光学介质再现装置、光学介质再现方法和光学介质

摘要

提供了光学介质再现装置，该光学介质再现装置包括以下：探测单元，其中，光通量划分为多个区域，并且利用所选择的组合模式，组合与入射至多个区域中的每一者的光强度对应的多个探测信号以形成多个通道的信号，其中，多个区域包括在径向方向和/或正切方向上的位置不同的第一区域和第二区域；多输入均衡器单元，包括多个通道的信号分别供应至此的多个均衡器单元，并且计算多个均衡器单元的输出并且输出该输出作为均衡信号；以及二值化单元，在均衡信号上进行二值化处理以获得二进制数据。至于至少一个组合模式，包括第一区域的探测信号和第二区域的探测信号的常数相乘的加法信号的通道被包括。

权利要求

1.一种光学介质再现装置，包括：

光源；

物镜，允许从所述光源发射的光束聚集在光学介质上；

探测单元，将从所述光学介质反射的光束的光通量划分为多个区域，并且利用所选择的组合模式，组合与入射至所述多个区域中的每一者的光量对应的多个探测信号以形成多个通道的信号，所述多个区域包括在径向方向上的位置不同的第一区域和第二区域；

多输入均衡器单元，包括被分别供应了所述多个通道的所述信号的多个均衡器单元，所述多输入均衡器单元计算所述多个均衡器单元的输出，并且输出结果值作为均衡信号；

以及

二值化单元，对于所述均衡信号执行二值化处理以获得二进制数据，其中，包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的常数相乘的加法信号通道包括在所述组合模式中的至少一者中。

2.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，

其中，所述组合模式中的至少一者中包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和信号通道、以及所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的差值信号通道。

3.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，

其中，所述多输入均衡器单元设置为多输入自适应均衡器单元的配置，并且滤波系数的初始值结合所述组合模式的变化而变化。

4.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，

其中，所述多输入均衡器单元被设置为多输入自适应均衡器单元的配置，并且所述光学介质再现装置进一步包括均衡误差计算单元，所述均衡误差计算单元从基于所述二值化单元中的二值化探测结果获得的均衡目标信号、以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的所述均衡信号获得均衡误差，并且将所述均衡误差供应至所述自适应均衡器单元作为用于自适应均衡的控制信号。

5.根据权利要求4所述的光学介质再现装置，

其中，所述多输入自适应均衡器单元对于输出信号执行部分响应均衡处理，所述二值化单元执行最大似然解码处理作为对于所述多输入自适应均衡器单元的所述均衡信号的二值化处理，并且所述均衡误差计算单元通过使用最大似然解码获得的二值化探测结果的卷积处理获得的均衡目标信号、以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的均衡信号的计算，获得均衡误差。

6.根据权利要求4所述的光学介质再现装置，

其中，所述多输入自适应均衡器单元对于输出信号执行部分响应均衡处理，并且根据所述组合模式的设置，选择所述部分响应均衡处理的等级。

7.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，

其中，所述探测单元包括与所述多个区域对应地划分的探测器，并且从所述探测器取出所述多个区域的探测信号。

8.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，

其中，用于分离所述多个区域的光路转换元件布置在穿过所述物镜并且到达探测器的光路上，并且被所述光路转换元件分离的多个光束分别输入至相互不同的探测器。

9.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，

其中，在所述光学介质中，交替形成岸台和沟槽，并且再现作为信息记录在所述岸台和所述沟槽中的光信号。

10.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，其中，所述组合模式设置为与所述光学介质的线密度对应。

11.根据权利要求9所述的光学介质再现装置，其中，所述组合模式设置在所述岸台的再现和所述沟槽的再现中。

12.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，其中，所述光学介质是多层光学介质，并且所述组合模式被设置为与再现层对应。

13.根据权利要求1所述的光学介质再现装置，其中，所述组合模式根据由自适应均衡器优化的抽头系数的状态进行设置。

14.一种光学介质再现方法，包括：

将从光学介质反射的光束的光通量划分为多个区域，所述多个区域包括在径向方向上的位置不同的第一区域和第二区域；

由探测单元利用所选择的组合模式，组合与入射至所述多个区域中的每一者的光量对应的多个探测信号以形成多个通道的信号；

由包括被分别供应了所述多个通道的所述信号的多个均衡器单元的多输入均衡器单元计算所述多个均衡器单元的输出，并且将结果值输出为均衡信号；并且由二值化单元对于所述均衡信号执行二值化处理以获得二进制数据，其中，在所述组合模式中的至少一者中包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和信号通道。

15.根据权利要求14所述的光学介质再现方法，其中，所述组合模式中的至少一者中包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和信号通道、以及所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的差值信号通道。

说明书

光学介质再现装置、光学介质再现方法和光学介质

技术领域

[0001] 本公开内容涉及再现光学介质(诸如光盘)的光学介质再现装置、光学介质再现方法以及光学介质。

背景技术

[0002] 实现光盘的高密度的方法的实例包括通过缩短通道比特长度(即，标记长度)在线密度方向上实现高密度的方法、以及使磁道间距变窄的方法。然而，当在线密度方向上实现高密度时，出现与码间干扰增加相关的问题。此外，当磁道间距变窄时，来自相邻磁道的信息泄漏(相邻磁道串扰)增加。提议了减少相邻磁道串扰(在下文中，仅称为“串扰”)的方法。

[0003] 例如，专利文献1公开了以下配置：其中，电流再现磁道及其两边上的磁道的各自再现信号被供应至自适应均衡器单元，并且自适应均衡器单元的抽头系数被控制以去除串扰。

[0004] 此外，专利文献2和专利文献3公开了以下配置。来自光学记录介质的反射光在磁道宽度方向被空间地划分为三个光束，并且被划分的三个光束被分别探测。探测信号被乘以(加权)常量并且受到加法计算以减少串扰的影响。此外，专利文献2暗含以下配置作为一种理念：即使在波束传播方向上也执行加权以便以强调方式再现小记录标记的再现信号。

[0005] 技术文献列表

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本专利申请特开第2012-079385号

[0008] 专利文献2：日本专利申请特开第8-249664号

[0009] 专利文献3：日本专利申请特开第5-242512号

发明内容

[0010] 本发明要解决的技术问题

[0011] 在专利文献1中描述的配置中，三个光束需要读出电流再现磁道及其两侧的磁道。必须匹配通过三个光束读出的再现信号的相位。再现信号也可以通过利用一个光束顺序地再现三个磁道来同步。在这种情况下，用于同步的存储器是必需的。因此，专利文献1中描述的配置具有光学摄像管配置变得复杂、相位匹配变得复杂或者电路规模增加的问题。此外，专利文献1中描述的配置没有提到在线密度方向上实现高密度。

[0012] 此外，专利文献2和专利文献3中描述的配置旨在通过将区域划分为多个区域并且将部分区域与常数相乘(加权)用于相加来消除串扰。然而，专利文献2和专利文献3没有描述在本公开内容中的高线密度记录中的信号特性改善，其中，最短的标记超过光学系统的截止空间频率。此外，专利文献2和专利文献3没有描述连续使用部分响应最大似然解码处理(部分响应最大似然(PRML)探测方法)的最佳配置，或者其中划分模式被适当改变以执行相对满意的再现的配置。

[0013] 因此，本公开内容的目标是提供光学介质再现装置、光学介质再现方法和光学介质，它们通过仅使用一个磁道的再现信号能够减少串扰并且通过适当改变即使最短标记超过光学系统的截止空间频率的高线密度记录中的PR等级和/或划分模式也能够实现线密度方向上的高密度。

[0014] 解决问题的技术方案

[0015] 本公开内容是光学介质再现装置，包括：

[0016] 光源；

[0017] 物镜，允许从所述光源发射的光束聚集在光学介质上；

[0018] 探测单元，将从所述光学介质反射的光束的光通量划分为多个区域，并且利用所选择的组合模式，组合与入射至所述多个区域中的每一者的光量对应的多个探测信号以形成多个通道的信号，所述多个区域包括在径向方向和/或正切方向上的位置不同的第一区域和第二区域；

[0019] 多输入均衡器单元，包括被分别供应了所述多个通道的所述信号的多个均衡器单元，所述多输入均衡器单元计算所述多个均衡器单元的输出，并且输出结果值作为均衡信号；以及

[0020] 二值化单元，对于所述均衡信号执行二值化处理以获得二进制数据，[0021] 其中，包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的常数相乘的加法信号通道包括在所述组合模式中的至少一者中。

[0022] 本公开内容是光学介质再现方法，包括：

[0023] 将从光学介质反射的光束的光通量划分为多个区域，所述多个区域包括在径向方向和/或正切方向上的位置不同的第一区域和第二区域；

[0024] 由探测单元利用所选择的组合模式，组合与入射至所述多个区域中的每一者的光量对应的多个探测信号以形成多个通道的信号；

[0025] 由包括被分别供应了所述多个通道的所述信号的多个均衡器单元的多输入均衡器单元计算所述多个均衡器单元的输出，并且将所述结果值输出为均衡信号；并且[0026] 由二值化单元对于所述均衡信号执行二值化处理以获得二进制数据，[0027] 其中，在所述组合模式中的至少一者中包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和信号通道。

[0028] 本公开内容是一种光学介质，其中，交替形成岸台和沟槽，并且信息被记录在岸台和沟槽这两者中，

[0029] 其中，岸台的线密度被设置为高于沟槽的线密度。

[0030] 本发明的技术优势

[0031] 根据本公开内容，可以通过仅使用电流再现磁道的读出输出来减少串扰。因此，不必使用三个读出光束，并且不必利用一个光束连续再现三个磁道以及利用存储器执行同步。因此，存在的优势在于光学摄像管的配置不复杂，并且相位匹配不是必需的，并且不增加存储器。此外，根据本公开内容，因为划分模式被适当改变，所以可以实现相对高的线密度。

附图说明

[0032] 图1是示出了根据本公开内容的实施方式的光盘驱动的配置的框图。

[0033] 图2是示出了根据本公开内容的实施方式的光学摄像管的配置的示意图。

[0034] 图3是根据实施方式的数据探测处理单元的实例的框图。

[0035] 图4是数据探测处理单元中的多输入自适应均衡器的实例的框图。

[0036] 图5是自适应均衡器单元的实例的框图。

[0037] 图6是均衡误差计算单元的实例的框图。

[0038] 图7是用于再现的配置的实例的框图。

[0039] 图8的A至图8的G是示出了区域划分模式的多个实例的示意图。

[0040] 图9是示出了模式IVT4H的示意图。

[0041] 图10是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0042] 图11是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0043] 图12是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0044] 图13是示出了抽头系数以及作为对应于抽头系数的电滤波器的频率振幅特性的曲线图。

[0045] 图14是示出了频率振幅特性的曲线图。

[0046] 图15的A和图15的B是示出了抽头系数和频率相位特性的曲线图。

[0047] 图16是示出了频率振幅特性的曲线图。

[0048] 图17的A和图17的B是示出了抽头系数和频率相位特性的曲线图。

[0049] 图18是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0050] 图19的A至图19的E是示出了光盘的再现信号的示意图。

[0051] 图20是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0052] 图21是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0053] 图22的A和图22的B是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图以及划分模式IVT4的示意图。

[0054] 图23的A和图23的B是示出了线密度与e-MLSE之间的关系的曲线图以及划分模式IVT4H的示意图。

[0055] 图24是示出了自适应均衡目标的频率特性的曲线图。

[0056] 图25是示出了区域划分模式的多个实例的示意图。

[0057] 图26的A和图26的B是示出了抽头系数的实例的示意图。

[0058] 图27是示出了PR-TL(4T)与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0059] 图28是示出了PR-TL(4T)与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0060] 图29是示出了PR-TL(4T)与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0061] 图30是示出了最佳的PR-TL(4T)与线密度之间的关系的曲线图。

[0062] 图31的A和图31的B是示出了在选择最佳PR等级情况下的线密度与e-MLSE和i-MLSE之间的关系的曲线图。

[0063] 图32是示出了PR-TL(4T)与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0064] 图33是示出了划分模式的实例的详细规范的示意图。

[0065] 图34是示出了进程通道比特长度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0066] 图35是示出了进程通道比特长度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0067] 图36是更详细地示出了模式IVNST6的示意图。

[0068] 图37是示出了频率振幅特性的曲线图。

[0069] 图38是示出了频率振幅特性的曲线图。

[0070] 图39是示出了进程通道比特长度与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0071] 图40是示出了电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

[0072] 图41是示出了电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

[0073] 图42是示出了岸台/沟槽记录中的记录标记的概要的示意图。

[0074] 图43的A和图43的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0075] 图44的A和图44的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0076] 图45的A和图45的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0077] 图46的A和图46的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0078] 图47的A和图47的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0079] 图48的A和图48的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0080] 图49的A和图49的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0081] 图50的A和图50的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0082] 图51的A和图51的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0083] 图52的A和图52的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0084] 图53的A和图53的B是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0085] 图54是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0086] 图55的A至图55的C是示出了其中标记相位对应于彼此不同的值的电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

