电子部件用多层布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材

摘要

提供电子部件用多层布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材，其具有由Al或Al合金形成的导电层以及覆盖该导电层的至少一侧的新型的覆盖层，其在确保密合性、耐腐蚀性、抗氧化性的同时，能够稳定地进行高精度的湿式蚀刻。电子部件用多层布线膜，其具有由Al或Al合金形成的导电层以及覆盖该导电层的至少一侧的面的覆盖层，前述覆盖层含有选自Mn和Cu中的一种以上元素以及30～75原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成；以及覆盖层形成用溅射靶材，其含有选自Mn和Cu中的一种以上元素以及30～75原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

权利要求

1.一种电子部件用多层布线膜，其具有由Al或Al合金形成的导电层以及覆盖该导电层的至少一侧的面的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层含有3～25原子％的Mn以及30～35原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成，所述覆盖层的反射率为36％～61％。

2.根据权利要求1所述的电子部件用多层布线膜，其特征在于，所述覆盖层的所述Mo的一部分在总计1～15原子％的范围被选自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一种以上元素置换。

3.一种覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，其用于形成电子部件用多层布线膜中的覆盖由Al或Al合金形成的导电层、反射率为36％～61％的覆盖层，所述溅射靶材含有3～25原子％的Mn以及30～35原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

4.根据权利要求3所述的覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，所述Mo的一部分在总计

1～15原子％的范围被选自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一种以上元素置换。

说明书

电子部件用多层布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材

技术领域

[0001] 本发明涉及可适用于例如触摸面板等的电子部件用多层布线膜以及用于形成该电子部件用多层布线膜的覆盖导电层的覆盖层的溅射靶材。

背景技术

[0002] 近年来，在玻璃基板上形成薄膜元件的液晶显示器(Liquid Crystal Display：以下，称为“LCD”)、有机EL显示器、电子纸等中使用电泳显示器等平面显示装置(平板显示器，Flat Panel Display：以下，称为“FPD”)中组合了边看其画面边能够赋予直接的操作性的触摸面板的、作为新型的便携式终端设备的智能手机、平板电脑等被产品化。

[0003] 对于作为这些触摸面板的位置检测电极的传感膜，通常使用作为透明导电膜的铟-锡氧化物(Indium Tin Oxide：以下，称为“ITO”)。而且，对于其桥式布线、引出布线，使用作为具有更低电阻值(以下，称为低电阻)的金属布线膜的、例如将导电层的Al或Al合金与作为覆盖层的纯Mo、Mo合金层叠的多层布线膜。

[0004] 作为形成上述多层布线膜的方法，使用了溅射靶材的溅射法是最合适的。溅射法是物理蒸镀法的一种，与其它的真空蒸镀、离子电镀相比，是能够容易地成膜为大面积的方法并且是组成变化小、能够得到优异的薄膜层的有效的方法。另外，是对基板的热影响也小、还能够适用于树脂薄膜基板的方法。

[0005] 作为改善纯Mo的特性的方法，本发明人提出了耐腐蚀性、耐热性、与基板的密合性优异的、低电阻的、Mo中添加了3～50原子％的V、Nb的Mo合金膜(参照专利文献1)。

[0006] 另外，本发明人提出了，将由Al形成的导电层以及作为覆盖层的含有7～30原子％的选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Cu、Si、Ge中的1种或2种以上元素的面心立方晶格结构的Ni合金组合到基底膜中，从而能够抑制Al的小丘、提高耐热性。(参照专利文献2)。

[0007] 进而，本发明人提出了，对以Al为主要成分的导电层采用、以Mo100-x-y-Nix-Tiy(10≤x≤30，3≤y≤20)所示的Mo合金作为覆盖层，从而通过Mo、Mo-Nb而能够改善抗氧化性、耐湿性(参照专利文献3)。

[0008] 现有技术文献

[0009] 专利文献

[0010] 专利文献1：日本特开2002-190212号公报

[0011] 专利文献2：日本特开2006-279022号公报

[0012] 专利文献3：日本特开2013-60655号公报

发明内容

[0013] 发明要解决的问题

[0014] 为了智能手机、平板电脑等便携终端设备的薄型化，上述触摸面板的基板采用玻璃基板以及能够进一步薄型化的树脂薄膜基板的方式，对于上述覆盖层还需要与树脂薄膜基板的密合性。

