偏光板及图像显示装置

摘要

本发明的偏光板(1A)具有表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层(2)、基材(3)及偏光层(4)。优选的是，以导电层(2)、基材(3)及偏光层(4)的顺序进行层叠。优选的是，导电层(2)的总透光率为80％以上。本发明的偏光板具有优异的电磁波屏蔽性。

权利要求

1.一种偏光板，其具有表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层、基材以及偏光层。

2.根据权利要求1所述的偏光板，其中，具有所述导电层及基材的带导电层的基材的总透光率为80％以上。

3.根据权利要求1或2所述的偏光板，其中，以导电层、基材及偏光层的顺序进行层叠。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的偏光板，其中，所述导电层包含选自金属纳米线、金属网、金属氧化物、导电性高分子及碳系纳米材料中的至少1者。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的偏光板，其中，所述基材为包含选自纤维素系树脂、丙烯酸类树脂、聚碳酸酯系树脂及环烯烃系树脂中的至少1者的树脂薄膜。

6.一种图像显示装置，其具有权利要求1～5中任一项所述的偏光板和液晶单元。

7.根据权利要求6所述的图像显示装置，其中，还具有触摸面板，且所述触摸面板配置在液晶单元的视觉识别面侧。

说明书

偏光板及图像显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及具有优异的电磁波屏蔽性的偏光板及使用其的图像显示装置。

背景技术

[0002] 在移动电话、智能手机、便携式游戏机、平板电脑等之类的具有图像显示装置的信息设备中，通常为了防止起因于电磁噪音的多个设备间或设备内的误动作，实施了电磁波屏蔽处理。作为这样的电磁波屏蔽处理，例如进行了在图像显示装置等电磁噪音产生源或其附近配置电磁波屏蔽材料。

[0003] 专利文献1及2中公开了在液晶显示装置的显示面板的前面配置厚度3μm以下、可3 12
见光的透过率为78％以上并且具有表面电阻值为10 ～10 Ω/sq.的导电性高分子层的偏光板用保护薄膜。

[0004] 但是，不能说所述薄膜作为对智能手机等具有带触摸面板的图像显示装置的信息设备的电磁波屏蔽材料而言是足够的。即，对于触摸面板具有的接触式传感器，只要有一点点的电磁波就会受到影响，因此带触摸面板的图像显示装置中需要具有优异的电磁波屏蔽性的偏光板。

[0005] 现有技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本特开2010-24457号公报

[0008] 专利文献2：日本特开2010-26523号公报

发明内容

[0009] 发明要解决的问题

[0010] 本发明的目的在于，提供具有优异的电磁波屏蔽性的偏光板及使用其的图像显示装置。

[0011] 用于解决问题的方案

[0012] 本发明的偏光板具有表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层、基材及偏光层。

[0013] 本发明的优选的偏光板中，具有前述导电层及基材的带导电层的基材的总透光率为80％以上。

[0014] 本发明的优选的偏光板中，以导电层、基材及偏光层的顺序进行层叠。

[0015] 本发明的优选的偏光板中，前述导电层包含选自金属纳米线、金属网、金属氧化物、导电性高分子及碳系纳米材料中的至少1者。

[0016] 本发明的优选的偏光板中，前述基材为包含选自纤维素系树脂、丙烯酸类树脂、聚碳酸酯系树脂及环烯烃系树脂中的至少1者的树脂薄膜。

[0017] 根据本发明的又一方面，可提供图像显示装置。

[0018] 该图像显示装置具有上述任一偏光板和液晶单元。

[0019] 本发明的优选的图像显示装置还具有触摸面板，且前述触摸面板配置在液晶单元的视觉识别面侧。

[0020] 发明的效果

[0021] 本发明的偏光板具有优异的电磁波屏蔽性，因此能够有效地阻断电磁波。另外，本发明的偏光板的透光性也优异，因此可以适当地用作安装在图像显示装置中的偏光板。

附图说明

[0022] 图1为第1实施方式的偏光板的截面图。

[0023] 图2为第2实施方式的偏光板的截面图。

[0024] 图3为第3实施方式的偏光板的截面图。

[0025] 图4为第4实施方式的偏光板的截面图。

[0026] 图5为1个实施方式的图像显示装置具备的液晶面板的构成例的示意参考图。

[0027] 图6为另一实施方式的图像显示装置具备的带触摸面板的液晶面板的构成例的示意参考图。

具体实施方式

[0028] 以下具体地对本发明进行说明。

[0029] 本说明书中，由“～”所示的数值范围是指包含“～”的前后的数值作为下限值和上限值的数值范围。需要留意的是各图中所示的厚度及长度等的尺寸与实际的尺寸不一样。

