连接体的制造方法、电子部件的连接方法、连接体

摘要

通过使用光固化型的粘接剂，在低温进行电子部件的连接，并且防止电子部件的对准偏离。具有：将含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂1设置在透明基板12上的粘接剂配置工序；经由电路连接用粘接剂1而在透明基板12上配置电子部件18，并进行电子部件18对透明基板12的按压及对电路连接用粘接剂1的光照射的临时压接工序；以及一边将电子部件18对透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的正式压接工序，临时压接工序中的光的照射量小于正式压接工序中的光的照射量。

权利要求

1.一种连接体的制造方法，具有：

将含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂设置在透明基板上的粘接剂配置工序；

经由上述电路连接用粘接剂，将电子部件配置在上述透明基板上，进行对上述电路连接用粘接剂的光照射的光照射工序；以及一边将上述电子部件对上述透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的正式压接工序，上述光照射工序中的光的照射量小于上述正式压接工序中的光的照射量，为上述正式压接工序中的照射量的3～20％。

2.如权利要求1所述的连接体的制造方法，其中，

在上述粘接剂配置工序与上述光照射工序之间，还具有从上述电路连接用粘接剂侧，对上述电路连接用粘接剂整个面进行光照射的先照射工序，上述先照射工序和上述光照射工序的合计的光照射量，小于上述正式压接工序的光照射量。

3.如权利要求1或2所述的连接体的制造方法，其中，上述光照射工序从上述透明基板侧进行光照射。

4.如权利要求1或2所述的连接体的制造方法，其中，在上述光照射工序中，根据上述电子部件的最小布线间距离而变更光的照射量。

5.如权利要求1或2所述的连接体的制造方法，其中，相对于上述正式压接工序中的压接时间，上述光照射工序中的光的照射时间为1/5以下。

6.一种连接体的制造方法，具有：

将含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂设置在透明基板上的粘接剂配置工序；

经由上述电路连接用粘接剂，将电子部件配置在上述透明基板上，进行上述电子部件对上述透明基板的按压、及对上述电路连接用粘接剂的光照射的临时压接工序；以及一边将上述电子部件对上述透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的正式压接工序，上述临时压接工序中的光的照射量小于上述正式压接工序中的光的照射量，为上述正式压接工序中的照射量的3～20％。

7.如权利要求6所述的连接体的制造方法，其中，

在上述粘接剂配置工序与上述临时压接工序之间，还具有从上述电路连接用粘接剂侧，对上述电路连接用粘接剂整个面进行光照射的先照射工序，上述先照射工序和上述临时压接工序的合计的光照射量，小于上述正式压接工序的光照射量。

8.如权利要求6或7所述的连接体的制造方法，其中，上述临时压接工序从上述透明基板侧进行光照射。

9.如权利要求6或7所述的连接体的制造方法，其中，在上述临时压接工序中，根据上述电子部件的最小布线间距离而变更光的照射量。

10.如权利要求6或7所述的连接体的制造方法，其中，上述临时压接工序中的光的照射量为上述正式压接工序中的光的照射量的3～20％。

11.如权利要求10所述的连接体的制造方法，其中，上述临时压接工序中的光的照度为

3～20mW/cm2。

12.如权利要求10所述的连接体的制造方法，其中，上述临时压接工序中的光的照射时间为0.5～2秒。

13.如权利要求6或7所述的连接体的制造方法，其中，上述临时压接工序中的对上述电子部件的按压力，为上述正式压接工序中的对上述电子部件的按压力的40～90％。

14.如权利要求6或7所述的连接体的制造方法，其中，上述临时压接工序与压接工具抵接到上述电子部件的按压面的同时开始进行光照射。

15.如权利要求6或7所述的连接体的制造方法，其中，从上述粘接剂配置工序进行对上述电路连接用粘接剂的光照射。

16.如权利要求6或7所述的连接体的制造方法，其中，上述临时压接工序中的上述电子部件的压接温度，与上述正式压接工序中的上述电子部件的压接温度相等。

17.一种电子部件的连接方法，具有：

将含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂设置在透明基板上的粘接剂配置工序；

经由上述电路连接用粘接剂，将电子部件配置在上述透明基板上，进行对上述电路连接用粘接剂的光照射的光照射工序；以及一边将上述电子部件对上述透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的正式压接工序，上述光照射工序中的光的照射量小于上述正式压接工序中的光的照射量，为上述正式压接工序中的照射量的3～20％。

18.如权利要求17所述的电子部件的连接方法，其中，上述光照射工序是经由上述电路连接用粘接剂而在上述透明基板上配置电子部件，并进行上述电子部件对上述透明基板的按压及对上述电路连接用粘接剂的光照射的临时压接工序。

19.一种连接体，通过权利要求1～16的任一项所述的方法来制造。

说明书

连接体的制造方法、电子部件的连接方法、连接体

技术领域

[0001] 本发明涉及电子部件经由含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂连接到透明基板上的连接体的制造方法、经由含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂将电子部件连接在透明基板上的连接方法以及使用该方法来制造的连接体。本申请以在日本于2015年1月20日申请的日本申请号特愿2015－8950及在日本于2016年1月20日申请的日本申请号特愿2016－8718为基础主张优先权，这些申请通过被参照而被引入本申请。

背景技术

[0002] 以前，作为电视机或PC监视器、便携电话、便携型游戏机、平板电脑PC或者车载用监视器等的各种显示单元，多使用液晶显示装置。近年来，在这样的液晶显示装置中，从微小间距化、轻薄型化等的观点来看，采用将液晶驱动用IC直接安装在液晶显示面板的基板上的所谓COG（chip on glass）、或将形成有液晶驱动电路的柔性基板直接安装在液晶显示面板的基板上的所谓FOG（film on glass）。

[0003] 例如采用COG安装方式的液晶显示装置100，如图14所示，具有起到用于液晶显示的主功能的液晶显示面板104，该液晶显示面板104具有由玻璃基板等构成的互相对置的两块透明基板102、103。而且，液晶显示面板104设有面板显示部107，该面板显示部107是这两透明基板102、103通过框状的密封材料105来互相粘合，并且在被两透明基板102、103及密封材料105围绕的空间内封入了液晶106而成。

[0004] 透明基板102、103在互相对置的两内侧表面以互相交叉的方式形成有由ITO（氧化铟锡）等构成的条纹状的一对透明电极108、109。而且，两透明基板102、103使得通过这两透明电极108、109的该交叉部位构成作为液晶显示的最小单位的像素。

[0005] 两透明基板102、103之中，一个透明基板103形成为平面尺寸大于另一个透明基板102，在该较大地形成的透明基板103的边缘部103a形成有透明电极109的端子部109a。另外，在两透明电极108、109上，形成有被实施了既定摩擦处理的取向膜111、112，以能通过该取向膜111、112规定液晶分子的初期取向。进而，在两透明电极108、109的外侧，配置有一对偏振光板118、119，以能通过这两偏振光板118、119规定来自背光源等的光源120的透射光的振动方向。