[0015] 另外，作为家用电器的烹饪家电的操作面板、遥控器等被湿手操作，或者工业设备、车载设备的操作面板在高温高湿下被操作，而且与便携终端设备相比被更长期地使用。尤其，车载设备在人不操作期间也停在屋外，还会在高热状况、极寒状况下被长期放置，因此对于多层布线膜要求进一步提高高耐腐蚀性。

[0016] 另一方面，在上述触摸面板的制造中，形成于基板上的多层布线膜在移动至下一工序时，有时被长期放置于大气中。另外，在FPD的端子部等上安装信号线电缆时，有时在大气中被加热。因此，对多层布线膜要求提高抗氧化性。

[0017] 另外，伴随作为显示装置的LCD的高精细化，对于触摸面板用金属布线膜也要求用于沿显示像素以细宽度且高精度加工的蚀刻性。

[0018] 根据本发明人的研究，确认了在将上述专利文献1的Mo-V、Mo-Nb合金、纯Mo适用于覆盖层时，与柔性基板等的密合性以及抗氧化性不充分，因此有时出现覆盖层的表面因氧化而导致变色的问题。另外，确认了在残留人接触之后附着的油脂、盐的情况下，在高温高湿气氛中被长期放置时，有时发生腐蚀，尤其车载设备在耐腐蚀性的长期的可靠性方面存在课题。

[0019] 另外，确认了，专利文献2中记载的由Ni合金形成的覆盖层在进行用于加工成细长的布线、四方形的垫片的湿式蚀刻时，根据添加元素的不同，在基板面内容易产生蚀刻不均，布线宽度产生偏差，因此近年存在难以稳定地得到窄宽度的布线膜的新的课题。

[0020] 另外，确认了，专利文献3的多层布线膜在人接触之后，残留附着的油脂、盐的情况下，在高温高湿气氛中被长期放置时，有时发生腐蚀，尤其车载设备在耐腐蚀性的长期的可靠性方面存在课题。

[0021] 本发明的目的在于，提供对于覆盖由Al或Al合金形成的导电层的至少一侧的覆盖层，具有在确保密合性、耐腐蚀性、抗氧化性的同时能够稳定地进行高精度的湿式蚀刻的、新型的覆盖层的电子部件用多层布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材。

[0022] 用于解决问题的方案

[0023] 本发明人鉴于上述课题，对层叠于由Al或Al合金形成的导电层上的覆盖层的合金组成进行了深入研究。其结果，发现通过在Mo中添加特定的元素而能够在确保密合性、耐腐蚀性、抗氧化性的同时稳定地进行高精度的湿式蚀刻的新型的覆盖层，完成了本发明。

[0024] 即，本发明为一种电子部件用多层布线膜，其具有由Al或Al合金形成的导电层以及覆盖该导电层的至少一侧的面的覆盖层，前述覆盖层含有选自Mn和Cu中的一种以上元素以及30～75原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

[0025] 前述覆盖层优选含有30～75原子％的前述Ni和3～25原子％的前述Mn，并且含有总计小于80原子％的前述Ni和前述Mn。

[0026] 前述覆盖层优选含有30～65原子％的前述Ni和5～25原子％的前述Cu，并且含有总计小于75原子％的前述Ni和前述Cu。

[0027] 前述覆盖层优选含有总计5～40原子％的前述Mn和前述Cu，并且含有总计小于75原子％的前述Cu、前述Mn以及前述Ni。

[0028] 前述覆盖层更优选前述Mo的一部分在总计1～15原子％的范围内被选自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一种以上元素置换。

[0029] 本发明为覆盖层形成用溅射靶材，其用于形成电子部件用多层布线膜中的覆盖由Al或Al合金形成的导电层的覆盖层，所述溅射靶材含有选自Mn和Cu中的一种以上元素以及30～75原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

