切割胶带

摘要

本发明提供一种即使是小型、薄型的电子部件也能够抑制切割工序中的芯片飞散和崩裂，能够使拾取容易且不易产生残胶的切割胶带。根据本发明，提供一种切割胶带，其是在基材膜上层叠由粘合剂组合物构成的粘合剂层而形成的，其特征在于，上述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5～250质量份、固化剂0.1～20质量份和光聚合引发剂0.1～20质量份，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯单元35～85质量％、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯单元10～60质量％、具有羧基的单体单元0.5～10质量％以及具有羟基的单体单元を0.05～5质量％，上述光聚合性化合物是重均分子量为4000～8000，且不饱和双键官能团数为10～15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，上述粘合剂层的厚度为3～7μm。

权利要求

1.一种切割胶带，是在基材膜上层叠由粘合剂组合物构成的粘合剂层而形成的，其特征在于，所述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5～250质量份、固化剂0.1～20质量份、以及光聚合引发剂0.1～20质量份，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯单元35～85质量％、(甲基)丙烯酸

2－乙基己酯单元10～60质量％、具有羧基的单体单元0.5～10质量％、以及具有羟基的单体单元0.05～5质量％，所述光聚合性化合物是重均分子量为4000～8000且不饱和双键官能团数为10～15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，所述粘合剂层的厚度为3～7μm。

2.根据权利要求1所述的切割胶带，其特征在于，所述固化剂是多官能异氰酸脂固化剂或多官能环氧固化剂。

3.根据权利要求1或2所述的切割胶带，其特征在于，所述切割胶带的、依据JIS Z 0237测得的、对硅晶片的镜面的粘合力为5.0N/20mm以上。

4.一种电子部件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：(a)贴附工序，在半导体晶片或基板和环形框上贴附切割胶带；

(b)切割工序，切割所述半导体晶片或基板，形成半导体芯片或半导体部件；

(c)光照射工序，对所述切割胶带照射活性光线；

(d)扩展工序，为扩大所述半导体芯片或半导体部件之间的间隔，对所述切割胶带进行拉伸；以及(e)拾取工序，从所述切割胶带拾取半导体芯片或半导体部件；

所述切割胶带是权利要求1～3中任一项所述的切割胶带。

说明书

切割胶带

【技术领域】

[0001] 本发明涉及电子部件的制造工序中使用的切割胶带。【背景技术】

[0002] 半导体晶片或基板在贴合切割胶带后将经历分割(切割)成元件小片、切割胶带的延伸(扩展)、将元件小片从切割胶带剥离(拾取，即pick up)等各工序。对于这些工序中使用的切割胶带，期望对切割工序中形成的元件小片(芯片)具有充分的粘合力，同时在拾取工序时粘合力减小至不产生残胶的程度。

[0003] 作为切割胶带，有如下的切割胶带：在对紫外线和/或电子束等活性光线具有透射性的基材膜上涂布有由紫外线等引起聚合固化反应的粘合剂层。该切割胶带采取如下方法：在切割工序后对粘合剂层照射紫外线等使粘合剂层聚合固化而使粘合力降低后，拾取分割成的芯片。

[0004] 作为这种切割胶带，专利文献1和专利文献2中公开了一种切割胶带，其在基材膜面上涂布了含有例如因活性光线而能够三维网状化的、分子内具有光聚合性不饱和双键的化合物(多官能性低聚物)而形成的粘合剂。【现有技术文献】
【专利文献】

[0005] 【专利文献1】日本特开2006－049509号公报【专利文献2】日本特开2007－246633号公报
【发明内容】
【发明要解决的课题】

[0006] 近年来，随着电子部件的小型化、薄型化，有时在半导体晶片或基板的切割工序中容易发生芯片飞散、崩裂(芯片缺损)，成为成品率降低的主要原因。

[0007] 因此，本发明的主要目的是提供一种切割胶带，该切割胶带，即使是小型、薄型的电子部件，也能够抑制切割工序中的芯片飞散和崩裂，容易拾取，不易产生残胶。【为解决课题的技术手段】