[0006] 在端子部109a上，经由各向异性导电膜114热压接有液晶驱动用IC115。各向异性导电膜114在热固化型的粘合剂树脂混入导电性粒子并设为膜状，通过在两个导体间加热压接而以导电粒子取得导体间的电导通，由粘合剂树脂保持导体间的机械连接。液晶驱动用IC115成为能够通过对像素选择性地施加液晶驱动电压，使液晶的取向局部地改变而进行既定液晶显示。此外，作为构成各向异性导电膜114的粘接剂，变成通常使用可靠性最高的热固化性的粘接剂。

[0007] 在将液晶驱动用IC115经由这样的各向异性导电膜114向端子部109a连接的情况下，首先，通过未图示的临时压接单元，将各向异性导电膜114临时压接在透明电极109的端子部109a上。接着，在各向异性导电膜114上承载液晶驱动用IC115后，如图15所示通过热压接头等的热压接单元121来将液晶驱动用IC115与各向异性导电膜114一起向端子部109a侧按压，并且使热压接单元121发热。通过该热压接单元121产生的发热，各向异性导电膜114引起热固化反应，由此，液晶驱动用IC115经由各向异性导电膜114粘接到端子部109a上。

[0008] 然而，在这样的使用各向异性导电膜的连接方法中，热加压温度较高，对于液晶驱动用IC115等的电子部件或透明基板103的热冲击会变大。进而，各向异性导电膜在连接之后，当温度下降到常温时，起因于该温度差而粘合剂收缩，在透明基板103的端子部109a可能发生翘曲。因此，存在引起显示不匀或液晶驱动用IC115的连接不良等的不良的担忧。

[0009] 在专利文献2中，记载了在经由光固化型的粘接剂粘合连接对象物和被连接对象物的方法中，在开始利用加热按压头的热加压后，进行光照射的情况。

[0010] 现有技术文献

[0011] 专利文献

[0012] 专利文献1：日本特开2008－252098号公报

[0013] 专利文献2：日本特开2012－253282号公报。

发明内容

[0014] 发明要解决的课题

[0015] 因此，还提供了代替这样的使用热固化型的粘接剂的各向异性导电膜114而使用紫外线固化型的粘接剂的连接方法。在使用紫外线固化型的粘接剂的连接方法中，粘接剂因热而软化流动，只加热到对在透明电极109的端子部109a与液晶驱动用IC115的电极间捕获导电性粒子而言充分的温度，并通过紫外线照射来使粘接剂固化。

[0016] 在这样的使用紫外线固化型的粘接剂的连接方法中，无需为了使粘合剂树脂固化而置于高热，能够防止对液晶驱动用IC115或透明基板103的热冲击造成的不良。为了进行使用这样的紫外线固化型的粘接剂的低温连接，需要降低紫外线固化型的各向异性导电膜的粘合剂树脂的粘度本身。

[0017] 然而，若降低粘合剂树脂的粘度，则担心在搭载液晶驱动用IC115等的电子部件、并通过热压接单元112来进行按压时，或在热压接单元112从液晶驱动用IC115离开时发生对准偏离。而且，在COG连接等中进行微小间距化，端子间距离窄小化，因此对准偏离可能会成为引起液晶驱动用IC115的电极端子和与该电极端子连接的透明基板103的端子部109a所邻接的端子部的间距变狭窄、经由导电性粒子而短路的端子间短路的因素。

[0018] 另外，在使用各向异性导电膜1向透明基板12连接如柔性基板21那样刚性较低的电子部件的情况下，如专利文献2中记载的技术那样，若在粘接剂的粘度因按压头的热而充分下降的状态下施加压力，则在压接时，因图16中的以箭头所示的柔性基板21的端子21a间挠曲而残留应力。而且，柔性基板21在加热按压头30离开时（撤压（press out）时）柔性基板21的残留应力被释放，如图17所示，因柔性基板21的残留应力使端子21a间回到与按压方向相反方向的力会发挥作用。而且，若柔性基板21的残留应力被释放，则如图18所示，变得在柔性基板21的端子21a间、各向异性导电膜的粘合剂树脂层3与柔性基板21的界面容易发生剥离（间隙44）。这样的剥离有可能牵涉到连接体的导通电阻值下降、各向异性导电膜与被粘物的粘接力下降等的连接不良。

[0019] 例如FOG用的各向异性导电膜，为了确保粘接强度，优选使用压接时充分润湿开的柔软的粘合剂树脂，即粘度低的粘合剂树脂。然而，若过度降低粘合剂树脂的粘度，则在压接时布线间的柔性基板会更加容易挠曲，结果，有上述柔性基板的残留应力释放所造成的影响更加显著地曝露出来的倾向。

[0020] 本发明是解决上述的课题的发明，目的在于提供通过使用光固化型的粘接剂在低温下进行电子部件的连接、并且防止电子部件的对准偏离而改善连接不良的连接体的制造方法、电子部件的连接方法以及使用该方法而制造的连接体。

[0021] 用于解决课题的方案

[0022] 为了解决上述的课题，本发明所涉及的连接体的制造方法，具有：将含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂设置在透明基板上的粘接剂配置工序；经由上述电路连接用粘接剂，将电子部件配置在上述透明基板上，进行对上述电路连接用粘接剂的光照射的光照射工序；以及一边将上述电子部件对上述透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的正式压接工序，上述光照射工序中的光的照射量小于上述正式压接工序中的光的照射量。

[0023] 另外，本发明所涉及的连接体的制造方法，具有：将含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂设置在透明基板上的粘接剂配置工序；经由上述电路连接用粘接剂，将电子部件配置在上述透明基板上，进行上述电子部件对上述透明基板的按压、及对上述电路连接用粘接剂的光照射的临时压接工序；以及一边将上述电子部件对上述透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的正式压接工序，上述临时压接工序中的光的照射量小于上述正式压接工序中的光的照射量。

[0024] 另外，本发明所涉及的电子部件的连接方法，具有：将含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂设置在透明基板上的粘接剂配置工序；经由上述电路连接用粘接剂，将电子部件配置在上述透明基板上，进行对上述电路连接用粘接剂的光照射的光照射工序；以及一边将上述电子部件对上述透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的正式压接工序，上述光照射工序中的光的照射量小于上述正式压接工序中的光的照射量。

[0025] 另外，本发明所涉及的连接体通过上述的电子部件的连接方法来制造。

[0026] 发明效果

[0027] 依据本发明，通过对含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂以适当的照射量照射光来使之开始固化，能够在粘度上升的状态下进行电子部件的临时压接。因而，在光照射工序（临时压接工序）或正式压接工序中，当电子部件被压接工具按压时、或压接工具从电子部件离开之际，能够抑制电子部件从既定位置偏离的对准偏离。

