薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路，包括：有源层、源极和漏极，源极覆盖有源层的部分区域，漏极覆盖有源层的部分区域，有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形，主体图形上未被源极和漏极覆盖的部分为第一导电图形，斜坡图形上对应源极和漏极之间的部分为第二导电图形，第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度。本发明的技术方案通过将第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度，可使得第二导电图形对应的阈值电压大于第一导电图形的阈值电压，从而可有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。

权利要求

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层的部分区域；

所述有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形，所述主体图形上未被所述源极和所述漏极覆盖的部分为第一导电图形，所述斜坡图形上对应所述源极和所述漏极之间的部分为第二导电图形，所述第一导电图形和所述第二导电图形均配置为在所述薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压时形成导电沟道；

所述第二导电图形的长度大于所述第一导电图形上连接所述源极和所述漏极的最短路径的长度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层上未被所述源极和所述漏极覆盖的部分为轴对称图形或中心对称图形。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极斜相对设置，所述有源层为矩形，所述矩形的两组对边中的一组与所述源极朝向所述漏极的一侧边缘垂直，另一组与所述源极朝向所述漏极的一侧边缘平行；

所述源极覆盖所述有源层的一个顶角，所述漏极覆盖所述有源层的一个顶角，所述源极覆盖的顶角与所述漏极覆盖的顶角为矩形中的一组对顶角。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极正对设置，所述有源层的形状为平行四边形；

所述源极覆盖所述有源层的一个顶角，所述漏极覆盖所述有源层的一个顶角，所述源极覆盖的顶角与所述漏极覆盖的顶角为平行四边形中的一组对顶角。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极正对设置，所述有源层的边缘为凸字型，所述源极和所述漏极分别覆盖所述有源层中平行设置且长度不相等的两条边。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的所述有源层的数量为2个或多个。

7.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括：如上述权利要求1-6中任一所述的薄膜晶体管。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上方形成有源层，所述有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形；

在所述有源层的上方形成源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层的部分区域，所述主体图形上未被所述源极和所述漏极覆盖的部分为第一导电图形，所述斜坡图形上对应所述源极和所述漏极之间的部分为第二导电图形，所述第一导电图形和所述第二导电图形均配置为在所述薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压时形成导电沟道，所述第二导电图形的长度大于所述第一导电图形上连接所述源极和所述漏极的最短路径的长度。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成有源层、源极和漏极的步骤具体包括：在衬底基板的上方形成有源层材料薄膜；

在有源层材料薄膜的上方对应预设区域形成刻蚀阻挡层，所述预设区域至少包括所述有源层上未被源极和漏极所覆盖的区域；

在所述刻蚀阻挡层和所述有源层材料薄膜的上方形成导电材料薄膜；

在所述导电材料薄膜的上方形成光刻胶；

使用掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留；

对所述导电材料薄膜和有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形，所述有源层材料薄膜位于所述光刻胶下方和所述刻蚀阻挡层下方的部分完全保留以得到所述有源层的图形。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成有源层、源极和漏极的步骤具体包括：在衬底基板的上方形成有源层材料薄膜；

在所述有源层材料薄膜的上方形成导电材料薄膜；

在所述导电材料薄膜的上方形成光刻胶；

使用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留，对应于预设的所述有源层上未被源极和漏极所覆盖的区域的光刻胶部分保留；

对所述导电材料薄膜、所述有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜和所述有源层材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留，以得到所述有源层的图形；

对所述光刻胶进行灰化处理，对应于源极和漏极的区域的光刻胶部分保留，对应于所述有源层上预设的未被源极和漏极所覆盖的区域的光刻胶完全去除；

对所述导电材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形。

说明书

薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路。

背景技术

[0002] 薄膜晶体管可用作传送信号的开关元件或提供电流通路的驱动元件。

[0003] 图1为现有技术中的薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，包括有源层3、与有源层3的第一侧电连接的源极1和与有源层3的第二侧电连接的漏极2，第一侧和第二侧分别有源层3上的相对两侧。其中，在通过刻蚀工艺对有源层3薄膜进行刻蚀以形成主体图形4(预先设计的有源层3的图形)时，不可避免的会在主体图形4的周围形成斜坡图形5。主体图形4上未被源极1和漏极2覆盖的部分为第一导电图形，斜坡图形5上未被源极1和漏极2覆盖的部分为第二导电图形。

[0004] 在现有的薄膜晶体管中，由于第一导电图形的导电沟道长度Lmain大于第二导电沟道的沟道长度Lsub，即第二导电图形对应的阈值电压小于第一导电图形对应的阈值电压。