[0087] 图56的D至图56的F是示出了其中标记相位对应于彼此不同的值的电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

[0088] 图57的G至图57的I是示出了其中标记相位对应于彼此不同的值的电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

[0089] 图58是示出了标记相位与e-MLSE之间的关系的曲线图。

[0090] 图59的A至图59的C是示出了其中标记相位对应于彼此不同的值的电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

[0091] 图60的D至图60的F是示出了其中标记相位对应于彼此不同的值的电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

[0092] 图61的G至图61的I是示出了其中标记相位对应于彼此不同的值的电滤波器的抽头系数的实例的曲线图。

具体实施方式

[0093] 以下实施方式是适用于本公开内容的具体实例，并且在技术上优选的各种类型的限制应用至此。然而，在以下描述中，除非另有说明本公开内容的局限性，否则本公开内容的范围不局限于这些实施方式。

[0094] 此外，将按以下顺序描述本公开内容。

[0095] <1.第一实施方式>

[0096] <2.第二实施方式>

[0097] <3.第三实施方式>

[0098] <4.变形例>

[0099] <1.第一实施方式>

[0100] (光盘驱动)

[0101] 如图1所示，本公开内容应用的光盘驱动包括：光学摄像管101，对于作为光学记录介质的光盘100执行信息的记录和再现；以及主轴电机102，使光盘100旋转。螺纹(进给电动机)103被设置为使光学摄像管101在光盘100的直径方向上移动。

[0102] 可以使用诸如Blu-ray(注册商标)盘(BD)的高密度光盘作为光盘100。BD是单面单层具有约25千兆字节并且单面双层具有约50千兆字节的记录容量的高密度光盘。在BD标准中，光源波长被设为405nm，并且物镜的数值孔径(NA)被设为0.85那么大，以便使束点直径小。在CD标准中，光源波长被设为780nm，NA被设为0.45，并且光点直径被设为2.11μm。在DVD标准中，光源波长被设为650nm，NA被设为0.6，并且光点直径被设为1.32μm。在BD标准中，可以使光点直径变窄为0.58μm。

[0103] 此外，近来，关于Blu-ray(注册商标)盘(BD)，BDXL(注册商标)投入实际使用。在BDXL中，通道比特长度，即，标记长度缩短以在线密度方向上实现高密度，从而实现三层100GB和四层128GB的大容量。

[0104] 除此之外，采用在沟槽磁道和岸台磁道这两者中记录数据的方法(适当地称为岸台/沟槽记录方法)的光盘对于增加额外的记录容量是优选的。此外，凹陷被称作沟槽，以及由沟槽形成的磁道被称为沟槽磁道。沟槽被限定为当制造光盘时激光照射的部分，插在相邻沟槽之间的区域被称为岸台，并且由岸台形成的磁道被称为岸台磁道。此外，在其中多个信息记录层堆叠的多层光盘的情况下，可以进一步增加记录容量。因此，为了实现大容量，优选的是采用能够减少等于或者浅于BD的浅槽结构中相邻磁道之间的串扰的配置，以便不具有由于即使在窄磁道间距中的其他层上的凹陷结构的不利影响，其中，±主衍射光束由于凹陷并且即使在与本公开内容相似的多层光盘结构中彼此也没有影响，而不是通过将磁道间距设置为一定程度的宽度，±主衍射光束以该磁道间距由于沟槽彼此重叠，并且通过将沟槽的深度设置为与DVD-RAM相似的约λ/6来在光学上减少相邻磁道之间的串扰的配置。

[0105] 当能够执行高密度记录的光盘100被装载在光盘驱动中时，光盘100在记录/再现期间通过主轴电动机102能以恒定线性速度(CLV)或者恒定角速度(CAV)旋转地驱动。为了在光盘100的径向方向上布置摆动沟槽的相位，优选的是CAV或者区域CAV。在再现期间，通过光学摄像管(光学头)101执行读出光盘100上的磁道中记录的标记信息。在数据记录在光盘100上期间，用户数据通过光学摄像管101作为相变标记或者颜料变化标记被记录在光盘100上的磁道中。

[0106] 在可记录盘的情况下，由于相变标记导致的记录标记被记录在由摆动沟槽形成的磁道中，但是在BD为每一层23.3GB的情况下，相变标记通过RLL(1,7)PP调制方式(RLL：游程长度受限，PP：极性保持/禁止rmtr(重复的最小转变游程长度))等以0.12μm/位的线密度、以及0.08μm/通道位被记录。类似地，以对应于与圆盘式一致的通道比特长度的密度执行记录。具体地，在25GB/层的BD的情况下，以0.0745μm/通道位的密度执行记录。在32GB/层的BDXL(注册商标)的情况下，以0.05826μm/通道位的密度执行记录。在33.4GB/层的BDXL(注册商标)的情况下，以0.05587μm/通道位的密度执行记录。当通道时钟周期被设置为“T”时，标记长度变为2T至8T。在再现专用圆盘的情况下，没有形成沟槽，但是通过RLL(1,7)PP调制方法调制的数据以类似方式被记录为压印凹坑阵列。

[0107] 作为再现专用管理信息，例如，圆盘的物理信息等通过压印凹坑或者摆动沟槽被记录在光盘100的内部外围区域中。通过光学摄像管101还执行该信息的读出。此外，通过光学摄像管101还执行读出作为光盘100上的沟槽磁道的摆动嵌入的ADIP信息。

[0108] 作为激光源的激光二极管，光学摄像管101中设置有：滤光片，将反射光空间地且光学地分离为在线密度方向和/或磁道密度方向上的频带不同的多个信号；光探测器，探测通过滤光片分离的多个信号；物镜，成为激光的输出端；光学系统，利用通过物镜的激光照射圆盘记录表面并且将反射光引导至光探测器，等等。在光学摄像管101中，通过双轴机构以能够在寻轨方向和聚焦方向上移动的方式保持物镜。光学摄像管101的全部通过螺纹机构103可以在圆盘径向方向上移动。驱动电流被从激光驱动器113供应至光学摄像管101的激光二极管，并且激光二极管生成激光。

[0109] 通过光探测器探测来自光盘100的反射光，并且该反射光被供应至矩阵电路104作为对应于光接收量的电信号。矩阵电路104设置有与来自作为光探测器的多个光接收元件的输出电流一致的电流-电压转换电路、矩阵计算/放大电路等，并且生成矩阵计算处理所需的信号。考虑到信号传输质量，电流-电压转换电路和矩阵计算/放大电路的一部分可设置在光探测器元件中。例如，生成对应于再现数据的再现信息信号(RF信号)、用于伺服控制的聚焦误差信号、寻轨误差信号等。此外，生成推送信号作为根据沟槽摆动的信号，即，作为探测摆动的信号。

[0110] 从矩阵电路104输出的再现信息信号被供应至数据探测处理单元105，聚焦误差信号和寻轨误差信号被供应至光学块伺服电路111，并且推送信号被供应至摆动信号处理电路106。

[0111] 数据探测处理单元105执行再现信息信号的二值化处理。例如，在数据探测处理单元105中，执行RF信号的A/D转换处理、按照PLL的再现时钟生成处理、部分响应(PR)均衡处理、维特比(Viterbi)解码(最大似然解码)等，并且通过部分响应最大似然解码处理(部分响应最大似然(PRML)探测方法)获得二进制数据阵列。数据探测处理单元105将作为从光盘100读出的信息的二进制数据阵列供应至下一级的编码/解码单元107。

[0112] 编码/解码单元107在再现期间执行再现的解调，并且在记录期间执行记录数据的解调处理。即，编码/解码单元107在再现期间执行数据解调、解交错、ECC解码、地址解码等，并且在记录期间执行ECC编码、交错、数据调制等。

[0113] 在再现期间，在数据探测处理单元105中解码的二进制数据阵列被供应至编码/解码单元107。在编码/解码单元107中，关于二进制数据阵列执行解调处理以从光盘100获得再现数据。即，例如，执行诸如RLL(1,7)PP调制的游程长度受限码调制以关于光盘100上记录的数据执行解调处理以及用于误差校正的ECC解码处理，从而从光盘100获得再现数据。

[0114] 通过编码/解码单元107被解码为再现数据的数据被传输至主机接口108，并且基于系统控制器110的指令传输至主机设备200。主机设备200的实例包括计算机设备、视听(AV)系统设备等。

[0115] 在对于光盘100的记录/再现期间，执行ADIP信息处理。即，作为根据沟槽摆动的信、从矩阵电路104输出的推送信号变成摆动信号处理电路106中数字化的摆动数据。通过PLL处理生成与推送信号同步的时钟。摆动数据被解调为构成ADIP解调处理单元116中的ADIP地址的数据流，并且被供应至地址解码器109。地址解码器109对于被供应的数据执行解码以获得地址值，并且将该地址值供应至系统控制器110。

[0116] 记录数据在记录期间被从主机设备200传输，并且记录数据通过主机接口108被供应至编码/解码单元107。编码/解码单元107执行误差校正码加法(ECC编码)、交错、子代码的加法等作为记录数据的编码处理。关于受到多种处理的数据，执行诸如RLL(1-7)PP方法的游程长度受限码调制。

[0117] 编码/解码单元107中处理的记录数据被供应至写入策略单元114。在写入策略单元114中，关于记录层的特征、激光的光点形状、记录线速度等执行激光驱动脉冲波形调整作为记录补偿处理。此外，激光驱动脉冲被输出至激光驱动器113。

[0118] 激光驱动器113允许基于受到记录补偿处理的激光驱动脉冲的电流流至光学摄像管101中的激光二极管以执行激光发射。根据此，根据记录数据的标记形成在光盘100上。

[0119] 光学块伺服电路111从矩阵电路104供应的聚焦误差信号和寻轨误差信号生成聚焦、寻轨和螺纹的各个伺服驱动信号以执行伺服操作。即，与聚焦误差信号和寻轨误差信号对应地生成聚焦驱动信号和寻轨驱动信号，并且通过驱动器118驱动光学摄像管101中的双轴机构的聚焦线圈和寻轨线圈。根据此，通过光学摄像管101、矩阵电路104、光学块伺服电路111、驱动器118和双轴机构形成寻轨伺服回路和聚焦伺服回路。

[0120] 此外，光学块伺服电路111响应于从系统控制器110传输的磁道跳变指令断开寻轨伺服回路并且输出跳变驱动信号以执行磁道跳变操作。此外，光学块伺服电路111基于作为寻轨误差信号的低频分量获得的螺纹误差信号、来自系统控制器110的接入执行控制等生成螺纹驱动信号以通过螺纹驱动器115驱动螺纹机构103。

[0121] 主轴伺服电路112执行使主轴电动机102CLV-旋转或者CAV-旋转的控制。主轴伺服电路112获得通过PLL关于作为主轴电动机102的电流旋转速度信息的摆动信号生成的时钟，并且将旋转速度信息与预定的参考速度信息进行比较以生成主轴误差信号。此外，在数据再现期间，通过数据探测处理单元105中的PLL生成的再现时钟变成主轴电动机102的电流旋转速度信息，并且因此，再现时钟与预定的参考速度信息进行比较以生成主轴误差信号。此外，主轴伺服电路112输出与主轴误差信号对应生成的主轴驱动信号以通过主轴驱动器117执行主轴电动机102的CLV旋转或者CAV旋转。

[0122] 主轴伺服电路112生成与从系统控制器110传输的主轴反冲/制动控制信号对应的主轴驱动信号以执行诸如主轴电动机102的触发、停止、加速和减速的操作。

[0123] 通过微型计算机形成的系统控制器110控制伺服系统和记录/再现系统的各种操作。系统控制器110响应于通过主机接口108从主机设备200传输的指令执行各种类型的处理。例如，从主机设备200给出写入指令(写入指令)，系统控制器110将光学摄像管101移动至首次写入的地址。此外，系统控制器110允许编码/解码单元107如上所述关于从主机设备200传输的数据(例如，视频数据、音频数据等)执行编码处理。此外，激光驱动器113驱动与编码数据对应的激光发射。根据此，执行记录。

[0124] 此外，在从主机设备200供应请求传输光盘100上记录的任意数据的读出指令的情况下，系统控制器110关于首次指定的地址执行查找操作控制。即，指令被输出至光学块伺服电路111，并且关于通过查找指令指定的地址作为目标来执行光学摄像管101的存取操作。然后，系统控制器110执行将所指示的数据区中数据传输至主机设备200的所需的操作控制。即，系统控制器110执行从光盘100读出数据，并且在数据探测处理单元105和编码/解码单元107中执行再现处理以传输所要求的数据。

[0125] 此外，在图1的实例中，例如已经给出了连接至主机设备200的光盘驱动的描述，但是在某些方面光盘驱动可能未连接至另一设备。在这种情况下，可以提供操作单元或者显示单元，或者数据输入/输出的接口部分的配置可不同于图1中示出的配置。即，根据用户的操作可以执行记录或者再现，并且可以形成用于输入/输出各种数据的终端单元。可以考虑各种配置实例的光盘驱动。

