包含天线层的半导体封装件及其制造方法

摘要

一种包含天线层的半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、半导体芯片、封装体及天线层。半导体芯片设于基板。封装体包覆半导体芯片且包括上表面。天线层形成于封装体的上表面，天线层包括一馈入层与一辐射层，且辐射层透过一第一波导槽与馈入层隔离。

权利要求

1.一种半导体封装件，包括：

一基板；

一半导体芯片，设于该基板上；

一封装体，包覆该半导体芯片且包括一上表面；以及一天线层，形成于该封装体的该上表面，该天线层包括一馈入层与一辐射层，且该辐射层透过一第一波导槽与该馈入层隔离。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一波导槽沿一第一方向延伸，且与一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组连接。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该天线层更包括一阻抗匹配槽，其与该第一波导槽连接且与该第一辐射槽组连接。

4.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该天线层更包括：一第二波导槽，沿该第一方向延伸，其中该第一辐射槽组连接于该第二波导槽；以及一第二辐射槽组，连接于该第二波导槽且沿该第二方向延伸。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，更包括:一馈入元件，电性连接于该半导体芯片与该馈入层。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该基板包括一接地部，且该辐射层电性连接于该接地部且与该馈入层隔离。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该封装体包括多个贯孔，所述多个贯孔环绕该馈入元件，该半导体封装件更包括：多个导电柱，形成于所述多个贯孔内且电性连接于该接地部与该辐射层。

8.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该馈入元件与该半导体芯片的一导通孔电性连接。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该天线层延伸至该封装体的一侧面。

10.一种半导体封装件，包括：

一基板；

一半导体芯片，设于该基板上；

一第一封装体，包覆该半导体芯片；

一第二封装体，覆盖该第一封装体；以及一天线层，形成于该第二封装体上，该天线层包括一馈入层与一辐射层，且该辐射层透过一第一波导槽与该馈入层隔离。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装体包括一上表面，该半导体封装件更包括：一屏蔽层，形成于该第一封装体的该上表面，其中该屏蔽层被该第二封装体覆盖。

12.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：一第一馈入元件，电性连接该屏蔽层与该半导体芯片；以及一第二馈入元件，电性连接该屏蔽层与该天线层的该馈入层。

13.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：一馈入元件；

多个贯孔，形成于该第二封装体，所述多个贯孔环绕该馈入元件；以及多个导电柱，形成于所述多个贯孔内且电性连接于该天线层的该辐射层。

14.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：一屏蔽层，形成于该第一封装体的一侧面。

15.如权利要求14所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：一第一馈入元件，通过该第一封装体电性连接于该半导体芯片；以及一第二馈入元件，电性连接该屏蔽层与该天线层的该馈入层。

16.一种半导体封装件的制造方法，包括：设置一半导体芯片于一基板上；

形成一封装体包覆该半导体芯片；

形成一天线层于该半导体封装件的一上表面，其中该天线层电性连接于该半导体芯片；

形成二彼此连接的天线槽组于该天线层，其中各该天线槽组包括一馈入层与一辐射层，且该辐射层透过一第一波导槽与该馈入层隔离。

17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，该第一波导槽沿一第一方向延伸，且与一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组连接。

18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，更包括：形成一阻抗匹配槽于该天线层，其中该阻抗匹配槽与该第一波导槽连接且与该第一辐射槽组连接。

19.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，更包括：一第二波导槽，沿该第一方向延伸，其中该第一辐射槽组连接于该第二波导槽；以及一第二辐射槽组，连接于该第二波导槽且沿该第二方向延伸。

20.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，更包括：形成一馈入元件于该封装体，以电性连接该半导体芯片与该天线层的该馈入层。

说明书

包含天线层的半导体封装件及其制造方法

[0001] 本申请是2014年3月7日申请的，申请号为201410082789.X，发明名称为“包含天线层的半导体封装件及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

[0002] 本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有天线层的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

[0003] 无线通讯装置，例如是手机，一般包括天线以传输或接收无线射频(radio frequency,RF)信号。传统上，无线通讯装置包括天线及通讯模块，各设于电路板的不同部位。在传统的实施例中，天线及通讯模块分别制造，并于设置在电路板后再电性连接彼此。如此将导致二个元件的制造成本，此外，也难以降低装置尺寸而达到产品的小型化。此外，天线与通讯模块之间的RF信号传输路径较长，而降低天线与通讯模块之间的信号传输品质。