[0005] 在薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压后，第二导电沟道先于第一导电沟道形成。此时，薄膜晶体管的伏安特性曲线出现驼峰(Humping)现象，即薄膜晶体管的工作稳定性较差。

发明内容

[0006] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路和显示装置。

[0007] 为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层的部分区域；

[0008] 所述有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形，所述主体图形上未被所述源极和所述漏极覆盖的部分为第一导电图形，所述斜坡图形上对应所述源极和所述漏极之间的部分为第二导电图形；

[0009] 所述第二导电图形的长度大于所述第一导电图形上连接所述源极和所述漏极的最短路径的长度。

[0010] 可选地，所述有源层上未被所述源极和所述漏极覆盖的部分为轴对称图形或中心对称图形。

[0011] 可选地，所述源极与所述漏极斜相对设置，所述有源层为矩形，所述矩形的两组对边中的一组与所述源极朝向所述漏极的一侧边缘垂直，另一组与所述源极朝向所述漏极的一侧边缘平行；

[0012] 所述源极覆盖所述有源层的一个顶角，所述漏极覆盖所述有源层的一个顶角，所述源极覆盖的顶角与所述漏极覆盖的顶角为矩形中的一组对顶角。

[0013] 可选地，所述源极与所述漏极正对设置，所述有源层的形状为平行四边形；

[0014] 所述源极覆盖所述有源层的一个顶角，所述漏极覆盖所述有源层的一个顶角，所述源极覆盖的顶角与所述漏极覆盖的顶角为平行四边形中的一组对顶角。

[0015] 可选地，所述源极与所述漏极正对设置，所述有源层的边缘为凸字型，所述源极和所述漏极分别覆盖所述有源层中平行设置且长度不相等的两条边。

[0016] 可选地，所述薄膜晶体管中的所述有源层的数量为2个或多个。

[0017] 为实现上述目的，本发明还提供了一种栅极驱动电路，包括：如上述的薄膜晶体管。

[0018] 为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括：如上述的薄膜晶体管。

[0019] 为实现上述目的，本发明还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

[0020] 在衬底基板的上方形成有源层，所述有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形；

[0021] 在所述有源层的上方形成源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层的部分区域，所述主体图形上未被所述源极和所述漏极覆盖的部分为第一导电图形，所述斜坡图形上对应所述源极和所述漏极之间的部分为第二导电图形，所述第二导电图形的长度大于所述第一导电图形上连接所述源极和所述漏极的最短路径的长度。

[0022] 可选地，形成有源层、源极和漏极的步骤具体包括：

[0023] 在衬底基板的上方形成有源层材料薄膜；

[0024] 在有源层材料薄膜的上方对应预设区域形成刻蚀阻挡层，所述预设区域至少包括所述有源层上未被源极和漏极所覆盖的区域；

[0025] 在所述刻蚀阻挡层和所述有源层材料薄膜的上方形成导电材料薄膜；

[0026] 在所述导电材料薄膜的上方形成光刻胶；

[0027] 使用掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留；

[0028] 对所述导电材料薄膜和有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形，所述有源层材料薄膜位于所述光刻胶下方和所述刻蚀阻挡层下方的部分完全保留以得到所述有源层的图形；

[0029] 可选地，形成有源层、源极和漏极的步骤具体包括：

[0030] 在衬底基板的上方形成有源层材料薄膜；

[0031] 在所述有源层材料薄膜的上方形成导电材料薄膜；

[0032] 使用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留，对应于预设的所述有源层上未被源极和漏极所覆盖的区域的光刻胶部分保留；

[0033] 对所述导电材料薄膜、所述有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜和所述有源层材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留，以得到所述有源层的图形；

[0034] 对所述光刻胶进行灰化处理，对应于源极和漏极的区域的光刻胶部分保留，对应于所述有源层上预设的未被源极和漏极所覆盖的区域的光刻胶完全去除；

[0035] 对所述导电材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形；

[0036] 本发明具有以下有益效果：

[0037] 本发明提供了一种薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路和显示装置，包括：有源层、源极和漏极，其中，源极覆盖有源层的部分区域，漏极覆盖有源层的部分区域，有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形，主体图形上未被源极和漏极覆盖的部分为第一导电图形，斜坡图形上对应源极和漏极之间的部分为第二导电图形，第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度。本发明的技术方案通过将第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度，可使得第二导电图形的导电沟道长度大于第一导电图形的导电沟道长度，此时，第二导电图形对应的阈值电压大于第一导电图形的阈值电压，从而可有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。