[0126] (光学摄像管)

[0127] 接下来，将参考图2给出上述光盘驱动中使用的光学摄像管101的描述。例如，光学摄像管101通过使用具有405nm的波长λ的激光(光束)将信息记录在光盘100上，并且再现来自光盘100的信息。激光从半导体激光二极管(LD)1发射。

[0128] 利用传输通过准直透镜2、偏振光束分光器(PBS)3和物镜4的激光照射光盘100。例如，偏振光束分光器3包括允许约100％的P-偏振光传输通过并且允许约100％的S-偏振光从其反射的分离面。来自光盘100的记录层的反射光沿着相同光路返回，并且入射至偏振光束分光器3。插入λ/4元件(未示出)，并且因此，从偏振光束分光器3反射约100％的入射激光。

[0129] 从偏振光束分光器3反射的激光通过滤光片7被空间并且光学地划分为多个区域，多个区域包括根据在光盘100的径向方向(圆盘直径方向)和/或正切方向(磁道方向)上延伸的划分线在密度方向和/或磁道密度方向上的频带不同的信号，并且通过透镜5将激光聚集在光探测器6的光接收面上。光探测器6包括光接收面上的光接收单元，该光接收单元关于入射光执行光电转换。光接收单元被布置为接收通过滤光片7分为多个区域的相应光束。光探测器6输出与光接收单元的相应区域的光接收量对应的多个通道的电信号。在图2中，滤光片的划分模式IVT4被配置为将区域空间的和光学的分为四个区域，这四个区域包括在线密度方向和/或磁道密度方向上的频带不同的信号。即，光束在径向方向上分为外部区域A(＝A1+A2)和中部区域B，并且在正切方向上分为上部区域C(C1+C2+C3)和下部区域D(D1+D2+D3)。光接收单元可布置为接收被划分为四个区域的相应光束。此外，可以采用其中基于在径向方向上的外部区域A1和A2中接收的五个信号通过矩阵电路104生成四通道信号，并且四通道信号被输入至数据探测处理105。随后将详细描述在采用这个配置的情况下的另一效果。此外，随后将描述区域划分方法。

[0130] 此外，在图2中示出的光学摄像管101的配置中，仅示出了说明本公开内容所需的最小的组成元件，并且省略了通过矩阵电路104输出至光学块伺服电路111的聚焦误差信号、寻轨误差信号、通过矩阵电路104输出至摆动信号处理电路106以生成推送信号的信号等。此外，可以采用除了图2中示出的配置之外的各种配置。

[0131] 在本公开内容中，来自光盘100的返回光束的光通量的横截面被分成多个区域，并且获得对应于相应区域的多个通道的再现信息信号。作为获得用于每个区域的再现信息信号的方法，除了通过滤光片7执行划分的方法之外，还可以使用其中光探测器6被划分为将滤光片功能提供至光探测器的方法。当通过滤光片7执行划分时，例如，可以使用的方法为分隔为多个区域的光路转换元件被布置在穿过物镜4并且达到光探测器6的光路上，并且通过光路转换元件分隔的多个光束被供应至另一光探测器。作为光路转换元件，可以使用诸如全息光学元件的衍射元件、诸如微透镜阵列和微棱镜的折射元件等。

[0132] (数据探测处理单元)

[0133] 如上所述，通过光学摄像管101从光盘100复制并且对应于各个区域的探测信号被供应至矩阵电路104，并且变成对应于各个区域的多个通道的再现信息信号。如图3所示，数据探测处理单元105包括A/D转换器11，从矩阵电路104供应的再现信息信号被供应至该A/D转换器11。此外，例如，图3和图4对应于来自光盘100的返回光束的光通量的横截面被划分为五个区域的实例，并且四通道再现信息信号Ch1至Ch4从矩阵电路104获得。

[0134] 通过PLL 12形成关于A/D转换器11的时钟。从矩阵电路104供应的再现信息信号中的每一个通过A/D转换器11被转换为数字数据。从通过矩阵电路104生成的四通道再现信息信号Ch1至Ch4数字化的信号被描述为再现信息信号S1至S4。通过加法电路17添加将信息信号S1至S4相加所获得的信号被供应至PLL 12。

[0135] 此外，数据探测处理单元105包括多输入自适应均衡器单元13、二值化探测器14、PR卷积单元15和均衡误差计算单元16。多输入自适应均衡器单元13基于再现信息信号S1至S4执行PR自适应均衡处理。即，通过自适应均衡器单元输出的再现信息信号S1至S4的相加获得的等效信号y0被均衡为接近目标PR波形。

[0136] 此外，作为输入至PLL 12的信号，可以使用多输入自适应均衡器单元的输出。在这种情况下，多输入自适应均衡器的初始系数被设置为提前确定的值。此外，即使在使用从加法电路17传输的信号的情况下，也可以采用通过FIR滤波器等改变S1至S4的相位的频率特性和振幅之后将S1至S4相加而不是仅将S1至S4相加的配置。即使在这种情况下，FIR滤波器的抽头系数被设置为提前确定的值。

[0137] 例如，二值化探测器14变成维特比解码器，并且对通过关于经受PR均衡的均衡信号y0执行最大似然解码处理来获得二值化数据DT。二值化数据DT被供应至图1中示出的编码/解码单元107，并且执行再现数据解调处理。在维特比解调中，使用维特比探测器，该维特比探测器包括以具有预定长度的连续比特为单位配置的多个状态、以及通过其间的转变示出的分支，并且维特比探测器被配置为有效地探测所有可能的位序列中的期望位序列。

[0138] 实际电路设置有两个寄存器，这两个寄存器包括称为关于每个状态并且存储部分响应序列的路径量度和信号直到达到该状态的路径量度寄存器，以及称为路径存储寄存器并且存储位序列的流直到达到该状态的寄存器。此外，关于每个分支，设置称为分支度量单元并且计算部分响应序列的路径量度以及相应位的信号的计算单元。

[0139] 在维特比解码器中，各种位序列可以通过穿过该状态的一个路径以一对一关系相关。此外，在穿过路径的部分响应序列之间路径量度，并且实际信号(再现信号)通过在构成路径的状态之间的转变中，即，在分支处顺序地添加分支度量来获得。

[0140] 此外，当执行达到每个状态的两个或更少个分支的路径量度的振幅比较时，其中路径量度变成最小的路径的选择是通过顺序地选择其中路径量度是小的路径来实现。选择信息被传输至路径存储寄存器，并且因此，存储其中达到每个状态的路径被表示为位序列的信息。当被顺序更新时，路径存储寄存器的值最终收敛为其中路径量度变成最小的位序列，并且因此它的结果被输出。

[0141] 在PR卷积单元15中，如以下公式所示执行二值化结果的卷积处理以生成目标信号Zk。目标信号Zk通过二值化探测结果的卷积获得，并且是没有噪声的理想信号。例如，在PR(1,2,2,2,1)的情况下，每个通道时钟的值P变成(1,2,2,2,1)。约束长度是5。此外，在PR(1,2,3,3,3,2,1)的情况下，每个通道时钟的值P变成(1,2,3,3,3,2,1)。约束长度是7。此外，在PR(1,2,3,4,4,4,3,2,1)的情况下，每个通道时钟的值P变成(1,2,3,4,4,4,3,2,1)。约束长度是9。在当激光的波长λ被设置为405nm、物镜的NA被设置为0.85、磁道间距被恒定设置为
0.32μm时记录密度被设置为在某种程度下如容量超过35GB一样高的情况下，如果部分响应的约束长度没有从5延长至7，并且因此探测能力不升高，可能难以探测。此外，在记录密度被设置为在某种程度上如容量超过约45GB一样高的情况下，必须通过将约束长度从7延长至9来升高探测能力。此外，在以下公式中，“d”表示二值化数据。

[0142] [数学公式1]

[0143]

[0144] 均衡误差计算单元16从多输入自适应均衡器单元13传输的均衡信号y0以及目标信号Zk获得均衡误差ek，并且将均衡误差ek供应至多输入自适应均衡器单元13用于抽头系数控制。如图6所示，均衡误差计算单元16包括减法器25和系数乘法器26。减法器25从均衡信号y0减去目标信号Zk。减去结果在系数乘法器26中乘以预定系数a以生成均衡误差ek。

[0145] 如图4所示，多输入自适应均衡器单元13包括自适应均衡器单元21、22、23和24、以及加法器25。上述再现信息信号S1至S4分别被输入至自适应均衡器单元21至24。附图中示出了在从矩阵电路输出的再现信息信号被设置为四个通道的情况下的多输入自适应均衡器单元13的配置。自适应均衡器单元被设置为与输入的信号的通道的数量对应。

[0146] 自适应均衡器单元21、22、23和24中的每一个具有有限脉冲响应(FIR)滤波器抽头数、计算精确性(位分辨率)、以及自适应计算的更新增益的参数，并且光学值被分别设置为这些值。自适应均衡器单元21、22、23和24中的每一个被供应以均衡误差ek作为用于自适应控制的系数控制值。

[0147] 自适应均衡器单元21、22、23和24的输出y1、y2、y3和y4在加法器25中彼此相加，并且结果值作为多输入自适应均衡器单元13的均衡信号y0被输出。多输入自适应均衡器单元13的输出目标被设置为通过二元探测结果与部分响应(PR)的卷积获得的理想PR波形。

[0148] 例如，如图5所示，自适应均衡器单元21通过FIR滤波器进行配置。自适应均衡器单元21被设置为包括“n+1”-阶抽头的滤波器，该“n+1”-阶抽头包括延迟元件30-1至30-n、系数乘法器31-0至31-n以及加法器34。系数乘法器31-0至31-n中的每一个将各时间点的输入x乘以抽头系数C0至Cn中的每一个。系数乘法器31-0至31-n的输出在加法器34中彼此相加并且结果值作为输出y0被取出。关于抽头系数，初始值被提前设置。

[0149] 执行抽头系数C0至Cn的控制以执行自适应均衡处理。因此，设置计算单元32-0至32-n，均衡误差ek和相应的抽头输入被输入至该计算单元并且该计算单元执行计算。此外，设置分别将计算单元32-0至32-n的输出进行积分的积分器33-0至33-n。在计算单元32-0至
32-n中的每一个中，例如，执行-1×ek×x的计算。计算单元32-0至32-n的输出分别在积分器33-0至33-n中进行积分，并且系数乘法器31-0至31-n的抽头系数C0至Cn改变并且被积分结果控制。此外，积分器33-0至33-n中的积分的实行被执行以调整自适应系数控制的响应。

[0150] 在具有上述配置的数据探测处理单元105中，在执行减少诸如串扰的不必要的信号之后，执行二进制数据的解码。

[0151] 自适应均衡器单元22、23和24也具有与自适应均衡器单元21类似的配置。公共的均衡误差ek被供应至自适应均衡器单元21、22、23和24以执行自适应均衡。即，在自适应均衡器单元21、22、23和24中，执行最优化，即，再现信息信号Sa、Sb和Sc的输入信号频率分量的误差和相位变形的自适应PR均衡。即，根据计算单元32-0至32-n中的-1×ek×x的计算结果调整抽头系数C0至Cn。执行抽头系数C0至Cn的调整以消除均衡误差。

[0152] 以这种方式，在自适应均衡器单元21、22、23和24中，被自适应地控制抽头系数C0至Cn，以通过使用均衡误差ek获得目标频率特性。通过在加法器24中彼此相加自适应均衡器单元21、22、23和24的输出y1、y2、y3和y4获得的多输入自适应均衡器单元13的均衡信号y0变成其中串扰、码间干扰等被减少的信号。

[0153] (电-光滤波器)

[0154] 从光盘重现的信号大大偏离理想信号。与理想信号相比，该偏离是由于线性方向上的高密度导致码间干扰增加、以及由于磁道方向上的高密度导致来自相邻磁道的信号泄漏增加所引起。在相关技术中，这个问题通过电滤波器解决。例如，在BDXL(注册商标)中，实现33.4GB/L。

[0155] 图7中示出了根据本公开内容的再现高密度记录信号的配置。即，再现信号被供应至滤光片131，并且滤光片131将再现信号空间的且光学的分离为在线密度方向和/或磁道密度方向上的频带不同的多个信号。被分离的多个信号(例如，两个信号)分别供应至最佳电滤波器132和133，并且电滤波器132和133的相应输出合计直到获得输出信号。

[0156] 在本公开内容中，接收从光盘100反射的光束的光通量，并且该光通量由滤光片7根据在径向方向和正切方向上延伸的划分线被空间的且光学的分为在线密度方向和/或磁道密度方向上的频带不同的多个区域。通过使用与入射至多个区域中的每一个的光的量对应的多个探测信号形成多个通道的探测信号，并且被分别供应至电滤波器。上述自适应均衡器单元对应于电滤波器。矩阵电路104被设置为通过在相应的光接收元件接收经受区域划分的信号光束之后执行计算而具有滤光片的部分功能。

[0157] (区域划分模式)

