芯线支架以及硅的制造方法

摘要

芯线支架(3)被安装于在采用西门子法的硅制造装置(20)的底盘上布置的电极(2)上，所述芯线支架(3)具有硅芯线保持部(9)，该硅芯线保持部(9)呈近似圆锥台形状，并且用于保持硅芯线(4)以及向硅芯线(4)通电。在硅芯线保持部(9)的近似圆锥台的上表面上形成有用以保持硅芯线(4)的硅芯线插入孔(7)，硅芯线保持部(9)具有硅芯线保持部(9)的上表面与侧面所形成的棱形成为曲面状的倒角部(8)。

权利要求

1.一种芯线支架，其被安装于在采用西门子法的硅制造装置的底盘上布置的金属电极上，所述芯线支架具有硅芯线保持部，所述硅芯线保持部呈近似圆锥台形状，并且用于保持硅芯线以及向硅芯线通电，所述芯线支架的特征在于：

在所述硅芯线保持部的近似圆锥台的上表面上形成有用以保持所述硅芯线的硅芯线插入孔，所述硅芯线保持部具有：所述硅芯线保持部的上表面与侧面所形成的棱形成为曲面状的倒角部，假设如下所述的圆锥台的上表面的圆的直径为a，底面的圆的直径为b，高度为h，所述硅芯线保持部的、形成为曲面状的所述倒角部的曲率半径为R的情况下，成立以下的关系，a＜b、a≤h≤15a，并且，a/10≤R≤2b，其中，所述圆锥台内切有近似圆锥台形状的所述硅芯线保持部。

2.根据权利要求1所述的芯线支架，其特征在于：所述芯线支架具有呈圆柱形状或圆锥台形状的基部。

3.根据权利要求1或2所述的芯线支架，其特征在于：所述h与R的关系为：2a≤h≤10a，并且，a/8≤R≤b。

4.根据权利要求1或2所述的芯线支架，其特征在于：所述芯线支架由碳制成。

5.根据权利要求3所述的芯线支架，其特征在于：所述芯线支架由碳制成。

6.根据权利要求1或2所述的芯线支架，其特征在于：形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质：在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下，所述材料的热膨胀率为0.7～1.7。

7.根据权利要求3所述的芯线支架，其特征在于：形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质：在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下，所述材料的热膨胀率为0.7～1.7。

8.根据权利要求4所述的芯线支架，其特征在于：形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质：在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下，所述材料的热膨胀率为0.7～1.7。

9.根据权利要求5所述的芯线支架，其特征在于：形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质：在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下，所述材料的热膨胀率为0.7～1.7。

10.一种采用西门子法的多晶硅的制造方法，所述制造方法的特征在于：利用权利要求1到9中任一项所述的芯线支架，使多晶硅析出在所述硅芯线上。

说明书

芯线支架以及硅的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种新型芯线支架，其用于采用西门子法的硅的制造装置中。本发明还涉及一种利用芯线支架的硅的制造方法。

背景技术

[0002] 目前，作为制造多晶硅的方法之一，提出了被称为西门子法的多晶硅的制造方法，其中，该多晶硅被用作制造半导体或太阳能发电晶片的原料。该西门子法的特点在于能够获得高纯度的多晶硅，将该西门子法作为在多晶硅的制造方法中最普遍的方法加以实施。

[0003] 将用于该西门子法的硅制造装置的一个例子示于图8中。该硅制造装置50由底盘1以及容器6构成，该底盘1布置有用来对硅芯线4通电的金属制电极2，该容器6呈钟罩形且覆盖底盘1。此外，具有供硅芯线4插入的插入孔的芯线支架30例如以用螺钉固定等方式固定在电极2上，以便保持硅芯线4的端部并对硅芯线4通电。

[0004] 在制造多晶硅棒之际，首先将被形成为倒U字形的硅芯线4的两端固定在芯线支架30上。接着，通过芯线支架30利用电极2对硅芯线4通电，由此将硅芯线4加热到硅析出温度。
然后，在该加热状态下，通过向反应装置内供给三氯硅烷、单硅烷等硅烷化合物和氢等还原气体，从而生成硅并使其析出在硅芯线4上，作为硅棒5来回收。