[0008] 根据本发明，提供一种切割胶带，其是在基材膜上层叠由粘合剂组合物构成的粘合剂层而形成的，其特征在于，上述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5～250质量份、固化剂0.1～20质量份、以及光聚合引发剂0.1～20质量份，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯单元35～85质量％、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯单元10～60质量％、具有羧基的单体单元0.5～10质量％、以及具有羟基的单体单元0.05～5质量％，上述光聚合性化合物是重均分子量为4000～8000且不饱和双键官能团数为10～15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，上述粘合剂层的厚度为3～7μm。

[0009] 一般而言，若减小粘合剂层的厚度，则不易发生崩裂，但粘合力变小而容易发生芯片飞散。另外，若为了抑制芯片飞散的发生而调整粘合剂的组成，则容易产生如下问题：容易发生崩裂，或者拾取性变差，或者容易发生残胶。因此，以往很难在有效抑制崩裂、芯片飞散和残胶的同时使拾取性良好。

[0010] 本发明人为了得到这些方面均优异的切割胶带而进行了深入研究，结果发现，在使用特定组成的粘合剂来形成厚度3～7μm的粘合剂层的情况下，能够在有效抑制崩裂、芯片飞散和残胶的同时使拾取性良好，从而完成了本发明。

[0011] 优选特征在于，上述固化剂是多官能异氰酸脂固化剂或多官能环氧固化剂。优选特征在于，上述切割胶带的依据JISZ0237测得的对硅晶片的镜面的粘合力为
5.0N/20mm以上。
根据本发明的另一观点，提供一种电子部件的制造方法，该方法具备如下工序：(a)贴附工序，在半导体晶片或基板和环形框贴上附切割胶带；(b)切割工序，切割上述半导体晶片或基板而形成半导体芯片或半导体部件；(c)光照射工序对上述切割胶带照射活性光线；
(d)扩展工序，为了扩大上述半导体芯片或半导体部件之间的间隔，对上述切割胶带进行拉伸；以及(e)拾取工序，从上述切割胶带拾取半导体芯片或半导体部件，上述切割胶带是上述记载的切割胶带。
【发明效果】

[0012] 根据本发明，可提供一种切割胶带：即使是小型、薄型的电子部件，也能够抑制切割工序中的芯片飞散和崩裂，容易拾取(pick up)，不易产生残胶。【具体实施方式】

[0013] 以下，对用于实施本发明的优选方式进行说明。应予说明，以下说明的实施方式表示本发明的代表实施方式的一个例子，本发明的范围不会因此而被过窄地解释。

[0014] <粘合剂组合物>本发明的切割胶带的粘合剂层的形成所使用的粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5～250质量份、固化剂0.1～20质量份、以及光聚合引发剂
0.1～20质量份。

[0015] ((甲基)丙烯酸酯共聚物)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有：(甲基)丙烯酸甲酯单元35～85质量％(优选为45～75质量％，进一步优选为50～70质量％，进一步优选为55～65质量％)、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯单元10～60质量％(优选为20～50质量％，进一步优选为25～45质量％，进一步优选为30～40质量％)、具有羧基的单体单元0.5～10质量％(优选为2～7质量％，进一步优选为3～6质量％，进一步优选为4～5质量％)、具有羟基的单体单元0.05～5质量％(优选为0.1～3质量％，进一步优选为0.2～2质量％，进一步优选为0.3～1质量％，进一步优选为0.4～0.7质量％)。通过使(甲基)丙烯酸酯共聚物由这样的单体单元构成，即使粘合剂层的厚度较小为
3～7μm，也能够得到粘合力足够高的切割胶带。应予说明，对于切割胶带的粘合力，优选依据JIS Z 0237测得的、对硅晶片的镜面的粘合力为5.0N/20mm以上。

[0016] 作为具有羧基的单体，例如可举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、富马酸、丙烯酰胺N－甘醇酸、以及肉桂酸等，优选(甲基)丙烯酸。