[0030] 前述覆盖层形成用溅射靶材优选含有30～75原子％的前述Ni和3～25原子％的前述Mn，并且含有总计小于80原子％的前述Ni和前述Mn。

[0031] 前述覆盖层形成用溅射靶材优选含有30～65原子％的前述Ni和5～25原子％的前述Cu，并且含有总计小于75原子％的前述Ni和前述Cu。

[0032] 前述覆盖层形成用溅射靶材优选含有总计5～40原子％的前述Mn和前述Cu，并且含有总计小于75原子％的前述Cu、前述Mn、以及前述Ni。

[0033] 前述覆盖层形成用溅射靶材更优选前述Mo的一部分在总计1～15原子％的范围内被选自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一种以上元素置换。

[0034] 发明的效果

[0035] 本发明能够提供层叠有密合性、耐腐蚀性、抗氧化性优异且能够稳定地进行高精度的湿式蚀刻的覆盖层和由Al或Al合金形成的导电层的新型的电子部件用多层布线膜及其覆盖层形成用溅射靶材。由此，对于各种电子部件、例如在树脂薄膜基板上形成的触摸面板而言成为非常有用的技术，能够大幅有助于电子部件的稳定制造、可靠性提高。

附图说明

[0036] 图1是本发明的电子部件用多层布线膜的截面示意图的一个例子。

[0037] 附图标记说明

[0038] 1.基板

[0039] 2.基底层(覆盖层)

[0040] 3.导电层

[0041] 4.盖层(覆盖层)

具体实施方式

[0042] 图1示出本发明的电子部件用多层布线膜的截面示意图的一个例子。本发明的电子部件用多层布线膜具有由Al或Al合金形成的导电层3以及覆盖该导电层3的至少一侧的面的覆盖层，可形成于例如基板1上。图1中，在导电层3的两面形成有覆盖层(基底层2、盖层4)，此时，也可以仅形成基底层2或盖层4中的任一者，可以适宜地选择。需要说明的是，用本发明的覆盖层仅覆盖导电层的一侧的面时，根据电子部件的用途，也可以在导电层的其它面上覆盖与本发明的组成不同的覆盖层。

[0043] 本发明的重要特征在于，对于图1所示的电子部件用多层布线膜，通过在Mo中添加Ni、Mn、Cu，发现了在确保密合性、耐腐蚀性、抗氧化性的同时，在湿式蚀刻时不易发生不均的覆盖层。以下，对本发明的电子部件用多层布线膜详细地说明。

[0044] 需要说明的是，以下说明中，“密合性”是指与玻璃基板、树脂薄膜基板的剥离难易度，可通过粘合带的剥离来进行评价。“耐腐蚀性”是指高温高湿环境下的表面变质导致的电接触性的劣化难易度，可通过布线膜的变色进行确认，例如可通过反射率定量地进行评价。另外，“抗氧化性”是指，在含有氧气的气氛下加热时伴随表面氧化的电接触性的劣化难易度，可通过布线膜的变色进行确认，例如可通过反射率定量地进行评价。

[0045] 本发明的特征在于，在覆盖由Al或Al合金形成的导电层的至少一侧的面的覆盖层中含有选自Mn和Cu中的一种以上元素以及30～75原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

[0046] 本发明的覆盖层包含的Mo是与作为透明导电膜的ITO膜的电接触性和湿式蚀刻性及其均匀性优异的元素，另一方面是耐腐蚀性、抗氧化性差的元素。

[0047] 本发明中，为了确保耐腐蚀性和抗氧化性，需要Ni为30原子％以上。另一方面，Ni大于75原子％时，Ni容易热扩散至导电层Al中，在增加多层布线膜的电阻值的同时，降低湿式蚀刻性。因此，将添加到本发明的覆盖层的Ni设为30～75原子％。

[0048] 另外，Mn是与玻璃基板、树脂薄膜基板的密合性优异、湿式蚀刻性的改善效果高、但添加量增加时降低抗氧化性的元素。

[0049] 另外，Cu能够改善与ITO膜的密合性和湿式蚀刻性，而在添加量多时降低与玻璃基板的密合性并且还降低抗氧化性。进而，Cu与Ni同样地容易热扩散至导电层Al中，容易增加多层布线膜的电阻值。