附图说明

[0028] [图1]图1是示出适用本发明的安装工序的截面图。

[0029] [图2]图2是示出各向异性导电膜的截面图。

[0030] [图3]图3是示出各向异性导电膜的临时粘贴工序的截面图。

[0031] [图4]图4是示出将液晶驱动用IC配置在透明基板上的工序的截面图。

[0032] [图5]图5是示出液晶驱动用IC的临时压接工序的截面图。

[0033] [图6]图6是示出液晶驱动用IC的正式压接工序的截面图。

[0034] [图7]图7是示出液晶驱动用IC连接在透明基板上的连接体的截面图。

[0035] [图8]图8是示出在透明基板上隔着各向异性导电膜配置柔性基板的工序的一个例子的截面图。

[0036] [图9]图9是示出在将柔性基板隔着各向异性导电膜配置在透明基板上后，对各向异性导电膜进行紫外线照射的工序的一个例子的截面图。

[0037] [图10]图10是示出柔性基板的正式压接工序的一个例子的截面图。

[0038] [图11]图11是用于说明实施例及比较例所涉及的导通电阻的测定方法的图。

[0039] [图12]图12是用于说明连接体样品的端子的宽度方向的对准偏离量的测定方法的图。

[0040] [图13]图13是用于说明第2实施例中的正式压接前的光照射、和正式压接时的光照射及热加压的定时的图。

[0041] [图14]图14是示出现有的液晶显示面板的截面图。

[0042] [图15]图15是示出现有的液晶显示面板的COG安装工序的截面图。

[0043] [图16]图16是示出现有的柔性基板的制造方法中，层叠体的加热按压工序的一个例子的截面图。

[0044] [图17]图17是示出现有的柔性基板的制造方法中，加热工具撤压时应力被释放的状态的层叠体的一个例子的截面图。

[0045] [图18]图18是示出现有的柔性基板的制造方法中，在柔性基板出现残留应力的释放的状态的层叠体的一个例子的截面图。

具体实施方式

[0046] 以下，一边参照附图，一边对适用本发明的连接体的制造方法、电子部件的连接方法、连接体详细地进行说明。此外，本发明并不仅限于以下的实施方式，显然在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。此外，附图是示意性的，存在各尺寸的比例等与现实不同的情况。具体尺寸等应该参考以下的说明进行判断。此外，显然附图相互之间也包含彼此尺寸的关系或比例不同的部分。

[0047] ＜第1实施方式＞

[0048] 在以下的第1实施方式中，以进行对液晶显示面板的玻璃基板，作为电子部件安装液晶驱动用的IC芯片的所谓的COG（chip on glass）安装的情况为例进行说明。该液晶显示面板10，如图1所示，由玻璃基板等构成的两块透明基板11、12被对置配置，这些透明基板11、12通过框状的密封材料13互相粘合。而且，液晶显示面板10通过向被透明基板11、12围绕的空间内封入液晶14而形成面板显示部15。

[0049] 透明基板11、12在互相对置的两内侧表面，以互相交叉的方式形成有由ITO（氧化铟锡）等构成的条纹状的一对透明电极16、17。而且，两透明电极16、17成为通过这两透明电极16、17的该交叉部位构成作为液晶显示的最小单位的像素。

[0050] 两透明基板11、12之中，一个透明基板12形成为平面尺寸大于另一个透明基板11，在该较大地形成的透明基板12的边缘部12a，设有作为电子部件而安装液晶驱动用IC18的COG安装部20，另外在COG安装部20的外侧附近，设有作为电子部件而安装形成有液晶驱动电路的柔性基板21的FOG安装部22。

[0051] 此外，液晶驱动用IC或液晶驱动电路，通过对像素选择性地施加液晶驱动电压来使液晶的取向局部改变而能够进行既定液晶显示。

[0052] 在各安装部20、22形成有透明电极17的端子部17a。在端子部17a上，作为含有光聚合引发剂的电路连接用粘接剂使用各向异性导电膜1而连接液晶驱动用IC18或柔性基板21。各向异性导电膜1含有导电性粒子4，是经由导电性粒子4电连接液晶驱动用IC18或柔性基板21的电极与形成在透明基板12的边缘部12a的透明电极17的端子部17a的部件。该各向异性导电膜1为紫外线固化型的粘接剂，被后述的加热按压头30热压接而流动，导电性粒子
4在端子部17a与液晶驱动用IC18或柔性基板21的各电极之间被压垮，利用紫外线照射器31照射紫外线，从而以导电性粒子4被压垮的状态固化。由此，各向异性导电膜1将透明基板12与液晶驱动用IC18或柔性基板21电气、机械地连接。

[0053] 另外，在两透明电极16、17上，形成有实施了既定摩擦处理的取向膜24，以能通过该取向膜24规定液晶分子的初期取向。进而，在两透明基板11、12的外侧，配置有一对偏振光板25、26，以能通过这两偏振光板25、26规定来自背光源等的光源（未图示）的透射光的振动方向。

[0054] [各向异性导电膜]

[0055] 各向异性导电膜（ACF：Anisotropic Conductive Film）1，如图2所示，通常，在成为基体材料的剥离膜2上形成含有导电性粒子的粘合剂树脂层（粘接剂层）3。各向异性导电膜1如图1所示，为了通过使粘合剂树脂层3介于液晶显示面板10的形成在透明基板12的透明电极17与液晶驱动用IC18或柔性基板21之间，来连接液晶显示面板10与液晶驱动用IC18或者柔性基板21并使之导通而使用。

[0056] 作为剥离膜2，能够使用一般在各向异性导电膜中使用的例如聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等的基体材料。

[0057] 粘合剂树脂层3向粘合剂中分散导电性粒子4而成。粘合剂含有膜形成树脂、固化性树脂、固化剂、硅烷偶联剂等，与通常的各向异性导电膜中所使用的粘合剂同样。

[0058] 作为膜形成树脂，优选平均分子量为10000～80000左右的树脂。作为膜形成树脂，能举出苯氧基树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、尿烷树脂等的各种树脂。其中，出于膜形成状态、连接可靠性等的观点，特别优选苯氧基树脂。

[0059] 作为固化性树脂，无特别限定，能举出环氧树脂、丙烯树脂等。

[0060] 作为环氧树脂，无特别限制，能够根据目的而适当选择。作为具体例，能举出例如萘型环氧树脂、联苯型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、双酚型环氧树脂、芪型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、酚醛芳烷基型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、二聚环戊二烯型环氧树脂、三苯基甲烷型环氧树脂等。这些既可以单独也可以组合2种以上。

[0061] 作为丙烯树脂，无特别限制，能够根据目的而适当选择，作为具体例，能够举出例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸异丁酯、环氧丙烯酸酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸二乙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二羟甲基三环葵烷二丙烯酸酯、1,4－丁二醇四丙烯酸酯、2－羟基－1,3－二丙烯酰氧基丙烷、2,2－双［4－(丙烯酰氧基甲氧基)苯基］丙烷、2,2－双［4－(丙烯酰氧基乙氧基)苯基］丙烷、二环戊烯基丙烯酸酯、三环葵基丙烯酸酯、树状(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、尿烷丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯等。这些既可以单独也可以组合2种以上。

[0062] 作为固化剂，只要为光固化型就无特别限制，能够根据目的而适当选择，但是在固化性树脂为环氧树脂的情况下优选阳离子类固化剂，也可为阴离子类固化剂。在固化性树脂为丙烯树脂的情况下优选自由基类固化剂。固化性树脂也可以分别具备环氧树脂和丙烯树脂。