[0158] 首先，将参考图8的A至图8的D给出本说明书中的区域划分模式的实例的描述。此外，附图中的圆形表示光束的光通量的横截面的外周。例如，正方形表示由用于分离为多个区域的诸如全息光学元件的衍射元件、诸如微透镜阵列和微棱镜的折射元件等构成的光路转换元件的区，即，滤光片的区域、或者探测光探测器的光接收单元的区。此外，在区域划分附图中，上方向和下方向对应于返回光通量的正切方向，并且左方向和右方向对应于径向方向。此外，图8的A至图8的D中示出的区域划分模式仅是说明性的，并且可以采用除了图8的A至图8的D中示出的模式之外的模式。例如，不限于直线，划分线可以是诸如圆弧的曲线。

[0159] (模式IVT4)

[0160] 图8的A中示出的模式IVT4是具有也在图2中示出的四个区域的实例。即，光束在径向方向上划分为外部区域A(＝A1+A2)和中部区域B，并且在正切方向上划分为上部区域C(C1+C2+C3)和下部区域D(D1+D2+D3)。获得对应于每一个区域的探测信号。在此，当瞳孔半径假设为1.0时，径向方向上的区域划分位置被设置为位于±0.5和±0.7的位置。当瞳孔半径假设为1.0时，正切方向上的区域划分位置被设置为位于±0.45和±0.65的位置。

[0161] 对应于划分模式IVT4的四通道信号可基于来自分别对应于区域A、B、C和D的四个光接收单元的输出生成，或者四通道信号可通过使用矩阵电路基于来自对应于包括区域A1、A2、B、C和D的五个区域的五个光接收单元的输出生成。在后者情况下通过使用矩阵电路从五个信号生成四个通道的配置中，通过将相同划分设置为基本类型可以实现以下各种划分模式。

[0162] IVT4：Ch1＝A1+A2,Ch2＝B,Ch3＝C,Ch4＝D

[0163] IVR4：Ch1＝C+D,Ch2＝B,Ch3＝A1,Ch4＝A2

[0164] IVi4：Ch1＝C,Ch2＝B+D,Ch3＝A1,Ch4＝A2

[0165] (模式IVT4H)

[0166] 图8的B中示出的模式通过改变相应区域的形状及其布置获得，以致当遵循IVT4的滤光片配置时改善相对高的线密度的特性。图9中示出了更详细的模式尺寸。

[0167] (模式IV3)

[0168] 图8的C中示出的模式通过将IVT4的外通道(C和D)聚集到一个通道C中获得。

[0169] (模式IV3ts0.2)

[0170] 图8的D中示出的模式IV3ts0.2通过例如以20％的光通量半径在正切方向上偏移IV3而获得。

[0171] (模式H3A)

[0172] 如下获得图8的E中示出的模式H3A。光束通过在正切方向上延伸的两个划分线被划分为径向方向上包括内区域和外区域B(B1+B2)的两个区域。此外，内区域通过在径向方向上延伸的划分线被划分为上侧和下侧。根据此，区域C1和C2形成在正切方向上的上侧和下侧，并且其余中部区域被设置为A。即，模式H3A是用于划分为包括区域A、区域(B1+B2)、区域C(＝C1+C2)这三个区域的模式。根据此，获得对应于这三个区域的三通道信号。

[0173] (模式R2和R3)

[0174] 模式R2和R3(图8的F和图8的G)是比较模式以阐明由于本公开内容的配置引起的效果。模式R2和R3对应于以下实例：其中，光束通过在正切方向上延伸的两个划分线被划分为包括径向方向上的区域A、和区域B(＝B1+B2)或者区域B和C的三个区域。在模式R2的情况下，对应于区域B1和B2的光接收信号的电信号彼此相加，并且成为一通道信号。即，获得内通道(区域A)和外通道(区域：B1+B2)的两通道(R2)信号、或者内通道(区域A)和外通道(区域B和C)的三通道信号。在此，当瞳孔半径假设为1.0时，径向方向上的区域划分位置被设置为位于±0.55的位置。除此之外，随后还将描述结合在专利文献2和专利文献3以及PRML探测方法的技术的情况下基于模式R2/R3和模式H3A的划分通过执行特性比较获得的结果。

[0175] (关于每个模式的模拟结果)

[0176] 图10示出了关于图8的A至图8的G中示出的六个模式的模拟结果。作为信号指数值，使用e-MLSE，并且信号指数值应该应用在以下模拟中。在与BDXL(注册商标)相比记录密度被设置为更高的情况下，可能导致误差的数据模式变得彼此不同。因此，作为相关技术中的信号指数值的i-MLSE的误差成为问题。在此，在本公开内容中，作为相对高的线密度中的信号指数值的精确性改善所需的、添加了新数据模式并且不同于i-MLSE的信号评估值用于说明效果。在下文中，精确性被改善的新的指数值被称为e-MLSE。

[0177] 在e-MLSE中添加的数据模式包括以下三种模式。

[0178] 在模式阵列按照“1”写入的位表示位转换出现在关于探测模式的错误模式中的地点。

[0179] 加法模式(1)：10111101

[0180] 加法模式(2)：1011110111101

[0181] 加法模式(3)：10111100111101

[0182] 以供参考，与在i-MLSE的精确性充分的相关技术的BDXL(注册商标)中相同的线密度中，e-MLSE和i-MLSE接近于彼此匹配，并且误差改善的差值在较高线密度中示出。在实际应用中重要的指数值关于误码率的理论相关在每种情况下是相同的。因此，存在计算方面的差值以及应用线密度的范围内的差值，但是在这种情况下可通过相同感测识别信号质量的评估值。此外，在本公开内容中，可以使用除了e-MLSE之外的指数。随后将补充由于在线密度变高的情况下可能导致误差的数据模式中的差值导致的e-MLSE与i-MLSE之间的差值。

[0183] 在下文中，将基于关于相应模式的模拟结果进行描述。模拟条件如下。

[0184] Tp＝0.225μm(在岸台和沟槽这两者中)，NA＝0.85

[0185] PR(1233321)评估指数：e-MLSE沟槽深度(1/15)λ

[0186] 记号宽度＝Tp×0.7存在圆盘噪声和安培噪声

[0187] 抽头1T-间隔31抽头

[0188] 扰动原点(离焦、圆盘歪斜等全部被设置为原点的状态)

[0189] 此外，当在具有120mm直径的圆盘中磁道间距Tp为0.32μm时，假设线密度通过使用性能被表示为LD(特征容量为Tp＝0.32μm)。

[0190] 在图10中的模拟结果中，通过e-MLSE表示的曲线图是未执行区域划分情况下的结果。如可以从图10看出，在不使用本公开内容的配置的R3中，e-MLSE在LD35GB处不显著下降。以供参考，在扰动原点处，R2和R3具有接近相同的特性。在H3A和IV3中，可以在LD35GB处减少e-MLSE，但是不设置在正切方向上的中心位置不同的通道，并且因此由于高线密度导致的劣化明显。此外，在H3A中，与其中滤光片形状相对最佳的IV3相比，e-MLSE即使在LD35GB处也稍微较高，并且随着线密度增加，差值增加。

[0191] 在正切方向上从模式IV3偏移的模式IV3ts0.2可以在给予中心为重点的正切方向上示出外通道与中央通道之间的中心位置的差值，并且因此可以稍微抑制由于高线密度导致的劣化。

[0192] 在设置有在正切方向上的中心位置不同的通道的IVT4中，可以看出，与径向方向和正切方向上的划分位置彼此相同的IV3相比，e-MLSE在LD35GB处可以充分减少，并且在线密度方向上获得对应于LD3GB的高线密度效果。

[0193] 与IVT4相比，在其中通过给高线密度中的特性优先级来优化滤光片形状的IVT4H中，获得对应于LD1GB的高线密度效果。

[0194] 在此，还将比较在结合专利文献2和专利文献3的技术、以及除了本公开内容的配置A至E与用于比较的配置F和G之外的PRML探测方法的情况下的特性。

[0195] 专利文献2和专利文献3公开了以下技术。具体地，关于与用于比较的配置F和G相似的、其区域在径向方向上被划分为三个区域的信号，内区域的信号乘以(加权)常数并且被彼此相加以便消除串扰。然而，专利文献2和专利文献3没有描述高线密度记录中的信号特性改善，其中，在本公开内容中，最短的标记超过光学系统的截止空间频率。在此，图11示出了假设在组合使用PRML探测方法的情况下，通过在与本公开内容的配置相似的由1T-间隔31抽头和PR(1,2,3,3,3,2,1)构成的FIR滤波器的系统中关于LD35GB、LD39GB、LD43GB执行经受常数相乘和加法计算的信号的模拟的结果。可以看出，当加权系数被设置为0.2时，e-MLSE在LD35GB处被改善为与模式R3相同的程度，但是e-MLSE的改善效果在LD39GB处明显减少，并且在LD43GB处几乎没有获得改善效果。

[0196] 此外，专利文献2暗含“即使在波束传播方向上也执行加权以便以强调方式再现小记录标记的再现信号”作为一种理念的配置。因此，关于其中e-MLSE改善效果减少的LD39GB，在对应于H3A的位置处进一步划分中心区域，并且在正切方向上的外侧和内侧执行两倍加权。这个结果对应于LD39GB[2]，但是几乎没有示出暗含的高线密度效果。

[0197] 图12是通过绘制结果获得的，该结果是通过将其中组合专利文献2和专利文献3的技术以及PRML探测方法的示例以及权重系数根据线密度而改变以重叠方式应用至图10中的曲线图所获得的。显然，示出了本公开内容在LD35GB处的配置的底部特性优势以及高线密度中的IVT4和IVT4H的另一优势。

[0198] 在下文中，将描述以下机制，其中，差值基于电-光滤波器特性的配置关于各个模式的差值出现在特性中。

[0199] (专利文献2和专利文献3+PRML、以及模式R2的配置中的电滤波器特性)[0200] 作为本公开内容的比较例，图13示出了在LD35GB和频率振幅特性作为对应于专利文献的应用例的配置中的FIR滤波器和模式R2中的FIR滤波器中的抽头系数的电滤波器的情况下的模拟结果中的抽头系数。模式R2情况下的特性L1表示对应于外区域B的通道的频率振幅特性，并且特性L2表示对应于内区域A的通道的频率振幅特性。

[0201] 在频率振幅特性中，水平轴表示n/(256T)(n：水平轴上的值)。例如，在(n＝64)的情况下，(64/256T)＝(1/4T)。例如，在使用RLL(1,7)PP调制法的情况下，当通道时钟周期被设置为“T”时，标记长度变成2T至8T。(1/4T)表示在重复标记2T的情况下的频率。在LD35GB处，标记2T超过空间的和光学的截止频率，变成其中难以再现的频率区域，并且具有能够再现标记3T的特性。

[0202] 如从图12中的LD35GB处的e-MLSE在所有情况下是相同的结果可以看出的，抽头系数和频率振幅特性这两者的形状没有大的差异。此外，在LD35GB(扰动原点)处，即使在专利文献的应用例的配置中，接近的相同特性由连接独立用于模式R2的各个通道的电滤波器的配置获得，并且在诸如R2和R3的情况下，通过提供独立的电滤波器获得的另一效果被限制。

[0203] (模式H3A中的自适应电-光滤波器的特性)

[0204] 在模式H3A中，除了径向方向之外还在正切方向上执行区域划分，并且该划分被空间和光学地执行为在线密度方向和轨道密度方向上的频带不同的信号的三个区域。由各个区域的信号形成的三通道信号被允许通过在频率和相位特性方面不同的电滤波器并且彼此相加。根据此，与其中划分仅在径向方向上执行的配置相比，再现性能被进一步增强。

[0205] 图14中示出了在LD35GB的情况下的模式H3A(参考图8的A至图8的G)的自适应电-光滤波器特性。在频率振幅特性中，水平轴表示n(256T)(n：水平轴上的值)。例如，在(n＝64)的情况下，(64/256T)＝(1/4T)。例如，在使用RLL(1,7)PP调制法的情况下，当通道时钟周期被设置为“T”时，标记长度变成2T至8T。(1/4T)表示在重复标记2T的情况下的频率。特性L1是对应于径向方向上的外区域B的通道的频率振幅特性，特性L2是对应于正切方向上的外区域C的通道的频率振幅特性，并且特性L3是对应于中心区域A的通道的频率振幅特性。此外，这些特性是扰动原点处的特性实例。

[0206] 图15的A示出了模式H3A的每个通道的抽头系数。例如，FIR滤波器的抽头数量被设置为31个抽头。图15的B示出了每个通道的频率相位特性。频率相位特性表示三个通道中的两个通道之间的相位差。特性L11表示分别对应于正切方向上的外区域C和径向方向上的外区域B的通道的再现信息信号之间的相位差。特性L12表示分别对应于中心区域A和径向方向上的外区域B的通道的再现信息信号之间的相位差。特性L13表示分别对应于正切方向上的外区域C和中心区域A的通道的再现信息信号之间的相位差。