[0017] 作为具有含羟基官能团的单体，例如有(甲基)丙烯酸2－羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯、以及(甲基)丙烯酸2－羟基丁酯，优选(甲基)丙烯酸2－羟基乙酯。

[0018] (光聚合性化合物)光聚合性化合物的混合量相对于(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份为5～250质量份，优选为40～200质量份。若减少光聚合性化合物的混合量，则照射紫外线等活性光线后的切割胶带的剥离性降低，容易产生半导体芯片的拾取不良。另一方面，若增加光聚合性化合物的混合量，则粘合力会因光照射工序而过度降低，在拾取工序中产生芯片松动，成为生产率降低的主要原因。

[0019] 本发明中可利用的光聚合性化合物是重均分子量为4000～8000且不饱和双键官能团数为10～15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物。若重均分子量小，则粘合剂边的柔软，因此容易发生崩裂，若重均分子量大，则与被粘物的密合性降低，容易发生芯片飞散。若不饱和双键官能团数少，则照射紫外线等后的粘合剂的固化性降低，容易发生拾取不良，若不饱和双键官能团数多，则照射紫外线等后的粘合剂的固化过度，产生芯片松动。另外，在使用聚氨酯丙烯酸酯低聚物的情况下，由于与基材膜的密合性和柔软性优异，所以有在拾取时不易产生残胶的优点。

[0020] 聚氨酯丙烯酸酯低聚物可通过使具有羟基的(甲基)丙烯酸酯与聚酯型或聚醚型等的末端异氰酸脂聚氨酯预聚物反应而得到，该末端异氰酸脂聚氨酯预聚物是使多元醇化合物与多元异氰酸脂化合物反应而得到的。

[0021] 作为多元醇化合物，例如使用乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、新戊二醇、二乙二醇、三乙二醇、戊二醇、甘油、三羟甲基丙烷、三羟甲基乙烷、季戊四醇等。作为多元异氰酸脂化合物，例如使用2,4－甲苯二异氰酸脂、2,6－甲苯二异氰酸脂、1,3－二甲苯二异氰酸脂、1,4－二甲苯二异氰酸脂、二苯基甲烷4,4－二异氰酸脂、三甲基六亚甲基二异氰酸脂、六亚甲基二异氰酸脂、异氟尔酮二异氰酸脂等。另外，作为具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可举出(甲基)丙烯酸2－羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、缩水甘油二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯等。

[0022] (固化剂)固化剂的混合量相对于(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份为0.1质量份～20质量份，优选为1质量份～10质量份。若减少固化剂的混合量，则容易产生残胶。另一方面，若增加固化剂的混合量，则发生粘合力的不足或芯片松动，成为生产率降低的主要原因。

[0023] 作为固化剂，有多官能异氰酸脂固化剂、多官能环氧固化剂、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等，优选多官能异氰酸脂固化剂、多官能环氧固化剂。通过使用多官能环氧固化剂或多官能异氰酸脂固化剂作为上述固化剂中的至少一部分，能够选择性地使具有羧基的官能团含有单体反应而使其减少，因而能够调节固化后的具有含羧基官能团的单体量。

[0024] 作为多官能异氰酸脂固化剂，例如有芳香族聚异氰酸脂固化剂、脂肪族聚异氰酸脂固化剂、脂环族聚异氰酸脂固化剂。

[0025] 芳香族聚异氰酸脂没有特别限定，例如可举出1,3－苯二异氰酸脂、4,4'－二苯基二异氰酸脂、1,4－苯二异氰酸脂、4,4'－二苯基甲烷二异氰酸脂、2,4－甲苯二异氰酸脂、2,6－甲苯二异氰酸脂、4,4'－甲苯胺二异氰酸脂、2,4,6－三异氰酸脂甲苯、1,3,5－三异氰酸脂苯、联茴香胺二异氰酸脂、4,4'－二苯基醚二异氰酸脂、4,4',4”－三苯基甲烷三异氰酸脂、ω,ω'－二异氰酸脂－1,3－二甲基苯、ω,ω'－二异氰酸脂－1,4－二甲基苯、ω,ω'－二异氰酸脂－1,4－二乙基苯、1,4－四甲基亚二甲苯基二异氰酸脂、以及1,3－四甲基亚二甲苯基二异氰酸脂等。