[0063] 作为阳离子类固化剂，无特别限制，能够根据目的而适当选择，能够举出例如锍盐、鎓盐等，这些之中，优选芳香族锍盐。作为自由基类固化剂，无特别限制，能够根据目的而适当选择，能够举出例如有机过氧化物。

[0064] 作为硅烷偶联剂，能够举出环氧类、氨类、巯基/硫化物类、酰脲类等。通过添加硅烷偶联剂，提高有机材料和无机材料的界面中的粘接性。

[0065] 作为导电性粒子4，能够举出各向异性导电膜中使用的公知的任意导电性粒子。作为导电性粒子4，能举出例如镍、铁、铜、铝、锡、铅、铬、钴、银、金等的各种金属或金属合金的粒子、在金属氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑料等的粒子的表面镀敷金属的粒子、或者在这些粒子的表面进一步镀敷绝缘薄膜的粒子等。在向树脂粒子的表面镀敷金属的粒子的情况下，作为树脂粒子，能举出例如环氧树脂、酚醛树脂、丙烯树脂、丙烯腈苯乙烯（AS）树脂、苯代三聚氰胺树脂、二乙烯基苯类树脂、苯乙烯类树脂等的粒子。

[0066] [制造方法]

[0067] 接着，对液晶驱动用IC18或柔性基板21经由各向异性导电膜1连接到透明基板12的透明电极17上的连接体的制造工序进行说明。

[0068] ＜具体例1－1＞

[0069] [临时粘贴工序]

[0070] 首先，将各向异性导电膜1临时粘贴在透明基板12上（粘接剂配置工序）。临时粘贴各向异性导电膜的方法，如图3所示，以使粘合剂树脂层3成为透明电极17侧的方式，将各向异性导电膜1配置在透明基板12的透明电极17上。在将粘合剂树脂层3配置在透明电极17上后，例如以热压接工具从剥离膜2侧对粘合剂树脂层3进行加热及加压，使热压接工具从剥离膜2离开，将剥离膜2从粘合剂树脂层3剥离。此外，各向异性导电膜1的临时粘贴既可以通过热压接工具的加压及光照射来进行，也可以一并使用热加压和光照射而进行。

[0071] [对准工序/临时压接工序]

[0072] 接着，隔着各向异性导电膜1，将液晶驱动用IC18配置在透明基板12上，进行液晶驱动用IC18对透明基板12的按压、及对各向异性导电膜1的光照射（临时压接工序）。首先，如图4所示，进行液晶驱动用IC18与透明电极17的对准。具体而言，以使透明电极17的各端子部17a与液晶驱动用IC18的电极端子18a隔着粘合剂树脂层3对置的方式配置液晶驱动用IC。

[0073] 接着，如图5所示，通过升温至既定加热温度的热压接工具30，隔着缓冲材料32，以比后述的正式压接工序更加低温、低压热加压液晶驱动用IC18的上表面，并且通过设置在透明基板12的背面侧的紫外线照射器31来对各向异性导电膜1的粘合剂树脂层3照射紫外线。

[0074] 热压接工具30的热加压温度被设定为相对于固化开始前粘合剂树脂层显示熔化时的粘度（最低熔化粘度）的既定温度±10～20℃的温度（例如80℃前后）。由此，将透明基板的翘曲抑制为最小，另外也不会对液晶驱动用IC施加热导致的损害。

[0075] 从紫外线照射器31发光的紫外线，透射支撑透明基板12的玻璃等透明的支撑台和被该支撑台支撑的透明基板12而向粘合剂树脂层3照射。作为该紫外线照射器31，能够使用LED灯、水银灯、金属卤化物灯等。

[0076] 在此，优选临时压接工序中的对各向异性导电膜1照射的紫外线的照射量（＝紫外线照度（mW/cm2）×照射时间（秒）），小于正式压接工序中的光的照射量，为正式压接工序中的照射量的3～20％。例如在将正式压接工序中的照射量设为100mW/cm2、1秒的情况下，临时压接工序中的紫外线的照射量优选为3～15mW/cm2、0.5～2秒。

[0077] 临时压接工序中，优选通过液晶驱动用IC18的最小的布线间距离（space）（最小凸点间距离）来变更光的照射量。例如，在液晶驱动用IC18的最小布线间距离为8～20μm的情况下，临时压接工序中的光的照射量，优选为正式压接工序中的光的照射量的4～20％。通过这样的光照射的条件，无需每次调整各向异性导电膜的粘合剂树脂的粘度。

[0078] 另外，优选临时压接工序中的对液晶驱动用IC18的按压力，为正式压接工序中的对液晶驱动用IC18的按压力的40～90％，更优选为70～80％。

[0079] 在临时压接工序中，通过以适当的照射量向各向异性导电膜1照射紫外线，开始粘合剂树脂层3的固化，能够在提升粘度的状态下进行液晶驱动用IC18的临时压接。因而，在临时压接工序或后述的正式压接工序中，液晶驱动用IC18被热压接工具30按压时、或热压接工具30从液晶驱动用IC18离开时，能够抑制液晶驱动用IC18从既定位置偏离的对准偏离。

[0080] [正式压接工序]

[0081] 接着，如图6所示，一边将液晶驱动用IC18对透明基板12进行按压，一边进行加压及光照射，从而将液晶驱动用IC18与透明基板12电气、机械地连接（正式压接工序）。正式压接工序中，通过热压接工具30，以使导电性粒子4在液晶驱动用IC18的电极端子18a及透明电极17的端子部17a之间挟持的既定压力进行加压。另外，正式压接工序中，以使粘合剂树脂层3固化的照度及时间照射紫外线。

[0082] 由此，粘合剂树脂从液晶驱动用IC18的电极端子18a及透明电极17的端子部17a之间流出，并且，因为挟持导电性粒子4而能谋求导通，在该状态下粘合剂树脂被固化。由此，如图7所示，作为液晶驱动用IC18电气、机械地连接在透明基板12上的连接体而形成液晶显示面板10。

[0083] 此时，依据本制造工序，通过在临时压接工序中向各向异性导电膜1以比正式压接工序中的光的照射量小的照射量照射紫外线，使粘合剂树脂的粘度提高一定程度，因此能够防止在利用热压接工具30进行加压时或热压接工具30离开时等情况下液晶驱动用IC18的对准偏离。因而，能够防止微小间距化的液晶驱动用IC18的电极端子18a和与该电极端子18a连接的透明电极17的端子部17a所邻接的端子部的间距变狭窄、经由导电性粒子4而短路的端子间短路。