[0030] [偏光板]

[0031] 本发明的偏光板具有表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层、基材及偏光层。

[0032] 具有表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层的本发明的偏光板具有优异的电磁波屏蔽性。

[0033] 本发明的偏光板根据需要可以具有除导电层、基材及偏光层以外的任意的功能层。作为功能层，例如可列举出：粘合层、保护层、相位差层等。前述粘合层是用于将偏光板粘接于任意构件上的层。粘合层代表性的是由透光性优异的公知的粘合剂形成，作为前述粘合剂，例如可列举出丙烯酸类粘合剂。需要说明的是，对粘合层的厚度没有特别限定，例如为10μm～30μm。

[0034] 前述保护层为用于保护前述偏光层等的层，作为保护层，代表性的可列举出保护薄膜。保护薄膜优选使用光学上各向同性的薄膜，例如可列举出三乙酸纤维素薄膜等公知的薄膜。前述相位差层为对光赋予相位差的层，作为相位差层，代表性的可列举出：1/4波长板、1/2波长板等。

[0035] 对导电层、基材及偏光层等各层的层叠顺序没有特别限定。需要说明的是，导电层、基材及偏光层等各层可以彼此直接粘接，或者也可以借助粘接层粘接。粘接层由透光性优异的公知的粘合剂或粘接剂形成。

[0036] 如图1所示，第1实施方式的偏光板1A以导电层2、基材3及偏光层4的顺序进行层叠。另外，为了使偏光板1A粘接于任意构件，根据需要，在导电层2的第1面侧层叠粘合层5。前述粘合层5可以设置在偏光层4的第2面侧(未图示)。需要说明的是，第1面在图中为纸面下侧的面，第2面为纸面上侧的面。

[0037] 第2实施方式的偏光板1B是在第1实施方式的偏光板1A上层叠保护层而成的。对于该偏光板1B，如图2所示，保护层6例如设置在偏光层4的第2面侧。另外，邻接的层间不直接粘接的情况下，根据需要，设置粘接层7。在图示的例子中，粘接层7分别设置在例如基材3与偏光层4之间及偏光层4与保护层6之间。

[0038] 如图3所示，第3实施方式的偏光板1C以基材3、导电层2及偏光层4的顺序进行层叠。另外，为了将偏光板1C粘接于任意构件上，根据需要，在基材3的第1面层叠有粘合层5。前述粘合层5可以设置在偏光层4的第2面上(未图示)。

[0039] 第4实施方式的偏光板1D是在第3实施方式的偏光板1C上层叠保护层而成的。如图4所示，对于该偏光板1D，保护层6例如设置在偏光层4的第2面侧。另外，邻接的层间不直接粘接的情况下，根据需要，设置粘接层7。在图示的例子中，粘接层7设置在例如导电层2与偏光层4之间。优选的带导电层的基材由基材3和直接层叠粘接在该基材的一个面上的导电层
2构成。

[0040] [基材]

[0041] 基材优选具有优异的透光性。例如，基材的总透光率为80％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上。通过使用透明的基材，能够构成透光性优异的偏光板。前述总透光率可以通过根据JIS K 7361的方法来测定。

[0042] 基材可以不具有相位差(各向同性的基材)、或者也可以具有相位差(具有各向异性的基材)。使用具有相位差的基材的情况下，该基材可以作为相位差板而起作用。基材具有相位差的情况下，可以适宜设定其面内相位差值及厚度方向相位差值。需要说明的是，面内相位差值是通过(nx-ny)×d求出的、厚度方向相位差值是通过(nx-nz)×d求出的。其中，nx表示基材的面内的折射率最大的方向(即慢轴方向)的折射率，ny表示在基材的面内与前述折射率最大的方向正交的方向的折射率，nz表示基材的厚度方向的折射率，d表示基材的厚度(nm)。

[0043] 需要说明的是，优选的是，各向同性的基材的前述面内相位差值为10nm以下、并且厚度方向相位差值为10nm以下。

[0044] 对基材的厚度没有特别限定，例如为10μm～200μm，优选为20μm～100μm。

[0045] 基材的形成材料可以使用任意的适当的材料。例如，作为基材，可列举出树脂薄膜、玻璃基板等，优选使用树脂薄膜。

[0046] 对前述树脂薄膜没有特别限定，例如可列举出：包含三乙酸纤维素等纤维素系树脂；聚降冰片烯等环烯烃系树脂；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸类树脂；聚碳酸酯系树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂；聚苯乙烯等苯乙烯系树脂；聚酰亚胺系树脂；聚酰胺酰亚胺系树脂等树脂成分作为主成分的薄膜。优选的是，基材可以使用包含选自纤维素系树脂、丙烯酸类树脂、聚碳酸酯系树脂及环烯烃系树脂中的至少1者的树脂薄膜。