[0026] 脂肪族聚异氰酸脂没有特别限定，例如可举出三亚甲基二异氰酸脂、四亚甲基二异氰酸脂、六亚甲基二异氰酸脂、五亚甲基二异氰酸脂、1,2－亚丙基二异氰酸脂、2,3－亚丁基二异氰酸脂、1,3－亚丁基二异氰酸脂、十二亚甲基二异氰酸脂、以及2,4,4－三甲基六亚甲基二异氰酸脂等。

[0027] 脂环族聚异氰酸脂没有特别限定，例如可举出3－异氰酸脂甲基－3,5,5－三甲基环己基异氰酸脂、1,3－环戊烷二异氰酸脂、1,3－环己烷二异氰酸脂、1,4－环己烷二异氰酸脂、甲基－2,4－环己烷二异氰酸脂、甲基－2,6－环己烷二异氰酸脂、4,4'－亚甲基双(环己基异氰酸脂)、1,4－双(异氰酸脂甲基)环己烷、以及1,4－双(异氰酸脂甲基)环己烷。

[0028] 聚异氰酸脂中，优选使用1,3－苯二异氰酸脂、4,4'－二苯基二异氰酸脂、1,4－苯二异氰酸脂、4,4'－二苯基甲烷二异氰酸脂、2,4－甲苯二异氰酸脂、2,6－甲苯二异氰酸脂、4,4'－甲苯胺二异氰酸脂、六亚甲基二异氰酸脂。

[0029] 多官能环氧固化剂主要是指具有2个以上环氧基、1个以上叔氮原子的化合物，可举出N·N－缩水甘油基苯胺、N·N－缩水甘油基甲苯胺、m－N·N－缩水甘油基氨基苯基缩水甘油醚、p－N·N－缩水甘油基氨基苯基缩水甘油醚、三缩水甘油基异氰脲酸酯、N·N·N'·N'－四缩水甘油基二氨基二苯基甲烷、N·N·N'·N'－四缩水甘油基－m－亚二甲苯基二胺、N·N·N'·N'·N”－五缩水甘油基二亚乙基三胺等。

[0030] (光聚合引发剂)光聚合引发剂的混合量相对于(甲基)丙烯酸酯聚合物100质量份为0.1质量份～20质量份，优选为1质量份～10质量份。若混合量过少，则光照射后的从切割胶带的剥离性降低，容易发生半导体芯片的拾取不良。另一方面，若混合量过多，则光聚合引发剂会向粘合剂表面渗出，成为污染的原因。

[0031] 作为光聚合引发剂，使用苯偶姻，苯偶姻烷基醚类、苯乙酮类、蒽醌类、噻吨酮类、缩酮类、二苯甲酮类或呫吨酮类等。

[0032] 作为苯偶姻，例如有苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚等。作为苯乙酮类，例如有苯偶姻烷基醚类、苯乙酮、2,2－二甲氧基－2－苯乙酮、2,2―二乙氧基－2－苯乙酮、1,1－二氯苯乙酮等。
作为蒽醌类，有2－甲基蒽醌、2－乙基蒽醌、2－叔丁基蒽醌、1－氯蒽醌等。
作为噻吨酮类，例如有2,4－二甲基噻吨酮、2,4－二异丙基噻吨酮、2－氯噻吨酮、2，
4－二异丙基噻吨酮等。
作为缩酮类，例如有苯乙酮二甲基缩酮、苄基二缩酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋兰姆单硫化物、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、β－氯蒽醌等。

[0033] 光聚合引发剂中可以根据需要组合1种或2种以上的以往公知的光聚合促进剂来并用。作为光聚合促进剂，可使用安息香酸系、叔胺等。作为叔胺，可举出三乙胺、四乙基五胺、二甲基氨基醚等。