[0207] 如上所述，H3A的滤波器特性具有以下特性。

[0208] 在振幅、相位和频率特性方面大大不同的滤波器被构造在三个通道的各个区域中，并且因此可以实现满意的信号再现。

[0209] 在对应于3T信号的频带处(水平轴上的值43附近的、由虚线包围)，正切方向上的中心区域、外区域C和径向方向上的外区域B的相位被设置为相互偏离180deg。

[0210] 中心区域被设置为阻断对应于4T信号的频带(水平轴上的值32附近的、由虚线包围)的特性以抑制由于串扰导致的错误信号。

[0211] 正切方向上的外侧必须有助于短标记再现，并且因此对应于8T信号的频带(水平轴上的值16附近的、由虚线包围)被阻断，并且在低于8T信号的频带处，径向方向上的中心区域A和外区域B、以及正切方向上的外区域C的相位被设置为相互偏离180deg。

[0212] 以此方式，为每个区域构造高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器和带阻(或者陷波)滤波器等，并且因此仅通过光学方式或者仅通过电气方式不能实现的滤波器特性被实现。

[0213] 此外，在本说明书的描述中，自适应均衡器单元(FIR滤波器)的抽头系数被适当控制。然而，在从模拟结果获得最佳抽头系数的情况下，可以使用其中抽头系数是固定的均衡器单元，或者可以使用除了FIR滤波器以外的具有相同特性的模拟滤波器和数字滤波器。从性能的视点来看，自适应类型是优良的，但是抽头系数的自适应控制可能未执行，并且因此可以使处理和硬件简化。此外，在多个通道的一部分处可以使用固定型均衡器单元，并且在其他通道处可以使用自适应均衡器单元。

[0214] (用于模式IVT4最佳的电滤波器)

[0215] 如从图12可以看出，与在正切方向上的中心位置没有设置不同的通道的模式R3、H3A和IV3相比，IVT4在LD35GB处具有非常满意的e-MLSE特性，并且即使在被设置为高线密度的情况下，IVT4也可以保持e-MLSE是满意的状态。

[0216] 将描述用于IVT4最佳的电滤波器。首先，图17的A中示出了在LD35GB的情况下对应于区域A至区域D的各个通道的抽头系数(FIR滤波器的抽头数量被设置为31个抽头)，图16中示出了频率振幅特性，并且图17的B中示出了频率相位特性。频率相位特性表示对应于正切方向上的外区域C的通道与对应于正切方向上的外区域D的通道之间的相位差。

[0217] 图16以及图17的A和图17的B中的IVT4的滤波器特性具有以下特性。

[0218] 与模式H3A相似，中心区域被设置为低通特性，并且正切方向上的外区域被设置为高通特性(关于在此陈述的“高通”，在有助于信号再现的频带中，允许对应于相对短的标记的频带通过的带通特性相对地被描述为“高通”)。

[0219] 此外，在模式IVT4中，正切方向上的外区域由两个通道单独构成，并且两个区域在对应于3T和4T的频带(水平轴上的值43和32的附近)处构成具有约120deg至90deg(如从抽头系数可以看出的，约2个时钟)的相位差的滤波器。根据此，关于按照总信号的简单再现振幅，关于短标记的相对高的灵敏性的探测是可能的。关于短标记再现，还通过利用区域之间的相位差实现满意的再现信号特性，并且相位差的应用还有助于相对高的线密度中的满意的特性。

[0220] 在对应于4T(水平轴上的值32的附近)和3T(水平轴上的值43的附近)的频带中，几乎不包含频带的信号分量的区域B以低通滤波器特性抑制区域中的串扰分量和其他噪声分量，减少由于C与D之间的相位差导致的串扰分量，并且通过与A是频率振幅特性的平衡删除剩余的串扰分量。因此，不必升高C、D、以及A除了必需以外的频率振幅特性，并且这也导致满意的再现信号特性的实现。

[0221] 在高的线密度中，有效的是延长PRML的约束长度。例如，作为约束长度被设置为9的实例，图18中示出了被设置为PR(1,2,3,4,4,4,3,2,1)的情况下的模拟结果。

[0222] 模拟条件如下。

[0223] Tp＝0.225μm(在岸台和沟槽这两者中)，NA＝0.85

[0224] PR(123444321)评估指数：e-MLSE沟槽深度(1/15)λ

[0225] 标记宽度＝Tp×0.7圆盘噪声和Amp噪声存在

[0226] 抽头1T-间隔31个抽头

[0227] 扰动原点(离焦、圆盘歪斜等全部被设置为原点的状态)

[0228] 此外，假设以与使用PR(1,2,3,3,3,2,1)的情况相似的方式，线密度通过使用当轨道间距Tp在具有120mm直径的圆盘中是0.32μm的性能容量被表示为LD(Tp＝0.32μm的性能容量)。

[0229] 在图18中的模拟结果中，通过e-MLSE表示的曲线图是不执行区域划分情况下的结果。如从图18可以看出的，与PR(1,2,3,3,3,2,1)的情况相似，在正切方向上的中心位置没有设置不同的通道的IV3中，由于高的线密度的劣化显著。与径向方向和正切方向上的划分位置彼此相同的IV3相比，在正切方向上的中心位置设置有不同的通道的IVT4中，可以看出对应于LD3GB的高线密度效果还被提供在线密度方向上。

[0230] 确认的是，与IVT4相比，在其中通过给高线密度中的特性优先级来优化滤光片形状的IVT4H中，获得对应于LD1GB的高线密度效果。

[0231] 如上所述，为了实现光盘的高密度，在线密度方向上的高密度通过缩短通道位长度(即，标记长度)实现，并且轨道密度方向上的高密度是通过使轨道间距变窄实现的，记录标记被二维布置在信号记录面上。

[0232] 光盘中的再现信号探测由于记录标记、沟槽等的周期性结构生成的衍射光束互相重叠且互相干涉时出现的明和暗的变化。在由于周期p的周期性结构导致的±主衍射光束中，在如图19的A所示的瞳孔半径被设置为1的情况下，中心的偏移量由λ/(NA×p)表示。重叠越大，再现信号的振幅越大，并且重叠越小，再现信号的振幅越小。当重叠消失时，即，偏移量λ/(NA×p)变成2，振幅变成零。因此，调制传递函数(MTF)的空间频率特性变成如图19的B所示。因为λ/(NA×p)是2，所以截止空间频率变成1/p＝2NA/λ。在小于截止空间频率的周期性结构继续的情况下，振幅变成零。

[0233] 如上所述，当应用于波长是405nm并且NA是0.85的系统时，获得1/p＝2NA/λ，并且p＝λ/(2NA)＝238nm变成最小的可再现周期性结构。这表示在作为低线密度举例说明的RLL(1,7)PP中的53nm/通道位的系统(LD35.2GB)中，最短的2T标记/空间变成53nm×2×2＝212nm，这超过截止空间频率，并且2T标记/空间的连续的振幅变成零。关于对应于53nm×3×2＝318nm的3T标记/空间的周期性结构，偏移量λ/(NA×p)变成1.50，并且因此图19的C中零阶光束和±主光束互相重叠的区域有助于信号再现。在高线密度被稍微提高的情况下，并且因此获得45.47nm/通道位的系统(LD41GB)，最短的2T标记/空间变成45.47nm×2×2＝
182nm，并且这个超过截止空间频率。此外，关于对应于3T标记/空间45.47nm×3×2＝273nm的周期性结构，偏移量λ/(NA×p)变成1.75。因此，图19的D中零阶光束和±主光束互相重叠的区域有助于信号再现。即使在通过PRML使2T标记/空间的振幅变成零的密度中，信号处理也不会发生故障，但是短标记再现质量是一个重要因素。

[0234] 如上所述，在模式H3A和模式IVT4的电-光滤波器特性中，正切方向上的外区域被设置为通过对应于诸如3T和4T的短标记的频带的高频带的高通滤波器，并且中心区域被设置为经常通过对应于5T以上的长标记的频带的低通滤波器。如从图19的C和图19的D中可以看出的，上述滤波器配置表示通过将进一步有助于对应于空间的和光学的短标记的频带再现的区域和进一步有助于对应于长标记的频带再现的区域有效地分离，通过强调其中每个区域中自己的轨道的再现信号分量的比例被预期为高的频率分量，并且通过抑制或阻断其中相邻轨道的再现信号分量的比例被预期为高的频率分量，或者通过与其他信号的平衡删除频率分量来实现自己轨道的再现信号质量的增强。此外，在IVT4的情况下，来自正切方向上的两个外区域的信号被允许具有相位差，并且因此关于总信号的简单再现振幅，关于短标记的具有相对高的灵敏性的探测是可能的。然而，如从图19的C与图19的D之间的比较可以看出的，随着线密度变高，不仅可以有助于2T标记/空间而且有助于3T标记/空间的再现的区域也减少，并且因此可进入对总共信号的简单再现大大不利的情形。在IVT4的情况下，通过相位差探测抑制由于高灵敏度导致的特性劣化。

[0235] 如上所述，至于分离为在线密度方向和/或轨道密度方向上的频带中在空间的和光学的不同的多个信号，区域划分在正切方向和径向方向上执行，并且具有用于相应信号的相应光学特性的诸如高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器和带阻(或者陷波)滤波器的电滤波器应用于来自相应区域的信号，然后这些信号加起来。根据此，可以获得其中码间干扰和从相邻轨道的信号漏泄减少的令人满意的再现信号。

[0236] 当构造有效地分离频带中空间的和光学的不同而不是在正切方向和径向方向上简单的区域划分的信号的诸如IVT4和IVT4H的滤波器时，在扰动中心的位置处可以获得令人满意的e-MLSE，并且可以放大包括径向彗形象差裕度的各种裕度。在图19的E中，关于根据对应于短标记再现的轨道结构的*-附加的衍射光束，有效的是不仅分离零阶光束区域的信号，而且分离具有由于轨道结构的±主衍射光束的干扰区域(利用O附加)的信号。

[0237] 如图14和图16中的特性所示，径向方向上的外区域(A1和A2)被设置为超过宽频带的高增益，并且因此该区域对噪声敏感。此外，当正切方向上的外通道被提供时，对于高线密度是有利的。

[0238] (放大器噪声的效果)

[0239] 图20示出了由放大器噪声表示的随机噪声的效果的模拟结果。在图20中，使用PR(1233321)的PRML。附图中示出了关于IVT4和IVT4H的模拟结果。IVT4(Na+0)与IVT4(NA+3dB)之间的关系表示由放大器噪声表示的随机噪声增加3dB的情况。这对IVT4H(Na+0)与IVT4H(Na+3dB)也是成立的。

[0240] 如从图20可以看出的，其中径向方向上的外通道的区域(光的量)大的配置以及其中正切方向上的外通道的区域(光的量)大的配置对由放大器噪声表示的随机噪声的增加也是有效的(可替代地，其应该适用于由于信号光的量减少导致的由放大器噪声表示的随机噪声的相对增加)。

[0241] 图21示出了由放大器噪声表示的随机噪声的效果的模拟结果。在图21中，使用PR(123444321)的PRML。附图中示出了关于IVT4和IVT4H的模拟结果。附图中示出了以上描述的相似内容。

[0242] 图22的A示出了由放大器噪声表示的随机噪声的效果的模拟结果。在图22的A中，图22的A中使用PR(123444321)的PRML。附图中示出了关于IVT4模拟结果(图22的B中示出)。在此，当假定除了放大器噪声之外的随机噪声足够小时的效果被示出，并且为了更简化，放大器噪声主要作为随机噪声。

[0243] 在图22的A中，(R 2amp)表示径向方向上的外通道A1和A2分别通过单独的探测器接收到并且通过IV放大器彼此相加的情况。使用两个IV放大器，并且因此放大器噪声增加。(T 2amp)表示正切方向上的一个通道C或者D使用两个放大器的情况，并且(C 2amp)表示中心通道使用两个放大器的情况。(Na+3dB)表示全部四个通道使用两个放大器。

[0244] 图23示出了放大器噪声的效果的模拟结果。在图23的A中，使用PR(123444321)的PRML。

[0245] 附图中示出了关于IVT4H的模拟结果(图23的B中示出)。在图23的A中，(R 2amp)、(T 2amp)、(C 2amp)和(Na+3dB)的意思与图22的A中的相似。

[0246] 如从上述情况可以看出的，e-MLSE值由于放大器噪声的增加或者信号量的减少导致劣化了1％至2％(0.01至0.02)，并且因此重要的是设计能够减少放大器噪声，并且能够在不劣化记录信号的范围内确保足够的再现力和足够的信号量的圆盘反射率。

[0247] (最佳的PR等级)

[0248] 在上述描述中，为了简化，示出了通过将LD35GB至LD45GB的线密度范围固定至具有约束长度为7的PR(1,2,3,3,3,2,1)、以及LD39GB至LD55GB的线密度范围被固定至具有约束长度为9的PR(1,2,3,4,4,4,3,2,1)而获得的模拟结果。

[0249] 然而，实际上，最佳的PR等级根据滤光片的形状(具体地，是否提供对应于在正切方向上的中心位置不同的多个区域的通道)或者根据信号记录密度(具体地，线密度方向上的密度被设置为一定程度的配置)变得不同。