发明内容

[0004] 根据本发明一方面，提出一种半导体封装件。一实施例中，半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一封装体及一天线层。半导体芯片设于基板。封装体包覆半导体芯片且包括一上表面。天线层形成于封装体的上表面，天线层包括一馈入层与一辐射层，且辐射层透过一第一波导槽与馈入层隔离。

[0005] 根据本发明另一方面，提出一种半导体封装件。一实施例中，半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一第一封装体、一第二封装体及一天线层。半导体芯片设于基板。第一封装体包覆半导体芯片。第二封装体覆盖第一封装体。天线层，形成于第二封装体上，天线层包括一馈入层与一辐射层，且辐射层透过一第一波导槽与馈入层隔离。

[0006] 根据本发明另一方面，提出一种半导体封装件的制造方法。一实施例中，制造方法以下步骤。设置一半导体芯片于一基板；形成一封装体包覆半导体芯片；形成一天线层于半导体封装件的一上表面，其中天线层电性连接于半导体芯片；以及，形成二彼此连接的天线槽组于天线层，其中各天线槽组包括一馈入层与一辐射层，且辐射层透过一第一波导槽与馈入层隔离。

[0007] 为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

[0008] 图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

[0009] 图1B绘示图1A的俯视图。

[0010] 图2A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。

[0011] 图2B绘示图2A中沿方向2B-2B’的剖视图。

[0012] 图3绘示另一实施例的天线层的俯视图。

[0013] 图4绘示图3的半导体封装件的天线层的E平面的场形图。

[0014] 图5A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

[0015] 图5B绘示图5A的俯视图。

[0016] 图6绘示依照本发明另一实施例的俯视图。

[0017] 图7绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。

[0018] 图8绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。

[0019] 图9绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。

[0020] 图10绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。

[0021] 图11绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。

[0022] 图12A至12K绘示图1A的半导体封装件的制造过程图。

[0023] 图13A至13F绘示图9的半导体封装件的制造过程图。

具体实施方式

[0024] 整合天线部及无线通讯装置的通讯模块半导体封装件，具有例如是缩小封装件尺寸及减少无线射频(RF)信号传输路径的优点。以下实施例描述本发明揭露的半导体封装件。

[0025] 图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件100的剖视图。半导体封装件100包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160a、160b及天线层170。

[0026] 基板110例如是多层有机基板或陶瓷基板。基板110包括相对的上表面110u与下表面110b及一邻设于基板110的边缘的侧面110s。侧面110s延伸于上表面110u与下表面110b且定义基板110的边界。基板110包括接地部111。如图1A所示，至少部分的接地部111从基板110的下表面110b往基板110的上表面110u方向延伸。第一种实施例中，整个接地部111从基板110的下表面110b延伸至基板110的上表面110u，或延伸超过上表面110u。第二种实施例中，部分接地部111从基板110的上表面110u延伸至基板110的下表面110b。

[0027] 半导体芯片120及无源元件125设于基板110的上表面110u且电性连接于基板110。设于基板110的半导体芯片120例如，可包括一基频芯片。无源元件125例如是电阻、电感或电容。

[0028] 封装体130包覆半导体芯片120。封装体130包括第一封装体131及第二封装体132，其中第一封装体131包覆半导体芯片120，且第二封装体132覆盖屏蔽层140。一实施例中，封装体130可包括酚醛基树脂(Novolac-based resin)、环氧基树脂(epoxy-based resin)、硅基树脂(silicone-based resin)或其他适当的包覆剂。封装体130也可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成封装体130，例如是压缩成型(compression molding)、注射成型(injection molding)或转注成型(transfer molding)。

[0029] 封装体130包括沿第一封装体131的边缘、第二封装体132及屏蔽层140延伸的侧面130s。

[0030] 屏蔽层140形成于第一封装体131的上表面131u且被第二封装体132覆盖。屏蔽层140可以是单层或多层材料。一实施例中，屏蔽层140是三层结构，其中间层是铜层，而其它层是不锈钢层。另一实施例中，屏蔽层140是双层结构，其一层是铜层，而另一层是不锈钢层。