附图说明

[0038] 图1为现有技术中的薄膜晶体管的结构示意图；

[0039] 图2为本发明实施例一提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

[0040] 图3为图2所示薄膜晶体管中A-A向的截面图；

[0041] 图4为现有技术中第一导电图形和第二导电图形的伏安特性曲线图；

[0042] 图5为现有技术中薄膜晶体管的伏安特性曲线图；

[0043] 图6为本发明中第一导电图形和第二导电图形的伏安特性曲线图；

[0044] 图7为本发明中薄膜晶体管的伏安特性曲线图；

[0045] 图8为本发明实施例一提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图；

[0046] 图9为本发明实施例一提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；

[0047] 图10为本发明实施例二提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

[0048] 图11为本发明实施例五提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图；

[0049] 图12为本发明实施例六提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图；

[0050] 图13为本发明实施例七提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。

具体实施方式

[0051] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路和显示装置进行详细描述。

[0052] 本发明中的薄膜晶体管既可以为底栅型薄膜晶体管也可以为顶栅型薄膜晶体管，在下述各实施例中以底栅型薄膜晶体管为例进行相应描述。

[0053] 图2为本发明实施例一提供的一种薄膜晶体管的结构示意图，图3为图2所示薄膜晶体管中A-A向的截面图，如图2和图3所示，该薄膜晶体管包括：栅极6、栅绝缘层7、有源层3、源极1和漏极2。其中，源极1覆盖有源层3的部分区域，漏极2覆盖有源层3的部分区域，有源层3包括：主体图形4和位于主体图形4周围的斜坡图形5，主体图形4上未被源极1和漏极2覆盖的部分为第一导电图形，斜坡图形5上对应源极1和漏极2之间的部分为第二导电图形，第二导电图形的长度(第一导电图形上连接源极1和漏极2的路径的长度)大于第一导电图形上连接源极1和漏极2的最短路径的长度。

[0054] 在实际设计中，有源层3上未被源极1和漏极2覆盖的部分具体包括：一个第一导电图形和分别位于第一导电图形两侧的两个第二导电图形。

[0055] 在本发明中，通过将第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极1和漏极2的最短路径的长度，可使得第二导电图形的导电沟道长度Lsub大于第一导电图形的导电沟道长度Lmain，此时，第二导电图形对应的阈值电压大于第一导电图形的阈值电压，即随栅源电压的增大，第一导电图形先导通，第二导电图形后导通。此时，薄膜晶体管的伏安特性曲线中不会出现驼峰现象，薄膜晶体管的工作稳定性较佳。

[0056] 下面将结合附图来对本发明提供的薄膜晶体管的伏安特性与现有技术中的薄膜晶体管的伏安特性进行对比。

[0057] 图4为现有技术中第一导电图形和第二导电图形的伏安特性曲线图；图5为现有技术中薄膜晶体管的伏安特性曲线图；如图4和图5所示，在向图1所示薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压后，第一导电图形中形成有第一导电沟道，第二导电图形中形成有第二导电沟道。需要说明的是，导电图形中的载流子通过导电沟道从源极1移动至漏极2(或从漏极2移动至源极1)所走过路程称为该导电图形的导电沟道长度。在第一导电图形中，由于第一导电图形的宽度较宽，载流子在源/漏电极之间移动时其移动线路为曲线(导电沟道呈曲线)，对应的移动距离大于源/漏电极之间的距离L，即第一导电图形的导电沟道长度Lmain大于L；在第二导电图形中，由于第二导电图形的宽度较窄，载流子在源/漏电极之间移动时其移动线路近似为直线(导电沟道呈直线)，对应的移动距离Lsub近似等于源/漏电极之间的距离L，即第二导电图形的导电沟道长度Lsub等于L。由此可见，现有技术中第一导电图形的导电沟道长度Lmain大于第二导电图形的导电沟道长度Lsub。由于现有技术中第一导电沟道的沟道长度Lmain大于第二导电沟道的沟道长度Lsub，则容易导致第二导电沟道先于第一导电沟道形成。此时，第二导电图形对应的阈值电压小于第一导电图形对应的阈值电压。