[0005] 此外，就上述的多晶硅棒的制造方法而言，近年来，尝试延长硅棒的长度以及加大硅棒的直径，以便获得大量的硅。这里，在这种硅棒大型化的情况下，出现了如下问题，即：在硅的析出阶段或者析出后的冷却阶段中，由于由硅棒的膨胀、收缩引起的应变和局部性的负荷荷重增加，因此在硅棒脚部发生破坏(裂缝)，结果，硅棒5倒塌。

[0006] 作为引起这种硅棒5倒塌的原因之一可举出：在硅棒5的脚部即硅棒5(硅芯线4)与芯线支架30相接触的接触部分，产生起因于电极2的冷却结构的应力。

[0007] 更具体而言，在硅制造装置50中，电极2一般是用SUS、铜等金属制造的电极。硅制造装置50具有用以对硅制造装置50的内部进行水冷的冷却部件(未图示)，以便保护该电极2免遭高温气氛。其结果是，固定在电极2上的芯线支架30被冷却，进而，被插入到芯线支架
30内的硅芯线4的、与芯线支架30相接触的接触部分的温度也会下降。因此，就通过加热上述硅芯线4使硅析出后获得的硅棒5而言，特别是在硅刚析出完且温度高的硅棒5因被冷却而进行热收缩时，在硅棒5与芯线支架30相接触的接触部分会产生大的应力。其结果是，导致如下问题，即：在芯线支架30或者已析出的硅脚部发生裂缝，由此硅棒5会倒塌。

[0008] 于是，作为解决上述问题的方法，提出了这样的技术：暂时使硅棒的温度上升，然后使硅棒的温度下降，以便减少成为应力发生源的硅棒内部的应变的产生(例如，参照专利文献1)。根据这种方法，能够抑制在硅棒内部产生的应变的发生。

[0009] 然而，因为近几年硅棒的直径进一步大型化，所以应变量及负荷荷重增大，由此，在硅棒脚部所产生的应力增大，只靠上述专利文献1的方法难以有效地抑制：在硅棒脚部发生裂缝以及硅棒起因于此而倒塌。

[0010] 于是，作为解决该问题的方法，提出了这样的技术：通过使用设置有环状的褶皱的芯线支架，从而减小芯线支架的一部分外壁的厚度，降低传热性，并且让形成在褶皱和褶皱之间的空气层作为绝热部发挥作用，从而抑制来自电极的热的传导(例如，参照专利文献2)。

[0011] 专利文献1：日本专利第3357675号

[0012] 专利文献2：日本公开专利公报特开2011－84419号公报

发明内容

[0013] －发明要解决的技术问题－

[0014] 然而，在上述专利文献2所记载的方法中，虽然因采用芯线支架而脚部裂缝的扩大得以改善，但是由于形成了环状的褶皱，因而芯线支架本身的一部分的厚度变薄，其结果是，存在该厚度较薄的部分的强度降低这样的担忧。此外，还存在如下问题，即：用于将环状的褶皱形成在芯线支架上的加工较复杂。

[0015] 于是，本发明正是鉴于上述问题而完成的，其目的在于：在采用西门子法的硅制造装置中，提供一种芯线支架，该芯线支架为：能够以廉价且简便的加工方法制造，而且能够以简单的结构在不让芯线支架的强度下降的情况下，减小在芯线支架与硅芯线相接触的接触部产生的应力，避免在硅棒的脚部发生裂缝，从而防止发生硅棒倒塌这样的现象。

[0016] －用以解决技术问题的技术方案－

[0017] 为达成上述目的，本申请的发明人专心地进行了研究。其结果是，发现了具有后述的形状特征的芯线支架能够达成上述目的。即，现有的芯线支架30具有如图8所示的呈圆锥台形状的硅芯线保持部以及呈圆柱形状的基部，硅芯线保持部呈如图2中用虚线示出那样的具有角的形状。相对于此，本申请的发明人发现下述情况而完成了本发明，该情况为：在硅芯线保持部与硅棒相接触的接触部，通过将硅芯线保持部上的接触部形成为曲面，从而能够抑制或分散如下所述的应力，其结果是，能够有效地防止接触部成为破环的起点，从而能够达成上述目的，该应力是以往在硅芯线保持部与硅棒相接触的接触部，被加热到高温的硅棒因被冷却而进行热收缩时产生的，而且该应力会增大至超过硅棒的断裂强度导致硅棒倒塌。