[0031] 屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142，其中馈入部141电性连接于馈入元件150，而屏蔽部142通过天线层170电性连接于接地部111。屏蔽部142与馈入部141隔离。屏蔽层140可以是铝、铜、铬、锡、金、银、镍、不锈钢或任何合适金属或合金。

[0032] 馈入元件150包括第一馈入部151及第二馈入部152。第一馈入部151延伸穿过第一封装体131且电性连接于屏蔽层140。数条走线112形成于基板110的上表面110u，且电性连接第一馈入部151与半导体芯片120。如此，馈入元件150电性连接于半导体芯片120。第二馈入部152延伸穿过第二封装体132且电性连接于屏蔽层140。

[0033] 一个或多个贯孔130h，例如是封胶穿孔(through molding via)，其从天线层170延伸至屏蔽层140。导电柱160a藉由填入导电材料于封装体130的贯孔130h而形成。

[0034] 一个或多个贯孔130j，例如是封胶穿孔，其从屏蔽层140延伸至走线112。导电柱160b藉由填入导电材料于封装体130的贯孔130j而形成。

[0035] 天线层170形成于封装体130的上表面130u及侧面130s。天线层170包括馈入层172及辐射层173。辐射层173沿封装体130的侧面130s电性连接于接地部111。馈入元件150的第二馈入部152连接馈入层172与屏蔽层140的馈入部141。

[0036] 屏蔽层140及天线层170共同形成一全覆盖屏蔽层(conformal shielding)，以保护半导体芯片120避免过多的电磁干扰(EMI)不当地影响半导体封装件100的操作。

[0037] 导电柱160a通过天线层170的辐射层173电性连接于接地部111。导电柱160b通过屏蔽层140电性连接于导电柱160a。因此，环绕馈入元件150的导电柱160a及160b可保护馈入元件150所传输的馈入信号免受电磁干扰。

[0038] 图1B绘示图1A的俯视图。天线层170包括侧面170s，且更包括彼此连接的二天线槽组171及171a，其形成一槽孔天线(slot antenna)。二天线槽组171及171a对称，且为形成于天线层170的数条切痕(cut)或数个凹部(indentation)。馈入元件150位于天线槽组171与171a之间，以传输馈入信号至槽孔天线。

[0039] 天线槽组171包括一波导槽1711及一辐射槽组1712。波导槽1711用以传输毫米波(millimeter wavelength,mmWave)信号。辐射槽组1712用以辐射毫米波信号。波导槽1711沿第一方向P1延伸，而辐射槽组1712沿第二方向P2延伸。辐射槽组1712连接于波导槽1711。辐射槽组1712绘示成包括至少二辐射槽1713，然此非用以限制本发明实施例。另一实施例中，辐射槽组1712的辐射槽1713的数量可以是一个或超过二个。图1B的实施例中，辐射槽
1713未延伸至天线层170的侧面170s，然此非用以限制本发明实施例。另一实施例中，辐射槽1713可延伸至天线层170的侧面170s。

[0040] 如图1B所示，辐射槽1713垂直地与波导槽1711连接。另一实施例中，为了辐射更多毫米波信号的能量，辐射槽1713可倾斜地与波导槽1711连接，以延长辐射槽1713长度。波导槽1711愈窄，毫米波信号的传输愈强。波导槽1711的宽度较佳地介于50至700微米。另一实施例中，波导槽1711约50微米宽。

[0041] 辐射槽1713愈宽，毫米波信号的辐射愈强。如此，为了提升毫米波信号的辐射，辐射槽1713可设计得比波导槽1711更宽。辐射槽1713的宽度较佳地介于50至700微米。另一实施例中，辐射槽1713约100微米宽。

[0042] 天线槽组171a近似天线槽组171的镜射影像(mirror image)，因此，上述实施例的波导槽1711、辐射槽1712与辐射槽1713相似于波导槽1711a、辐射槽组1712a与辐射槽1713a。

[0043] 位于二辐射槽1713a之间的波导槽1711a的部分，其长度L1决定毫米波信号的波长，而辐射槽1713a的长度L2约毫米波信号波长的一半。亦即，长度L2可接近长度L1的一半。