[0047] 另外，前述树脂薄膜根据需要可以包含任意添加剂。作为添加剂，可列举出：增塑剂、热稳定剂、光稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、阻燃剂、着色剂、抗静电剂、增溶剂、交联剂及增稠剂等。使用的添加剂的种类及量可根据目的来适宜设定。

[0048] 前述纤维素系树脂优选纤维素和脂肪酸的酯。作为这样的纤维素酯系树脂的具体例，可列举出：三乙酸纤维素、二乙酸纤维素、三丙酸纤维素、二丙酸纤维素等，其中，优选三乙酸纤维素。包含纤维素系树脂的树脂薄膜可以使用市售品。作为三乙酸纤维素薄膜的市售品，可列举出：Fujifilm Corporation制的商品名“UV-50”、“UV-80”、“SH-80”、“TD-80U”、“TD-TAC”、“UZ-TAC”、Konica Minolta Opto,Inc.制的“KC系列”等。

[0049] 前述丙烯酸类树脂是指具有源自(甲基)丙烯酸酯的重复单元((甲基)丙烯酸酯单元)和/或源自(甲基)丙烯酸的重复单元((甲基)丙烯酸单元)的树脂。丙烯酸类树脂可以具有源自(甲基)丙烯酸酯的衍生物或(甲基)丙烯酸的衍生物的构成单元。作为丙烯酸类树脂及包含其的树脂薄膜的具体例，例如可列举出：日本特开2004-168882号公报、日本特开2007-261265号公报、日本特开2007-262399号公报、日本特开2007-297615号公报、日本特开2009-039935号公报、日本特开2009-052021号公报、日本特开2010-284840号公报中记载的丙烯酸类树脂等。

[0050] 前述聚碳酸酯系树脂优选由芳香族2元酚成分和碳酸酯成分形成的芳香族聚碳酸酯树脂。芳香族聚碳酸酯树脂通常可以通过芳香族2元酚化合物与碳酸酯前体物质的反应获得。

[0051] 前述环烯烃系树脂的聚降冰片烯是指起始原料(单体)的一部分或全部使用具有降冰片烯环的降冰片烯系单体而得到的聚合物或共聚物。包含聚降冰片烯的树脂薄膜可以使用市售品。作为其市售品，可列举出：Zeon Corporation制的商品名“ZEONEX”、“ZEONOR”、JSR(株)制的商品名“Arton”、TICONA公司制的商品名“TOPAS”、三井化学株式会社制的商品名“APEL”等。

[0052] [导电层]

[0053] 导电层形成于基材的一个面上。

[0054] 导电层具有0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的表面电阻值。优选的是，使用表面电阻值为0.1Ω/sq.～500Ω/sq.的导电层，更优选的是，使用表面电阻值为0.1Ω/sq.～300Ω/sq.的导电层。若表面电阻值太小，则导电层的透光性会降低，若表面电阻值太大，则有导电层的电磁波屏蔽性降低的担心。

[0055] 表面电阻值可以根据JIS K 7194、在23℃下、通过四端子测定法进行测定。

[0056] 优选的是，导电层具有优异的透光性。例如，导电层的总透光率为80％以上、优选为82％以上、更优选为84％以上。通过使用透明的导电层，能够构成透光性优异的偏光板。

[0057] 前述总透光率可以通过依据JIS K 7361的方法来测定。

[0058] 具有这样的导电层和基材的带导电层的基材的总透光率为80％以上、优选为82％以上、更优选为84％以上。

[0059] 导电层例如可以使用无机导电材料或有机导电材料来形成。

[0060] 为了形成电磁波屏蔽性及透光性优异的导电层，导电层的厚度优选0.001μm～10μm、更优选0.03μm～3μm、进一步优选0.05μm～3μm、特别优选0.05μm～1.5μm。

[0061] 作为前述无机导电材料，可列举出：金、银、铜、锡、镍、铝、钯等导电性金属；这些金属的氧化物；碳等。作为有机导电材料，可列举出：聚噻吩、聚乙炔、聚对苯撑、聚苯胺、聚对苯乙炔、聚吡咯等。前述无机导电材料及有机导电材料可以各自单独使用1种或组合使用2种以上。另外，也可以将前述无机导电材料和前述有机导电材料组合使用。