[0018] 更具体而言，本发明的芯线支架是一种如下所述的芯线支架，即：被安装于在采用西门子法的硅制造装置的底盘上布置的金属电极上，所述芯线支架具有硅芯线保持部，所述硅芯线保持部呈近似圆锥台形状，并且用于保持硅芯线以及向硅芯线通电，所述芯线支架的特征在于：在硅芯线保持部的近似圆锥台的上表面上形成有用以保持硅芯线的硅芯线插入孔，所述硅芯线保持部具有：硅芯线保持部的上表面与侧面所形成的棱形成为曲面状的倒角部。

[0019] 也可以是这样的：本发明的芯线支架构成为：具有呈圆柱形状或圆锥台形状的基部。

[0020] 也可以是这样的：本发明的芯线支架构成为：假设如下所述的圆锥台的上表面的圆的直径为a，底面的圆的直径为b，高度为h，硅芯线保持部的、形成为曲面状的倒角部的曲率半径为R的情况下，成立以下的关系，a＜b、a≤h≤15a，并且，a/10≤R≤2b，其中，所述圆锥台内切有近似圆锥台形状的硅芯线保持部。

[0021] 也可以是这样的：本发明的芯线支架构成为：形成芯线支架的材料具有如下所述的材质：在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下，所述材料的热膨胀率为0.7～1.7。

[0022] 也可以是这样的：本发明的芯线支架构成为：由碳制成。

[0023] 本发明的采用西门子法的多晶硅的制造方法的特征在于：利用本发明的芯线支架，使多晶硅析出在硅芯线上。

[0024] －发明的效果－

[0025] 就本发明的芯线支架而言，在使用采用西门子法的硅制造装置而制造多晶硅棒时，在被加热到高温的硅棒因被冷却而进行热收缩之际，在芯线支架上的、硅芯线保持部与硅棒相接触的接触部，因硅棒的收缩而产生的束缚力被在硅芯线保持部形成为曲面状的倒角部而分散。因此，因为能够在不会导致芯线支架的强度下降的情况下，减小在该接触部所产生的应力，所以能够将该应力有效地抑制到硅的断裂强度以下，能够减少在硅棒脚部发生裂缝。

[0026] 其结果是，即使加大硅棒的直径，也能够有效地防止硅棒倒塌。

[0027] 此外，本发明的芯线支架结构简单，例如，像后述那样，通过研磨等方式将现有的芯线支架的、硅芯线保持部的上表面与侧面所形成的棱加工成曲面状，从而能够容易制造本发明的芯线支架，该芯线支架在加工方面、成本方面也具有产业上的优势。

附图说明

[0028] 图1是示出本发明的采用西门子法的硅制造装置的简图。

[0029] 图2是示出本发明的芯线支架的一方式的简图，是图1中的A部分的放大图。

[0030] 图3是示出本发明的芯线支架的一方式的简图。

[0031] 图4是示出本发明的芯线支架的一方式的简图。

[0032] 图5是示出本发明的芯线支架的一方式的简图。

[0033] 图6是简图，示出本发明的芯线支架的硅芯线保持部的一方式。

[0034] 图7是简图，用于说明本发明的芯线支架的硅芯线保持部的曲率半径。

[0035] 图8是示出现有的采用西门子法的硅制造装置的简图。

具体实施方式

[0036] 下面，参照示出本发明的实施方式的附图对本发明的芯线支架进行说明。需要说明的是，本发明并不局限于以下实施方式。

[0037] 图1是示出本发明的采用西门子法的硅制造装置的简图。图2是示出本发明的芯线支架的一方式的简图，是图1中的A部分的放大图。图3～图5是简图(截面图)，示出本发明的芯线支架的结构的一方式。

[0038] 本发明的硅制造装置20是一种采用西门子法的硅制造装置20，其中，西门子法是指：在开始预热容器6内部后，边向硅芯线4通电，边向容器6内供给硅析出用原料气体，从而使多晶硅析出在硅芯线4上的方法。

[0039] 如图1所示，电极2布置在该硅制造装置20的底盘1上。需要说明的是，在本发明的硅制造装置20中，至少一对电极2布置在容器6内。此外，该电极2与硅芯线4的两端连接。

[0040] 此外，如图1、图2所示，硅制造装置20包括被安装在电极2上的芯线支架3。该芯线支架3用于保持硅芯线4以及向硅芯线4通电。

[0041] 如图2所示，本发明的芯线支架3包括呈近似圆锥台形状的硅芯线保持部9。在该硅芯线保持部9的近似圆锥台的上表面上形成有用以保持硅芯线4的硅芯线插入孔7。