[0050] 本发明的覆盖层通过含有Mo、Ni、以及选自Mn和Cu中的一种以上元素，从而在确保抗氧化性的基础上，能够提高与玻璃基板、树脂薄膜基板、ITO膜的密合性、湿式蚀刻性。以下，对选择Mn和Cu的理由进行说明。

[0051] 首先，对选择Mn作为构成本发明的覆盖层的除Mo、Ni以外添加的元素的情况进行说明。Mn具有的密合性和湿式蚀刻性的改善效果从3原子％开始显现。另一方面，Mn大于25原子％时，有时抗氧化性降低。因此，覆盖层中的Mn的添加量优选为3～25原子％。更优选为7～20原子％。另外，为了确保Mo具有的与ITO膜的接触性和湿式蚀刻的均匀性，优选将Ni和Mn设为总计小于80原子％。

[0052] 接着，对选择Cu作为构成本发明的覆盖层的除Mo、Ni以外添加的元素的情况进行说明。Cu具有的与ITO膜的密合性和湿式蚀刻性的改善效果从5原子％开始显现。另一方面，Cu大于25原子％时，不仅与玻璃基板的密合性降低，而且抗氧化性也降低，并且容易润湿蚀刻剂，侧向蚀刻量增加，有时湿式蚀刻精度降低。因此，覆盖层中的Cu的添加量优选为5～25原子％。更优选为10～20原子％。此时，考虑到与导电层的Al的热扩散时，Ni的添加量优选设为65原子％以下。另外，为了确保Mo具有的湿式蚀刻的均匀性，优选将Ni和Cu设为总计小于75原子％。

[0053] 接着，对选择Mn和Cu作为除了构成本发明的覆盖层的Mo、Ni以外添加的元素的情况进行说明。将覆盖层的Mn和Cu的总计设为5原子％以上，从而能够抑制密合性和湿式蚀刻性的降低。另一方面，覆盖层的Mn和Cu的总计大于40原子％时，有时抗氧化性、密合性降低。因此，优选含有总计5～40原子％的Mn和Cu，并且含有总计小于75原子％的Ni、Mn、Cu。进而为了确保高湿式蚀刻性，Mn和Cu的总量更优选为20原子％以上。而且，Ni、Mn、Cu的总计进一步优选为50原子％以上。

[0054] 另外，对于本发明的覆盖层，可将上述Mo的一部分用选自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一种以上元素进行置换。这些选择元素是改善耐腐蚀性的效果高的元素，有时能够降低蚀刻速度。因此，置换的量优选设为总计1～15原子％的范围。

[0055] 为了稳定地得到低电阻以及耐腐蚀性、抗氧化性，本发明的电子部件用多层布线膜优选将由Al或Al合金形成的导电层的膜厚设为100～1000nm。导电层的膜厚变得薄于100nm时，由于薄膜特有的电子散射的影响，电阻值容易增加。另一方面，导电层的膜厚变得厚于1000nm时，为形成膜而消耗时间，或者由于膜应力而在基板容易发生翘曲。导电层的膜厚的更优选的范围为200～500nm。

[0056] 对于本发明的导电层，优选为能够得到低电阻的纯Al时，考虑到上述耐腐蚀性、抗氧化性，进而考虑到耐热性等可靠性，也可以使用Al中添加了过渡金属、准金属(metalloid)等的Al合金。此时，为了尽可能地得到低电阻，优选将添加元素设为总计5原子％以下的范围。

[0057] 为了稳定地得到低电阻以及耐腐蚀性、抗氧化性，本发明的电子部件用多层布线膜优选将覆盖层的膜厚设为10～100nm。将覆盖层用作基底层时，将膜厚设为10nm以上，从而能够改善与基板的密合性。另外，将覆盖层用作盖膜时，将膜厚设为20nm以上，从而能够使覆盖层的缺陷等充分地消失，能够提高耐腐蚀性、抗氧化性。

[0058] 另一方面，覆盖层的膜厚大于100nm时，导致覆盖层的电阻值变高，与导电层层叠时，作为电子部件用多层布线膜难以得到低电阻。因此，更优选将覆盖层的膜厚设为20～100nm。