[0084] 此外，紫外线照射也可以从临时粘贴工序开始。此时，临时粘贴工序的照度也可以低于临时压接工序的照度。

[0085] ＜具体例1－2＞

[0086] 本制造方法也可以在上述的临时压接工序中，从液晶驱动用IC18侧进行紫外线照射，而不是从透明基板12侧进行紫外线照射。

[0087] ＜具体例1－3＞

[0088] 本制造方法也可以具有：将各向异性导电膜1设置在透明基板12上的工序；在各向异性导电膜1上配置液晶驱动用IC18的工序；从液晶驱动用IC18侧进行光照射的工序（光照射工序）；以及一边将液晶驱动用IC18对透明基板12进行按压，一边进行加热及光照射的工序（正式压接工序），使得光照射工序中的光的照射量小于正式压接工序中的光的照射量。

[0089] ＜具体例1－4＞

[0090] 本制造方法也可以在具体例1－3中的光照射工序的前后，还具有利用加热工具来按压液晶驱动用IC18的工序。

[0091] ＜具体例1－5＞

[0092] 本制造方法也可以在具体例1－3中的、将各向异性导电膜1设置在透明基板12上的工序与在各向异性导电膜1上配置液晶驱动用IC18的工序之间，还具有对各向异性导电膜1整个面进行光照射的工序。

[0093] ＜具体例1－6＞

[0094] 本制造方法也可以具有：将各向异性导电膜1设置在透明基板12上的工序；从各向异性导电膜1侧对各向异性导电膜1整个面进行光照射的工序（先照射工序）；在先照射工序后的各向异性导电膜1配置液晶驱动用IC18的工序；从透明基板12侧进行光照射的工序（光照射工序）；以及一边将液晶驱动用IC18对透明基板12进行按压，一边进行加热及光照射的工序（正式压接工序），使得先照射工序和光照射工序的光的照射量的合计小于正式压接工序中的光的照射量。

[0095] ＜第2实施方式＞

[0096] 第2实施方式中，以在液晶显示面板的玻璃基板，作为电子部件而安装（FOG安装）柔性基板的情况为例进行说明。在第2实施方式中，标注与第1实施方式相同的标号的构成，与第1实施方式同义。

[0097] [连接体的制造方法]

[0098] ＜具体例2－1＞

[0099] 作为一个例子的本制造方法，具有：将各向异性导电膜设置在透明基板上的工序；隔着各向异性导电膜，将柔性基板配置在透明基板上，并进行对各向异性导电膜的光照射的工序；以及一边将柔性基板对透明基板进行按压，一边进行加热及光照射的工序。

[0100] [临时粘贴工序]

[0101] 临时粘贴工序能够与上述的第1实施方式中的临时粘贴工序同样进行。

[0102] [光照射工序]

[0103] 光照射工序中，例如如图8所示，隔着各向异性导电膜1，在透明基板12上配置柔性基板21，进行对各向异性导电膜1的光照射。关于光照射，例如如图9所示，能够通过配置在透明基板12侧的紫外线照射器31来对各向异性导电膜1的粘合剂树脂层3照射紫外线。光照射也可以从柔性基板21侧进行，而不是从透明基板12侧进行。

[0104] 光照射工序中，对各向异性导电膜1照射的紫外线的照射量，小于后述的正式压接工序中的光的照射量。另外，光照射工序中，优选通过柔性基板21的最小布线间距离来变更光的照射量。例如，在柔性基板21的最小布线间距离超过25μm的情况下，优选光照射工序中的光的照射量为正式压接工序中的光的照射量的5～25％，更优选为5～15％。另外，例如，在柔性基板21的最小布线间距离为25μm以下的情况下，优选光照射工序中的光的照射量为正式压接工序中的光的照射量的2～15％，更优选为5～10％。

[0105] 光照射工序中照射的紫外线照度、及紫外线照射时间，能够在满足上述的条件的范围内适当选择。例如，能够使紫外线照度为1～400mW/cm2、使紫外线照射时间为0.5～2秒。特别是，从在正式压接工序之前各向异性导电膜1完全不固化的观点来看，光照射工序中的光的照射时间，优选相对于正式压接工序中的压接时间为1/5以下。

[0106] [正式压接工序]

[0107] 在正式压接工序中，例如如图10所示，一边将柔性基板21对透明基板17进行按压，一边进行加热及光照射。由此，使柔性基板21与透明基板17连接，例如，作为柔性基板21连接在透明基板17上的连接体，形成液晶显示面板。

[0108] 在正式压接工序中，首先，优选进行柔性基板21与透明电极17的对准。具体而言，以使透明电极17的各端子部17a与柔性基板21的端子部21a隔着粘合剂树脂层3对置的方式，配置柔性基板21。

[0109] 接着，通过升温至既定加热温度的热压接工具30，经由缓冲材料32而热加压柔性基板21的上表面，并且通过设置在透明基板12的背面侧的紫外线照射器31来对各向异性导电膜1的粘合剂树脂层3照射紫外线。正式压接工序中的热加压是以使导电性粒子4在柔性基板21的端子部21a、及透明电极17的端子部17a之间挟持的既定压力进行加压。另外，正式压接工序中的光照射在能够使粘合剂树脂层3固化的条件下进行。

[0110] 依据这样的连接体的制造方法，通过使光照射工序中的光的照射量小于正式压接工序中的光的照射量，在正式压接工序前使各向异性导电膜1的粘合剂树脂的粘度提高一定程度，因此能够防止在利用热压接工具30进行加压时或热压接工具30离开时等情况下柔性基板21的对准偏离。

[0111] 另外，依据本制造方法，在压接时，能够抑制柔性基板的残留应力释放带来的影响，因此能够抑制各向异性导电膜的粘合剂树脂层与柔性基板的界面中的剥离。因此，能够抑制连接体的导通电阻值的下降、各向异性导电膜与被粘物的粘接力的下降等的连接不良。

[0112] 另外，依据本制造方法，即便不是每次对照柔性基板的布线布局或最小布线间距离而调整各向异性导电膜的粘合剂树脂的粘度，也能根据光照射的条件抑制残留应力的释放带来的影响。因此，能够进一步提高连接体的制造效率。

[0113] 此外，在上述的光照射工序中，也可以利用热压接工具，经由缓冲材料，一边以比正式压接工序更加低温、低压进行热加压，一边通过紫外线照射器31来对各向异性导电膜1的粘合剂树脂层3照射紫外线。热压接工具的热加压温度及按压力，能够设为例如与上述的第1实施方式中的临时压接工序同样的条件。

[0114] ＜具体例2－2＞

[0115] 本制造方法也可以在具体例2－1中的光照射工序的前后，还具有通过加热工具来按压柔性基板21的工序。

[0116] ＜具体例2－3＞

[0117] 本制造方法也可以在将具体例2－1中的各向异性导电膜1设置在透明基板12上的工序与配置柔性基板21的工序之间，还具有对各向异性导电膜1整个面进行光照射的工序。

[0118] ＜具体例2－4＞

[0119] 本制造方法也可以具有：将各向异性导电膜1设置在透明基板12上的临时粘贴工序；对各向异性导电膜1整个面进行光照射的工序（先照射工序）；在先照射工序后的各向异性导电膜1上配置柔性基板21的工序；从透明基板12侧进行光照射的工序（光照射工序）；以及一边将柔性基板21对透明基板12进行按压，一边进行加热及光照射的工序（正式压接工序），使得先照射工序和光照射工序的光的照射量的合计小于正式压接工序中的光的照射量。实施例