[0042] 这里，本发明的芯线支架3的硅芯线保持部9的特征在于：如图2所示，形成有：硅芯线保持部9的上表面与侧面所形成的棱被加工成曲面状的倒角部8。

[0043] 在采用了现有的芯线支架的情况下，就通过对被插入到插入孔内的硅芯线进行加热以使硅析出而获得到的硅棒而言，特别是在刚析出完且温度高的硅棒被冷却之际，芯线支架上的、硅芯线保持部与硅棒相接触的接触部由于硅棒热收缩而被该硅棒束缚，由此在该接触部产生较大的应力。

[0044] 另一方面，本发明的芯线支架3的硅芯线保持部9因为具有形成为曲面状的倒角部8，所以能够使所产生的应力不集中到一处而分散。因此，在硅棒5的脚部，应力被抑制到硅的断裂强度以下，即使是脚部较粗的硅棒5，也能够有效地防止在硅棒5的脚部发生裂缝以及硅棒5起因于裂缝而倒塌。

[0045] 对于除了芯线支架3的硅芯线保持部9的倒角部8以外的形状并没有特别的限制，能够采用公知的芯线支架的形状。

[0046] 此外，优选，本发明的芯线支架3在近似圆锥台形状的硅芯线保持部9的下部具有呈圆柱形状、圆锥台形状或者倒圆锥台形状的基部10。

[0047] 在图3～图5中举例示出芯线支架，其具有呈圆柱形状或倒圆锥台形状的基部10。其中，最普遍的形状为图2所示的、近似圆锥台形状的硅芯线保持部9的底面的直径与圆柱形状的基部10的上表面的直径相等的形状。

[0048] 此外，构成芯线支架3的呈圆柱形状或圆锥台形状的基部10和呈近似圆锥台形状的硅芯线保持部9可以形成为一体，也可以以能分离的组装接合方式形成。此外，该接合部的结构只要是不会由于硅棒的荷重而被破坏，而且能够顺利地通电的结构即可，其并没有特别的限制，例如，可列举出利用螺旋型(拧合型)、吻合型、擂钵型等形状进行接合的方式。

[0049] 接着，在下文中对本发明的芯线支架的硅芯线保持部的形状进行详细说明。

[0050] 图6是简图，示出本发明的芯线支架的硅芯线保持部的一方式。

[0051] 如图6所示，本发明的硅芯线保持部9因为呈近似圆锥台形状，所以在假设有内切有硅芯线保持部9的圆锥台，其上表面的圆的直径为a且底面的圆的直径为b时，则成立以下关系：a＜b。

[0052] 这里，如图6所示，在圆锥台的高度为h的情况下，h的范围优选在a≤h≤15a的范围之内，更优选为2a≤h≤10a。这是因为：如果h的值小于a，则会出现硅芯线保持部9的顶端部的形状成为扁平状而难以保持已成长的硅棒5的情况。还因为：如果h的值大于15a，则会出现因从硅芯线4向硅芯线保持部9的传热量变大而硅芯线4通过硅芯线保持部9被过度冷却，阻碍硅在硅芯线4的基部的成长的情况。

[0053] 还可以是这样的：在形成为曲面状的倒角部8的曲率半径为R时，曲面由具有单一的曲率半径的曲线构成。此外，在曲面由具有不同曲率半径的多条曲线构成的情况下，“形成为曲面状的倒角部的曲率半径为R”是指：由多条曲线构成的整个曲面状倒角部的曲率半径。

[0054] 需要说明的是，这里所述的“曲率半径”为：如图6所示，在硅芯线保持部9的倒角部8由单一的圆周线形成的情况下，指其半径；如图7所示，在硅芯线保持部9的倒角部8通过组合多条圆周线(在图7的情况下有四条圆周线即圆周线L1～L4)而形成的情况下，指所有与各条圆周线L1～L4相对应的各个半径。

[0055] 此外，曲率半径R优选在a/10≤R≤2b的范围之内，更优选为在a/8≤R≤b的范围之内。这是因为：如果R的值小于a/8，则会出现难以将倒角部8形成为曲面状的情况。还因为：如果R的值大于b，则会出现难以将该曲面形成为相对于硅芯线保持部9的上表面或侧面而言平滑的曲线的情况。