[0034] (粘合赋予树脂)可以在粘合剂组合物中配合粘合赋予树脂。作为粘合赋予树脂，是将萜烯酚树脂完全或部分氢化而成的萜烯酚树脂。

[0035] 萜烯酚树脂例如可通过使萜烯化合物1摩尔与酚类0.1～50反应来制造。

[0036] 作为萜烯化合物，可举出月桂烯、别罗勒烯、罗勒烯、α－蒎烯、β－蒎烯、双戊烯、柠檬烯、α－水芹烯、α－松油烯、γ－松油烯、异松油烯、1,8－桉叶素、1,4－桉叶素、α－松油醇、β－松油醇、γ－松油醇、莰烯、三环烯、桧烯、对薄荷二烯类、蒈烯类等。这些化合物中，本发明特别优选使用α－蒎烯、β－蒎烯、柠檬烯、月桂烯、别罗勒烯、α－松油烯。

[0037] 作为酚类，可举出苯酚、甲酚、二甲酚、儿茶酚、间苯二酚、对苯二酚、双酚A等，但并不限定于此。

[0038] 萜烯酚树脂的酚类的比例为25～50摩尔％左右，但并不限定于此。

[0039] 完全或部分氢化的萜烯酚树脂的羟值优选为50～250。羟值小于50时，与异氰酸脂系固化剂的反应不充分而向粘合剂表面渗出，成为污染的原因，若大于250，则粘度升高，产生与(甲基)丙烯酸酯共聚物等的混合不均，拾取特性不稳定。

[0040] 作为氢化方法，没有特别限定，例如可举出如下方法：使用钯、钌、铑等贵金属或者将它们担载于活性炭、活性氧化铝、硅藻土等载体上而成的物质作为催化剂而进行的方法，氢化率可通过溴值测定、碘值测定等来测定。

[0041] 完全或部分氢化的萜烯酚树脂的氢化率优选为30摩尔％以上，更优选为70摩尔％以上。小于30摩尔％时，因活性光线的照射所引起的光聚合性化合物的反应阻碍而导致粘合力无法充分降低，因而拾取性降低。

[0042] 完全或部分氢化的萜烯酚树脂的配合比优选相对于(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份为0.5质量份～100质量份，更有选为1.0质量份～50质量份。若完全或部分氢化的萜烯酚树脂为0.5质量份以上，则粘合力不会过低，切割时半导体芯片的保持性得到维持，若为100质量份以下，则可抑制拾取不良的发生。

[0043] (添加剂等)粘合剂组合物中例如可以添加软化剂、抗老化剂、填充剂、导电剂、紫外线吸収剂以及光稳定剂等各种添加剂。

[0044] 粘合剂层的厚度为3～7μm，优选为4～6μm。若粘合剂层过厚，则容易发生崩裂。另外，若粘合剂层过薄，则粘合力变得过低，有时切割时的芯片保持性降低而引起芯片飞散，或者在环形框与片之间产生剥离性。

[0045] (基材膜)作为基材膜的材料，例如可举出用金属离子将如下物质交联而成的离聚物树脂等：聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酸－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸－丙烯酸酯膜、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、以及乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯－(甲基)丙烯酸－(甲基)丙烯酸酯共聚物等。基材膜可以是这些树脂的混合物或共聚物，也可以是由这些树脂构成的膜或片的层叠体。

[0046] 基材膜的材料优选使用离聚物树脂。作为离聚物树脂，若使用将具有乙烯单元、甲基丙烯酸单元和(甲基)丙烯酸烷基酯单元的共聚物用Na+、K+、Zn2+等金属离子交联而成的离聚物树脂，则切削屑抑制效果显著，因而优选使用。

[0047] 基材膜可以是由上述材料构成的单层或多层的膜或片，也可以是将由不同材料构成的膜等层叠而成的物质。基材膜的厚度为50～200μm，优选为70～150μm。