[0062] 优选的是，导电层由包含选自金属纳米线、金属网、金属氧化物、导电性高分子、碳系纳米材料中的至少1者的层形成。

[0063] (包含金属纳米线或碳系纳米材料的导电层)

[0064] 前述金属纳米线为由前述导电性金属形成的极细线状的导电体纤维。同样地，碳系纳米材料可以使用例如碳纳米管，所述碳纳米管也可以说是极细线状的导电体纤维。前述导电体纤维(金属纳米线及碳系纳米材料)可以为直线状、或者也可以为曲线状。

[0065] 前述导电体纤维的截面的外形可以为圆形，也可以为椭圆形。对导电体纤维的直径没有特别限定，从形成具有优异的透光性及电磁波屏蔽性的导电层的观点出发，例如为500nm以下、优选为200nm以下、更优选为10nm～100nm。需要说明的是，导电体纤维的截面外形为椭圆形的情况下，前述直径相当于椭圆的短径。椭圆的长径例如为短径+0～20nm。对导电体纤维的长度没有特别限定。从形成具有优异的透光性及电磁波屏蔽性的导电层的观点出发，例如为2μm～1000μm、优选为10μm～500μm、更优选为10μm～100μm。另外，对导电体纤维的长径比没有特别限定。例如为10～100000、优选为50～100000、更优选为100～10000。
通过使用长径比大的导电体纤维，能够形成导电体纤维良好地交叉的导电层。

[0066] 但是，长径比是导电体纤维的直径d与长度L的比(长径比＝L/d)。导电体纤维的直径及长度可以利用扫描型电子显微镜或透射型电子显微镜来测定。

[0067] 作为金属纳米线的制造方法，可以采用任意适当的方法。作为其方法，例如可列举出：在溶液中将硝酸银还原的方法；自探针的前端部使施加电压或使电流作用于前体表面、在探针前端部引出金属纳米线，由此连续地形成金属纳米线的方法等。在溶液中将硝酸银还原的方法中，通过在乙二醇等多元醇和聚乙烯基吡咯烷酮的存在下、对硝酸银等银盐进行液相还原，由此可得到银纳米线。均匀尺寸的银纳米线可以根据例如Xia，Y.etal.，Chem.Mater.(2002)、14、4736-4745、Xia，Y.etal.，Nanoletters(2003)3(7)、955-960中记载的方法来实现大量生产。

[0068] 包含金属纳米线或碳系纳米材料的导电层可以通过在上述基材上涂布包含导电体纤维(金属纳米线或碳系纳米材料)的导电层形成用组合物来形成。例如，可以通过将使导电体纤维分散于溶剂中而成的分散液涂布在基材的一个面上后，使该涂膜干燥来形成导电层。作为前述溶剂，可列举出：水、醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、烃系溶剂、芳香族系溶剂等。对前述导电层形成用组合物中的导电体纤维的浓度没有特别限定，例如为0.1质量％～1质量％。另外，前述导电层中的导电体纤维的含量相对于导电层整体优选为80质量％～100质量％、更优选为85质量％～99质量％。为这样的范围时，能够形成电磁波屏蔽性及透光性优异的导电层。

[0069] 前述导电层形成用组合物还根据需要可以添加任意添加剂。作为该添加剂，例如可列举出用于防止金属腐蚀的防腐蚀材料、用于防止导电体纤维的聚集的表面活性剂等。另外，根据需要，前述导电层形成用组合物中也可以包含任意粘结剂树脂。

[0070] 前述导电层形成用组合物的涂布方法可以采用任意方法。作为前述涂布方法，例如可列举出：喷涂、棒涂、辊涂、模涂、喷墨涂布、丝网涂布、浸渍涂布、凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法等。作为涂膜的干燥方法，例如可列举出：自然干燥、送风干燥、加热干燥等。加热干燥的温度例如为100℃～200℃，干燥时间例如为1分钟～10分钟。

[0071] (包含金属网的导电层)

[0072] 前述包含金属网的导电层是由导电性金属形成的细线在上述基材上形成为格子状的图案而得到的层。包含金属网的导电层可以通过任意方法形成。例如，可以通过将包含银盐的感光性组合物(导电层形成用组合物)涂布在基材上后、进行曝光处理及显影处理从而将导电性金属细线形成规定的图案来获得包含金属网的导电层。另外，包含金属网的导电层也可以通过将包含导电性金属微粒的糊剂(导电层形成用组合物)印刷成规定的图案来获得。这样的金属网及导电层的形成方法的详细情况例如记载于日本特开2012-18634号公报、日本特开2003-331654号公报中，这些记载作为参考被援引至本说明书中。