[0056] 需要说明的是，如图7所示，在硅芯线保持部9的倒角部8通过组合多条圆周线L1～L4而形成的情况下，优选：最小的曲率半径在a/10≤R的范围之内，并且最大的曲率半径在R≤2b的范围之内。

[0057] 此外，如图6所示，在假设倒角部8的起点为Q及S，且线段Q－S的长度为p的情况下，p的最佳范围会根据整个芯线支架3的大小、形状、硅芯线保持部9的大小、形状、以及形成在硅芯线保持部9的上表面上的硅芯线插入孔7的大小而不同，其中，所述倒角部8的起点Q、S位于内切有硅芯线保持部9的圆锥台的上表面的直径方向上。因此，优选，事先进行实验而决定使脚部能够充分地成长的最佳范围，但在本发明中，长度p优选在1/10a≤p≤9/10a的范围之内，更优选为1/5a≤p≤4/5a。

[0058] 这是因为：如果p的值小于1/5a，则会出现硅芯线保持部9的强度下降而难以保持已成长的硅棒5的情况。还因为：如果p的值大于4/5a，则会出现以下情况：从硅芯线4向硅芯线保持部9的传热量变大，硅芯线4通过硅芯线保持部9被过度冷却，阻碍硅在硅芯线4的脚部的成长，而且，在硅棒5与硅芯线保持部9相接触的接触部的、曲面的比例较小，因而使由于硅棒5的热收缩而产生的束缚力分散的效果降低。

[0059] 此外，如图6所示，在假设圆锥台的侧面的长度为c，圆锥台侧面上的倒角部的起点为Y，将圆锥台的侧线与底边的交点为Z的情况下，线段Y－Z的长度x优选在1/10c≤x≤4/5c的范围之内，更优选在1/5c≤x≤2/3c的范围之内。

[0060] 这是因为：如果x小于1/5c，则会出现硅难以析出在硅芯线保持部9的顶端部分，因而难以保持已成长的硅棒5的情况。还因为：如果x大于2/3c，则会出现在硅棒5与硅芯线保持部9相接触的接触部的、曲面的比例较小，因而使由于硅棒5的热收缩而产生的束缚力分散的效果降低的情况。

[0061] 在本发明中，芯线支架3的材质并没有特别的限制，只要具有作为芯线支架3所需要的导电性即可。需要说明的是，工业上最优选使用碳。

[0062] 此外，作为形成芯线支架3的材料，优选选用：假设硅棒5的热膨胀率为1的情况下，具有热膨胀率为0.7～1.7的材质的材料，更优选选用：假设硅棒5的热膨胀率为1的情况下，具有热膨胀率为0.8～1.5的材质的材料。这是因为：如果热膨胀率在上述范围之外，则会出现由于冷却硅棒5时的热收缩而产生的束缚力增大的情况。

[0063] 需要说明的是，这里所述的“热膨胀率”能够根据物体的线膨胀率的值进行计算，该物体的线膨胀率的值是使用热机械分析装置(Thermo Mechanical Analysis，TMA)进行测定的。此外，最近有时通过利用激光的遥测方法测定物体的线膨胀率的值，且根据该值计算热膨胀率。该方法能够获得与使用热机械分析装置测定的测定值实质上相同的值，因此也可以根据如下所述的测定值计算热膨胀率，该测定值是通过利用激光的遥测方法来测定的。

[0064] 此外，一般的碳(烧结体)有90～130左右的种类，作为芯线支架3的材料，优选地使用具有在硅棒5的热膨胀率乘以上述比率而得的热膨胀率的材料。具体而言，在将上述的碳用作基体材料时，各向同性材料、各向异性材料都可以使用。

[0065] 这里，“碳”材料是指，一般以天然鳞片石墨、石油焦、煤沥青焦或炭黑等作为原材料而制造的人造石墨。该碳材料的成形体能够通过以下步骤获得，即：粉碎原材料，调整粒度，加入煤焦油、沥青等粘结剂而调制出混合物后，将该混合物放入模具中，进行压缩成形或挤压成形。