[0048] 优选对基材膜实施抗静电处理。作为抗静电处理，有在基材膜中配合抗静电剂的处理、在基材膜表面涂布抗静电剂的处理、基于电晕放电的处理。

[0049] 作为抗静电剂，例如可使用季铵盐单体等。作为季铵盐单体，例如可举出(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯氯化季盐、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯氯化季盐、(甲基)丙烯酸甲基乙基氨基乙酯氯化季盐、对二甲基氨基苯乙烯氯化季盐、以及对二乙基氨基苯乙烯氯化季盐。其中，优选甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯氯化季盐。

[0050] 滑动剂和抗静电剂的使用方法没有特别限定，例如可以在基材膜的一面涂布粘合剂，在其背面涂布滑动剂和/或抗静电剂，也可以将滑动剂和/或抗静电剂混入基材膜的树脂中进行片化。

[0051] 可以在基材膜的一面层叠粘合剂，另一面成为平均表面粗糙度(Ra)为0.3～1.5μm的压纹面。通过在扩展装置的机台侧设置压纹面，在切割后的扩展工序中可使基材膜容易扩张。

[0052] (滑动剂)为了提高切割后的扩展性，可以对基材膜的粘合剂非接触面施以滑动剂，或者在基材膜中混入滑动剂。

[0053] 滑动剂只要是使切割胶带与扩展装置的摩擦系数降低的物质就没有特别限定，例如可举出有机硅树脂或者(改性)硅油等有机硅化合物、氟树脂、六方晶氮化硼、炭黑和二硫化钼等。这些摩擦降低剂也可以混合多种成分。为了在洁净室中进行电子部件的制造，优选使用有机硅化合物或氟树脂。有机硅化合物中，尤其是具有有机硅大分子单体单元的共聚物与抗静电层的相溶性良好，可实现抗静电性与扩展性的平衡，因而优选使用。

[0054] 按顺序对本发明所涉及的电子部件的制造方法的具体工序进行说明。

[0055] (1)贴附工序首先，在贴附工序中，将切割胶带贴附于半导体晶片或基板和环形框。半导体晶片可以是硅晶片和氮化镓晶片、碳化硅晶片、蓝宝石晶片等以往通用的晶片。基板可以是用树脂密封芯片而成的封装基板、LED封装基板、陶瓷基板等通用基板。

[0056] (2)切割工序切割工序中，切割半导体晶片或基板形成半导体芯片或半导体部件。

[0057] (3)光照射工序光照射工序中，对上述切割胶带照射紫外线或电子束等活性光线。活性光线优选从基材膜侧照射。作为紫外线的光源，可使用低压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯。
另外，也可以使用电子束来代替紫外线，作为电子束光源，可使用α射线、β射线、γ射线。

[0058] 通过光照射，粘合剂层三维网状化而固化，粘合剂层的粘合力降低。此时，如上所述，本发明所涉及的切割胶带即使经加热也不会与半导体晶片或基板过度密合，因此通过紫外线等的照射，可得到足够低的粘接力。

[0059] (4)扩展·拾取工序扩展·拾取工序中，为扩大半导体芯片或半导体部件之间的间隔，对切割胶带进行拉伸，并用针销等将芯片或部件向上推。其后，真空夹头或气动夹架等吸引芯片或部件，使其从切割胶带的粘合剂层剥离进行拾取。此时，由于本发明所涉及的切割胶带通过紫外线等的照射可使粘接力充分降低，因此芯片或部件与粘合剂层之间的剥离变得容易，得到良好的拾取性，也不会产生残胶等不良现象。

[0060] <切割胶带的制造>作为在基材膜上形成粘合剂层而得到切割胶带的方法，例如有如下方法：使用凹版涂布机、逗点涂布机、棒涂机、刮刀涂布机或辊涂机之类的涂布机将粘合剂直接塗布在基材膜上的方法；或者将粘合剂涂布于剥离膜并使其干燥后与基材膜贴合的方法。也可采用凸板印刷、凹板印刷、平板印刷、柔版印刷、胶版印刷或丝网印刷等将粘合剂印刷在基材膜上。