[0120] ＜第1实施例＞

[0121] 接着，对本技术的实施例进行说明。在本实施例中，对于使临时压接工序中的紫外线的照射条件不同而制造的透明基板和IC芯片的各连接体样品，测定了连接初期及可靠性实验后的IC芯片与透明基板的透明电极的导通电阻值（Ω）、及IC芯片的对准偏离量（μm）。

[0122] 作为连接所使用的粘接剂，准备了由含有光产酸剂和阳离子聚合性化合物的粘合剂树脂层构成的各向异性导电膜。

[0123] 该粘合剂树脂层利用醋酸乙酯、甲苯，将

[0124] 苯氧基树脂（YP－50：新日铁住金化学株式会社制）　45质量份；

[0125] 异氰脲酸EO改性二丙烯酸酯（M－215：东亚合成株式会社制）　45质量份；

[0126] 硅烷偶联剂（KBM－403：信越化学工业株式会社制）　2质量份

[0127] 光自由基产生剂（IRGACURE 369：BASF JAPAN株式会社制）　8质量份，

[0128] 以使固体部分成为50％的方式制作混合溶液，并以使粒子密度成为约50, 000个/mm2的方式分散导电性粒子（AUL704：平均粒子直径4μm、积水化学工业株式会社制）。将该混合溶液涂敷在厚度50μm的PET膜上，在70℃烤箱中干燥5分钟，从而成形为厚度20μm的膜状。

[0129] 作为评价元件，使用了

[0130] 外形：1.8mm×20mm；

[0131] 凸点高度：15μm；

[0132] 凸点尺寸：30×60μm（最小凸点间距离10μm）

[0133] 的评价用IC。此外，凸点在评价用IC外形的长边方向两端部的内侧，以使凸点的短边侧与评价用IC外形长边方向平行的方式排列。该排列方向上的凸点间的距离是本评价元件的最小凸点间距离。

[0134] 作为评价用IC所连接的评价基体材料，采用了厚度0.5mm的ITO镀敷玻璃。

[0135] 在该玻璃基板隔着上述各向异性导电膜配置评价用IC，进行利用热压接工具的热加压及通过紫外线照射器（ZUV－C30H：OMRON株式会社制）照射紫外线，进行临时压接及正式压接，形成了连接体样品。

[0136] 临时压接条件在实施例1～6、比较例1～8均为80℃、2MPa、2秒，按压时在热压接工具与评价用IC之间作为缓冲材料隔着厚度50μm的特氟隆（TEFLON）（注册商标）片。另外，紫外线照射与利用热压接工具的加热加压同时开始。临时压接时的紫外线照射从玻璃基板侧进行。

[0137] 正式压接条件在实施例1～6、比较例1～8均为100℃、80MPa、5秒，按压时在热压接工具与评价用IC之间作为缓冲材料隔着厚度50μm的特氟隆（注册商标）片。另外，紫外线照射自利用热压接工具进行加热加压起4秒后开始，照射时间为1秒，照度为100mW/cm2。正式压接时的紫外线照射从玻璃基板侧进行。

[0138] 然后，对于各实施例及比较例所涉及的连接体样品，测定了初期导通电阻值（Ω）及可靠性实验后的导通电阻值（Ω）。可靠性实验的条件为85℃85％RH500hr。导通电阻值的测定，如图11所示，对与评价用IC的凸点42连接的ITO镀敷玻璃的布线43连接数字万用表，以所谓的4端子法测定了流过电流2mA时的导通电阻值。

[0139] 另外，对于各实施例及比较例所涉及的连接体样品，使用实体显微镜测定了对准偏离量。对准偏离量的容许范围设为1.0μm以下。

[0140] [实施例1]

[0141] 实施例1中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为3mW/cm2、1秒。实施例1的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的3％。实施例1所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.4Ω，且可靠性实验后的导通电阻也为4.3Ω。另外，实施例1所涉及的连接体样品的对准偏离量为0.9μm。

[0142] [实施例2]

[0143] 实施例2中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为5mW/cm2、1秒。实施例2的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的5％。实施例2所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.0Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.1Ω。另外，实施例2所涉及的连接体样品的对准偏离量为0.7μm。

[0144] [实施例3]

[0145] 实施例3中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为15mW/cm2、1秒。实施例3的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的15％。实施例3所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.2Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.4Ω。另外，实施例3所涉及的连接体样品的对准偏离量为0.3μm。

[0146] [实施例4]

[0147] 实施例4中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为20mW/cm2、1秒。实施例4的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的20％。实施例4所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至2.4Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.4Ω。另外，实施例4所涉及的连接体样品的对准偏离量为0.3μm。

[0148] [实施例5]

[0149] 实施例5中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为10mW/cm2、0.5秒。实施例5的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的5％。实施例5所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.2Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.5Ω。另外，实施例5所涉及的连接体样品的对准偏离量为0.6μm。

[0150] [实施例6]

[0151] 实施例6中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为10mW/cm2、2秒。实施例6的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的20％。实施例6所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.3Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.2Ω。另外，实施例6所涉及的连接体样品的对准偏离量为0.6μm。

[0152] [比较例1]

[0153] 比较例1中，设临时压接工序中的热加压条件为7MPa、50℃，且没有进行紫外线的照射。比较例1的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的0％。比较例1所涉及的连接体样品，其初期导通电阻高达3.4Ω，可靠性实验后的导通电阻也成为6.1Ω。另外，比较例1所涉及的连接体样品的对准偏离量大到3.1μm。

[0154] [比较例2]

[0155] 比较例2中，设临时压接工序中的热加压条件为7MPa、60℃，且没有进行紫外线的照射。比较例2的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的0％。比较例2所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.5Ω，但是可靠性实验后的导通电阻高达5.1Ω。另外，比较例2所涉及的连接体样品的对准偏离量大到4.3μm。

[0156] [比较例3]

[0157] 比较例3中，设临时压接工序中的热加压条件为7MPa、50℃，紫外线的照射条件为15mW/cm2、1秒。比较例3的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的1.5％。比较例3所涉及的连接体样品，其初期导通电阻为2.3Ω，可靠性实验后的导通电阻为5.3Ω。另外，比较例3所涉及的连接体样品的对准偏离量为1.8μm。

[0158] [比较例4]

[0159] 比较例4中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，且没有进行紫外线的照射。比较例4的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的0％。比较例4所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.2Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.3Ω。然而，比较例4所涉及的连接体样品的对准偏离量大到6.4μm。

[0160] [比较例5]

[0161] 比较例5中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为2mW/cm2、1秒。比较例5的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的2％。比较例5所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.2Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.3Ω。然而，比较例5所涉及的连接体样品的对准偏离量大到3.1μm。

[0162] [比较例6]

[0163] 比较例6中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为25mW/cm2、1秒。比较例6的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的25％。比较例6所涉及的连接体样品，其初期导通电阻高达6.3Ω，可靠性实验后的导通电阻也高达9.3Ω。然而，比较例6所涉及的连接体样品的对准偏离量为0.3μm。