[0250] 作为PR等级，可以考虑各种等级。关于本公开内容中假设的被认为对滤光片和信号记录密度有效的各种PR等级，自适应的等效目标频率特性被示出在与图24中的电滤波器相似的水平轴(n/256T)上。作为指定各个PR等级的特性的指数值，有效的是使用对应于水平轴上的“32”，即，4T标记/空间的频率中的水平轴上的等效目标(目标级)的值(PR-TL(4T))。在高的线密度中，空间的和光学的截止频率偏移至水平轴方向上的左侧，并且因此对应于最佳的PR等级的PR-TL(4T)减少。

[0251] 实际上，以下示出了通过关于圆盘执行信号再现而获得的结果，该圆盘被制备为具有单面三层结构并且在该圆盘上通过使用设置有包括对应于在正切方向上的中心位置不同的多个区域的通道的滤光片的配置、以及设置有没有包括通道的滤光片的配置以多个信号记录密度执行记录。

[0252] 实验条件如下。

[0253] 盘

[0254] 记录面：单面三层结构

[0255] Tp＝0.225μm(在岸台和沟槽这两者中)

[0256] 沟槽深度：约(1/16)λ

[0257] 以下面信号记录密度关于岸台和沟槽这两者执行多轨道记录。

[0258] 信号记录密度

[0259] LD35.18GB(53nm/通道位)50.0GB/层，相当于两面六层中的300GB

[0260] LD41.1GB(45.4nm/通道位)58.5GB/层，相当于两面六层中的351GB

[0261] LD47.0GB(39.7nm/通道位)66.8GB/层，相当于两面六层中的401GB

[0262] 再现光学系统

[0263] NA＝0.85 波长：405nm

[0264] 滤光片

[0265] 图25中描述的两种类型

[0266] VHT4：总共四个通道的信号被获得。四个通道包括对应于在正切方向上的中心位置不同的三个区域B、D和E的三个通道、以及对应于径向方向上的外区域A(A1+A2)的一个通道。VHT4是具有非常接近于上述IVT4中的特性的滤光片。VHT4被设置为包括在正切方向上的中心位置不同的多个区域的类型(T类型)的典型实例。

[0267] JR4：未提供对应于在正切方向上的中心位置不同的多个区域的通道。总共四个通道的信号被获得。四个通道包括对应于在径向方向上的中心位置不同的三个区域C、E和D的三个通道、以及对应于正切方向上的外区域(A+B)的一个通道。JR4被设置为包括在径向方向上的中心位置不同的多个区域的类型(R类型)的典型实例。

[0268] 自适应均衡器

[0269] 抽头：2T-间隔25个抽头(49T宽度)

[0270] 具有抽头初始值(图26的A和图26的B中示出了实例)

[0271] PR等级

[0272] 等级包括表1中描述的PR(1,2,3,3,3,2,1)和PR(1,2,3,4,4,4,3,2,1)并且在PR-TL(4T)＝0.128至0.471的范围内

[0273] 评估指数

[0274] e-MLSE

[0275] [表1]

[0276]PR-TL(4T)
ISI7 PR(1，5，6，8，6，5，1) 0.471
ISI7 PR(1，3，4，5，4，3，1) 0.440
ISI7 PR(2，4，6，7，6，4，2) 0.408
ISI7 PR(1，2，3，3，3，2，1) 0.389
ISI7 PR(1，1，2，2，2，1，1) 0.341
ISI9 PR(1，5，6，10，11，10，6，5，1) 0.292
ISI9 PR(2，7，9，14，16，14，9，7，2) 0.274
ISI9 PR(1，3，4，6，7，6，4，3，1) 0.264
ISI9 PR(2，6，8，11，14，11，8，6，2) 0.251
ISI9 PR(1，2，3，4，5，4，3，2，1) 0.233
ISI9 PR(4，7，11，15，17，15，11，7，4) 0.223
ISI9 PR(2，3，5，7，7，7，5，3，2) 0.211
ISI9 PR(1，2，3，4，4，4，3，2，1) 0.201
ISI9 PR(6，9，15，19，20，19，15，9，6) 0.188
ISI9 PR(6，10，15，20，20，20，15，10，6) 0.181
ISI9 PR(4，6，9，12，12，12，9，6，4) 0.169
ISI9 PR(7，9，14，18，19，18，14，9，7) 0.154
ISl9 PR(7，8，12，15，17，15，12，8，7) 0.128

[0277] 图27示出了LD35.18GB(53nm/通道位)、50.0GB/层(相当于两面六层中的300GB)的情况下的实验结果。

[0278] 图28示出了在LD41.1GB(45.4nm/通道位)、58.5GB/层(相当于两面六层中的351GB)的情况下的实验结果。

[0279] 图29示出了在LD47.0GB(39.7nm/通道位)、66.8GB/层(相当于两面六层中的401GB)的情况下的实验结果。

[0280] 水平轴表示以对应于再现中使用的PR等级的4T标记/空间的频率的等效目标值PR-TL(4T)，并且垂直轴表示足够宽广部分中的e-MLSE(描述为百分比)的平均值。

[0281] 按照T-类型的指示对应于使用VHT4的情况，按照R-类型的指示对应于使用JR4的情况，(G)表示在岸台和沟槽这两者上执行记录的区域中的沟槽再现，并且(L)表示岸台再现。

[0282] 如从图27和表1可以看出的，在LD35.18GB下，在R-类型JR4的情况下，当结合岸台和沟槽接近于PR(1,1,2,2,2,1,1)的PR-TL(4T)是0.325至0.33时获得最佳值。在T-类型VHT4的情况下，当结合岸台和沟槽的PR-TL(4T)是0.41或者更大时e-MLSE特性变得接近于平坦。如上所述，可以看出光学PR等级在R-类型与T-类型之间是不同的。此外，当模拟中使用的PR(1,2,3,3,3,2,1)被设置为参考时，R-类型的光学PR-TL(4T)位于小边上，T-类型的光学PR-TL(4T)位于大边上，并且等级是适用于在固定PR中比较的PR等级。

[0283] 如从图28和表1可以看出的，在LD41.1GB下，R-类型JR4的岸台在PR(2,3,5,7,7,7,5,3,2)附近具有最佳的e-MLSE，R-类型JR4的沟槽在PR(4,7,11,15,17,15,11,7,4)附近具有最佳的e-MLSE，T-类型VHT4的岸台在PR(2,6,8,11,14,11,8,6,2)附近具有最佳的e-MLSE，并且T-类型VHT4的沟槽在PR(1,3,4,6,7,6,4,3,1)附近具有最佳的e-MLSE。如上所述，最佳的PR等级在R-类型与T-类型之间是不同的，并且最佳的PR等级在岸台与沟槽之间是不同的。

[0284] 如从图29和表1可以看出的，在LD47.0GB下，R-类型JR4的岸台在PR(7,9,14,18,19,18,14,9,7)附近具有最佳的e-MLSE，R-类型JR4的沟槽在PR(4,6,9,12,12,12,9,6,4)附近具有最佳的e-MLSE，并且T-类型VHT4的岸台和沟槽这两者在PR(6,9,15,19,20,19,15,9,
6)附近具有最佳的e-MLSE。在此，即使在实验中使用的最佳的PR等级在所有情况下都相同的情况下，也可以看出，从PR-TL(4T)值的方面来说PR等级在岸台与沟槽之间是不同的。

[0285] 在此，当在高线密度条件下的模拟中使用的PR(1,2,3,4,4,4,3,2,1)被设置为参考时，可以看出LD41.1GB处的最佳的PR-TL(4T)位于R-类型和T-类型这两者中的大边上，LD47.0GB处的最佳的PR-TL(4T)位于R-类型和T-类型这两者中的小边上，并且该等级是用于固定PR中的比较的合适的PR等级。

[0286] 图30是通过关于R-类型和T-类型的岸台和沟槽中的每一个的条件绘制最佳的PR-TL(4T)与线密度之间的关系获得的。在PR-TL(4T)中e-MLSE变成最佳的并且线密度具有高相关性。因此，当从曲线图获得其中最佳的PR-TL(4T)在R-类型与T-类型之间变成相同的线密度关系时，可以看出线密度对应于约LD3GB，并且在实验中可以确认与在固定的PR的模拟中确定的T-类型的高线密度效果相同的效果。

[0287] 当从多个PR等级中选择最佳的PR等级时，有效的是使用相应的PR-TL(4T)的值作为参考。在将关于对应于另一PR-TL(4T)的多个PR等级的再现特性确认为候选之后，可以选择关于PR-TL(4T)离裕度中心最近的PR等级。

[0288] 图31的A和图31的B示出了选择最佳的PR等级的情况下的e-MLSE和i-MLSE与线密度之间的关系。在选择最佳的PR等级之后执行再现的情况下，可以看出线密度与e-MLSE之间的关系在R-类型和T-类型中以相同的倾角发生线性变化。此外，在LD35.18GB下，可以看出e-MLSE和i-MLSE在R-类型和T-类型中变成大约相同的值，e-MLSE与i-MLSE之间的差随着线密度变高而增加。其原因如下。如上所述，在高线密度的情况下，可能导致误差的数据模式发生变化，并且因此添加模式的e-MLSE与未添加模式的i-MLSE之间的差增加。

[0289] 根据实验结果，与上述模拟结果相比e-MLSE稍差。这个差是通过其中e-MLSE根据测量部分中的记录状态在实验结果中改变约1％的情形、其中在与模拟相比具有单面三层结构的实验圆盘的情况下诸如上述放大器噪声的不规则噪声进一步增加的情形足以解释的差、记录标记中的差等。图32示出了当在关于图28的LD41.1GB处的T-类型VHT4的沟槽增至1.4倍的再现力的情况下添加e-MLSE时的结果，以致掌握由于随机噪声的效应的程度。当再现力增至1.4倍时，可以看出e-MLSE提高约1％。此外，最佳PR等级(PR-TL(4T))还根据再现力稍微发生变化。

[0290] (模式选择的实例)

[0291] 图33示出了根据本公开内容的实施方式的划分模式的实例。执行划分为由A1、A2、B、D、E和F表示的六个区域。在本公开内容中，形成在正切方向上划分的第一区域E和第二区域F。由斜线表示的中心区域是为多层圆盘中的另一层漫射光对策设置的遮光区域。即，遮光区域被设置在正切方向上的±0.15处和径向方向上的±0.35处。此外，相应区域由相应的探测器接收并且被允许通过IV放大器，并且如表2A所示，计算相应的通道。

[0292] [表2A]

[0293]   IVT4M IVR4M IVL4M通道1 A1+A2 E+F E+F
通道2 B+D B+D A1+A2
通道3 E A1 B
通道4 F A2 D

[0294] 如表2A所示，图33中的划分模式的相应区域的探测信号与选定的组合模式(在下文中，适当地称为选择模式)结合以形成以下四个通道Ch1至Ch4。形成选择模式IVT4M、IVR4M和IVL4M。例如，根据表2A结合相应通道的探测器的探测信号。

[0295] 选择模式IVT4M：Ch1＝A1+A2、Ch2＝B+D、Ch3＝E、Ch4＝F

[0296] 选择模式IVR4M：Ch1＝E+F、Ch2＝B+D、Ch3＝A1、Ch4＝A2

[0297] 选择模式IVL4M：Ch1＝E+F、Ch2＝A1+A2、Ch3＝B、Ch4＝D

[0298] 在前述实验结果中IVT4M对应于“T-类型”，并且IVR4M对应于“R-类型”。

[0299] 此外，如表2B所示，可形成五通道输出或者六通道输出，而不限于如上所述通过使用图33中的划分模式形成四通道输出。

[0300] [表2B]

[0301]   IVTR5M IVTL5M IVTL6M通道1 E E E
通道2 F F F
通道3 B+D A1+A2 A1
通道4 A1 B A2
通道5 A2 D B
通道6     D

[0302] 如表2B所示，图33中的划分模式的相应区域的探测信号与选择模式结合以形成以下五个通道Ch1至Ch5或者六个通道Ch1至Ch6。形成选择模式IVTR5M、IVTL5M和IVTLR6M。例如，可根据表2B结合相应通道的探测器的探测信号。

[0303] 选择模式IVTR5M：Ch1＝E、Ch2＝F、Ch3＝B+D、Ch4＝A1、Ch5＝A2[0304] 选择模式IVTL5M：Ch1＝E、Ch2＝F、Ch3＝A1+A2、Ch4＝B、Ch5＝D[0305] 选择模式IVTLR6M：Ch1＝E、Ch2＝F、Ch3＝A1、Ch4＝A2、Ch5＝B、Ch6＝D[0306] (自适应均衡器的实际收敛到达点)

[0307] 关于表2A中示出的相应的选择模式，图34示出了从均衡误差较大的状态开始之后的自适应均衡器收敛的过程期间的模拟结果。然而，放大器噪声和盘噪声被添加，但是诸如缺陷的突发噪声未被添加，并且因此e-MLSE值根据进程通道位长度的增加而改善。图25中示出了作为比较例的模式JR4。图34示出了在线密度是LD35.18GB(50GB/L)以及PR等级是PR(1233321)的情况下的模拟结果。