[0059] 为了形成本发明的电子部件用多层布线膜的各层，使用了溅射靶的溅射法是最适宜的。在形成覆盖层时，例如还能够适用如下的方法：使用与覆盖层的组成相同组成的溅射靶进行成膜的方法；使用各个元素的溅射靶，Mo、Mo-Ni合金、Ni-Cu合金、Ni-Mn合金等的溅射靶材通过共溅射来进行成膜的方法。

[0060] 从溅射的条件设定的简便、容易得到期望组成的覆盖层的观点出发，更优选使用与覆盖层的组成相同组成的溅射靶来进行溅射成膜。

[0061] 本发明为覆盖层形成用溅射靶材，为了得到上述覆盖层，所述溅射靶材含有选自Mn和Cu中的一种以上元素以及30～75原子％的Ni，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

[0062] 作为本发明的构成元素的Mo、Ni、Mn、Cu中，Ni为磁性体，但若为本发明的组成范围，则本发明的覆盖层形成用溅射靶材的居里温度为常温(25℃)以下、即为非磁性，因此能够用通常的磁控溅射容易地进行溅射。而且，本发明的覆盖层形成用溅射靶材优选含有30～75原子％的Ni、Mn3～25原子％，并且含有总计小于80原子％的Ni和Mn，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

[0063] 另外，本发明的覆盖层形成用溅射靶材优选含有Ni30～65原子％和Cu5～25原子％，并且将Ni和Cu设为总计小于75原子％，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

[0064] 另外，本发明的覆盖层形成用溅射靶材优选含有总计5～40原子％的Mn和Cu，并且含有总计小于75原子％的Ni、Mn、Cu，余量由Mo和不可避免的杂质组成。

[0065] 另外，本发明的覆盖层形成用溅射靶材中的上述Mo的一部分也可以被选自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一种以上元素置换。优选将置换量设定为总计1～15原子％的范围。

[0066] 在平衡状态图中，Mo和Ni是在Mo侧Ni几乎不具有固溶区而在Ni侧具有宽固溶区的元素，在中间组成呈现大量的金属间化合物。另外，Mo和Mn是在Mo侧具有宽固溶区而在Mn侧在高温区也具有宽固溶区的元素。Mo和Cu是在Mo侧、Cu侧均几乎不具有固溶区的元素。

[0067] 进而，Ni和Mn、Ni和Cu、Mn和Cu是均具有宽固溶区的元素。而且，Ni和Cu为无限固溶，Ni和Mn、Mn和Cu也是在高温区无限固溶的容易合金化的元素，包含Mn时，通过相变在低温区容易呈现金属间化合物。

[0068] 由以上，本发明的覆盖层形成用溅射靶材虽然包含难以合金化的Mo和Cu，但通过含有Ni、Mn，根据组成也可以被合金化。本发明中，通过适应所需覆盖层的膜特性而调节的组成，能够选定溅射靶材的最佳的制造方法。以下，对本发明的覆盖层形成用溅射靶材的制造方法进行说明。

[0069] 作为本发明的覆盖层形成用溅射靶材的制造方法，例如也可以使用对将调节为规定组成的原料熔化而制作的铸锭实施机械加工来制造溅射靶材的方法、粉末烧结法。粉末烧结法中，例如可以用气体雾化法制造合金粉末作为原料粉末；将多个合金粉末、纯金属粉末以成为本发明的最终组成的方式混合而得到混合粉末作为原料粉末。

[0070] 作为原料粉末的烧结方法，可以使用热等静压、热压、放电等离子烧结、挤压烧结等加压烧结。本发明为了如上述那样通过在包含难以合金化的Mo和Cu的基础上利用Mo和Ni的组成比率而容易地体现金属间化合物、降低塑性加工性，例如为了稳定地制造触摸面板用的大型的溅射靶材，优选对为最终组成的合金粉末进行加压烧结的制造方法。

[0071] 另外，本发明的覆盖层形成用溅射靶材由于含有作为磁性体的Ni，因此优选对选定了添加的元素并使居里点为常温以下的合金粉末进行加压烧结。此时，上述合金粉末可将调节为最终组成的合金熔融金属通过雾化法来容易地得到。而且，利用雾化法的与Mo的合金化对于使合金粉末的居里点为常温以下而言是有效的。