[0164] [比较例7]

[0165] 比较例7中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为10mW/cm2、0.2秒。比较例7的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的2％。比较例7所涉及的连接体样品，其初期导通电阻低至1.1Ω，可靠性实验后的导通电阻也为4.5Ω。然而，比较例7所涉及的连接体样品的对准偏离量大到3.1μm。

[0166] [比较例8]

[0167] 比较例8中，设临时压接工序中的热加压条件为60MPa、80℃，紫外线的照射条件为10mW/cm2、2.5秒。比较例8的临时压接工序中的紫外线的照射量，为正式压接工序中的照射量的25％。比较例8所涉及的连接体样品，其初期导通电阻高达5.2Ω，可靠性实验后的导通电阻也高达7.5Ω。另外，比较例8所涉及的连接体样品的对准偏离量大到1.2μm。

[0168] [表1]

[0169]

[0170]

[0171] 如表1所示，实施例1～6在临时压接工序中以照度为3～20mW/cm2、照射时间为0.5～2秒而照射紫外线。这是正式压接工序中的照射量的3～20％。因此，实施例1～6中，能够适度地进行粘合剂树脂的固化反应而提升粘度，而不会阻碍导电性粒子的压入，能够使评价用IC的对准偏离量小于1.0μm。

[0172] 比较例1、2在临时压接工序中没有照射紫外线，因此如果在低温低压力下进行按压，则在用热压接工具进行按压时等情况下评价用IC的对准偏离量会变大。另外，由于以低压力进行按压，所以导电性粒子的压入有所不足，在可靠性实验后导通电阻上升。

[0173] 比较例3在临时压接工序中以适当的照度及时间照射了紫外线，但是评价用IC的按压力较低，导电性粒子的压入有所不足，且导通电阻上升。

[0174] 比较例4在不照射紫外线而进行临时压接工序时，以高压力进行按压，就会因导电性粒子的压入而能够确保导通性，但是对准偏离量却变大。

[0175] 比较例5由于临时压接工序中的紫外线照度低到2mW/cm2，所以不会进行粘合剂树脂的固化反应，而由于粘度较低，所以因导电性粒子的压入而能够确保导通性，但是对准偏离量却变大。

[0176] 比较例6由于临时压接工序中的紫外线照度高达25mW/cm2，能够抑制对准偏离，另一面，会过度进行粘合剂树脂的固化反应，在正式压接工序中不能将导电性粒子充分地压入，导通电阻上升。

[0177] 比较例7由于临时压接工序中的紫外线照射时间短到0.2秒，所以不会进行粘合剂树脂的固化反应，粘度较低，因此因导电性粒子的压入而能够确保导通性，但是对准偏离量却变大。

[0178] 比较例8由于临时压接工序中的紫外线照射时间长达2.5秒，所以能够抑制对准的较大偏离，但是过度进行粘合剂树脂的固化反应，在正式压接工序中不能将导电性粒子充分地压入，导通电阻上升。

[0179] 由以上可知，通过在临时压接工序中先适度地提升粘合剂树脂的粘度，能够抑制对准偏离而不会阻碍导电性粒子的压入。另外，可知临时压接工序中的光的照射量优选为正式压接工序中的光的照射量的3～20％。

[0180] [实施例7～9]

[0181] 实施例7～9中，与上述的实施例1、2、5同样向ITO镀敷玻璃粘贴各向异性导电膜，从各向异性导电膜侧对膜的整个面以与临时压接相同的条件从各向异性导电膜侧照射紫外线（先照射）。在紫外线照射后的各向异性导电膜上配置评价用IC，并以与实施例1、2、5同样的条件进行临时压接（光照射）。此外，来自各向异性导电膜侧的先照射，使用与来自透明基板侧的光照射大致相同的光源。而且，进行正式压接，得到了连接体样品。在实施例7～9中能得到与实施例1、2、5大致同等的结果。

[0182] ＜第2实施例＞

[0183] 在本实施例中，使临时压接工序中的紫外线的照射条件不同，进行透明基板（铬/铝镀敷玻璃：评价基体材料）与电子部件（柔性基板（FPC）：评价元件）的连接，得到了连接体。而且，对于所得到的各连接体样品，测定了连接初期及可靠性实验后的柔性基板的电极与铬/铝镀敷玻璃的电极（铝）的导通电阻值（Ω）、可靠性实验后的粘接剂层的表面与柔性基板的表面的间隙的量、及对准偏离量。

[0184] 在铬/铝镀敷玻璃与柔性基板的连接中，作为粘接剂，使用了以下的各向异性导电膜。首先，使用搅拌装置，将30质量份的苯氧基树脂（YP－70：新日铁住金化学株式会社制）、30质量份的液体环氧树脂（EP808：三菱化学株式会社制）、20质量份的固体环氧树脂（YD014：新日铁住金化学株式会社制）、3质量份的导电性粒子（AUL704：平均粒子直径4μm、积水化学工业株式会社制）、5质量份的光阳离子固化剂（LW－S1：SAN－APRO 株式会社制）、和10质量份的阳离子类固化剂（SI－60L、三新化学株式会社制）均匀地混合。将该混合溶液涂敷到剥离处理的PET膜（厚度50μm）上，成型为厚度20μm的膜状。由此，得到了各向异性导电膜。

[0185] 作为柔性基板，使用了200μmP或50μmP（Line/Space＝1/1）、Cu 8μmt－Sn镀层、38μmt－S’perflex基体材料。

[0186] 作为铬/铝镀敷玻璃，使用了铝图案玻璃（200μmP或50μmP、厚度1.1mm）。

[0187] [实施例10]

[0188] 在铬/铝镀敷玻璃粘贴1.5mm宽度的各向异性导电膜，在该各向异性导电膜上将柔性基板对位。从对位后的层叠体的铬/铝镀敷玻璃侧，使用在360nm具有最大发光波长的LED灯（控制器：ZUV－C20H、头单元：ZUV－H20MB、透镜单元：ZUV－212L、OMRON社制）以照度2 2
40mW/cm进行1秒钟（照射量：40mJ/cm）紫外线照射。

[0189] 在紫外线照射后，以热压接工具（1.5mm宽度）使用缓冲材料（厚度50μm的特氟隆（注册商标）片），在120℃、6MPa、5秒钟的条件下进行加热按压，自开始加热按压起3秒后，利用上述LED灯，以照度200mW/cm2从铬/铝镀敷玻璃侧进行2秒钟（照射量：400mJ/cm2）紫外线照射。

[0190] （初期导通电阻值、及可靠性实验后的导通电阻值）

[0191] 对于所得到的连接体样品，使用数字万用表（商品名：数字万用表7561、横河电机株式会社制），以与上述的第1实施例同样的方法，测定了初期导通电阻值、及可靠性实验后的导通电阻值。将初期导通电阻值小于3Ω的情况评价为“A”、3Ω以上且小于5Ω的情况评价为“B”、5Ω以上的情况评价为“C”。另外，将可靠性实验后的导通电阻值小于5Ω的情况评价为“A”、5Ω以上且小于10Ω的情况评价为“B”、10Ω以上的情况评价为“C”。实用上，导通电阻值的评价优选的是“A”、或“B”。