[0073] 金属网优选由金、银、铜、镍等导电性优异的金属形成。通过使用这样的导电性优异的金属，能够容易形成表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层。

[0074] (包含金属氧化物的导电层)

[0075] 作为金属氧化物，可列举出：ITO(氧化铟锡)、包含FTO(氟掺杂氧化锡)的氧化锡、氧化锌等，其中，从透光性优异的方面出发，优选ITO。包含金属氧化物的导电层可以通过利用溅射、真空蒸镀等公知的方法使金属氧化物堆积在基材上来形成。

[0076] 前述金属氧化物优选使用由氧化铟90质量％和氧化锡10质量％形成的ITO、或由氧化铟97质量％和氧化锡3质量％形成的ITO。另外，也可以是将前述2种金属氧化物层叠而成的导电层。通过使用这样的金属氧化物，能够容易形成表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层。

[0077] (包含导电性高分子的导电层)

[0078] 作为导电性高分子，可列举出：聚噻吩、聚乙炔、聚对苯撑、聚苯胺、聚对苯乙炔、聚吡咯及它们的衍生物等。从形成具有优异的透光性及电磁波屏蔽性的导电层的观点出发，优选使用聚噻吩及其衍生物。作为聚噻吩，例如可列举出：聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(简称PEDOT)等聚(3,4-亚烷基二氧噻吩)、聚(3,4-二烷氧基噻吩)等。

[0079] 包含导电性高分子的导电层可以通过将包含导电性高分子的导电层形成用组合物涂布在上述基材上来形成。例如，可以通过将使导电体高分子及粘结剂树脂分散或溶解于溶剂中而成的分散液涂布在基材的一个面上后、使该涂膜干燥来获得导电层。作为粘结剂树脂，以对基材的粘接性优异作为条件，没有特别限定。作为粘结剂树脂，可列举出：聚苯乙烯系树脂、聚酯系树脂、丙烯酸类树脂、丙烯酸类改性聚酯树脂、氨酯树脂、乙酸乙烯酯系树脂、氯乙烯系树脂等。作为前述溶剂，可列举出：水、醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、烃系溶剂、芳香族系溶剂等，优选为水或醇系溶剂。另外，包含导电性高分子的导电层形成用组合物中可以包含任意添加剂。作为前述添加剂，可列举出：有机或无机微粒、表面活性剂、抗氧化剂、抗静电剂等。

[0080] 对前述包含导电性高分子的导电层形成用组合物中的固体成分浓度没有特别限定，例如为0.1质量％～30质量％。固体成分浓度为前述范围的导电层形成用组合物(分散液)具有适于涂布的粘度。对前述导电层形成用组合物中的导电性高分子及粘结剂树脂的浓度没有特别限定，例如，导电性高分子的浓度为0.01质量％～10质量％、粘结剂树脂的浓度为1质量％～30质量％。通过适宜设计导电性高分子的浓度、粘结剂树脂及添加剂的种类，能够形成表面电阻值为0.01Ω/sq.～800Ω/sq.的导电层。

[0081] 前述导电层形成用组合物的涂布方法可以采用任意方法。作为前述涂布方法，例如可列举出：喷涂、棒涂、辊涂、模涂、喷墨涂布、丝网涂布、浸渍涂布、凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法等。作为涂膜的干燥方法，例如可列举出：自然干燥、送风干燥、加热干燥等。加热干燥的温度例如为100℃～200℃，干燥时间例如为1分钟～10分钟。

[0082] [偏光层]

[0083] 偏光层是具有将自然光或特定的偏光转换为直线偏光的功能的层。偏光层优选在波长380nm～780nm之间的至少一部分波长中具有吸收二色性。对前述偏光层的偏光度没有特别限定，例如为90％以上、优选为95％以上、更优选为96％以上。前述偏光度例如也可以根据薄膜的厚度进行调整。

[0084] 前述偏光层的透过率(在波长550nm、23℃下测定)优选为35％以上、更优选为40％以上。其中，前述偏光度及透过率例如可以使用分光光度计(日本分光株式会社制、产品名“V-7100”)来测定。

[0085] 对本发明的偏光板中所使用的偏光层没有特别限定，可以使用以往公知的偏光层。作为偏光层，例如可列举出：被二色性物质染色并且经拉伸处理的偏光薄膜、将具有吸收二色性的液晶性化合物制膜而成的液晶薄膜等。