[0066] 此时，将通过静液压成形法压缩成形的材料称作各向同性材料，将在加压时从一个方向加压的材料称作各向异性材料。

[0067] 此外，在使用各向异性材料时，优选选用：具有上述热膨胀率的比率的最大值的范围为0.7～1.7的材质的材料。

[0068] 在本发明中，将曲面状的倒角部8形成在硅芯线保持部9的上表面与侧面所形成的棱上的方法并没有特别的限制，可以无限制地采用公知的方法。具体而言，在硅芯线保持部9的基体材料为碳的情况下，优选通过切削加工等而形成出倒角部8。此外，本发明的芯线支架3也能够通过对如图8所示的、现有的圆锥台形状硅芯线保持部的上表面与侧面所形成的棱进行加工而制作。

[0069] 在本发明中，芯线支架3的大小只要考虑硅析出反应后的硅棒5的直径、由硅棒5带来的负荷荷重，设为能够充分地支撑硅棒5的大小即可。一般情况下，硅芯线保持部9的底面的直径b为35mm～60mm，高度h为50mm～150mm。

[0070] 此外，就形成在芯线支架3上的硅芯线插入孔7的直径和深度而言，只要考虑所使用的硅芯线4的直径和在硅析出反应期间的、高温下的硅芯线4的膨胀以及由硅棒5带来的负荷荷重，适当地决定即可。

[0071] 此外，本发明的芯线支架3与金属制电极2相接合。接合部的结构只要是能够顺利地通电的结构即可，并没有特别的限制，例如，可列举出利用螺旋型(拧合型)、吻合型、擂钵型等形状进行接合的方式。

[0072] 需要说明的是，如上所述，电极2通常具有能够以水冷等方式进行冷却的结构，以便保护部件免遭高温气氛，由此电极2在硅析出期间得以冷却。

[0073] 在本发明的芯线支架3中，使用了直径为5～12mm的硅芯线4，在制造直径在100mm以上、尤其在120mm以上的硅棒5时，特别有效。

[0074] 实施例

[0075] 下面，根据实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不局限于这些实施例。

[0076] (实施例1～24)

[0077] 使用如图3所示的芯线支架计算出析出后的硅棒脚部的裂缝发生率。更具体而言，使用具有如下所述的硅芯线保持部且具有在表1中示出的热膨胀率的芯线支架，使多晶硅析出在截面是边长为8mm的正方形的硅芯线上，制造出直径约为150mm的硅棒，所述硅芯线保持部的、在图6中示出的a、b、c、h、p、x的长度以及曲率半径R被设为在表1中示出的值。接着，计算出析出后的硅棒脚部的裂缝发生率。将上述结果示于表1中。

[0078] 需要说明的是，根据下面的计算式(1)求得了在评价中所使用的硅棒脚部的裂缝发生率(N(％))。

[0079] (计算式1)

[0080] N(％)＝(取出时脚部有裂缝的硅棒根数)/(硅棒总根数)x100…(1)

[0081] [表1]

[0082]

[0083] (比较例1～3)

[0084] 使用如图3所示的芯线支架计算出析出后的硅棒脚部的裂缝发生率。更具体而言，除了使用具有如下所述的硅芯线保持部以及具有在表2中示出的热膨胀率的芯线支架以外，其它都按照与实施例1～24相同的方式，使多晶硅析出在截面是边长为8mm的正方形的硅芯线上，制造出直径约为150mm的硅棒，所述硅芯线保持部的、在图6中示出的a、b、c、h、p、x的长度被设为在表2中示出的值，并且在上表面与侧面所形成的棱上没有形成曲面状的倒角部。接着，按照与实施例1～24相同的方式，计算出析出后的硅棒脚部的裂缝发生率。将上述结果示于表2中。

[0085] [表2]

[0086]

[0087] 可知：如表1、表2所示，就实施例1～24的芯线支架而言，因为具有硅芯线保持部的上表面与侧面所形成的棱被加工成曲面状的倒角部，所以应力被抑制到硅的断裂强度以下，其结果是，在取出硅棒时，以往以硅棒与硅芯线保持部相接触的接触部为起点在硅棒脚部发生的裂缝的发生率会降低。

[0088] －符号说明－

[0089] 1   底盘

[0090] 2   电极

[0091] 3   芯线支架

[0092] 4   硅芯线

[0093] 5   硅棒

[0094] 6   钟罩形容器

[0095] 7   硅芯线插入孔

[0096] 8   倒角部

[0097] 9   硅芯线保持部

[0098] 10  基部