[0192] （可靠性实验后的间隙）

[0193] 对于所得到的连接体样品，测定3处可靠性实验后的各向异性导电膜的固化物与柔性基板的界面的间隙，并算出其平均值。将间隙3.5μ以下（导电性粒子的平均粒径的70％以下）的情况评价为“A”、超过3.5μm且小于4.5μm（超过导电性粒子的平均粒径的70％且小于90％）的情况评价为“B”、4.5μm以上（导电性粒子的平均粒径的90％以上）的情况评价为“C”。实用上，间隙的评价优选的是“A”、或“B”。

[0194] （对准偏离量）

[0195] 对于所得到的连接体样品，利用实体显微镜，测定了铬/铝镀敷玻璃的端子45与柔性基板的端子46的宽度方向的对准偏离量（参照图12）。将对准偏离量为3μm以下的情况评价为“A”、超过3μm且小于5μm的情况评价为“B”、5μm以上的情况评价为“C”。

[0196] 对准偏离量的评价基准，例如如图12所示，在设想50μmP、连接宽度600μm的端子45和端子46的情况下，将每1布线的连接面积为约10000μm2以下的条件设为“NG”。即，将对准偏离量为8μm以上的情况（（25－8）μm×（600－8）μm＝10064μm2）设为“NG”。而且，将装置的对准公差假设为3μm左右，将对准偏离量小于5μm的情况判断为实用上优选。对准偏离量即便为5μm以上，实用上也没有问题，但是从连接构造体的质量管理的观点来看，越少越好。

[0197] [实施例11]

[0198] 实施例11中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度20mW/cm2且1秒钟（照射量：20mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例10同样地进行。

[0199] [实施例12]

[0200] 实施例12中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度100mW/cm2且1秒钟（照射量：100mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例10同样地进行。

[0201] [比较例9]

[0202] 比较例9中，除了不进行正式压接前的紫外线照射而得到连接体样品以外，与实施例10同样地进行。

[0203] [比较例10]

[0204] 比较例10中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度8mW/cm2且1秒钟（照射量：8mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例10同样地进行。

[0205] [比较例11]

[0206] 比较例11中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度120mW/cm2且1秒钟（照射量：120mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例10同样地进行。

[0207] [实施例13]

[0208] 实施例13中，除了使用50μmP的柔性基板代替200μmP的柔性基板而得到连接体样品以外，与实施例10同样地进行。

[0209] [实施例14]

[0210] 实施例14中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度8mW/cm2且1秒钟（照射量：8mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例13同样地进行。

[0211] [实施例15]

[0212] 实施例15中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度60mW/cm2且1秒钟（照射量：60mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例13同样地进行。

[0213] [比较例12]

[0214] 比较例12中，除了不进行正式压接前的紫外线照射而得到连接体样品以外，与实施例13同样地进行。

[0215] [比较例13]

[0216] 比较例13中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度4mW/cm2且1秒钟（照射量：4mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例13同样地进行。

[0217] [比较例14]

[0218] 比较例14中，除了将正式压接前的紫外线照射的条件变更为照度80mW/cm2且1秒钟（照射量：80mJ/cm2）而得到连接体样品以外，与实施例13同样地进行。

[0219] 在下述表中，“（1）正式压接前”是表示图13中的（1）所示的正式压接前的光照射的条件。另外，“（2）正式压接时”表示图13中的（2）所示的正式压接时的光照射的条件。

[0220] [表2]

[0221]

[0222]

[0223] 在柔性基板的最小布线间距离超过25μm的实施例10～12中，使光照射工序中的光的照射量为正式压接工序中的光的照射量的5～25％。由此可知，初期导通电阻值、可靠性实验后的导通电阻值、可靠性实验后的间隙、及对准偏离量的评价全都良好。

[0224] 在柔性基板的最小布线间距离为25μm以下的实施例13～15中，使光照射工序中的光的照射量为正式压接工序中的光的照射量的2～15％。由此可知，初期导通电阻值、可靠性实验后的导通电阻值、可靠性实验后的间隙、及对准偏离量的评价全都良好。

[0225] 比较例9、12中可知，由于在光照射工序中没有照射紫外线，所以在正式压接工序中的加热按压时，可靠性实验后的导通电阻值、可靠性实验后的间隙、及柔性基板的对准偏离的评价并非良好。另外，比较例10、13中可知，由于光照射工序中的紫外线照射量相对于正式压接工序中的紫外线照射量过少，所以可靠性实验后的导通电阻值、及可靠性实验后的间隙的评价并非良好。另外，比较例13中可知，柔性基板的对准偏离的评价也并非良好。认为这些结果是因为在正式压接工序中的加热按压时，构成各向异性导电膜的粘合剂树脂的流动性会过于变大，在柔性基板的布线间挠曲的状态下加热工具撤压时柔性基板的残留应力被释放之际，会容易发生各向异性导电膜与柔性基板的界面中的剥离。

[0226] 比较例11、14中可知，由于光照射工序中的紫外线照射量相对于正式压接工序中的紫外线照射量过多，所以初期导通电阻值、可靠性实验后的导通电阻值、及可靠性实验后的间隙的评价并非良好。认为这结果是因为过于进行构成各向异性导电膜的粘合剂树脂的固化反应，在正式压接工序中无法将导电性粒子充分地压入。

[0227] [实施例16～19]

[0228] 实施例16～19中，与实施例10、11、13、14同样地向铬/铝镀敷玻璃粘贴各向异性导电膜，并从各向异性导电膜侧，对各向异性导电膜的整个面以20mJ/cm（2 正式压接时的5％）照射（先照射）了紫外线。来自该各向异性导电膜侧的先照射，使用了与来自透明基板侧的光照射大致相同的光源。在紫外线照射后，在各向异性导电膜上对位柔性基板而得到层叠体。对于该层叠体，以与实施例10、11、13、14同样的条件进行了光照射及正式压接。在实施例16～19中得到了与实施例10、11、13、14大致相等的结果。

[0229] [实施例20～29]

[0230] 在实施例20～29中，与实施例10～19同样地向铬/铝镀敷玻璃粘贴各向异性导电膜，在临时压接工序从透明基板侧进行光照射之际，除了以60℃、1MPa进行按压以外重复同等的操作，进行了正式压接。在实施例20～29中得到了与实施例10～19大致相等的结果。

[0231] 标号说明

[0232] 1　各向异性导电膜；2　剥离膜；3　粘合剂树脂层；4　导电性粒子；10　液晶显示面板；11、12　透明基板；13　密封材料；14　液晶；15　面板显示部；16、17　透明电极；18　液晶驱动用IC；20　COG安装部；21　柔性基板；22　FOG安装部；24　取向膜；25、26　偏振光板；30　加热按压头；31　紫外线照射器；42　凸点；43　布线；44　间隙；45、46　端子。