[0086] 前述偏光薄膜通常为将包含碘或二色性染料等二色性物质的以亲水性树脂作为主成分的薄膜拉伸而成的拉伸薄膜。

[0087] 作为前述以亲水性树脂为主成分的薄膜，例如可列举出：聚乙烯醇、部分缩醛化聚乙烯醇等聚乙烯醇系薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、及它们的部分皂化物薄膜等。另外，除此以外，也可以使用聚乙烯醇的脱水处理物薄膜、聚氯乙烯的脱盐酸处理物等多烯取向薄膜等。其中，从由二色性物质带来的染色性优异的方面出发，优选聚乙烯醇系薄膜。聚乙烯醇为将乙酸乙烯酯聚合而成的聚乙酸乙烯酯皂化而得到的树脂。进而，聚乙烯醇系薄膜也包含在前述聚乙烯醇中含有如不饱和羧酸、烯烃类、乙烯基醚类、不饱和磺酸盐等那样能与乙酸乙烯酯共聚的成分的树脂薄膜。染色拉伸薄膜可以通过具有以下工序等的制造方法来获得：使以聚乙烯醇系树脂等为主成分的长条状的未拉伸薄膜溶胀的溶胀工序、使碘等二色性物质浸渗至前述薄膜的染色工序、用包含硼的交联剂进行交联的交联工序、及以规定的倍率进行拉伸的拉伸工序等。前述经染色的偏光薄膜的厚度可以适宜选择适当的值，通常为5μm～50μm，优选为10μm～30μm。

[0088] 前述液晶薄膜是通过将包含偶氮化合物等液晶性化合物的溶液涂布在支撑薄膜上并将该涂膜干燥而得到的薄膜。该液晶薄膜具有支撑薄膜和设置于该支撑薄膜上的包含液晶性化合物的干燥涂膜。该干燥涂膜相当于偏光层。前述支撑薄膜作为用于保护偏光层的保护层而起作用。另外，支撑薄膜可以为光学上各向同性的薄膜或光学上各向异性的薄膜。使用各向异性的薄膜作为支撑薄膜的情况下，该支撑薄膜作为相位差板而起作用。

[0089] 对由液晶薄膜形成的偏光层的厚度没有特别限定，例如为0.05μm～5μm，优选为0.1μm～1μm。

[0090] 作为这样的液晶薄膜的具体例，例如可列举出日本特开2010-266507号中公开的偏光薄膜等。

[0091] [偏光板的用途等]

[0092] 对本发明的偏光板的用途没有特别限定。本发明的偏光板由于透光性及电磁波屏蔽性优异，因此可以适当地用作液晶显示装置、有机EL显示装置等图像显示装置的偏光构件。另外，本发明的偏光板也可以用作带触摸面板的图像显示装置的偏光构件。接触式传感器由于只要有一点点的电磁波就会受到影响，因此安装有本发明的偏光板的带触摸面板的图像显示装置变得触摸面板不易发生误动作。作为具有带触摸面板的图像显示装置的设备，例如可列举出：移动电话、智能手机、便携式游戏机、平板电脑、电视等信息设备。

[0093] 图5为示意性地示出安装有本发明的偏光板1的液晶面板100A的构成例的参考图。

[0094] 该液晶面板100A具备液晶单元8、配置于液晶单元8的视觉识别侧的本发明的偏光板1、以及配置于液晶单元8的视觉识别侧的相反侧的任意的偏光板10。

[0095] 图6为示意性地示出安装有本发明的偏光板1的带触摸面板的液晶面板100B的构成例的参考图。

[0096] 该带触摸面板的液晶面板100B具备：液晶单元8、配置于液晶单元8的视觉识别侧的本发明的偏光板1、配置于液晶单元8的视觉识别侧的相反侧的任意的偏光板10、以及配置于偏光板1的视觉识别侧的触摸面板9。触摸面板9可以使用以往公知的触摸面板。

[0097] 在图5及图6中，本发明的偏光板1借助上述粘合层粘接于液晶单元8的视觉识别面。另外，前述任意的偏光板10可以使用本发明的偏光板，或者也可以使用以往公知的偏光板。进而，液晶单元8可以使用以往公知的液晶单元。

[0098] 通过将前述液晶面板100A及带触摸面板的液晶面板100B安装在背光灯等其他构件中，能够构成本发明的图像显示装置。

[0099] [实施例]

[0100] 以下，示出实施例及比较例，进一步对本发明进行说明。但是，本发明不仅限定于下述实施例。需要说明的是，实施例及比较例中使用的各分析方法如下。

[0101] [表面电阻值的测定方法]

