若干部分的部分152。部分152包围部分151的若干部分。部分151包围导电粘合剂层16。沟槽C可充当约束结构以约束不导电粘合剂层15的部分151。不导电粘合剂层15可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。部分151可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。部分151可充当约束结构以约束导电粘合剂层16的部分162。

[0039] 图1D为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装1d的横截面图。如图1D中所示，半导体装置封装1d类似于如参看图1A所说明和描述的半导体装置封装1a，只是导电粘合剂层16的材料具有相对较高粘性或以相对较小量施加，且不导电粘合剂层15的材料具有相对较低粘性或以相对较大量施加。

[0040] 导电粘合剂层16并不渗移或延伸超过既定安置区域(例如，结合垫112)。并且，导电粘合剂层16并不渗移或延伸到沟槽C中。导电粘合剂层16以沟槽C为界。导电粘合剂层16的任何超出量由沟槽C接纳。

[0041] 不导电粘合剂层15渗移或延伸超过既定安置区域。不导电粘合剂层15渗移或延伸到沟槽C中。不导电粘合剂层15包含封盖14的部分141与既定安置区域(未表示)之间的部分151。不导电粘合剂层15包围导电粘合剂层16。不导电粘合剂层15还包含渗移或延伸到沟槽C、渗移或延伸到空间A中，且渗移或延伸到空间B中的部分152。不导电粘合剂层15包含渗移或延伸以包围封盖14的部分141的若干部分的部分152。部分152包围部分151的若干部分。
部分152包围导电粘合剂层16。沟槽C可充当约束结构以约束不导电粘合剂层15的部分152。
不导电粘合剂层15可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。部分152可充当约束结构以约束导电粘合剂层16。沟槽C接纳不导电粘合剂层15的部分152。

[0042] 图2A为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装2a的横截面图。如图2A中所示，半导体装置封装2a类似于如参看图1A所说明和描述的半导体装置封装1a，只是封盖14'包含不同于封盖14的结构，其中如图1A中所展示的封盖14的在沟槽C与空间A之间的部分141和封盖14的在沟槽C与空间B之间的部分141被省略从而形成如图2A中所展示的封盖14'的部分141'，且相应地省略沟槽C。导电粘合剂层16可与不导电粘合剂层15相比提供封盖
14'与载体10之间相对减少的粘合。

[0043] 图2B为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装2b的横截面图。如图2B中所示，半导体装置封装2b类似于如参看图2A所说明和描述的半导体装置封装2a，只是导电粘合剂层16的材料具有相对较低粘性或以相对较大量施加，且不导电粘合剂层15的材料具有相对较低粘性或以相对较大量施加。

[0044] 导电粘合剂层16渗移或延伸超过既定安置区域(例如，结合垫112)。导电粘合剂层16渗移或延伸到空间A中。导电粘合剂层16还渗移或延伸到空间B中。导电粘合剂层16包含封盖14'的部分142与结合垫112之间的部分161。导电粘合剂层16还包含渗移或延伸到空间A中以及渗移或延伸到空间B中的部分162。部分162包围封盖14'的部分142。部分162包围部分161。空间A接纳导电粘合剂层16的部分162，且空间B接纳导电粘合剂层16的部分162。

[0045] 不导电粘合剂层15渗移或延伸超过既定安置区域。不导电粘合剂层15渗移或延伸到空间A中。不导电粘合剂层15还渗移或延伸到空间B中。不导电粘合剂层15包含封盖14'的部分141'与既定安置区域(未表示)之间的部分151。不导电粘合剂层15还包含渗移到空间A中以及渗移到空间B中的部分152。不导电粘合剂层15包含渗移或延伸以包围封盖14'的部分141'的若干部分的部分152。部分152包围部分151的若干部分。

[0046] 图3A为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装3a的横截面图。如图3A中所示，导电封盖14"借助于施加在封盖14"与载体10之间的不导电粘合剂层15(例如，环氧树脂)和施加在封盖14"与载体10上的结合垫112之间的导电粘合剂层16(例如，导电环氧树脂)附接到载体10。

[0047] 图3B为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装3b的横截面图。如图3B中所示，半导体装置封装3b类似于如参看图3A所说明和描述的半导体装置封装3a，只是不导电粘合剂层15在结合垫112上方的导电粘合剂层16上方渗移或延伸(和/或与其一起扩散)，从而导致封盖14"与结合垫112之间的导电路径中的完全断路状况。在其它情形中，部分断路由不导电粘合剂层15的渗移和/或不导电粘合剂层15与导电粘合剂层16的扩散产生。

[0048] 图3C为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装3c的横截面图。如图3C中所示，半导体装置封装3c类似于如参看图3A所说明和描述的半导体装置封装3a，只是导电粘合剂层16渗移或延伸到不导电粘合剂层15中(和/或与其一起扩散)超出用于结合垫112上的导电粘合剂层16的既定安置区域，这可导致封盖14"与载体10之间的相应减少的粘合。

[0049] 图3D为根据本发明的一些实施例的半导体装置封装3d的横截面图。如图3D中所示，半导体装置封装3d类似于如参看图3A所说明和描述的半导体装置封装3a，只是导电粘合剂层16在不导电粘合剂层15上方渗移或延伸(和/或与其一起扩散)超出用于结合垫112上的导电粘合剂层16的既定安置区域，这可导致封盖14"与载体10之间的相应减少的粘合。导电粘合剂层16进一步渗移和/或扩散到载体10上的附近导电区域(例如，结合垫113)，从而导致结合垫112与附近导电区域(例如，结合垫113)之间的短路。

[0050] 如本文所用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一”和“所述”可包含复数指代物。

[0051] 如本文所使用，术语“导电(conductive)”、“导电(electrically conductive)”和“电导率”指代传递电流的能力。导电材料通常指示展现对于电流流动的极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度为西门子/米(S/m)。通常，导电材料为具有大于约104S/m(例如至少105S/m或至少106S/m)的导电性的一种材料。通常，不导电或绝缘材料为具有低于上述-6 -7 -8范围(例如不超过10 S/m、不超过10 S/m，或不超过10 S/m)的导电性的一种材料。材料的电导率有时可随温度而变化。除非另外规定，否则材料的电导率在室温下测量。

[0052] 如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及考虑小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可以指其中事件或情形精确发生的情况以及其中事件或情形极接近地发生的情况。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。对于另一实例，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的±10％(例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。举例来说，“大体上”平行可指代相对于0°的小于或等于±10°的角变化范围，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±
0.05°。举例来说，“大体上”垂直可指代相对于90°的小于或等于±10°的角变化范围，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

[0053] 另外，有时在本文中按范围格式呈现量、比率及其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利和简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值和子范围一般。

[0054] 虽然已参考本发明的特定实施例描述及说明本发明，但这些描述及说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，可在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神和范围的情况下，作出各种改变且可用等效物替代。所述图解可能未必按比例绘制。归因于制造工艺和容差，本发明中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定说明的本发明的其它实施例。应将本说明书及图式视为说明性的而非限制性的。可做出修改，以使具体情况、材料、物质组成、方法或工艺适应于本发明的目标、精神和范围。所有此类修改都既定在所附权利要求书的范围内。虽然本文中所揭示的方法已参考按特定次序执行的特定操作加以描述，但应理解，可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并非对本发明的限制。