[0308] 在实际装置中，考虑的是曲线图的水平轴的到达程度根据盘中的基板、记录膜、记录信号质量等而改变。当盘等的质量良好，并且可以良好地进行收敛时，IVT4M具有最令人满意的特性。相反，在盘等的质量不好，并且抑制收敛的信号干扰较大的情况下，可以说其中初始收敛较快的IVR4M是有利的。此外，可以说IVL4M的收敛性能不好。当提供合适的抽头系数初始值时，可以在一定程度上吸收收敛性能中的差异。然而，在盘等的质量不好，并且抑制收敛的信号干扰较大的情况下，收敛性能中的差异反映在特性中的平均差异上。

[0309] 图35示出了在线密度和PR等级改变的情况下的模拟结果。图35示出了其中线密度是(LD44GB(62.5GB/L))，并且PR等级是PR(235777532)的模拟结果。在每个模式的倾向中，如图26中线密度较低的情况，收敛性能在径向方向上的外区域被设置为相应通道，即，R-类型的IVR4M(和JR4)中是优良的。

[0310] 然而，可以看出除了初始收敛之外特性的优良在IVT4M，即T-类型中更显著，并且因此优良的模式根据线密度和圆盘等的质量在能够通过相同划分模式实现的模式之间彼此交换。

[0311] 能够转换通过光电子集成电路(OEIC)等的状态转换利用最初相同的划分模式形成的多个模式(滤光片)的配置对“处理具有各种质量类型的圆盘”、“处理其他密度”等非常有效。

[0312] (模式选择的另一实例)

[0313] 如表3所示的各种光学滤光器可以基于图36中示出的模式IVNST6的划分形成。IVNST6是通过将中心区域B划分为径向方向上的三个区域获得以便基于IVT4增加在径向方向上的频带中空间且光学不同的区域的划分数量。在此，当瞳孔半径被假定为1.0时，径向方向上的区域划分位置被设置为位于±0.25、±0.5和±0.7处的位置，并且正切方向上的区域划分位置被设置为位于±0.45和±0.65处的位置。

[0314] 如表3所示，在四通道输出的情况下，有效的是采用能够在除了IVT4之外的IVTSM4、IVSP4、IVos4和IVR4(区域A被设置为在右侧和左侧单独的通道)中交换至少两个的配置。例如，在利用OEIC实现的情况下，施加至状态转换管脚的电压可以转换为高电平、中间电平和低电平这三个值。此外，即使在不限于四通道输出的五通道输出的情况下，IVTSP5和IVNS5等的转换也是可能的。

[0315] [表3]

[0316]

[0317] <第二实施方式>

[0318] (模式选择)

[0319] 如表4A中所示，执行第二实施方式中的模式选择。

[0320] [表4A]

[0321]  IVT4M(SD) IVT4M IVR4M IVL4M
通道1 A1+A2 A1+A2 E+F E+F
通道2 B+D B+D B+D A1+A2
通道3 E+F E A1 B
通道4 E－F F A2 D

[0322] 当与第一实施方式中的模式选择(表2A)相比时，添加选择模式IVT4M(SD)。

[0323] 选择模式IVT4M(SD)：Ch1＝A1+A2、Ch2＝B+D、Ch3＝E+F、Ch4＝E-F[0324] 即，这个选择模式形成区域E与F之间的和(E+F)和差(E-F)并且将和(E+F)和差(E-F)处理为相应的通道。

[0325] 此外，如上所述，在不限于形成四通道输出的情况下，如表4B所示，可以形成五通道输出或者六通道输出。

[0326] [表4B]

[0327]

[0328] 当与第一实施方式中的选择模式(表2B)相比时，添加选择模式IVTR5M(SD)、IVTL5M(SD)和IVTLR6M(SD)。

[0329] 选择模式IVTR5M(SD)：Ch1＝E+F、Ch2＝E-F、Ch3＝B+D、Ch4＝A1、Ch5＝A2[0330] 选择模式IVTL5M(SD)：Ch1＝E+F、Ch2＝E-F、Ch3＝A1+A2、Ch4＝B、Ch5＝D[0331] 选择模式IVTLR6M(SD)：Ch1＝E+F、Ch2＝E-F、Ch3＝A1、Ch4＝A2、Ch5＝B、Ch6＝D[0332] (电滤波器的频率振幅特性)

[0333] 图37示出了导致IVT4M在LD35.18GB下的相应通道的电滤波器的频率振幅特性。T表示通道Ch3或者Ch4的特性，R外部表示通道Ch1(A1+A2)的特性，并且中心表示通道Ch2(B+D)的特性。特性接近于图16与图17的A和图17的B中示出的IVT4的特性。

[0334] 图38示出了IVT4M(SD)的相应通道的频率振幅特性。T和表示通道Ch3(E+F)的特性，T差表示通道Ch4(E-F)的特性，R外部表示通道Ch1(A1+A2)的特性，并且中心表示通道Ch2(B+D)的特性。可以看出应用于正切方向上的两个T-类型外通道的约90deg至120deg的相位差被分离为和通道(相位差：0)和差通道(相位差：180deg)并且彼此转换。

[0335] (自适应均衡器的实际收敛到达点)

[0336] 关于表4A中示出的相应的选择模式，图39示出了从均衡误差较大的状态开始之后的自适应均衡器收敛的过程期间的模拟结果。然而，放大器噪声和圆盘噪声被添加，但是诸如缺陷的突发噪声未被添加，并且因此e-MLSE值根据进程通道位长度的增加而改善。图25中示出了作为比较例的模式JR4。图39示出了在线密度是LD35.18GB(50GB/L)以及PR等级是PR(1233321)的情况下的模拟结果。在选择模式IVT4M(SD)中，初始收敛快，并且收敛目的地与IVT4M中的相同。

[0337] (抽头系数)

[0338] 图40示出了对应于上述电滤波器的选择模式IVT4M的相应通道的抽头系数。例如，FIR滤波器的抽头数量被设置为31个抽头。图41示出了对应于上述电滤波器的选择模式IVT4M(SD)的相应通道的抽头系数。抽头数量被设置为31个抽头。图40和图41示出了当在线密度是LD35.18GB(50GB/L)并且PR等级是PR(1233321)的情况下执行关于沟槽的记录和再现时的模拟结果。

[0339] 在上述描述中，假设记录在圆盘上的标记利用明和暗区分。然而，实际上，在如图42所示的岸台/沟槽记录方法的情况下，如附图所示，记录标记倾向于倾斜扩展。例如，在岸台和沟槽这两者中标记扩展约+0.03λ。标记的扩展/收缩被称为相位(λ)。正相位表示扩展，并且负相位表示收缩。此外，在从形状方面出现扩展的情况下，但是与标记的中心部相比标记的外围部进一步扩展，并且因此形状看起来收缩，假设在包括相位在代替不均匀作为形状的反射期间变化的记录膜的情况等情况下，在振幅反射率和相位中相等地处理反射率。

[0340] 在下文中，将描述在以下条件下的模拟结果。

[0341] 选择模式：IVT4M(IVT4M(SD))也具有相同特性)和IVR4M

[0342] 密度1：LD35.2GB(53nm/通道位)、PR(1233321)(IS17)

[0343] 密度2：LD44.0GB(42.37nm/通道位)、PR(123444321)(IS19)

[0344] 沟槽深度：(1/16)λ

[0345] Tp＝225nm×2(L/G)、标记宽度：175nm

[0346] 调制度被固定为55％，并且特性在标记L和G的相位在±0.06λ的范围内改变时进行比较。

[0347] 首先，将互相比较密度1的条件(LD35.2GB)下的特性。

[0348] (IVT4M和IVR4M的e-MLSE底特性(LD35GB))

[0349] 图43的A示出了在再现(称为沟槽再现)IVT4M的情况下沟槽中记录的标记的情况下的特性。在图43的A中，正方形图表的垂直轴表示岸台中记录的标记的相位的正和负，正方形图表的水平轴表示沟槽中记录的标记的相位的正和负。在正方形图表中，绘制对应于e-MLSE值的等值线(虚线)。关于e-MLSE，由诸如成角度的a、b、c、d...符号区别。“a”表示e-MLSE值是最小的(令人满意的指数)范围，并且随着它转换为b、c、d...，达到e-MLSE值较大的范围。这个关系还适用于其他附图。图43的B示出了在再现(称为岸台再现)IVT4M的岸台中记录的标记的情况下的特性。

[0350] 图44的A示出了IVR4M的沟槽再现的特性。图44的B示出了IVR4M的岸台再现的特性。

[0351] 当互相比较图43的A和图43的B以及图44的A和图44的B时，可以看出在沟槽再现中的两个选择模式之间不存在大的差，但是在岸台再现中IVT4M优于IVR4M。

[0352] (0.1视场偏差中的IVT4M和IVR4M的e-MLSE(LD35GB))

[0353] 图45的A示出了在当物镜的半径被设置为1时在径向方向上出现0.1视场偏差的情况下IVT4M的沟槽再现的特性。图45的B示出了IVT4M的岸台再现的特性。

[0354] 类似地，图46的A示出了在当物镜的半径被设置为1时在径向方向上出现0.1视场偏差的情况下IVR4M的沟槽再现的特性。图44的B示出了IVR4M的岸台再现的特性。

[0355] 当互相比较图45的A和图45的B以及图46的A和图46的B时，当视场偏离时，在岸台再现中IVT4M通常是优良的。相反，在沟槽再现中IVR4M优于IVT4M。

[0356] (0.1视场偏差(LD35GB)中的IVT4M和IVR4M的e-MLSE的劣化量)

[0357] 图47的A示出了在当物镜的半径被设置为1时在径向方向上出现0.1视场偏差的情况下关于视场的中心的IVT4M的沟槽再现中的e-MLSE劣化量的特性。图47的B示出了IVT4M的岸台再现中的e-MLSE劣化量的特性。

[0358] 类似地，图48的A示出了在当物镜的半径被设置为1时在径向方向上出现0.1视场偏差的情况下关于视场的中心的IVR4M的沟槽再现中的e-MLSE劣化量的特性。图48的B示出了IVR4M的岸台再现中的e-MLSE劣化量的特性。

[0359] 当互相比较图47的A和图47的B以及图48的A和图48的B时，在IVT4M中，标记相位的优点和缺点在沟槽再现与岸台再现之间的倾向是不同的。IVR4M侧的劣化量明显较小。

[0360] (e-MLSE底特性差(当满足IVR4M>IVT4M的关系(LD35GB)时是正值)

[0361] 图49的A示出了沟槽再现中的IVT4M和IVR4M的e-MLSE特性中的差(当e-MLSE值满足IVR4M>IVT4M的关系时是正值)的记录标记相位依从性。类似地，图49的B示出了岸台再现的特性。在沟槽和岸台这两者中IVT4M优于IVR4M。

[0362] 图50的A示出了在视场0.1的情况下沟槽再现中的IVT4M和IVR4M的e-MLSE特性中的差(当e-MLSE值满足IVR4M>IVT4M的关系时是正值)的记录标记相位依从性。在沟槽再现的情况下，IVT4M的特性劣化在0.1视场中较大，并且因此IVR4M总体优于IVT4M。图50的B示出了在0.1视场的情况下岸台再现中的IVT4M和IVR4M的e-MLSE特性中的差(当e-MLSE值满足IVR4M>IVT4M的关系时是正值)的记录标记相位依从性。在岸台再现的情况下，IVT4M的特性劣化在0.1视场中较小，并且因此IVT4M总体优于IVR4M。

[0363] 当互相比较图49的A和图49的B以及图50的A和图50的B时，可以看出在视场的中心处的沟槽再现和岸台再现的任何情况下IVT4M都优于IVR4M，但是在0.1视场的情况下，关系发生变化以致在沟槽再现中IVR4M优于IVT4M，并且在岸台再现中IVT4M优于IVR4M。

[0364] 接下来，将互相比较密度2的条件(LD44.0GB)下的特性。

[0365] (IVT4M和IVR4M的e-MLSE底特性)

[0366] 图51的A示出了IVT4M的沟槽再现的特性。图51的B示出了IVT4M的岸台再现的特性。在附图中，由虚线围绕的e-MLSE值的范围表示e-MLSE的范围。

[0367] 图52的A示出了IVR4M的沟槽再现的特性。图52的B示出了IVR4M的岸台再现的特性。在附图中，由虚线围绕的e-MLSE值的范围表示e-MLSE的范围。

[0368] 当互相比较图51的A和51的B以及图52的A和图52的B时，在沟槽再现和岸台再现的任何情况下IVT4M都绝对优于IVR4M。

[0369] (e-MLSE底特性差(当IVR4M>IVT4M的关系满足(LD44GB)时是正值))

[0370] 图53的A示出了沟槽再现中的IVT4M和IVR4M的e-MLSE特性中的差(当e-MLSE值满足IVR4M>IVT4M的关系时是正值)的记录标记相位依从性。类似地，图53的B示出了岸台再现的特性。