[0102] 对于导电层的表面电阻值，使用Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制的商品名“Loresta-GPMCP-T610”在23℃的测定温度下通过四端子法进行测定。

[0103] [总透光率的测定方法]

[0104] 对于带导电层的基材的总透光率，使用村上色彩研究所制的商品名“HR-100”在室温下进行测定。需要说明的是，该透过率每个各自进行3次测定，将其平均值作为测定值。

[0105] [电磁波屏蔽性的测定方法]

[0106] 偏光板的电磁波屏蔽性通过KEC法在室温下进行测定。具体而言，KEC法(Kansai Electronic industry development Center法)是由关西电子工业振兴中心开发的电磁波屏蔽性能的评价方法。根据该方法，使用频谱分析仪(Agilent公司制、商品名“N9010A”)作为测定装置，在室温下测定偏光板的屏蔽效果(dB)。其中，将频率10MHz的值作为测定值。

[0107] [金属纳米线分散液的制备]

[0108] 在具备搅拌装置的反应容器中，在160℃下加入无水乙二醇5ml、PtCl2的无水乙二醇溶液(浓度：1.5×10-4mol/升)0.5ml。经过4分钟后，用6分钟向所得溶液中同时滴加AgNO3的无水乙二醇溶液(浓度：0.12mol/升)2.5ml和聚乙烯基吡咯烷酮(Mw：5500)的无水乙二醇溶液(浓度：0.36mol/升)5ml，生成银纳米线。该滴加在160℃下进行，直到AgNO3完全被还原为止。接着，向包含前述所得银纳米线的反应混合物中加入丙酮至该反应混合物的体积变为5倍后，将反应混合物以2000rpm离心分离20分钟，由此得到银纳米线。

[0109] 从所得多个银纳米线中任意观察多个银纳米线，结果，其短径为30nm～40nm、长径为30nm～50nm、长度为20μm～50μm的范围内。

[0110] 使该银纳米线和十二烷基-五乙二醇分散于纯水中，制备银纳米线浓度为0.2质量％、十二烷基-五乙二醇浓度为0.1质量％的金属纳米线分散液。

[0111] [导电性高分子分散液的制备]

[0112] 向纯水95质量份中加入PEDOT/PSS分散液(Heraeus Group制、商品名“CleviosFE-T”)5质量份，由此制备导电性高分子分散液。前述PEDOT/PSS分散液是由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸构成的分散液、且聚乙烯二氧噻吩的浓度为4质量％。

[0113] [实施例1]

[0114] 使用棒涂机(第一理化株式会社制、产品名“Barcoater No.06”)，在厚度40μm的丙烯酸类树脂薄膜(Kaneka Corporation制、商品名“HX-40UC”)的一个面上涂布上述金属纳米线分散液，将该涂膜在送风干燥机内在100℃下干燥2分钟，由此形成厚度约0.1μm的导电层。如此操作，制作由基材及导电层形成的带导电层的基材。对该带导电层的基材的总透光率进行测定。将其结果示于表1。

[0115] 另一方面，另外准备厚度190μm的偏光薄膜(用碘染色的聚乙烯醇薄膜。日东电工株式会社制、商品名“NPF-SEG1425DU”)和厚度80μm的三乙酸纤维素薄膜(Fujifilm Corporation制、商品名“TD80UL”)。将前述偏光薄膜借助厚度23μm的丙烯酸类粘合剂粘接在前述带导电层的基材的与形成了导电层的面相反的面上，进而，在该偏光薄膜上，借助厚度23μm的丙烯酸类粘合剂粘接前述三乙酸纤维素薄膜，由此制作实施例1的偏光板。需要说明的是，实施例1的偏光板的层构成为图2所示的层构成(其中，没有形成粘合层5)。

[0116] 将该偏光板的导电层的表面电阻值及屏蔽效果的测定结果示于表1。

[0117] [实施例2]

[0118] 使用具备包含氧化铟90质量％及氧化锡10质量％的烧结体靶的溅射装置，在厚度100μm的环烯烃系树脂薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONORZF16-100”)的一个面上，形成铟锡氧化物膜，在130℃下进行90分钟加热处理，由此形成厚度约0.1μm的ITO膜(导电层)。将该带导电层的基材的总透光率的测定值示于表1。

[0119] 与实施例1同样地操作，将偏光薄膜及三乙酸纤维素薄膜粘接在实施例2的带导电层的基材上，由此制作实施例2的偏光板。

[0120] 将该偏光板的导电层的表面电阻值及屏蔽效果的测定结果示于表1。

[0121] [实施例3]