[0044] 图1A的馈入层172可做为共平面波导(coplanar waveguide,CPW)，以传输毫米波至辐射槽组1712与1712a。

[0045] 图1A的辐射层173通过波导槽1711及1711a与馈入层172隔离，以避免不当地影响馈入元件150的馈入信号。

[0046] 图2A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件200的俯视图。天线层170包括二天线槽组，天线槽组171与近似其的镜射影像通过阻抗匹配槽174连接。镜射影像的天线槽组的架构相似于天线槽组171的详细描述。

[0047] 天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组1712、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’与第三波导槽1711”。

[0048] 第一波导槽1711沿第一方向P1延伸。第一辐射槽组1712连接于第一波导槽1711，且沿第二方向P2延伸。一实施例中，第一辐射槽组1712包括三个辐射槽1713。另一实施例中，第一辐射槽组1712的辐射槽1713的数量可以是单个、二个或超过三个。

[0049] 第二波导槽1711’连接于第一辐射槽组1712，且沿第一方向P1延伸。

[0050] 形成于天线层170的网格包含区域171m，网格是由第一波导槽1711、辐射槽1713与第二波导槽1711’定义。网格的数个长侧较佳地由第一波导槽1711或第二波导槽1711’形成。网格的数个短侧较佳地由辐射槽1713形成。

[0051] 第二辐射槽组1712’连接于第二波导槽1711’，且沿第二方向P2延伸。第二辐射槽组1712’包括数个辐射槽1713’。第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组1712的辐射槽1713的数量。藉由控制辐射槽1713与辐射槽1713’的相对数量，可使由第一辐射槽组1712辐射的能量实质上等于由第二辐射槽组1712’辐射的能量。

[0052] 第三波导槽1711’’沿第一方向P1延伸且连接于第二辐射槽组1712’。

[0053] 形成于天线层170的网格包含区域171m’，网格由第二波导槽1711’、辐射槽1713’与第三波导槽1711’’定义。网格的数个长侧较佳地由第二波导槽1711’或第三波导槽1711”形成。网格的数个短侧较佳地由辐射槽1713’形成。

[0054] 图2B绘示图2A中沿方向2B-2B’的剖视图。剖视图中，镜射影像的天线槽组的辐射槽相似于天线槽组171的辐射槽1713’。天线层170的网格在剖视图中绘示如区域171m’，因为其相似于天线槽组171的区域171m’。半导体封装件200的其他特征相似于图1A的半导体封装件100，容此不再赘述。

[0055] 图3绘示另一实施例的天线层170的俯视图。天线层170包括二天线槽组171，其中天线槽组171及近似其的镜射影像通过阻抗匹配槽174连接。其中一槽组171已详细描述，其它槽组实质上是槽组171的镜射影像。天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’、第三波导槽1711’’、第三辐射槽组1712’’及第四波导槽1711’’’。

[0056] 第一辐射槽组绘示成包括一个辐射槽1713，然而，此非用以限制本发明实施例。另一实施例中，第一辐射槽组可包括多个辐射槽1713。

[0057] 第二波导槽1711’沿第一方向P1延伸，且连接于第一辐射槽1713。

[0058] 第二辐射槽组1712’沿第二方向P2延伸，且连接于第二波导槽1711’。

[0059] 第三波导槽1711”沿第一方向P1延伸，且连接于第二辐射槽组1712’。

[0060] 第三辐射槽组1712”沿第二方向P2延伸，且连接于第三波导槽1711”。

[0061] 第四波导槽1711”’沿第一方向P1延伸，且连接于第三辐射槽组1712”。另一实施例中，可省略第四波导槽1711”’。

[0062] 为了更均匀地辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组的辐射槽1713的数量，且第三辐射槽组1712”的辐射槽1713”的数量多于第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量。

[0063] 阻抗匹配槽174连接天线槽组171的第一波导槽1711。第一波导槽1711的长度加上阻抗匹配槽174的长度的总合可以例如是一毫米波信号的波长的一半。阻抗匹配槽174的长度提供天线层170一阻抗匹配功能。

[0064] 图4绘示图3的半导体封装件的天线层170的E平面的场形图。从图3的天线层170辐射的RF频宽介于57至64GHz。以60GHz来说，由于多辐射槽组(例如，第一辐射槽组、第二辐射槽组1712’及第三辐射槽组1712”)增加天线层170的指向性，因此天线层170表现出优良指向性。

[0065] 图5A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件300的剖视图。半导体封装件300包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、导电柱160a、160b及天线层170。