[0371] 从图53的A和图53的B中，可以看出在沟槽再现和岸台再现的任何情况下IVT4M都绝对优于IVR4M，并且当沟槽记录标记相位是负值并且岸台记录标记相位是正值时，优势进一步增加。

[0372] 从上述选择模式IVT4M和IVR4M的模拟结果中，可以看出适当切换与以下实例相似的选择模式是有效的。

[0373] (1)关于具有多个线密度的圆盘，根据线密度切换选择模式。例如，在存在线密度LD35GB和LD44GB的情况下，关注于特性稳定性与物镜的视场偏差，在LD35GB中使用IVR4M，并且关注于底特性的绝对优势，在LD44GB中使用IVT4M。

[0374] (2)选择模式在沟槽再现与岸台再现之间切换。标记相位在许多区域中经常是正值，并且因此在沟槽再现中选择针对视场偏差而言强壮的IVR4M，并且因为视场偏差的影响小所以在岸台再现中选择底特性优良的IVT4M。

[0375] (3)根据多层结构的层位置切换模式。例如，在无机记录膜的情况下，标记相位取决于隔离物(或者覆盖层)/介质层/记录层/介质层/隔离物(或者圆盘基板)的相应材料(硬度、热耗散、记录期间物理性能的变化等)。此外，还可以设置与确定的圆盘的ID(种类)适当一致的选择模式。

[0376] 此外，如上所述，最佳的PR等级根据线密度和滤光片(划分模式)是不同的，并且因此可以通过根据(1)线密度、(2)岸台和沟槽、以及(3)多层结构的层位置选择彼此不同的PR等级实现再现特性的进一步改善。

[0377] (IVT4M(SD)的e-MLSE和抽头系数(LD35GB沟槽记录)

[0378] 在沟槽再现中可以从通道4(E-F)的自适应均衡器的抽头系数的振幅中确定沟槽的标记相位。当还使用另一通道时，可以进一步提高精确性。从e-MLSE方面来说IVT4M和IVT4M(SD)彼此大约相同，但是更容易确定IVT4M(SD)侧的抽头系数与标记相位之间的关系。因此，抽头系数可利用为圆盘评估指数。

[0379] 图54示出了与图43的A相似的IVT4M的沟槽记录标记相位与e-MLSE之间的关系。在图54中，A至I的九个点被设置为标记相位的值。图55的A至图55的C、图56的D至图56的F以及图57的G至图57的I中示出了A至I中的每一个与自适应均衡器的抽头系数之间的关系。附图中的A至I对应于上述标记相位。如从图55的A至图55的C、图56的D至图56的F以及图57的G至图57的I可以看出，在其中沟槽记录标记相位是负值的点(A，D，G)处，对应于差通道4(E-F)的自适应均衡器的抽头系数的振幅大。相反地，随着沟槽记录标记相位变成0(B，E和H)，以及正值(C，F和I)，对应于差通道4(E-F)的自适应均衡器的抽头系数的振幅迅速减少。以此方式，抽头系数以一对一关系对应于沟槽记录标记相位，并且因此可以从抽头系数评估光盘。

[0380] (IVT4M(SD)的e-MLSE和抽头系数(LD35GB岸台记录)

[0381] 在岸台再现中可以从通道4(E-F)的自适应均衡器的抽头系数的振幅中确定岸台的标记相位。当还使用另一通道时，可以进一步提高精确性。从e-MLSE方面来说IVT4M和IVT4M(SD)彼此大约相同，但是更容易确定IVT4M(SD)侧的抽头系数与标记相位之间的关系。因此，抽头系数可利用为圆盘评估指数。

[0382] 图58示出了与图43的B相似的IVT4M的岸台记录标记相位与e-MLSE之间的关系。在图58中，A至I的九个点被设置为标记相位的值。图59的A至图59的C、图60的D至图60的F以及图61的G至图61的I中示出了A至I中的每一个与自适应均衡器的抽头系数之间的关系。附图中的A至I对应于上述标记相位。如从图59的A至图59的C、图60的D至图60的F以及图61的G至图61的I可以看出，在其中岸台记录标记相位是正值的点(A，B，C)处，对应于差通道4(E-F)的自适应均衡器的抽头系数的振幅大。相反地，随着岸台记录标记相位变成0(D，E和F)，以及负值(G，H和I)，对应于差通道4(E-F)的自适应均衡器的抽头系数的振幅迅速减少。以此方式，抽头系数以一对一关系对应于岸台记录标记相位，并且因此可以从抽头系数评估光盘。

[0383] 关于上述选择模式IVT4M(SD)、e-MLSE和抽头系数，可以适当地从模拟结果切换选择模式。以下将描述其实例。

[0384] (4)与通过自适应均衡器优化的抽头系数的状态对应地切换模式。

[0385] (4')具体地，在其中使用正切方向上的多个区域之间的和CH和差CH的系统中的差通道的振幅被用作指数。

[0386] <3.第三实施方式>

[0387] 适用于高线密度的光盘的物理格式从上述光学介质再现装置的实施方式中受到限定。

[0388] 磁盘格式的第一实例：在与沟槽相比，岸台侧的线密度被设置为较高。当认为考虑到视场特性等，R-类型滤光片被选定用于沟槽以及T-类型滤光片被选定用于岸台时，如果使用线密度在岸台侧被设置为较高的格式，则可以增加总容量。

[0389] 磁盘格式的第二实例：在跟踪写入边上再现信号可能是令人满意的，并且岸台被设置为跟踪写入边。

[0390] 磁盘格式的第三实例：当使用正切方向上的多个区域之间的和与差作为参考驱动来再现通道的系统时，差通道的振幅被设置为圆盘中的预定范围。

[0391] <4.变形例>

[0392] 在上文中，已经详细地描述了本公开内容的实施方式，但是基于本公开内容的技术精神可以做出各种修改，不限于相应的实施方式。例如，激光源的波长、轨道间距、记录线密度等的数值仅是说明性的，并且可以使用其他数值。此外，作为用于评估再现性能的指数，可以使用其他上述指数。此外，本公开内容可应用于关于光盘仅执行记录和再现中的一个的光盘驱动器。

[0393] 此外，在不偏离本公开内容的要旨的范围内，上述实施方式中的配置、方法、过程、形状、材料、数值等可彼此组合。

[0394] 此外，本公开内容也可以采用以下配置。

[0395] (1)一种光学介质再现装置，包括：

[0396] 光源；

[0397] 物镜，允许从所述光源发射的光束聚集在光学介质上；

[0398] 探测单元，将从所述光学介质反射的光束的光通量划分为多个区域，并且利用所选择的组合模式，组合与入射至所述多个区域中的每一者的光量对应的多个探测信号以形成多个通道的信号，所述多个区域包括在径向方向和/或正切方向上的位置不同的第一区域和第二区域；

[0399] 多输入均衡器单元，包括被分别供应了所述多个通道的所述信号的多个均衡器单元，所述多输入均衡器单元计算所述多个均衡器单元的输出，并且输出结果值作为均衡信号；以及

[0400] 二值化单元，对于所述均衡信号执行二值化处理以获得二进制数据，[0401] 其中，包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的常数相乘的加法信号通道包括在所述组合模式中的至少一者中。

[0402] (2)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0403] 其中，在所述正切方向上，所述第一区域和所述第二区域布置在不同的位置处。

[0404] (3)根据项(2)所述的光学介质再现装置，

[0405] 其中，所述组合模式中的至少一者中包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和信号通道、以及所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的差值信号通道。

[0406] (4)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0407] 其中，所述多输入均衡器单元设置为多输入自适应均衡器单元的配置，并且[0408] 滤波系数的初始值结合所述组合模式的变化而变化。

[0409] (5)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0410] 其中，所述多输入均衡器单元被设置为多输入自适应均衡器单元的配置，并且[0411] 所述光学介质再现装置进一步包括均衡误差计算单元，所述均衡误差计算单元从基于所述二值化单元中的二值化探测结果获得的均衡目标信号、以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的所述均衡信号获得均衡误差，并且将所述均衡误差供应至所述自适应均衡器单元作为用于自适应均衡的控制信号。

[0412] (6)根据项(5)所述的光学介质再现装置，

[0413] 其中，所述多输入自适应均衡器单元对于输出信号执行部分响应均衡处理，[0414] 所述二值化单元执行最大似然解码处理作为对于所述多输入自适应均衡器单元的所述均衡信号的二值化处理，并且

[0415] 所述均衡误差计算单元通过使用所述最大似然解码获得的二值化探测结果的卷积处理获得的均衡目标信号、以及从所述多输入自适应均衡器单元输出的均衡信号的计算，获得均衡误差。

[0416] (7)根据项(5)所述的光学介质再现装置，

[0417] 其中，所述多输入自适应均衡器单元对于输出信号执行部分响应均衡处理，并且根据所述组合模式的设置，选择所述部分响应均衡处理的等级。

[0418] (8)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0419] 其中，所述探测单元包括与所述多个区域对应地划分的探测器，并且[0420] 从所述光探测器取出所述多个区域的探测信号。

[0421] (9)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0422] 其中，用于分离所述多个区域的光路转换元件布置在穿过所述物镜并且到达探测器的光路上，并且被所述光路转换元件分离的多个光束分别输入至相互不同的探测器。

[0423] (10)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0424] 其中，在所述光学介质中，交替形成岸台和沟槽，并且

[0425] 再现作为信息记录在所述岸台和所述沟槽中的光场景。

[0426] (11)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0427] 其中，所述组合模式设置为与所述光学介质的线密度对应。

[0428] (12)根据项(10)所述的光学介质再现装置，

[0429] 其中，所述组合模式设置在所述岸台的再现和所述沟槽的再现中。

[0430] (13)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0431] 其中，所述光学介质是多层光学介质，并且所述组合模式被设置为与再现层对应。

[0432] (14)根据项(1)所述的光学介质再现装置，

[0433] 其中，所述组合模式根据由所述自适应均衡器优化的抽头系数的状态进行设置。

[0434] (15)根据项(14)所述的光学介质再现装置，

[0435] 其中，在所述多个区域中，将在使用所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和或者差值的系统中对应于由所述差值组成的信号的抽头系数的振幅设置为指数，所述第一区域和所述第二区域位于所述正切方向上。

[0436] (16)一种光学介质再现方法，包括：

[0437] 将从光学介质反射的光束的光通量划分为多个区域，所述多个区域包括在径向方向和/或正切方向上的位置不同的第一区域和第二区域；

[0438] 由探测单元利用所选择的组合模式，组合与入射至所述多个区域中的每一者的光量对应的多个探测信号以形成多个通道的信号；

[0439] 由包括被分别供应了所述多个通道的所述信号的多个均衡器单元的多输入均衡器单元计算所述多个均衡器单元的输出，并且将所述结果值输出为均衡信号；并且[0440] 由二值化单元对于所述均衡信号执行二值化处理以获得二进制数据，[0441] 其中，在所述组合模式中的至少一者中包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和信号通道。

[0442] (17)根据项(16)所述的光学介质再现方法，

[0443] 其中，在所述正切方向上，所述第一区域和所述第二区域布置在不同的位置处。

[0444] (18)根据项(16)所述的光学介质再现方法，

[0445] 其中，所述组合模式中的至少一者中包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和信号通道、以及所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的差值信号通道。

[0446] (19)一种光学介质，在所述光学介质中交替形成岸台和沟槽，并且信息记录在所述岸台和所述沟槽这两者中，

[0447] 其中，所述岸台的线密度设置为高于所述沟槽的线密度。

[0448] (20)一种通过光学介质再现装置再现的光学介质，

[0449] 其中，所述光学介质再现装置包括，

[0450] 光源；

[0451] 物镜，允许从所述光源发射的光束聚集在光学介质上；

[0452] 探测单元，将从所述光学介质反射的光束的光通量划分为多个区域，并且利用所选择的组合模式，组合与入射至所述多个区域中的每一者的光量对应的多个探测信号以形成多个通道的信号，所述多个区域包括在径向方向和/或正切方向上的位置不同的第一区域和第二区域；

[0453] 多输入均衡器单元，包括被分别供应了所述多个通道的所述信号的多个均衡器单元，所述多输入均衡器单元计算所述多个均衡器单元的输出，并且输出结果值作为均衡信号；以及

[0454] 二值化单元，对于所述均衡信号执行二值化处理以获得二进制数据，[0455] 在所述光学介质再现装置中，所述组合模式中的至少一者中包括加法信号通道，所述加法信号通道包括所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的常数相乘，并且

[0456] 在所述多个区域中，当通过使用参考驱动再现使用位于所述正切方向上的位置中的所述第一区域的探测信号和所述第二区域的探测信号的总和或者差值的系统时，差值通道的振幅在预定范围内。

[0457] 参考符号列表

[0458] 13 多端输入自适应均衡器 14 二值化探测器

[0459] 15 PR卷积单元 21至23 自适应均衡器单元

[0460] 100 光盘 101 光学摄像管 105 数据探测处理单元