[0122] 将棒涂机改变为第一理化株式会社制、产品名“Barcoater No.08”，除此以外，与实施例1同样地操作，形成厚度约0.1μm的导电层，对该带导电层的基材的总透光率进行测定后，制作偏光板并对其表面电阻值及屏蔽效果进行测定。将其结果示于表1。

[0123] [实施例4]

[0124] 使用具备包含氧化铟90质量％及氧化锡10质量％的烧结体靶的溅射装置，在厚度100μm的环烯烃系树脂薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONORZF16-100”)的一个面上，形成铟锡氧化物膜，在140℃下进行90分钟加热处理，由此形成厚度约0.1μm的ITO膜(导电层)。将该带导电层的基材的总透光率的测定值示于表1。

[0125] 与实施例1同样地操作，将偏光薄膜及三乙酸纤维素薄膜粘接在实施例4的带导电层的基材上，由此制作实施例4的偏光板。

[0126] 将该偏光板的导电层的表面电阻值及屏蔽效果的测定结果示于表1。

[0127] [实施例5]

[0128] 将棒涂机改变为第一理化株式会社制、产品名“Barcoater No.10”，除此以外，与实施例1同样地操作，形成厚度约0.1μm的导电层，对该带导电层的基材的总透光率进行测定后，制作偏光板并对其表面电阻值及屏蔽效果进行测定。将其结果示于表1。

[0129] [实施例6]

[0130] 使用棒涂机(第一理化株式会社制、产品名“Barcoater No.09”)，在厚度100μm的环烯烃系树脂薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONORZF16-100”)的一个面上涂布上述导电性高分子分散液，将该涂膜在送风干燥机内在120℃下干燥2分钟，由此形成厚度约0.3μm的导电层。将如此操作所得的带导电层的基材的总透光率示于表1。

[0131] 与实施例1同样地操作，将偏光薄膜及三乙酸纤维素薄膜粘接在实施例6的带导电层的基材上，由此制作实施例6的偏光板。

[0132] 将该偏光板的导电层的表面电阻值及屏蔽效果的测定结果示于表1。

[0133] [实施例7]

[0134] 使用具备包含氧化铟97质量％及氧化锡3质量％的烧结体靶的溅射装置，在厚度100μm的环烯烃系树脂薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONORZF16-100”)的一个面上形成铟锡氧化物膜，在140℃下进行30分钟加热处理，形成厚度约0.1μm的ITO膜(导电层)。
将该带导电层的基材的总透光率的测定值示于表1。

[0135] 与实施例1同样地操作，将偏光薄膜及三乙酸纤维素薄膜粘接在实施例7的带导电层的基材上，制作实施例7的偏光板。

[0136] 将该偏光板的导电层的表面电阻值及屏蔽效果的测定结果示于表1。

[0137] [比较例]

[0138] 使用棒涂机(第一理化株式会社制、产品名“Barcoater No.05”)，在厚度100μm的环烯烃系树脂薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONORZF16-100”)上涂布上述导电性高分子分散液，将该涂膜在送风干燥机内在120℃下干燥2分钟，由此形成厚度约0.2μm的导电层。将如此操作所得的带导电层的基材的总透光率示于表1。

[0139] 与实施例1同样地操作，将偏光薄膜及三乙酸纤维素薄膜粘接在比较例的带导电层的基材上，制作比较例的偏光板。

[0140] 将该偏光板的导电层的表面电阻值及屏蔽效果的测定结果示于表1。

[0141] [表1]

[0142]  导电层 导电层的厚度(um) 表面电阻值(Ω/sq.) 总透光率(％) 屏蔽效果(dB)
实施例1 银纳米线 约0.1 50 84.4 45.9
实施例2 ITO 约0.1 100 87.6 41.5
实施例3 银纳米线 约0.1 100 87.8 40.6
实施例4 ITO 约0.1 150 89.2 37.8
实施例5 银纳米线 约0.1 150 89.6 37.6
实施例6 PEDOT/PSS 约0.3 200 84.0 35.0
实施例7 ITO 约0.1 270 90.1 33.2
比较例 PEDOT/PSS 约0.2 210000 86.6 0.8

[0143] 附图标记说明

[0144] 1、1A、1B、1C、1D 偏光板

[0145] 2 导电层

[0146] 3 基材

[0147] 4 偏光层

[0148] 5 粘合层

[0149] 6 保护层

[0150] 8 液晶单元

[0151] 9 触摸面板

[0152] 100A 液晶面板

[0153] 100B 带触摸面板的液晶面板