[0066] 半导体芯片120包括导通孔(via)121，其从半导体芯片120的上表面120u露出。

[0067] 封装体130包括位于屏蔽层140下方的第一封装体131及位于屏蔽层140上方的第二封装体132。

[0068] 屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142。

[0069] 馈入元件150包括第一馈入部151及第二馈入部152。第一馈入部151从馈入部141延伸至半导体芯片120的导通孔121，以电性连接半导体芯片120。第二馈入部152延伸经过第二封装体132且电性连接屏蔽层140与天线层170。另一实施例中，覆盖半导体芯片120的第一馈入部151的一部分可使用磨削方法移除，使屏蔽层140可直接形成于导通孔121，以电性连接半导体芯片120。如此一来，第一馈入部151可被省略，使第一封装体131的上表面131u实质上与半导体芯片120的上表面120u共面。

[0070] 多个导电柱160a及160b可分别形成于贯孔130h及130j内，其中贯孔130h及130j形成于封装体130内并环绕馈入元件150，以保护馈入元件150免受电磁干扰。

[0071] 图5B绘示图5A的俯视图。天线层170包括二彼此连接的天线槽组、天线槽组171及其镜射影像。二阻抗匹配槽174连接天线槽组171与其镜射影像。天线槽组171包括波导槽1711及辐射槽组1712。波导槽1711沿第一方向P1延伸。辐射槽组1712连接于波导槽1711且沿第二方向P2延伸。辐射槽组1712包括至少二辐射槽1713。如图所示，辐射槽1713未延伸至天线层170的侧面170s。然而，另一实施例中，辐射槽1713可延伸至天线层170的侧面170s。
如图所示，辐射槽1713可垂直地连接于波导槽1711；或者，另一实施例中，辐射槽1713可倾斜地连接于波导槽1711。倾斜地连接方式可增长辐射槽1713，以辐射更多毫米波信号的能量。

[0072] 如图5B所示，区域175形成于天线层170，且由波导槽1711、其镜射影像与二阻抗匹配槽174定义。馈入元件150位于天线层170的一中间部。具体来说，馈入元件150设于区域175的中心。

[0073] 图6绘示依照本发明另一实施例的俯视图。天线层170包括二天线槽组、一天线槽组171与其实质上镜射的影像，且由二阻抗匹配槽174连接。天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组1712、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’及第三波导槽1711”。由数个阻抗匹配槽174、第一波导槽1711及其镜射影像所定义的区域175形成于天线层170中心。
馈入元件150位于区域175的中间部。

[0074] 如图6所示，第一辐射槽组1712包括多个辐射槽1713。然而，另一实施例中，第一辐射槽组1712包括一个辐射槽1713。为了增强辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组1712的辐射槽1713的数量。

[0075] 一些实施例中，第三波导槽1711”可省略。

[0076] 图7绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。天线层170包括二天线槽组，天线槽组171与其实质上镜射的影像由二阻抗匹配槽174连接。天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组、第二波导槽1711’及第二辐射槽组1712’。如图所示，第一辐射槽组包括一辐射槽1713。另一实施例中，第一辐射槽组包括数个辐射槽1713。为了更优良的辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组的辐射槽1713的数量。

[0077] 如图7所示，区域175形成于天线层170的中心，且由第一波导槽1711、其镜射影像与二阻抗匹配槽174定义。馈入元件150位于区域175的中间部。

[0078] 图8绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。天线层170包括二天线槽组，天线槽组171与其实质上镜射的影像由二阻抗匹配槽174连接。天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’、第三波导槽1711’’、第三辐射槽组1712’’及第四波导槽1711’’’。

[0079] 如图8所示，区域175形成于天线层170的中心，且由第一波导槽1711、其镜射影像与二阻抗匹配槽174定义。馈入元件150位于区域175的中间部。如图所示，第一辐射槽组包括一个辐射槽1713。其它实施例中，第一辐射槽组包括一个以上的辐射槽1713。为了增进辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组的辐射槽1713的数量，且第三辐射槽组1712”的辐射槽1713’’的数量多于第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量。

[0080] 图9绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件400的俯视图。半导体封装件400包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160及天线层170。

[0081] 基板110包括相对的上表面110u与下表面110b，且更包括一接地部111。接地部111从基板110的上表面110u延伸。封装体130包括第一封装体131及第二封装体132。接地部111可从第一封装体131的侧面131s露出。