[0061] 本发明的切割胶带在电子部件的制造工序即切割工序、背面研磨工序中，优选用于称为工件的电子部件集合体的粘贴用途。【实施例】

[0062] 按如下配方制造实施例·比较例所涉及的粘合剂组合物和切割胶带。将主要配合成分及各实验例的结果示于表1～表3。

[0063] 表1～表3中的组成的数值表示质量份。光聚合性化合物、固化剂、光聚合引发剂的数值表示将(甲基)丙烯酸酯共聚物设为100份时的质量份。基材膜、光聚合性化合物、固化剂、光聚合引发剂的详细情况如下所述。

[0064] 应予说明，重均分子量是采用凝胶渗透色谱法(GPC)作为经聚苯乙烯换算的重均分子量测得的值。具体而言如下所述。装置:GPC－8020SEC系统(东曹公司制)
住:TSK Guard HZ－L+HZM－N 6.0×150mm×3
流量:0.5ml/min
检测器:RI－8020
浓度:0.2wt/Vol％
注入量:20μL
住温度:40℃
系统温度:40℃
溶剂:THF
标准曲线:使用标准聚苯乙烯(PL公司制)制作，重均分子量(Mw)用聚苯乙烯换算值表示。

[0065] <基材膜>·树脂膜A:厚度80μm的离聚物树脂制膜，以乙烯－甲基丙烯酸－丙烯酸2－甲基丙酯共聚物的Zn盐为主体。MFR  2.8g/10min(JIS K7210法，210℃)，Mitsui DuPont Polychemicals株式会社制(市售品)。

[0066] <光聚合性化合物>·光聚合性化合物A:使六亚甲基二异氰酸脂的异氰酸脂与以二季戊四醇五丙烯酸酯为主成分的含羟基的丙烯酸酯反应而得的化合物，重均分子量为7500，且不饱和双键官能团数为10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)。
·光聚合性化合物B:采用与光聚合性化合物A相同的制法合成的重均分子量为4200、不饱和双键官能团数为10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)
·光聚合性化合物C:采用与光聚合性化合物A相同的制法合成的重均分子量为2100、不饱和双键官能团数为10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)
·光聚合性化合物D:采用与光聚合性化合物A相同的制法合成的重均分子量为10300、不饱和双键官能团数为10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)
·光聚合性化合物E:使异氟尔酮二异氰酸脂的三聚体的异氰酸脂与二季戊四醇五丙烯酸酯为主成分的含羟基的丙烯酸酯反应而得到的化合物，重均分子量为4900，且不饱和双键官能团数为15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)。
应予说明，光聚合性化合物采用日本特开昭61－42529号公报等中记载的公知方法制备。

[0067] <固化剂>·固化剂A:2,4－甲苯二异氰酸脂的三羟甲基丙烷加成物(市售品)
·固化剂B:六亚甲基二异氰酸脂的三羟甲基丙烷加成物(市售品)
·固化剂C:N,N,N',N'－四缩水甘油基间亚二甲苯基二胺(市售品)

[0068] <光聚合引发剂>·光聚合引发剂A:1－羟基环己基苯基甲酮(市售品)
·光聚合引发剂B:苄基二甲基缩酮(市售品)

[0069] 【表1】

[0070] 【表2】

[0071] 【表3】

[0072] (1)粘合力依据JIS Z 0237；2009，使用拉伸试验机(A&D公司制，RTG－1210)，采用180°剥离法测定贴附于硅晶片的镜面且经过20分钟后的切割胶带在23℃、相对湿度50％下的粘合力。拉伸速度为300mm/min，切割胶带的尺寸为250mm×20mm。应予说明，硅晶片的镜面使用根据JIS H 0614制得的镜面。

[0073] (2)芯片保持性，拾取性和崩裂的评价将所得切割胶带贴合于形成有虚拟电路图案的直径8英寸×厚度0.15mm的硅晶片和环形框。贴合20分钟后用高压汞灯照射150mJ/cm2的紫外线，其后进行切割、拾取各工序。

[0074] 切割工序的条件如下。切割装置:DISCO公司制DAD341
切割刀片:DISCO公司制NBC－ZH205O－27HEEE
切割刀片的形状:外径55.56mm、刃宽35μm、内径19.05mm
切割刀片转速:40000rpm
切割刀片进给速度:100mm/秒
切割尺寸:1.0mm见方
在切割胶带中的切入量:30μm
切削水温度:25℃
切削水量:1.0升/分钟