[0072] 另外，合金粉末也可以将熔化的铸锭粉碎来制作。另外，也可以使用将各种Ni合金粉末和Mo粉末混合的方法；制造各种合金粉末，以成为最终组成的方式混合的方法。

[0073] 合金粉末的平均粒径小于5μm时，导致所得溅射靶材中的杂质增加。另一方面，合金粉末的平均粒径大于300μm时，难以得到高密度的烧结体。因此，优选将合金粉末的平均粒径设为5～300μm。需要说明的是，本发明中所谓的平均粒径表示通过JIS Z 8901中规定的使用激光的光散射法得到的当量球径。

[0074] 本发明的覆盖层形成用溅射靶材优选主要构成元素的Mo、Ni、Mn、Cu以外的不可避免的杂质的含量少，在不有损本发明的作用范围内，也可以包含氧、氮、碳、Fe、Al、Si等不可避免的杂质。此处，各主要构成元素以相对于主要构成元素总体的原子％表示，主要元素以外的不可避免的杂质以溅射靶材总体的质量ppm表示。例如，优选将氧、氮分别设为1000质量ppm以下，将碳设为200质量ppm以下，将Al、Si设为100质量ppm以下等。而且，本发明的覆盖层形成用溅射靶材的金属成分总体的纯度优选为99.9质量％以上。

[0075] 实施例1

[0076] 首先，制作用于形成表1所示的覆盖层的溅射靶。需要说明的是，对于No.4、No.5、No.8，以规定量称量电解Ni与块状的Mo原料、无氧铜块、Mn薄片、Ti块之后，在真空熔化炉中通过熔化铸造法制作铸锭。

[0077] 另外，对于No.1～No.3、No.6、No.7、No.9、No.10、No.11，将为非磁性的Ni-30原子％和Mo的雾化粉末、Mo粉末、Cu粉末、Mn粉末、Ti粉末以成为规定组成的方式进行混合，填充到软钢制的罐中，然后一边加热一边进行真空排气而进行密封。接着，将密封的罐放入热等静压装置中，在900℃、100MPa、3小时的条件下进行烧结而制成烧结体。

[0078] 用SmCo磁石接近得到的各铸锭和各烧结体，结果确认了没有附着于磁石上。另外，将一部分由上述得到的各铸锭和各烧结体放入磁特性测定用箱中，使用理研电子株式会社制造的振动试样型磁力计(型号：VSM-5)，在常温(25℃)下测定磁特性，结果确认了为非磁性。

[0079] 将这些铸锭和烧结体通过机械加工制成直径100mm、厚度5mm的溅射靶材。另外，用于形成导电层的纯Al的溅射靶材使用了Mitsubishi Materials Corporation制造的纯度4N的溅射靶材。

[0080] 接着，将上述各覆盖层形成用溅射靶材钎焊到铜制的背板上，然后安装到ULVAC Co.,Ltd.制造的溅射装置(型号：CS-200)，在Ar气氛、压力0.5Pa、电功率500W的条件下实施溅射试验，结果任一溅射靶材均能够进行溅射。

[0081] 接着，将Corning Co.,Ltd.制造的25mm×50mm的玻璃基板(产品型号：EagleXG)安装到上述溅射装置的衬底架上，依次形成厚度50nm的基底膜、厚度300nm的Al的导电层、厚度50nm的盖层而制作试样，评价密合性和抗氧化性。另外，对薄膜基板和带有ITO膜的薄膜基板也用与玻璃基板同样的方法制作试样。

[0082] 密合性的评价是在玻璃基板上用JIS K 5400规定的方法进行的。首先，用割刀在由上述形成的覆盖层的表面划入2mm见方的正方形，粘贴Sumitomo 3M Limited制造的透明粘合带(产品名：透明美色)，将透明粘合带剥离，以覆盖层的残留的有无进行评价。将1块覆盖层也没有被剥离的评价为○，将被剥离1～10块的评价为△，将被剥离11块以上的评价为×。在薄膜基板和带有ITO膜的薄膜基板中，在膜表面粘贴透明粘合带(产品名：透明美色)，其后，将透明粘合带剥离，将完全没有被剥离的评价为○，将被剥离10％以下的面积的评价为△，将被剥离大于10％的面积的评价为×。