[0082] 屏蔽层140形成于第一封装体131的上表面131u、第一封装体131的侧面131s，且露出接地部111，其中第一封装体131包覆半导体芯片120。屏蔽层140形成一全覆盖屏蔽层，以保护半导体芯片120免受电磁干扰。第二封装体132设于第一封装体131的上表面131u，且覆盖屏蔽层140的一部分与基板110的上表面110u的一部分。本实施例中，天线层170形成于封装体130的上表面130u，但未形成于封装体130的侧面130s。

[0083] 图10绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件500的俯视图。半导体封装件500包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160及天线层170。

[0084] 馈入元件150形成封装体130且直接接触从半导体芯片120的上表面120u露出的导通孔121。导电柱160形成于封装体130的贯孔130h内且环绕馈入元件150以保护馈入元件150免受过多的电磁干扰。

[0085] 图11绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件600的俯视图。半导体封装件600包括基板110、半导体芯片120、无源元件125、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160及天线层170。

[0086] 贯孔130h例如是封胶穿孔，其形成于封装体130，且从天线层170延伸至屏蔽层140。导电柱160藉由填入导电材料于贯孔130h而形成。导电柱160通过天线层170电性连接于接地部111。因此，环绕馈入元件150的导电柱160可保护一从馈入元件150发射的馈入信号免受过多电磁干扰。

[0087] 馈入元件150包括第一馈入部151及第二馈入部152。第一馈入部151延伸穿过封装体130的第一封装体131且电性连接屏蔽层140与无源元件125的接点1251。无源元件125设于基板110的上表面110u且可通过走线112电性连接半导体芯片120。如此一来，馈入元件150可电性连接半导体芯片120。第二馈入部152延伸穿过封装体130的第二封装体132，且电性连接屏蔽层140与天线层170。

[0088] 图12A至12K绘示图1A的半导体封装件100的制造过程图。

[0089] 如图12A所示，可采用表面粘贴技术(Surface Mounting Technology,SMT)设置半导体芯片120及无源元件125于基板110上。基板110包括接地部111及走线112。基板110是一包含数个封装单元区(package site)的长条(strip)。

[0090] 如图12B所示，形成第一封装体131于基板110的上表面110u，以包覆半导体芯片120及无源元件125。第一封装体131包括一上表面131u。

[0091] 如图12C所示，可采用图案化技术，形成贯孔130j从上表面131u延伸至基板110的走线112。形成贯孔130j的图案化技术例如是微影工艺(photolithography)、化学刻蚀(chemical etching)、激光钻孔(laser drilling)或机械钻孔(mechanical drilling)。

[0092] 如图12D所示，第一馈入部151及导电柱160b可使用电镀或涂布焊料贴(solder paste)的方式填入导电材料于贯孔130j内而形成。

[0093] 如图12E所示，可采用电镀/微影刻蚀(etching photolithographic)工艺，形成屏蔽层140覆盖上表面131u。屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142，其中馈入部141连接于第一馈入部151且与屏蔽部142隔离，而屏蔽部142连接于导电柱160b。

[0094] 如图12F所示，形成第二封装体132覆盖屏蔽层140。第二封装体132包括上表面130u。

[0095] 如图12G所示，可采用图案化技术形成贯孔130h从上表面130u延伸至屏蔽层140。形成贯孔130h的图案化技术例如是微影工艺(photolithography)、化学刻蚀(chemical etching)、激光钻孔(laser drilling)或机械钻孔(mechanical drilling)。

[0096] 如图12H所示，第二馈入部152及导电柱160a可使用例如是电镀或涂布焊料贴的方式填入导电材料于贯孔130h内而形成。第一馈入部151及第二馈入部152共同形成馈入元件150。

[0097] 如图12I所示，形成数个切割道S1经过封装体130、屏蔽层140及接地部。切割道S1使用激光或另一切割刀具形成。基板110的侧面110s、封装体130的侧面130s及接地部111的侧面111s被形成，其中侧面110s、侧面130s与侧面111s实质上共面。例示的切割方法称为”全穿切(full-cut)”，即切割道S1实质上切穿基板110、接地部111与封装体130。