[0075] 拾取工序的条件如下。拾取装置:Canon Machinery公司制CAP－300II
扩展量:8mm
针销形状:70μmR
针销数:1根
针销上推高度:0.3mm

[0076] 切割工序和拾取工序中，进行以下评价。

[0077] (2－1)芯片保持性芯片保持性根据切割工序后半导体芯片保持于切割胶带的半导体芯片的残留率，按以下基准进行评价。
◎(优):芯片飞散低于5％
○(良):芯片飞散为5％以上且低于10％
×(不可):芯片飞散为10％以上

[0078] (2－2)拾取性拾取性根据拾取工序中可拾取半导体芯片的比例，按以下基准评价。
◎(优):芯片的拾取成功率为95％以上
○(良):芯片的拾取成功率为80％以上且低于95％
×(不可):芯片的拾取成功率低于80％

[0079] (2－3)崩裂(Chipping)对于崩裂，随机选择50个所拾取的芯片，用500倍的显微镜观察观察芯片背面的4条边，按以下基准评价向中心方向最大缺损的大小。
◎(优):缺损大小小于25μm
○(良):缺损大小为25μm以上且小于50μm
×(不可):缺损大小为50μm以上

[0080] (3)污染性2
将切割胶带贴附于硅晶片的镜面，20分钟后用高压汞灯照射150mJ/cm的紫外线后，将切割胶带剥离。用颗粒计数器测定硅晶片的镜面(贴附面)上残留的0.28μm以上的粒子数。
◎(优):颗粒为500个以下
○(良):颗粒为501个以上且小于2000个。
×(不可):颗粒为2000个以上。

[0081] (4)芯片松动芯片松动根据拾取工序中要拾取的半导体芯片所邻接的半导体芯片因销顶起的冲击而松动的比例，按以下基准评价。
◎(优):芯片松动低于1％
○(良):芯片松动为1％以上且低于3％
×(不可):芯片松动为3％以上

[0082] (考察)如表1～表3的实施例·比较例所示，使用特定组成的粘合剂形成厚度为3～7μm的粘合剂层的所有实施例中，综合判断为○或◎。另一方面，粘合剂的组成或粘合剂层的厚度为规定外的所有比较例中，综合判断为×。由这些结果证实了：若使用本发明的切割胶带，则可有效抑制崩裂、芯片飞散和残胶，同时能够使拾取性良好。

[0083] 进一步进行详细分析，如下所述。比较例1中，由于(甲基)丙烯酸甲酯单元过少，所以污染性差。
比较例2中，由于(甲基)丙烯酸甲酯单元过多，所以芯片保持性差，且芯片容易松动。
比较例3中，由于具有羧基的单体单元过少，所以芯片保持性差。
比较例4中，由于具有羧基的单体单元过多，所以拾取性和污染性差。
比较例5中，由于具有羟基的单体单元过少，所以污染性差。
比较例6中，由于具有羟基的单体单元过多，所以芯片容易松动。
比较例7中，由于光聚合性化合物过少，所以芯片保持性和拾取性差。
比较例8中，由于光聚合性化合物过多，所以污染性差，且芯片容易松动。
比较例9中，由于光聚合性化合物的重均分子量过小，所以容易发生崩裂。
比较例10中，由于光聚合性化合物的重均分子量过大，所以芯片保持性差。
比较例11中，由于固化剂过少，所以污染性差。
比较例12中，由于固化剂过多，所以芯片保持性和污染性差，且芯片容易松动。
比较例13中，由于光聚合引发剂过少，所以拾取性差。
比较例14中，由于光聚合引发剂过多，所以污染性差，且芯片容易松动。
比较例15中，由于粘合剂层过薄，所以芯片保持性差，且芯片容易松动。
比较例16中，由于粘合剂层过厚，所以容易发生崩裂，且拾取性差。