[0058] 当栅源电压等于Vth2时，第二导电图形导通，此时随栅源电压的增大第二导电图形中电流升高；当栅源电压升高至V2时，第二导电图形中的第二导电沟道达到饱和状态，此时随栅源电压的增大第二导电图形中电流不变。当栅源电压升高至Vth1时，第一导电图形导通，此时随栅源电压的增大第二导电图形中电流升高；当栅源电压升高至V1时，第一导电图形中的第一导电沟道达到饱和状态，此时随栅源电压的增大第一导电图形中电流不变。通过图5可见，在栅源电压由V2升高至Vth1的过程中，薄膜晶体管的基极电流不变，薄膜晶体管的伏安特性曲线出现驼峰现象，即薄膜晶体管的工作稳定性较差。

[0059] 图6为本发明中第一导电图形和第二导电图形的伏安特性曲线图，图7为本发明中薄膜晶体管的伏安特性曲线图，如图6和图7所示，在本发明提供的薄膜晶体管中，由于第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极1和漏极2的最短路径的长度，可使得第二导电图形的导电沟道长度Lsub大于第一导电图形的导电沟道长度Lmain，此时，第二导电图形对应的阈值电压大于第一导电图形的阈值电压，即随栅源电压的增大，第一导电图形先导通，第二导电图形后导通。通过图5可见，在薄膜晶体管导通且处于非饱和状态时，薄膜晶体管内的电流随栅源电压的增大而相应增大，不会出现驼峰现象。

[0060] 由此可见，相较于现有技术，本发明提供的薄膜晶体管的工作稳定性更佳。

[0061] 优选地，有源层3上未被源极1和漏极2覆盖的部分为轴对称图形或中心对称图形。此时，第一导电图形为轴对称图形或中心对称图形，两个第二导电图形呈轴对称或中心对称。通过保证有源层3上未被源极1和漏极2覆盖的部分为轴对称图形或中心对称图形，可有效保证薄膜晶体管工作的稳定性。

[0062] 具体地，参见图4所示，源极1和漏极2斜相对设置(源极1朝向漏极2的一侧边缘与漏极2朝向源极1的一侧边缘，两者平行但不正对)，有源层3的形状为矩形，矩形状有源层3的两组对边中的一组与源极1朝向漏极2的一侧边缘垂直，另一组与源极1朝向漏极2的一侧边缘平行源极1覆盖有源层3的一个顶角，漏极2覆盖有源层3的一个顶角，源极1覆盖的顶角与漏极2覆盖的顶角为矩形中的一组对顶角。此时，第一导电图形为中心对称图形，两个第二导电图形呈中心对称，且第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极1和漏极2的最短路径的长度。

[0063] 图8为本发明实施例一提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图，如图8所示，与图4中不同的是，图8中源极1与漏极2正对设置，有源层3的形状为平行四边形，源极1覆盖有源层3的一个顶角，漏极2覆盖有源层3的一个顶角，源极1覆盖的顶角与漏极2覆盖的顶角为平行四边形中的一组对顶角。此时，第一导电图形为中心对称图形，两个第二导电图形中心对称，且第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极1和漏极2的最短路径的长度。

[0064] 图9为本发明实施例一提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图，如图9所示，与图4和图8中不同的是，图9中源极1与漏极2正对设置，有源层3的边缘为凸字型，源极1和漏极2分别覆盖有源层3中平行设置且长度不相等的两条边(上侧边缘和下侧边缘)。此时，第一导电图形为轴对称图形，两个第二导电图形呈轴对称，且第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极1和漏极2的最短路径的长度。

[0065] 需要说明的是，上述图4、图8、图9中所示的源极1、漏极2和有源层3三者的形状和位置关系仅起到示例性作用，其不会对本发明的技术方案产生限制，本发明中的源极1、漏极2和有源层3还可以采用其他形状和位置关系，此处不再一一举例说明。本领域技术人员应该理解的是，但凡能实现第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极1和漏极2的最短路径的长度的源极1、漏极2和有源层3的设计，均应属于本发明的保护范围。

[0066] 本实施例中，可选地，有源层3上未被源极1和漏极2覆盖的部分的上方设置有刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层的设置，有源层3在源漏极2刻蚀工艺中被误刻蚀。

[0067] 图10为本发明实施例二提供的一种薄膜晶体管的结构示意图，如图10所示，与上述实施例一中不同的是，本实施例中一个薄膜晶体管中有源层3的数量为2个或多个。在薄膜晶体管中所需的半导体层的面积一定的前提下，将整个半导体层设计为由2个或多个独立的有源层3构成，相邻有源层3之间的空间可有效促进散热，从而能提升薄膜晶体管在工作过程中的热稳定性。