[0098] 如图12J所示，可使用电镀/微影刻蚀工艺，形成天线层170覆盖封装体130的上表面130u、封装体130的侧面130s与接地部111的侧面111s。天线层170连接于导电柱160a及接地部111，使导电柱160a通过屏蔽层140及天线层170电性连接于接地部111。

[0099] 如图12K所示，可采用例如是图案化技术，形成二天线槽组171于天线层170，以形成图1A所示的半导体封装件100。

[0100] 图13A至13F绘示图9的半导体封装件400的制造过程图。图9的半导体封装件400的制造过程相似于图1A的半导体封装件100的制造过程，容此不再赘述。

[0101] 如图13A所示，可采用例如是表面粘贴技术，设置半导体芯片120及无源元件125于基板110，其中基板110包括从基板110的上表面110u延伸的接地部111。第一馈入部151可使用例如是电镀或涂布焊料贴的方式填入导电材料于第一封装体131的贯孔130j内而形成。贯孔130j可采用图案化技术形成。基板110是包含数个封装单元区的长条。

[0102] 可采用激光或另外切割刀具形成数个切割道S2经过第一封装体131。第一封装体131的侧面131s及接地部111的侧面111s由切割形成。图13A的切割称为”半穿切法(half-cut method)”，即切割道S2未完全切穿基板110。

[0103] 如图13B所示，可采用电镀/微影刻蚀(etching photolithographic)工艺，形成屏蔽层140覆盖上表面131u。屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142，其中馈入部141连接于第一馈入部151且与屏蔽部142隔离。

[0104] 如图13C所示，形成第二封装体132覆盖屏蔽层140，其中第二封装体132包括上表面130u。

[0105] 如图13D所示，可采用图案化技术形成贯孔130h从上表面130u延伸至屏蔽层140。形成贯孔130h的图案化技术例如是微影工艺(photolithography)、化学刻蚀(chemical etching)、激光钻孔(laser drilling)或机械钻孔(mechanical drilling)。

[0106] 第二馈入部152及导电柱160a可使用电镀或涂布焊料贴的方式填入导电材料于贯孔130h内而形成。第一馈入部151及第二馈入部152共同形成馈入元件150。

[0107] 如图13E所示，可使用电镀/微影刻蚀工艺，形成天线层170覆盖封装体130的上表面130u。天线层170连接于导电柱160，使天线层170通过导电柱160及屏蔽层140电性连接于接地部111。

[0108] 如图13F所示，形成数个切割道S3经过天线层170、第二封装体132与基板110，以形成图9的半导体封装件400。切割道S3是以激光或另外切割刀具形成。基板110的侧面110s及第二封装体132的侧面130s实质上共面。

[0109] 图2B的半导体封装件200的制造方法、图5A的半导体封装件300的制造方法及图11的半导体封装件600的制造方法相似于图1A的半导体封装件100的制造方法，容此不再赘述。图10的半导体封装件500的制造方法相似于图9的半导体封装件400的制造方法，容此不再赘述。

[0110] 综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

[0111] 【符号说明】

[0112] 100、200、300、400、500、600：半导体封装件

[0113] 110：基板

[0114] 110b：下表面

[0115] 110s、111s、130s、131s、170s：侧面

[0116] 110u、120u、130u、131u：上表面

[0117] 111：接地部

[0118] 112：走线

[0119] 120：半导体芯片

[0120] 121：导通孔

[0121] 125：无源元件

[0122] 1251：接点

[0123] 130：封装体

[0124] 130h、130j：贯孔

[0125] 131：第一封装体

[0126] 132：第二封装体

[0127] 140：屏蔽层

[0128] 141：馈入部

[0129] 142：屏蔽部

[0130] 150：馈入元件

[0131] 151：第一馈入部

[0132] 152：第二馈入部

[0133] 160、160a、160b：导电柱

[0134] 170：天线层

[0135] 171、171a：天线槽组

[0136] 1711、1711a、1711'、1711”、1711”'：波导槽

[0137] 1712、1712a、1712'、1712”：辐射槽组

[0138] 1713、1713a、1713'、1713”：辐射槽

[0139] 171m、171m'；175：区域

[0140] 172：馈入层

[0141] 173：辐射层

[0142] 174：阻抗匹配槽

[0143] S1、S2、S3：切割道

[0144] L1：长度

[0145] P1：第一方向

[0146] P2：第二方向