[0083] 另外，对于抗氧化性的评价，将各试样在大气气氛中、在150℃～300℃的温度下进行30分钟的加热处理，测定反射率和电阻值。反射率使用Konica Minolta,Inc.制造的分光色度计(型号：CM2500d)来进行测定。另外，电阻值是使用Dia Instruments Co.,Ltd.制造的4端子的薄膜电阻率计(型号：MCP-T400)测定的。将评价后的结果示于表1。

[0084] 表1

[0085]

[0086] 如表1所示，作为比较例的试样No.1在薄膜基板、带有ITO的薄膜基板上密合性低，发生膜剥离。另外，作为比较例的试样No.3在玻璃基板、薄膜基板上部分地发生剥离。

[0087] 另一方面，能够确认，将作为本发明例的Mo中含有规定量的Ni、Mn、Cu的覆盖层用于基底膜的试样No.4～No.9的多层布线膜没有剥离，具有高密合性。

[0088] 另外可知，作为比较例的试样No.2、No.3、No.10、No.11、No.12、No.14、No.17，250℃以上时的反射率降低，抗氧化性差。另外，对于试样No.3、No.10、No.11、No.17，进行300℃的加热时电阻值增加。

[0089] 与此相对，能够确认作为本发明例的试样No.4～No.9、No.13、No.15、No.16的反射率降低小，电阻值的增加也小，具有高抗氧化性。

[0090] 实施例2

[0091] 接着，使用实施例1中制作的各试样进行耐腐蚀性的评价。对于耐腐蚀性的评价，将各试样在温度85℃下、相对湿度85％的气氛中放置100小时、200小时、300小时，用与实施例1同样的方法测定反射率。将其结果示于表2。

[0092] 表2

[0093]

[0094] 如表2所示确认了，作为比较例的试样No.No.1～No.3、No.12、No.14、No.17在高温高湿气氛中放置100小时以上时，反射率大幅降低，耐腐蚀性差。

[0095] 与此相对，能够确认，作为本发明例的试样No.4～No.9、No.13、No.15、No.16即使暴露于高温高湿气氛中变色也少，经过300小时后也维持着高反射率，具有高耐腐蚀性。

[0096] 实施例3

[0097] 接着，使用实施例1中制作的覆盖层形成用溅射靶材在玻璃基板上形成覆盖层的单层膜，进行湿式蚀刻性的评价。作为蚀刻剂，使用用于Al膜用的将硝酸、磷酸、乙酸与水混合的蚀刻剂。为了制成侧向蚀刻少的覆盖层，需要抑制蚀刻时间的不均、在减少过蚀刻时间的同时适当地抑制对于蚀刻剂的润湿性。将各试样浸渍于蚀刻剂液中，将直至完全透过覆盖层整面所消耗的时间作为精确蚀刻时间(just etching time)进行测定。另外，对于蚀刻不均，用目视确认进而为了获得更明确的差异，测定透过膜的一部分的时间与精确蚀刻时间的时间差。这表示时间差越小，蚀刻不均越少。

[0098] 另外，在覆盖层的膜表面滴加20μm的蚀刻剂，测定2分钟后的扩径。这表示扩径越小，越能够抑制侧向蚀刻，越能够进行精度高的湿式蚀刻。将各试样的湿式蚀刻的评价结果示于表3。

[0099] 表3

[0100]

[0101] 关于湿式蚀刻性，作为比较例的试样No.11的Al膜在200秒时，扩展也小，被均匀地蚀刻。另一方面，作为比较例的试样No.1起泡，并且能够以35秒的短时间进行蚀刻。另外，能够确认，作为比较例的试样No.10与其它的覆盖层相比，蚀刻时间长达156秒，存在蚀刻的快的部分和慢的部分，产生蚀刻不均，因此时间差也大，蚀刻剂容易扩展。因此可知，难以进行均匀的蚀刻，不适合精度高的蚀刻。

[0102] 与此相对，可知，作为本发明例的试样No.4～No.9、No.13、No.15、No.16能够以75秒以下进行湿式蚀刻，其时间差也小，扩径也小。

[0103] 由以上能够确认，本发明的覆盖层的蚀刻不均和侧向蚀刻少，能够进行精度高的蚀刻。