[0068] 可选地，相邻有源层3之间的间距为3um～15um。

[0069] 需要说明的是，图10中的有源层3采用图9中的有源层3的情况，仅起到示例性作用，其不会对本发明的技术方案产生限制。

[0070] 本发明实施例三提供了一种栅极驱动电路，具体为GOA(Gate Driver On Array)电路，该栅极驱动电路包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用上述实施例一或实施例二中的薄膜晶体管。

[0071] 本发明实施例四提供了一种显示装置，包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用上述实施例一或实施例二中的薄膜晶体管。其中，该显示装置的示例包括但不限于液晶显示面板、电子纸、有机电致发光面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

[0072] 图11为本发明实施例五提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图，如图11所示，该制备方法包括：

[0073] 步骤S101、在衬底基板的上方形成有源层，有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形。

[0074] 步骤S102、在有源层的上方形成源极和漏极，源极覆盖有源层的部分区域，漏极覆盖有源层的部分区域，主体图形上未被源极和漏极覆盖的部分为第一导电图形，斜坡图形上对应源极和漏极之间的部分为第二导电图形，第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度。

[0075] 图12为本发明实施例六提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图，如图12所示，该制备方法包括：

[0076] 步骤S201、在衬底基板的上方依次形成栅极和栅绝缘层。

[0077] 本实施例中，通过一次构图工艺以在衬底基板上形成栅极的图形。然后，通过涂覆、磁控溅射或气相沉积工艺在栅极上方形成一层栅绝缘层。

[0078] 需要说明的是，本发明中的构图工艺是指包括光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。

[0079] 步骤S202、在栅绝缘层的上方形成有源层材料薄膜。

[0080] 可通过涂覆、磁控溅射或气相沉积工艺在栅绝缘层的上方形成一层有源层材料薄膜。其中，有源层材料为金属氧化物半导体材料。

[0081] 步骤S203、在有源层材料薄膜的上方对应预设区域形成刻蚀阻挡层。

[0082] 首先可通过涂覆、磁控溅射或气相沉积工艺在栅绝缘层的上方形成一层刻蚀阻挡层材料薄膜；然后对刻蚀阻挡层材料薄膜进行一次构图工艺，以在预设区域得到刻蚀阻挡层的图形，该预设区域至少包括后序形成的有源层上未被后序形成的源极和漏极所覆盖的区域。

[0083] 步骤S204、在刻蚀阻挡层和有源层材料薄膜的上方形成导电材料薄膜。

[0084] 可通过涂覆、磁控溅射或气相沉积工艺在栅绝缘层的上方形成一层导电材料薄膜。其中，该导电材料为金属材料。

[0085] 步骤S205、在导电材料薄膜的上方形成光刻胶。

[0086] 步骤S206、使用掩膜板对光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留，其余位置的光刻胶完全去除。

[0087] 步骤S207、对导电材料薄膜和有源层材料薄膜进行刻蚀，导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到源极和漏极的图形，有源层材料薄膜位于光刻胶下方和刻蚀阻挡层下方的部分完全保留以得到有源层的图形。

[0088] 其中，采用湿法刻蚀工艺来对导电材料薄膜和有源层材料薄膜进行刻蚀。

[0089] 步骤S208、对光刻胶进行剥离处理。

[0090] 通过上述步骤S201～步骤S208即可得到上述实施例一或实施例二中的薄膜晶体管。

[0091] 图13为本发明实施例七提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图，如图13所示，该制备方法包括：

[0092] 步骤S301、在衬底基板的上方依次形成栅极和栅绝缘层。

[0093] 步骤S302、在栅绝缘层的上方形成有源层材料薄膜。

[0094] 步骤S303、在有源层材料薄膜的上方形成导电材料薄膜。

[0095] 步骤S304、使用半色调掩膜板对光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留，对应于预设的有源层上未被源极和漏极所覆盖的区域的光刻胶部分保留，其余位置的光刻胶完全去除。

[0096] 步骤S305、对导电材料薄膜、有源层材料薄膜进行刻蚀，导电材料薄膜和有源层材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留，以得到有源层的图形。

[0097] 步骤S306、对光刻胶进行灰化处理，对应于源极和漏极的区域的光刻胶部分保留，对应于有源层上预设的未被源极和漏极所覆盖的区域的光刻胶完全去除。

[0098] 步骤S307、对导电材料薄膜进行刻蚀，导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到源极和漏极的图形。

[0099] 步骤S308、对光刻胶进行剥离处理。

[0100] 通过上述步骤S301～步骤S308即可得到上述实施例一或实施例二中的薄膜晶体管。

[0101] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。